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半导体器件型号的命名方法和半导体二极管参数符号及其意义说明

2019-10-04 09:25 次阅读

  一、 中国半导体器件型号命名方法

  半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:

  第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管

  第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

  第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F《3MHz,Pc《1W)、G-高频小功率管(f》3MHz,Pc《1W)、D-低频大功率管(f《3MHz,Pc》1W)、A-高频大功率管(f》3MHz,Pc》1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

  第四部分:用数字表示序号

  第五部分:用汉语拼音字母表示规格号

  例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管

  日本半导体分立器件型号命名方法

  二、日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:

  第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

  第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

  第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。

  第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号;不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号;数字越大,越是近期产品。

  第五部分: 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

  美国半导体分立器件型号命名方法

  三、美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:

  第一部分:用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、(无)-非军用品。

  第二部分:用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。

  第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。

  第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。

  第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如:JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管,JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。

  四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法

  德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分的符号及意义如下:

  第一部分:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg》1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg《0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料

  第二部分:用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。

  第三部分:用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。

  第四部分:用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。

  除四个基本部分外,有时还加后缀,以区别特性或进一步分类。常见后缀如下:

  1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母,表示稳定电压值的容许误差范围,字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;其后缀第二部分是数字,表示标称稳定电压的整数数值;后缀的第三部分是字母V,代表小数点,字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

  2、整流二极管后缀是数字,表示器件的最大反向峰值耐压值,单位是伏特。

  3、晶闸管型号的后缀也是数字,通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。

  如:BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管,AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。

  五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法

  欧洲有些国家,如德国、荷兰采用如下命名方法。

  第一部分:O-表示半导体器件

  第二部分:A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。

  第三部分:多位数字-表示器件的登记序号。

  第四部分:A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。

  俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少,在此不介绍。

  一、半导体二极管参数符号及其意义

  CT---势垒电容

  Cj---结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容

  Cjv---偏压结电容

  Co---零偏压电容

  Cjo---零偏压结电容

  Cjo/Cjn---结电容变化

  Cs---管壳电容或封装电容

  Ct---总电容

  CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比

  CTC---电容温度系数

  Cvn---标称电容

  IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流

  IF(AV)---正向平均电流

  IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。

  IH---恒定电流、维持电流。

  Ii--- 发光二极管起辉电流

  IFRM---正向重复峰值电流

  IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)

  Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

  IF(ov)---正向过载电流

  IL---光电流或稳流二极管极限电流

  ID---暗电流

  IB2---单结晶体管中的基极调制电流

  IEM---发射极峰值电流

  IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流

  IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流

  ICM---最大输出平均电流

  IFMP---正向脉冲电流

  IP---峰点电流

  IV---谷点电流

  IGT---晶闸管控制极触发电流

  IGD---晶闸管控制极不触发电

  IGFM---控制极正向峰值电流

  IR(AV)---反向平均电流

  IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

  IRM---反向峰值电流

  IRR---晶闸管反向重复平均电流

  IDR---晶闸管断态平均重复电流

  IRRM---反向重复峰值电流

  IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)

  Irp---反向恢复电流

  Iz---稳定电压电流(反向测试电流)。测试反向电参数时,给定的反向电流

  Izk---稳压管膝点电流

  IOM---最大正向(整流)电流。在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流

  IZSM---稳压二极管浪涌电流

  IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流

  iF---正向总瞬时电流

  iR---反向总瞬时电流

  ir---反向恢复电流

  Iop---工作电流

  Is---稳流二极管稳定电流

  f---频率

  n---电容变化指数;电容比

  Q---优值(品质因素)

  δvz---稳压管电压漂移

  di/dt---通态电流临界上升率

  dv/dt---通态电压临界上升率

  PB---承受脉冲烧毁功率

  PFT(AV)---正向导通平均耗散功率

  PFTM---正向峰值耗散功率

  PFT---正向导通总瞬时耗散功率

  Pd---耗散功率

  PG---门极平均功率

  PGM---门极峰值功率

  PC---控制极平均功率或集电极耗散功率

  Pi---输入功率

  PK---最大开关功率

  PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率

  PMP---最大漏过脉冲功率

  PMS---最大承受脉冲功率

  Po---输出功率

  PR---反向浪涌功率

  Ptot---总耗散功率

  Pomax---最大输出功率

  Psc---连续输出功率

  PSM---不重复浪涌功率

  PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率

  RF(r)---正向微分电阻。在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻

  RBB---双基极晶体管的基极间电阻

  RE---射频电阻

  RL---负载电阻

  Rs(rs)----串联电阻

  Rth----热阻

  R(th)ja----结到环境的热阻

  Rz(ru)---动态电阻

  R(th)jc---结到壳的热阻

  r δ---衰减电阻

  r(th)---瞬态电阻

  Ta---环境温度

  Tc---壳温

  td---延迟时间

  tf---下降时间

  tfr---正向恢复时间

  tg---电路换向关断时间

  tgt---门极控制极开通时间

  Tj---结温

  Tjm---最高结温

  ton---开通时间

  toff---关断时间

  tr---上升时间

  trr---反向恢复时间

  ts---存储时间

  tstg---温度补偿二极管的贮成温度

  a---温度系数

  λp---发光峰值波长

  △ λ---光谱半宽度

  η---单结晶体管分压比或效率

  VB---反向峰值击穿电压

  Vc---整流输入电压

  VB2B1---基极间电压

  VBE10---发射极与第一基极反向电压

  VEB---饱和压降

  VFM---最大正向压降(正向峰值电压)

  VF---正向压降(正向直流电压)

  △VF---正向压降差

  VDRM---断态重复峰值电压

  VGT---门极触发电压

  VGD---门极不触发电压

  VGFM---门极正向峰值电压

  VGRM---门极反向峰值电压

  VF(AV)---正向平均电压

  Vo---交流输入电压

  VOM---最大输出平均电压

  Vop---工作电压

  Vn---中心电压

  Vp---峰点电压

  VR---反向工作电压(反向直流电压)

  VRM---反向峰值电压(最高测试电压)

  V(BR)---击穿电压

  Vth---阀电压(门限电压)

  VRRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压)

  VRWM---反向工作峰值电压

  V v---谷点电压

  Vz---稳定电压

  △Vz---稳压范围电压增量

  Vs---通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压

  av---电压温度系数

  Vk---膝点电压(稳流二极管)

  VL ---极限电压

  二、双极型晶体管参数符号及其意义

  Cc---集电极电容

  Ccb---集电极与基极间电容

  Cce---发射极接地输出电容

  Ci---输入电容

  Cib---共基极输入电容

  Cie---共发射极输入电容

  Cies---共发射极短路输入电容

  Cieo---共发射极开路输入电容

  Cn---中和电容(外电路参数)

  Co---输出电容

  Cob---共基极输出电容。在基极电路中,集电极与基极间输出电容

  Coe---共发射极输出电容

  Coeo---共发射极开路输出电容

  Cre---共发射极反馈电容

  Cic---集电结势垒电容

  CL---负载电容(外电路参数)

  Cp---并联电容(外电路参数)

  BVcbo---发射极开路,集电极与基极间击穿电压

  BVceo---基极开路,CE结击穿电压

  BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压

  BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压

  BV cer---基极与发射极串接一电阻,CE结击穿电压

  D---占空比

  fT---特征频率

  fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率

  hFE---共发射极静态电流放大系数

  hIE---共发射极静态输入阻抗

  hOE---共发射极静态输出电导

  h RE---共发射极静态电压反馈系数

  hie---共发射极小信号短路输入阻抗

  hre---共发射极小信号开路电压反馈系数

  hfe---共发射极小信号短路电压放大系数

  hoe---共发射极小信号开路输出导纳

  IB---基极直流电流或交流电流的平均值

  Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值

  IE---发射极直流电流或交流电流的平均值

  Icbo---基极接地,发射极对地开路,在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流

  Iceo---发射极接地,基极对地开路,在规定的反向电压VCE条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流

  Iebo---基极接地,集电极对地开路,在规定的反向电压VEB条件下,发射极与基极之间的反向截止电流

  Icer---基极与发射极间串联电阻R,集电极与发射极间的电压VCE为规定值时,集电极与发射极之间的反向截止电流

  Ices---发射极接地,基极对地短路,在规定的反向电压VCE条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流

  Icex---发射极接地,基极与发射极间加指定偏压,在规定的反向偏压VCE下,集电极与发射极之间的反向截止电流

  ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。

  IBM---在集电极允许耗散功率的范围内,能连续地通过基极的直流电流的最大值,或交流电流的最大平均值

  ICMP---集电极最大允许脉冲电流

  ISB---二次击穿电流

  IAGC---正向自动控制电流

  Pc---集电极耗散功率

  PCM---集电极最大允许耗散功率

  Pi---输入功率

  Po---输出功率

  Posc---振荡功率

  Pn---噪声功率

  Ptot---总耗散功率

  ESB---二次击穿能量

  rbb‘---基区扩展电阻(基区本征电阻)

  rbb’Cc---基极-集电极时间常数,即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积

  rie---发射极接地,交流输出短路时的输入电阻

  roe---发射极接地,在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻

  RE---外接发射极电阻(外电路参数)

  RB---外接基极电阻(外电路参数)

  Rc ---外接集电极电阻(外电路参数)

  RBE---外接基极-发射极间电阻(外电路参数)

  RL---负载电阻(外电路参数)

  RG---信号源内阻

  Rth---热阻

  Ta---环境温度

  Tc---管壳温度

  Ts---结温

  Tjm---最大允许结温

  Tstg---贮存温度

  td----延迟时间

  tr---上升时间

  ts---存贮时间

  tf---下降时间

  ton---开通时间

  toff---关断时间

  VCB---集电极-基极(直流)电压

  VCE---集电极-发射极(直流)电压

  VBE---基极发射极(直流)电压

  VCBO---基极接地,发射极对地开路,集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压

  VEBO---基极接地,集电极对地开路,发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压

  VCEO---发射极接地,基极对地开路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压

  VCER---发射极接地,基极与发射极间串接电阻R,集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压

  VCES---发射极接地,基极对地短路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压

  VCEX---发射极接地,基极与发射极之间加规定的偏压,集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压

  Vp---穿通电压。

  VSB---二次击穿电压

  VBB---基极(直流)电源电压(外电路参数)

  Vcc---集电极(直流)电源电压(外电路参数)

  VEE---发射极(直流)电源电压(外电路参数)

  VCE(sat)---发射极接地,规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降

  VBE(sat)---发射极接地,规定Ic、IB条件下,基极-发射极饱和压降(前向压降)

  VAGC---正向自动增益控制电压

  Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值

  V n---噪声电压

  Cj---结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容

  Cjv---偏压结电容

  Co---零偏压电容

  Cjo---零偏压结电容

  Cjo/Cjn---结电容变化

  Cs---管壳电容或封装电容

  Ct---总电容

  CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比

  CTC---电容温度系数

  Cvn---标称电容

  IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流

  IF(AV)---正向平均电流

  IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。

  IH---恒定电流、维持电流。

  Ii--- 发光二极管起辉电流

  IFRM---正向重复峰值电流

  IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)

  Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

  IF(ov)---正向过载电流

  IL---光电流或稳流二极管极限电流

  ID---暗电流

  IB2---单结晶体管中的基极调制电流

  IEM---发射极峰值电流

  IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流

  IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流

  ICM---最大输出平均电流

  IFMP---正向脉冲电流

  IP---峰点电流

  IV---谷点电流

  IGT---晶闸管控制极触发电流

  IGD---晶闸管控制极不触发电流

  IGFM---控制极正向峰值电流

  IR(AV)---反向平均电流

  IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

  IRM---反向峰值电流

  IRR---晶闸管反向重复平均电流

  IDR---晶闸管断态平均重复电流

  IRRM---反向重复峰值电流

  IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)

  Irp---反向恢复电流

  Iz---稳定电压电流(反向测试电流)。测试反向电参数时,给定的反向电流

  Izk---稳压管膝点电流

  IOM---最大正向(整流)电流。在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流

  IZSM---稳压二极管浪涌电流

  IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流

  iF---正向总瞬时电流

  iR---反向总瞬时电流

  ir---反向恢复电流

  Iop---工作电流

  Is---稳流二极管稳定电流

  f---频率

  n---电容变化指数;电容比

  Q---优值(品质因素)

  δvz---稳压管电压漂移

  di/dt---通态电流临界上升率

  dv/dt---通态电压临界上升率

  PB---承受脉冲烧毁功率

  PFT(AV)---正向导通平均耗散功率

  PFTM---正向峰值耗散功率

  PFT---正向导通总瞬时耗散功率

  Pd---耗散功率

  PG---门极平均功率

  PGM---门极峰值功率

  PC---控制极平均功率或集电极耗散功率

  Pi---输入功率

  PK---最大开关功率

  PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率

  PMP---最大漏过脉冲功率

  PMS---最大承受脉冲功率

  Po---输出功率

  PR---反向浪涌功率

  Ptot---总耗散功率

  Pomax---最大输出功率

  Psc---连续输出功率

  PSM---不重复浪涌功率

  PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率

  RF(r)---正向微分电阻。在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻

  RBB---双基极晶体管的基极间电阻

  RE---射频电阻

  RL---负载电阻

  Rs(rs)----串联电阻

  Rth----热阻

  R(th)ja----结到环境的热阻

  Rz(ru)---动态电阻

  R(th)jc---结到壳的热阻

  r δ---衰减电阻

  r(th)---瞬态电阻

  Ta---环境温度

  Tc---壳温

  td---延迟时间

  tf---下降时间

  tfr---正向恢复时间

  tg---电路换向关断时间

  tgt---门极控制极开通时间

  Tj---结温

  Tjm---最高结温

  ton---开通时间

  toff---关断时间

  tr---上升时间

  trr---反向恢复时间

  ts---存储时间

  tstg---温度补偿二极管的贮成温度

  a---温度系数

  λp---发光峰值波长

  △ λ---光谱半宽度

  η---单结晶体管分压比或效率

  VB---反向峰值击穿电压

  Vc---整流输入电压

  VB2B1---基极间电压

  VBE10---发射极与第一基极反向电压

  VEB---饱和压降

  VFM---最大正向压降(正向峰值电压)

  VF---正向压降(正向直流电压)

  △VF---正向压降差

  VDRM---断态重复峰值电压

  VGT---门极触发电压

  VGD---门极不触发电压

  VGFM---门极正向峰值电压

  VGRM---门极反向峰值电压

  VF(AV)---正向平均电压

  Vo---交流输入电压

  VOM---最大输出平均电压

  Vop---工作电压

  Vn---中心电压

  Vp---峰点电压

  VR---反向工作电压(反向直流电压)

  VRM---反向峰值电压(最高测试电压)

  V(BR)---击穿电压

  Vth---阀电压(门限电压)

  VRRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压)

  VRWM---反向工作峰值电压

  V v---谷点电压

  Vz---稳定电压

  △Vz---稳压范围电压增量

  Vs---通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压

  av---电压温度系数

  Vk---膝点电压(稳流二极管)

  VL ---极限电压

  三、场效应管参数符号意义

  Cds---漏-源电容

  Cdu---漏-衬底电容

  Cgd---栅-源电容

  Cgs---漏-源电容

  Ciss---栅短路共源输入电容

  Coss---栅短路共源输出电容

  Crss---栅短路共源反向传输电容

  D---占空比(占空系数,外电路参数)

  di/dt---电流上升率(外电路参数)

  dv/dt---电压上升率(外电路参数)

  ID---漏极电流(直流)

  IDM---漏极脉冲电流

  ID(on)---通态漏极电流

  IDQ---静态漏极电流(射频功率管)

  IDS---漏源电流

  IDSM---最大漏源电流

  IDSS---栅-源短路时,漏极电流

  IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流)

  IG---栅极电流(直流)

  IGF---正向栅电流

  IGR---反向栅电流

  IGDO---源极开路时,截止栅电流

  IGSO---漏极开路时,截止栅电流

  IGM---栅极脉冲电流

  IGP---栅极峰值电流

  IF---二极管正向电流

  IGSS---漏极短路时截止栅电流

  IDSS1---对管第一管漏源饱和电流

  IDSS2---对管第二管漏源饱和电流

  Iu---衬底电流

  Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数)

  gfs---正向跨导

  Gp---功率增益

  Gps---共源极中和高频功率增益

  GpG---共栅极中和高频功率增益

  GPD---共漏极中和高频功率增益

  ggd---栅漏电导

  gds---漏源电导

  K---失调电压温度系数

  Ku---传输系数

  L---负载电感(外电路参数)

  LD---漏极电感

  Ls---源极电感

  rDS---漏源电阻

  rDS(on)---漏源通态电阻

  rDS(of)---漏源断态电阻

  rGD---栅漏电阻

  rGS---栅源电阻

  Rg---栅极外接电阻(外电路参数)

  RL---负载电阻(外电路参数)

  R(th)jc---结壳热阻

  R(th)ja---结环热阻

  PD---漏极耗散功率

  PDM---漏极最大允许耗散功率

  PIN--输入功率

  POUT---输出功率

  PPK---脉冲功率峰值(外电路参数)

  to(on)---开通延迟时间

  td(off)---关断延迟时间

  ti---上升时间

  ton---开通时间

  toff---关断时间

  tf---下降时间

  trr---反向恢复时间

  Tj---结温

  Tjm---最大允许结温

  Ta---环境温度

  Tc---管壳温度

  Tstg---贮成温度

  VDS---漏源电压(直流)

  VGS---栅源电压(直流)

  VGSF--正向栅源电压(直流)

  VGSR---反向栅源电压(直流)

  VDD---漏极(直流)电源电压(外电路参数)

  VGG---栅极(直流)电源电压(外电路参数)

  Vss---源极(直流)电源电压(外电路参数)

  VGS(th)---开启电压或阀电压

  V(BR)DSS---漏源击穿电压

  V(BR)GSS---漏源短路时栅源击穿电压

  VDS(on)---漏源通态电压

  VDS(sat)---漏源饱和电压

  VGD---栅漏电压(直流)

  Vsu---源衬底电压(直流)

  VDu---漏衬底电压(直流)

  VGu---栅衬底电压(直流)

  Zo---驱动源内阻

  η---漏极效率(射频功率管)

  Vn---噪声电压

  aID---漏极电流温度系数

  ards---漏源电阻温度系数

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发表于 07-30 21:02 15次 阅读
LV8711T 步进电机驱动器 PWM 恒流控制

AMIS-30621 带LIN总线的微步电动机驱动器和控制器

0621是一款带有位置控制器和控制诊断接口的单片微步进电机驱动器。它可以构建与LIN主机远程连接的专用机电一体化解决方案。芯片通过总线接收定位指令,然后将电机线圈驱动到所需位置。片上位置控制器可配置(OTP或RAM)不同的电机类型,定位范围和速度,加速度和减速度参数。 AMIS-30621充当LIN总线上的从机,主机可以从每个单独的从节点获取特定的状态信息,如实际位置,错误标志等。该芯片采用I2T100技术实现,可同时实现高压同一芯片上的模拟电路和数字功能。 AMIS-30621完全兼容汽车电压要求。 特性 自动选择快速和慢速衰减模式。 无需外部反激二极管。 可配置的速度和加速度。 现场可编程节点地址。 动态分配标识符。 物理层和数据链路层(符合LIN rev.1.3)。 LIN总线短路保护供应和地面。 高温警告和管理。 失去LIN安全操作。 Micro - 步进技术。 峰值电流高达800 mA。 固定频率PWM电流控制。 快速自动选择慢速衰减模式。 无需外部反激二极管。 符合14 V汽车系统。 这是一个无铅设备。 应用 汽车应用,...
发表于 07-30 19:02 44次 阅读
AMIS-30621 带LIN总线的微步电动机驱动器和控制器

AMIS-30543 微步电机驱动器

543是一款用于双极步进电机的微步进步进电机驱动器。芯片通过IO引脚和SPI接口与外部微控制器连接。它具有片上稳压器,复位输出和看门狗复位功能,可为外围设备供电。 AMIS30543包含一个电流转换表,根据NXT输入引脚上的时钟信号以及DIR(方向)寄存器或输入引脚的状态,进行下一个微步。芯片提供速度和负载角度输出。这允许基于负载角度创建失速检测算法和控制回路以调节扭矩和速度。它使用专有的PWM算法进行可靠的电流控制。 AMIS30543采用I2T100技术实现,可在同一芯片上实现高压模拟电路和数字功能。该芯片完全兼容汽车电压要求。 特性 优势 可编程峰值电流高达3A 高度集成和降低系统成本 128微步 更高的系统分辨率和更安静的电机操作 速度和负载角度输出 启用真正的无传感器闭环控制电机 可编程PWM电压斜率 优化的EMC配置文件 有源反激式二极管 降低BOM成本和提高可靠性 集成电源和监视器支持rt用于外部MCU 降低总系统复杂性和BOM成本 应用 终端产品 数控设备 工业制造设备 纺织设备 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 19:02 53次 阅读
AMIS-30543 微步电机驱动器

NCV8881 LDO稳压器 1.5 A 低压差

1由一个降压开关稳压器(SMPS)和一个SMPS输出欠压监控器和CPU看门狗电路组成。此外,还提供两个固定电压低压差稳压器输出,并共享LDO输出电压状态输出。一旦使能,稳压器操作将继续,直到看门狗信号不再存在。 NCV8881适用于必须承受40 V负载突降的汽车电池连接应用。开关稳压器能够将典型的9 V至19 V汽车输入电压范围转换为3.3 V至8 V的输出,并具有恒定的开关频率,可以通过电阻编程或与外部时钟信号同步。使能输入阈值和迟滞是可编程的,使能输入状态在开漏点火缓冲器输出处复制。稳压器受限流,输入过压和过温关断以及SMPS短路关断保护。 特性 1.5 A开关稳压器(内部电源开关) 100 mA,5 V LDO输出 40 mA,8.5 V LDO输出 工作范围5 V至19 V 可编程SMPS频率 SMPS可以同步到外部时钟 可编程SMPS输出电压低至0.8 V ±2%参考电压容差 内部SMPS软启动 电压模式SMPS控制 SMPS逐周期电流限制和短路保护 内部自举二极管 逻辑电平使能输入 使能外部电阻分压器可编程输入迟滞 启用输入状态在开放...
发表于 07-30 19:02 49次 阅读
NCV8881 LDO稳压器 1.5 A 低压差

NUD3160 继电器驱动器 48 V

微集成器件提供单组件解决方案,可以在不需要续流二极管的情况下切换感应负载,如继电器,螺线管和小型直流电机。它接受逻辑电平输入,因此允许它由各种设备驱动,包括逻辑门,逆变器和微控制器。 特性 在DC之间提供强大的接口继电器线圈和敏感逻辑 能够在12 V,24 V时驱动额定电流高达150 mA的继电器线圈或48 V 以更低的成本取代3或4个离散组件 内部齐纳二极管消除了对自由二极管的需求 符合装载转储和其他汽车规格 应用 终端产品 驱动器窗口,门闩,门和天线继电器 汽车 工业设备 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 12:02 62次 阅读
NUD3160 继电器驱动器 48 V

NUD3105D 继电器驱动器 5.0 V 双通道

备用于切换感应负载,如继电器,螺线管白炽灯和小型直流电机,无需使用空转二极管。该器件集成了所有必需的产品,如MOSFET开关,ESD保护和齐纳钳位。它接受逻辑电平输入,因此允许它由各种设备驱动,包括逻辑门,反相器和微控制器。 特性 在DC之间提供强大的驱动程序接口继电器线圈和敏感逻辑电路 优化开关继电器从3.0 V到5.0 V电压轨 能够驱动额定功率高达2.5 W,5.0 V 的继电器线圈 内部齐纳二极管消除了对续流二极管的需求 内部齐纳钳位路由引起的电流接地以实现更安静的系统操作 低VDS(on)降低系统电流排水 应用 电信:线路卡,调制解调器,答录机和传真 计算机和办公室:复印机,打印机和台式电脑 消费者:电视和录像机,立体声接收器,CD播放器,盒式录音机 工业:小家电,安全系统,自动测试设备,车库门开启器 汽车:5.0V驱动继电器,电机控制,电源锁和灯驱动器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 12:02 40次 阅读
NUD3105D 继电器驱动器 5.0 V 双通道

NUD3124 继电器驱动器 24 V

微集成器件提供单组件解决方案,可以在不需要续流二极管的情况下切换感应负载,如继电器,螺线管和小型直流电机。它接受逻辑电平输入,因此允许它由各种设备驱动,包括逻辑门,逆变器和微控制器。 特性 在DC之间提供强大的接口继电器线圈和敏感逻辑 能够在12伏特下驱动额定电流高达150 mA的继电器线圈 以更低的成本取代3或4个离散组件 内部齐纳二极管消除了对自由二极管的需求 满足负载转储和其他汽车规格 应用 终端产品 驱动窗口,门闩,门,天线继电器 汽车 工业设备 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 12:02 52次 阅读
NUD3124 继电器驱动器 24 V

MC79L 线性稳压器 100 mA 5 V 负极

0负线性稳压器是一款价格低廉,易于使用的器件,适用于需要高达100 mA电流的众多应用。与功率更高的MC7900系列负调节器一样,该线性稳压器具有热关断和电流限制功能,使其非常坚固耐用。在大多数应用中,无需外部元件即可运行。 MC79L00线性稳压器适用于卡上调节或需要适度电流水平的稳压负电压的任何其他应用。与常见的电阻/齐纳二极管方法相比,该稳压器具有明显的优势。 规格: MC79L00AB MC79L00AC 容差 4% 4% 温度范围 -40°C到+ 125°C 0°C至+ 125°C 封装 SOIC-8,TO-92 SOIC-8,TO-92 特性 无需外部组件 内部短路电流限制 内部热过载保护 低成本 提供的互补正稳压器(MC78L00系列) 无铅封装是Av ailable 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 25次 阅读
MC79L 线性稳压器 100 mA 5 V 负极

MC78L 线性稳压器 100 mA 5至24 V 正极

0A系列线性稳压器是价格低廉,易于使用的器件,适用于需要高达100 mA稳压电源的众多应用。与其更高功率的MC7800和MC78M00系列同类产品一样,这些稳压器具有内部限流和热关断功能,使其非常坚固耐用。在许多应用中,MC78L00设备无需外部组件。与传统的齐纳二极管 - 电阻器组合相比,这些线性稳压器具有显着的性能优势,因为输出阻抗和静态电流显着降低。 规格: MC78L00AB MC78L00AC 容差 4% 4% 温度范围 -40°C至+ 125°C 0°C至+ 125°C 封装 SOIC-8,TO-92 SOIC-8,TO-92,SOT -89 特性 广泛的可用固定输出电压 低成本 内部短路电流限制 内部热过载保护 无需外部组件 互补提供负调节器(MC79L00系列) 无铅封装是Av ailable 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 05:02 57次 阅读
MC78L 线性稳压器 100 mA 5至24 V 正极

FAN4868UC33X 3 MHz 同步稳压器

8是一款低功耗升压稳压器,旨在通过单节锂离子或锂离子电池提供稳定的3.3 V输出。输出电压选项固定为3.3 V,在VIN = 2.3 V时保证最大负载电流为200 mA,在VIN = 3.3 V时保证300 mA。关断模式下的输入电流小于1μA,从而最大限度地延长电池寿命。 PFM操作是自动的并且“无故障”。该稳压器可在低负载时保持低至37μA静态电流的输出调节。内置功率晶体管,同步整流和低电源电流的组合使FAN4868成为电池供电应用的理想选择.FAN4868可在6-凸点0.4 mm间距晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)。 特性 使用少量外部元件工作:1μH电感和0402外壳尺寸输入和输出电容 输入电压范围为2.3 V至3.2 V 固定3.3 V输出电压选项 最大负载电流> 150 mA,VIN = 2.3 V 最大负载电流300 mA,VIN = 2.7 V,VOUT = 3.3 V 低工作静态电流 True Load Disc关机期间的连接 具有轻载省电模式的可变导通时间脉冲频率调制(PFM) 内部同步整流器(无需外部二极管) 热关断和过载保护 6-Bump WLCSP,0.4 mm间距 应用 终端产品 为3.3 V核心导轨供电 PDA...
发表于 07-30 05:02 41次 阅读
FAN4868UC33X 3 MHz 同步稳压器

NCP302155 集成驱动器和MOSFET 55 A.

155将MOSFET驱动器,高端MOSFET和低端MOSFET集成在一个封装中。驱动器和MOSFET已针对高电流DC-DC降压功率转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比,NCP302155集成解决方案大大降低了封装寄生效应和电路板空间。 特性 平均电流高达55A 能够以高达2 MHz的频率切换 兼容3.3 V或5 V PWM输入 支持Intel®PowerState 4 使用3级PWM的零交叉检测选项 内部自举二极管 热警告输出和热关机 应用 终端产品 台式机和笔记本微处理器 服务器和工作站,V-Core和非V核DC-DC转换器 大电流DC-DC负载点转换器 小型电压调节器模块 电源和笔记本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 22:02 104次 阅读
NCP302155 集成驱动器和MOSFET 55 A.

NCP303151 集成驱动器和带集成电流监视器的MOSFET

151将MOSFET驱动器,高端MOSFET和低端MOSFET集成到单个封装中。驱动器和MOSFET已针对高电流DC-DC降压功率转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比,NCP303151集成解决方案大大降低了封装寄生效应和电路板空间。 特性 能够达到50 A的平均电流 30 V / 30 V击穿电压MOSFET具有更高的长期可靠性 能够以高达1 MHz的频率切换 与3.3兼容V或5 V PWM输入 正确响应3级PWM输入 精确电流监测 具有3级PWM的过零检测选项 内部自举二极管 欠压锁定 支持英特尔®PowerState 4 应用 桌面和笔记本微处理器 图形卡 路由器和交换机 支持英特尔®PowerState 4 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 22:02 80次 阅读
NCP303151 集成驱动器和带集成电流监视器的MOSFET

NCP302055 集成驱动器和MOSFET 50 A.

055将MOSFET驱动器,高端MOSFET和低端MOSFET集成在一个封装中。驱动器和MOSFET已针对高电流DC-DC降压功率转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比,NCP302055集成解决方案大大减少了封装寄生效应和电路板空间。 特性 平均电流高达50A 能够以高达2 MHz的频率切换 兼容3.3 V或5 V PWM输入 支持Intel®PowerState 4 使用3级PWM的零交叉检测选项 内部自举二极管 热警告输出和热关机 热关机 应用 终端产品 台式机和笔记本微处理器 服务器和工作站,V -Core和非V-DC DC-DC转换器 大电流DC-DC负载点转换器 小型电压调节器模块 电源和笔记本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 21:02 90次 阅读
NCP302055 集成驱动器和MOSFET 50 A.

NCV8872 汽车级非同步升压控制器

2是一款可调输出非同步升压控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制,打嗝模式短路保护和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率。 特性 优势 工厂可编程 灵活性 4.8 V至45 V操作 使用反极性保护二极管通过起动和负载转储进行操作 -40 C至150 C操作 汽车级 双功能启用/同步引脚 紧凑SOIC8包中的额外功能 应用 终端产品 仪表盘 引擎集群 启动/停止应用程序 导航 LED背光 汽车应用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 21:02 36次 阅读
NCV8872 汽车级非同步升压控制器

NCP81174 具有省电模式和PWM VID接口的多相同步降压控制器

74是一款通用型四相同步降压控制器。它结合了差分电压检测,差分相电流检测和PWM VID接口,为计算机或图形控制器提供精确的稳压电源。它可以从处理器接收节电命令(PSI),并以单相二极管仿真模式工作,以获得轻载时的高效率。双边沿多相PWM调制确保快速瞬态响应,并尽可能减少电容。 应用 终端产品 GPU和CPU电源 显卡的电源管理 台式电脑 笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 18:02 39次 阅读
NCP81174 具有省电模式和PWM VID接口的多相同步降压控制器