侵权投诉

三星预估第三季利润不到2018年同期的一半 存储器需求不如去年

半导体动态 2019-10-09 16:20 次阅读

由于 2019 年的存储器需求不如去年,韩国科技大厂三星(Samsung)预估第三季的利润不到 2018 年同期的一半。

三星预测第三财季的营收为 62 万亿韩元,利润则达到 7.7 万亿韩元。与 2018 年同期相比,营收下滑 5.3%,利润更是大跌 56%。营收和利润的下滑并非第三财季才出现的现象,三星在第二季的利润就下跌了大约一半,当时也提出警告指出未来的不确定性将会持续存在。

三星预估第三季利润不到2018年同期的一半 存储器需求不如去年

会有这么巨大的落差,另一个原因在于三星在 2018 年第三季的单季利润创下历史新高,才会让 2019 年的成绩单看起来黯然失色。2018 年第三季的惊人表现主要归功于存储器芯片的需求激增,但从同年第四季之后存储器的需求和价格崩跌,至今再起不能。

不过第三季也不是完全一无是处,营收比上一季增加了 10.5%,利润更成长了 16.7%,这些成长动能可能来自于 8 月所推出的旗舰机种 Galaxy Note 10。三星的行动业务第二季利润达到 1.56 万亿韩元,而韩国分析师预估 Galaxy Note 10 将帮助第三季的利润增加到 2 万亿韩元。

三星目前正打算将行动业务撤出中国,并关闭在中国的最后一家工厂,降低中低端智能手机的成本。2014 年三星在中国手机市场还雄踞一方,但 2018 年以后市占率已经下滑到 1% 左右。

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

面板明年Q1有望反弹回升,台面板厂股价有涨幅

面板厂减产消息不断,市场预期,明年第1季面板报价有望止跌反弹,甚至明年东京奥运等换机潮需求也可望延续....
的头像 汽车玩家 发表于 12-16 15:23 0次 阅读
面板明年Q1有望反弹回升,台面板厂股价有涨幅

三星两款软件商标曝光,有望搭载于CES 2020三星电视产品中

据消息报道,近日三星申请了名为“Samsung Mobile View”和“Samsung My A....
的头像 牵手一起梦 发表于 12-16 15:23 5次 阅读
三星两款软件商标曝光,有望搭载于CES 2020三星电视产品中

三星透露准备将RISC-V核心投入商用 2020年用于三星的5G旗舰手机

在近日的RISC-V年度峰会上,三星披露将在未来的多种芯片上,采纳处理器IP设计公司SiFive的R....
的头像 工程师邓生 发表于 12-16 14:44 23次 阅读
三星透露准备将RISC-V核心投入商用 2020年用于三星的5G旗舰手机

Q3季度全球5G手机总销量430万部,三星的市场份额占比最大

IHS Markit市场报告显示,2019年第三季度全球5G手机市场份额占比三星最大,为74%。报告....
的头像 牵手一起梦 发表于 12-16 14:38 24次 阅读
Q3季度全球5G手机总销量430万部,三星的市场份额占比最大

三星EVO Plus升级版+存储卡怎么样 依旧能够看到在当下社会生活中的无限可能

你一定用过这种身形娇小、应用广泛的存储卡。
的头像 39度创意研究所 发表于 12-16 14:25 59次 阅读
三星EVO Plus升级版+存储卡怎么样 依旧能够看到在当下社会生活中的无限可能

MCU进入了怎样的新时代

让 MCU 运行速度达到1GHz。该产品具有前所未有的性能、可靠性和高度集成性,可推动工业、物联网和....
发表于 12-16 14:10 14次 阅读
MCU进入了怎样的新时代

三星首款5G折叠手机售价近2000美元 试图超越苹果和中国竞争对手

12 月 13 日讯,三星电子总裁孙英权本周在柏林的活动上表示,三星的第一款折叠屏手机 Galaxy....
发表于 12-16 11:21 67次 阅读
三星首款5G折叠手机售价近2000美元 试图超越苹果和中国竞争对手

三星QLED 8K电视荣获红顶奖 诠释年度高端好家电

12月13日,由中国家用电器协会指导、红顶奖组委会主办的“第11届中国高端家电趋势发布暨红顶奖颁奖盛....
发表于 12-16 10:04 77次 阅读
三星QLED 8K电视荣获红顶奖 诠释年度高端好家电

三星第一次向加拿大运营商供应4G和5G移动通信设备

据韩国《中央日报》12月16日报道,三星电子将首次向加拿大供应第四代(4G)和第五代(5G)移动通信....
的头像 汽车玩家 发表于 12-16 09:38 202次 阅读
三星第一次向加拿大运营商供应4G和5G移动通信设备

外媒制作三星S11全新渲染图 后置摄像头亮眼

即将于2020年2月18日发布的三星Galaxy S11无疑是接下来最重磅的机型之一,其机身参数也大....
的头像 39度创意研究所 发表于 12-16 08:35 167次 阅读
外媒制作三星S11全新渲染图 后置摄像头亮眼

5G推动OLED市场,2020年三星显示器业务需求将进一步增大

三星显示器在几周前销量攀升,正式成为显示器行业市场中最大的供应商。另外,由于即将到来的5G时代,导致....
发表于 12-15 11:58 147次 阅读
5G推动OLED市场,2020年三星显示器业务需求将进一步增大

三星Galaxy A51配备微距镜头,将于12月27日上市

三星终于宣布了Galaxy A51,这是三星2020年Galaxy A系列的第一款正式发布的智能手机....
发表于 12-15 10:16 75次 阅读
三星Galaxy A51配备微距镜头,将于12月27日上市

尽管美国禁令,华为将与三星的差距缩小到3.6%

尽管美国政府禁令,华为一直对自己的出货量仍会增长感到乐观。在禁令发布之前,华为已经表示有意与三星争夺....
的头像 刘伟DE 发表于 12-15 00:06 958次 阅读
尽管美国禁令,华为将与三星的差距缩小到3.6%

三星并没有真正卖出100万个Galaxy Folds,但这有关系吗?

我不相信昨天的报道,即三星已经售出了超过100万部价值2,000美元的Galaxy Fold智能手机....
的头像 渔翁先生 发表于 12-14 10:53 1207次 阅读
三星并没有真正卖出100万个Galaxy Folds,但这有关系吗?

旺宏将于2020年开始出货3D NAND

台湾专用存储器解决方案制造商旺宏(Macronix)将于明年下半年开始批量生产3D NAND存储器。....
的头像 刘伟DE 发表于 12-14 09:51 1010次 阅读
旺宏将于2020年开始出货3D NAND

三星总裁乱发言,折叠屏手机Galaxy Fold销量100万是假的

三星、华为两家公司今年都推出了折叠屏手机,华为的Mate X更加惊艳一些,但三星的Galaxy Fo....
的头像 汽车玩家 发表于 12-14 09:24 640次 阅读
三星总裁乱发言,折叠屏手机Galaxy Fold销量100万是假的

三星Galaxy Fold销量情况公布 已突破100万台

近日,三星电子公司总裁Young Sohn在柏林一场活动中透露了折叠屏手机三星Galaxy Fold....
的头像 39度创意研究所 发表于 12-13 17:58 593次 阅读
三星Galaxy Fold销量情况公布 已突破100万台

三星Galaxy A71/A51在越南发布 A51售价约合人民币2406元

今日(12月13日),三星在越南新鲜发布Galaxy A71/A51两款中端新机,其中央打孔的外形和....
的头像 39度创意研究所 发表于 12-13 17:22 830次 阅读
三星Galaxy A71/A51在越南发布 A51售价约合人民币2406元

昆山三星电机持续五年亏损,三星退出智能手机主板业务

据韩国中央日报报道,三星电机12月12日在董事会上宣布将清算中国昆山公司,正式退出智能手机主板(HD....
的头像 汽车玩家 发表于 12-13 16:54 2056次 阅读
昆山三星电机持续五年亏损,三星退出智能手机主板业务

中国5G开始商用化,中企对韩企展开追击

全球销售的5G手机中,约有84%由韩国制造,其中三星电子5G手机占比就高达75%,但三星电子、LG的....
的头像 汽车玩家 发表于 12-13 16:48 321次 阅读
中国5G开始商用化,中企对韩企展开追击

三星Galaxy Fold售出百万台,明年推出至少两款折叠屏新机

12月13日消息,据消息报道称,三星电子公司总裁Young Sohn在柏林一场活动中透露了折叠屏手机....
的头像 牵手一起梦 发表于 12-13 16:23 522次 阅读
三星Galaxy Fold售出百万台,明年推出至少两款折叠屏新机

什么是单片机?单片机的历史和应用等详细资料说明

本文档的主要内容详细介绍的是什么是单片机?单片机的历史和应用等详细资料说明
发表于 12-13 16:01 104次 阅读
什么是单片机?单片机的历史和应用等详细资料说明

增资80亿美元!三星促进中国NAND闪存芯片生产

三星电子是消费者级产品的最大知名品牌之一。但是,大多数人都不知道这家韩国科技巨头的实际规模和经营规模....
的头像 刘伟DE 发表于 12-13 15:44 841次 阅读
增资80亿美元!三星促进中国NAND闪存芯片生产

三星Galaxy Fold销量突破百万,成为业界标杆

全面屏形态的发展是非常迅速的,如今整个行业已经把全面屏的标准几乎都做了一遍了,水滴刘海对称式等等,明....
的头像 独爱72H 发表于 12-13 15:43 426次 阅读
三星Galaxy Fold销量突破百万,成为业界标杆

RFID技术在井下风门自动开门系统中有什么作用

RFID技术是无线射频识别技术的英文简称,是一种非接触式自动识别技术,它是由读写器、电子标签两部分组....
发表于 12-13 15:15 55次 阅读
RFID技术在井下风门自动开门系统中有什么作用

三星宣布5G毫米波射频IC将使用RISC-V

同样是开源指令集的 RISC-V 开始被越来越多公司接纳甚至采用,部分业内人士将其视为 ARM 的强....
的头像 汽车玩家 发表于 12-13 15:14 514次 阅读
三星宣布5G毫米波射频IC将使用RISC-V

汽车级GreenPAK可配置混合信号IC

SLG46620-A为常用的混合信号功能提供小巧且低功耗的元件。用户通过配置一次非易失性存储器(NV....
的头像 Dialog半导体公司 发表于 12-13 15:13 188次 阅读
汽车级GreenPAK可配置混合信号IC

2019年三星与华为的全球市场份额差距缩小至3.6%

12月12日消息,据消息,市场研究机构Strategy Analytics预计,2019年全年三星手....
的头像 牵手一起梦 发表于 12-13 15:01 594次 阅读
2019年三星与华为的全球市场份额差距缩小至3.6%

三星Galaxy Fold在印尼推出,售价暂未公布

12月12日消息,据三星印尼官方消息,三星Galaxy Fold明日正式登陆印尼,限量抢购,印尼版售....
的头像 牵手一起梦 发表于 12-13 14:46 539次 阅读
三星Galaxy Fold在印尼推出,售价暂未公布

华为与三星的距离逐渐缩短 三星智能手机市场第一位置或将不保

12 月 13 日讯,据韩国先驱报报道,业界普遍预计,三星今年有望保持全球智能手机市场第一的位置,但....
发表于 12-13 14:33 114次 阅读
华为与三星的距离逐渐缩短 三星智能手机市场第一位置或将不保

STM32F101XX系列ARM内核32位高性能微控制器的参考手册免费下载

本参考手册针对应用开发,提供关于如何使用小容量、中容量和大容量的STM32F101xx、STM32F....
发表于 12-13 14:29 50次 阅读
STM32F101XX系列ARM内核32位高性能微控制器的参考手册免费下载

Monza X-2K和X-8K芯片的资料简介

Impinj的Monza®X-2K Dura和Monza®X-8K Dura芯片使用标准UHF Ge....
发表于 12-13 14:29 30次 阅读
Monza X-2K和X-8K芯片的资料简介

嵌入式存储同门三兄弟,大家都分得清吗?

ReRAM亦称作可变电阻式随机存取存储器,是一种非易失性存储器,通过向金属氧化物薄膜施加脉冲电压,产....
的头像 富士通电子 发表于 12-13 14:24 344次 阅读
嵌入式存储同门三兄弟,大家都分得清吗?

三星Galaxy A51/A71推出,四种配色外形设计类似

12月13日消息,据报道,三星正式宣布了其Galaxy A(2020)系列的首批成员,三星Galax....
的头像 牵手一起梦 发表于 12-13 14:15 584次 阅读
三星Galaxy A51/A71推出,四种配色外形设计类似

三星W20 5G开启预约该机搭载骁龙855平台辅以12GB+512GB内存组合

目前在京东商城,三星W20 5G至尊版可以直接购买,售价高达29999元,内含12999元尊享服务包....
发表于 12-13 14:02 107次 阅读
三星W20 5G开启预约该机搭载骁龙855平台辅以12GB+512GB内存组合

近3个月连续走跌的DRAM价格已触底反弹 三星开始导入1z纳米制程提升单位生产数量

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示,在当前各家厂商库存数量下跌,加上资料....
的头像 半导体动态 发表于 12-13 13:59 361次 阅读
近3个月连续走跌的DRAM价格已触底反弹 三星开始导入1z纳米制程提升单位生产数量

三星Galaxy Fold 2折叠屏手机将会采用超薄玻璃材质的屏幕设计

近日有消息称,三星已经加大了投入,准备在Galaxy Fold 2上采用UTG,即Ultra Thi....
发表于 12-13 11:40 98次 阅读
三星Galaxy Fold 2折叠屏手机将会采用超薄玻璃材质的屏幕设计

三星重工与SK电讯共同开展了5G远程控制自动航行实验

这次实验使用了三星巨济造船厂和SK电讯共同搭建的5G网络,在250公里以外的大田远程控制中心操纵模型....
发表于 12-13 11:37 88次 阅读
三星重工与SK电讯共同开展了5G远程控制自动航行实验

三星首款QLC闪存SSD 860 QVO上架,存储容量最大达4TB

NAND闪存巨头三星电子宣布开始量产业界首款消费级QLC SSD,SATA接口,最大容量4TB,采用....
发表于 12-13 11:35 245次 阅读
三星首款QLC闪存SSD 860 QVO上架,存储容量最大达4TB

三星Galaxy Fold已经售出了100万部

同三星或者苹果每季度数千万销售量相比,100万部并不算什么,如果是别的款式的手机可能根本不值一提。但....
发表于 12-13 11:31 110次 阅读
三星Galaxy Fold已经售出了100万部

三星在越南正式发布了Galaxy A51和Galaxy A71两款手机

三星Galaxy A51采用了三星Exynos 9611处理器,搭配8GB+128GB的内存组合,并....
发表于 12-13 11:28 100次 阅读
三星在越南正式发布了Galaxy A51和Galaxy A71两款手机

东芝WD联盟3D NAND采用三星技术进行量产

Kioxia(原东芝存储),西部数据(WD)联盟3D NAND闪存使用三星电子技术进行批量生产。 东....
的头像 刘伟DE 发表于 12-13 10:46 1049次 阅读
东芝WD联盟3D NAND采用三星技术进行量产

三星Galaxy Fold折叠手机大卖,已售出100万台

三星的首款可折叠手机可能首次发售时遇到了一些问题,同时价格高达15999元,但这并没有阻止该机大卖。....
的头像 汽车玩家 发表于 12-13 10:42 672次 阅读
三星Galaxy Fold折叠手机大卖,已售出100万台

新一轮摄像头像素大战开启,谁会率先推出2亿像素的手机

最近,摩托罗拉推出One Hyper手机,这款手机的摄像头同样很强大,前置摄像头3200万像素,有两....
的头像 汽车玩家 发表于 12-13 10:39 795次 阅读
新一轮摄像头像素大战开启,谁会率先推出2亿像素的手机

三星转向RISC-V架构 RISC-V将率先用于其5G毫米波射频IC中去

同样是开源指令集的RISC-V开始被越来越多公司接纳甚至采用,部分业内人士将其视为ARM的强有力对手....
发表于 12-13 10:30 74次 阅读
三星转向RISC-V架构 RISC-V将率先用于其5G毫米波射频IC中去

三星加大投资 明年全球内存芯片市场将出现反弹

据韩国媒体报道称,三星电子将对其中国芯片工厂增加80亿美元的投资,以促进NAND闪存芯片的生产。据预....
发表于 12-13 10:04 82次 阅读
三星加大投资 明年全球内存芯片市场将出现反弹

为压制国产自主内存,三星80亿美元增投中国芯片厂

据韩国媒体报道称,三星电子将对其中国芯片工厂增加80亿美元的投资,以促进NAND闪存芯片的生产。据预....
的头像 汽车玩家 发表于 12-13 09:55 488次 阅读
为压制国产自主内存,三星80亿美元增投中国芯片厂

三星Exynos 980 5G SoC跑分成绩发布

今天硬件测试软件鲁大师发布了一款神秘机型的跑分成绩,它搭载的是三星最新的Exynos 980 5G ....
的头像 汽车玩家 发表于 12-13 09:16 267次 阅读
三星Exynos 980 5G SoC跑分成绩发布

华为与三星市场份额差距在缩小,成为第一只是时间问题

据韩国先驱报报道,业界普遍预计,三星今年有望保持全球智能手机市场第一的位置,但它与其竞争对手华为的市....
的头像 汽车玩家 发表于 12-13 09:11 300次 阅读
华为与三星市场份额差距在缩小,成为第一只是时间问题

SN8F5701和SN8F57011系列单片机的数据手册免费下载

功能特性 增强型 8051 微控制器:减少指令周期时间(高达 80C51 的 12 倍),-高达 3....
发表于 12-13 08:00 31次 阅读
SN8F5701和SN8F57011系列单片机的数据手册免费下载

存储器的编码方法

一种存储器的编码方法,应用于包含存储器的装置,存储器中包含第一存储体、第二存储体和第三存储体,包括:获取存储器的带宽信息...
发表于 11-15 15:44 474次 阅读
存储器的编码方法

ROHM BR24T系列 EEPROM存储器

ROHM EEPROM支持SPI总线接口,串行3线接口和2线I2C接口方法。输入电压范围:1.6V~5.5V;2.5V~5.5V;2.7V~5....
发表于 11-15 09:16 161次 阅读
ROHM BR24T系列 EEPROM存储器

新手求教,怎么系统的学习一下存储器这个方向的知识?等待中。。。

就是想系统学习下存储器这方面的知识,零散的学习总觉得不对胃口。感谢大神知识。 先看什么书籍后看什么  谢谢 ...
发表于 11-10 13:48 426次 阅读
新手求教,怎么系统的学习一下存储器这个方向的知识?等待中。。。

如何设计抗SEU存储器电路中的FPGA?

随着我国航空航天事业的迅猛发展,卫星的应用越来越广泛。然而,太空环境复杂多变,其中存在着各种宇宙射线与高能带电粒子,它们...
发表于 11-08 07:57 70次 阅读
如何设计抗SEU存储器电路中的FPGA?

如何在块存储器中写入和读取矩阵?

你好, 继续这条消息: 我要将数据矩阵存储在fpga而不是LUT的块存储器中作为内存! 因为基于我编写的代码中的上述链接,...
发表于 11-07 07:30 110次 阅读
如何在块存储器中写入和读取矩阵?

如何设计新型PSoC 5LP模拟传感器板?

你好, 我最近刚刚设计了一个PSoC 5LP模拟传感器板。它有几个模拟传感器,以及一个ISOSPI接口,显示头,模拟和数字头...
发表于 11-06 10:00 170次 阅读
如何设计新型PSoC 5LP模拟传感器板?

DS2430A有什么基本结构?

DS2430A是256位一线式EE-PROM,具有3引脚TO-92小体积封装形式或6引脚TSOC表面贴封装形式,能安装到印制电路板上或...
发表于 11-06 07:24 157次 阅读
DS2430A有什么基本结构?

DM320007-C和RA8875 LCD控制器之间的硬件接口

大家好,我正在设计一个板来连接dm320007-c pic32mz启动器套件和带有ra8875控制器的显示器。我对pic32mz和ra8875之间的接口有些怀...
发表于 11-05 11:04 74次 阅读
DM320007-C和RA8875 LCD控制器之间的硬件接口

三星LED灯杯有什么特点?

三星LED大功率灯杯铝合金灯体:防撞、散热性好; 电镀,外表光滑,反光率高。...
发表于 11-05 09:02 178次 阅读
三星LED灯杯有什么特点?

嵌入式NVM在应用中要注意什么?

非易失性存储器是指在系统关闭或无电源供应时仍能保持数据信息的存储器,常见的有EPROM、EEPROM、Flash-EEPROM...
发表于 11-04 06:55 73次 阅读
嵌入式NVM在应用中要注意什么?

LE2416RLBXA EEPROM存储器 2线 串行接口 16 kbits(2k x 8位)

RLBXA是一款2线串行接口EEPROM。它结合了我们公司的高性能CMOS EEPROM技术,实现了高速和高可靠性。该器件与I 2 C存储器协议兼容;因此,它最适合需要小规模可重写非易失性参数存储器的应用程序。 特性 优势 单电源电压:1.7V至3.6V(读取) 低功耗 擦除/写入周期:10 5 周期(页面写入) 高可靠性 容量:16k位(2k x 8位) 工作温度:-40至+ 85°C 接口:双线串行接口(I 2 C总线) 工作时钟频率:400kHz 低功耗:待机: 2μA( max)有效(读取):0.5mA(最大值) 自动页面写入模式:16字节 阅读模式:顺序阅读和随机阅读 数据保留期:20年 上拉电阻:WP引脚上带有内置上拉电阻的5kΩ(典型值) 高可靠性 应用 手机相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:23 26次 阅读
LE2416RLBXA EEPROM存储器 2线 串行接口 16 kbits(2k x 8位)

TLC5958 具有 48k 位存储器的 48 通道、16 位 PWM LED 驱动器

信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌电流驱动器,适用于占空比为 1 至 32 的多路复用系统。 每个通道都具有单独可调的 65536 步长脉宽调制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位显示存储器以提升视觉刷新率,同时降低 GS 数据写入频率。输出通道分为三组,每组含 16 个通道。 各组都具有 512 步长颜色亮度控制 (CC) 功能。 全部 48 通道的最大电流值可通过 8 步长全局亮度控制 (BC) 功能设置。 CC 和 BC 可用于调节 LED 驱动器之间的亮度偏差。 可通过一个串行接口端口访问 GS、CC 和 BC 数据。如需应用手册:,请通过电子邮件发送请求。TLC5958 有一个错误标志:LED 开路检测 (LOD),可通过串行接口端口读取。 TLC5958 还具有节电模式,可在全部输出关闭后将总流耗设为 0.8mA(典型值)。特性 48 通道恒流灌电流输出具有最大亮度控制 (BC)/最大颜色亮度控制 (CC) 数据的灌电流: 5VCC 时为 25mA 3.3VCC 时为 20mA 全局亮度控制 (BC):3 位(8 步长) 每个颜色组的颜色亮度控制 (CC):9 位(512 步长),三组使用多路复用增强型光谱 (ES) PWM 进行灰度 (GS) 控制:16 位 支持 32 路多路复用的 48K 位灰度数据...
发表于 04-18 20:08 148次 阅读
TLC5958 具有 48k 位存储器的 48 通道、16 位 PWM LED 驱动器

TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP™ Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-µF (2 × 10 µF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...
发表于 04-18 20:05 62次 阅读
TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存...
发表于 04-18 20:05 55次 阅读
TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

信息描述 TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整电源。 它集成了同步降压稳压器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 工作频率相耦合的 D-CAP2™ 模式,此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外,此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支持灵活功率级控制,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软关闭)。 它包括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封装并且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。特性 同步降压控制器 (VDDQ)转换电压范围:3V 至 28V输出...
发表于 04-18 20:05 71次 阅读
TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
发表于 04-18 20:05 122次 阅读
TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展...
发表于 04-18 19:35 14次 阅读
AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业...
发表于 04-18 19:35 14次 阅读
AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...
发表于 04-18 19:31 18次 阅读
AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...
发表于 04-18 19:31 16次 阅读
AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 12次 阅读
AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 20次 阅读
AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...
发表于 04-18 19:29 70次 阅读
AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...
发表于 04-18 19:29 92次 阅读
AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...
发表于 04-18 19:28 112次 阅读
AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 µs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保护EE...
发表于 04-18 19:28 92次 阅读
AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0& 1,1) 工业温度范围 自定时写周期 64字节页面写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000计划/时代se周期 100年数据保留 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此设备无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 其他识别具有永久写保护的页面 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 84次 阅读
CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业温度范围 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,以及符合RoHS标准 应用 汽车系统 Communica tions Systems 计算机系统 消费者系统 工业系统 ...
发表于 04-18 19:13 56次 阅读
CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 66次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI

60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件,内部组织为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业温度范围 符合RoHS标准的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFN软件包 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 78次 阅读
CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI