三星将于今年内完成4nm工艺开发 2020年完成3nm工艺开发

半导体动态 2019-09-12 10:44 次阅读

尽管日本严格管制半导体材料多少都会影响三星的芯片、面板研发、生产,但是上周三星依然在日本举行了“三星晶圆代工论坛”SFF会议,公布了旗下新一代工艺的进展,其中3nm工艺明年就完成开发了。

三星在10nm、7nm及5nm节点的进度都会比台积电要晚一些,导致台积电几乎包揽了目前的7nm芯片订单,三星只抢到IBM、NVIDIA及高通部分订单。不过三星已经把目标放在了未来的3nm工艺上,预计2021年量产。

在3nm节点,三星将从FinFET晶体管转向GAA环绕栅极晶体管工艺,其中3nm工艺使用的是第一代GAA晶体管,官方称之为3GAE工艺。

三星将于今年内完成4nm工艺开发 2020年完成3nm工艺开发

根据官方所说,基于全新的GAA晶体管结构,三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。

此外,MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备,从而加速工艺开发及生产。

在这次的日本SFF会议上,三星还公布了3nm工艺的具体指标,与现在的7nm工艺相比,3nm工艺可将核心面积减少45%,功耗降低50%,性能提升35%。

在工艺进度上,三星今年4月份已经在韩国华城的S3 Line工厂生产7nm芯片,今年内完成4nm工艺开发,2020年完成3nm工艺开发。

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

日韩贸易争端愈演愈烈 韩国寻求突围

最新消息显示,10月11日,日本与韩国在瑞士日内瓦举行会谈,寻求解决两国近期的贸易纠纷,双方会后同意....
的头像 半导体动态 发表于 10-15 17:36 146次 阅读
日韩贸易争端愈演愈烈 韩国寻求突围

厦门立足现有基础优势有序推进产业发展 利用对台互补优势携手参与国际竞争

厦门着力培育的十项未来产业中,第三代半导体被认为是最具基础优势的产业代表之一。“厦门十大未来产业将第....
的头像 半导体动态 发表于 10-15 17:26 136次 阅读
厦门立足现有基础优势有序推进产业发展 利用对台互补优势携手参与国际竞争

LG面板使用国产氟化氢材料取代日本进口

由于日韩两国之间的贸易纠纷,日本政府7月初决定禁止三种重要半导体、显示面板材料出口给韩国,迫使韩国公....
的头像 牵手一起梦 发表于 10-15 16:41 142次 阅读
LG面板使用国产氟化氢材料取代日本进口

三星西安二期工厂预计将在2020年2月开始批量生产

半导体行业一直是科技行业的重头,尤其是今年开始,半导体行业的重要性愈发显得突出,随着5G物联网的正式....
的头像 牵手一起梦 发表于 10-15 16:38 132次 阅读
三星西安二期工厂预计将在2020年2月开始批量生产

三星即将在印度推出A91 4G版本,售价高于30000印度卢比

上个月,三星在韩国推出了Galaxy A90 5G版。现在,有消息称,三星即将在印度推出A91 4G....
的头像 牵手一起梦 发表于 10-15 16:14 178次 阅读
三星即将在印度推出A91 4G版本,售价高于30000印度卢比

使用机器视觉技术进行彩色图像采集的分析

随着我国各行各业自动化、智能化需求的不断增加,机器视觉技术已经深入到我们身边,或是生活中,或是工作中....
发表于 10-15 15:26 14次 阅读
使用机器视觉技术进行彩色图像采集的分析

半导体器件的符号和名称

半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间,利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件,可用来....
发表于 10-15 14:54 35次 阅读
半导体器件的符号和名称

如何制造单晶的晶圆

近年来全球硅晶圆供给不足,导致8英寸、12英寸硅晶圆订单能见度分别已达2019上半年和年底。目前国内....
发表于 10-15 09:13 48次 阅读
如何制造单晶的晶圆

三星LED球泡灯有什么优势?

三星LED球泡灯应用范围 用于商场、办公大楼、酒店、展厅、会议室、医院、橱窗、居室等场所,特别适合豪华型高标准大空间的照...
发表于 10-15 09:01 9次 阅读
三星LED球泡灯有什么优势?

日韩双方磋商未谈妥 下一次磋商预计在11月10日前进行

10月11日,日韩两国在WTO总部瑞士日内瓦围绕该问题举行了双边磋商,从磋商结果来看,双方并未谈妥,....
的头像 半导体动态 发表于 10-14 17:13 312次 阅读
日韩双方磋商未谈妥 下一次磋商预计在11月10日前进行

莫大康:存储器格局还会有变数

存储器业垄断格局不可能一成不变,中国半导体业要涉足存储器业是国家意志,不会改变,要相信中国半导体业会....
的头像 章鹰 发表于 10-14 17:13 918次 阅读
莫大康:存储器格局还会有变数

三星手机中国市场份额不足1%,转型迫在眉睫

日前,三星电子宣布关闭在中国的最后一家智能手机工厂。这家位于惠州市的工厂于1993年正式投产,是三星....
的头像 牵手一起梦 发表于 10-14 16:58 320次 阅读
三星手机中国市场份额不足1%,转型迫在眉睫

三星SDI在欧洲投资建厂 希望倚靠电动汽车快速发展的欧洲市场

随着欧洲电动汽车市场快速发展,在接下来的几年内,欧洲车企将需要更多的电池。
发表于 10-14 16:26 162次 阅读
三星SDI在欧洲投资建厂 希望倚靠电动汽车快速发展的欧洲市场

三星Galaxy S11+或将成首款搭载三个打孔前置摄像头的智能手机

Galaxy S11+可能是三星旗下首款装备三个打孔前置摄像头的手机,而Galaxy S11和S11....
的头像 牵手一起梦 发表于 10-14 15:21 554次 阅读
三星Galaxy S11+或将成首款搭载三个打孔前置摄像头的智能手机

MQ-303A酒精传感器的数据手册免费下载

MQ-303A是一种二氧化锡半导体型酒精气体传感器,对酒精具有高的灵敏度和快速的响应性,适于便携式酒....
发表于 10-14 15:09 34次 阅读
MQ-303A酒精传感器的数据手册免费下载

预计Q4季度NAND闪存市场涨幅10%,三星计划增大投资

在连跌7个季度之后,NAND闪存市场将在今年底迎来转机,Q3季度闪存价格下跌幅度已经大幅收窄,预计Q....
的头像 牵手一起梦 发表于 10-14 14:46 275次 阅读
预计Q4季度NAND闪存市场涨幅10%,三星计划增大投资

三星上新The Serif画境系列电视新品,搭载了4K超高清QLED面板

近日三星上新了The Serif画境系列电视新品,55英寸三星The Serif画境系列电视搭载了4....
的头像 牵手一起梦 发表于 10-14 14:38 330次 阅读
三星上新The Serif画境系列电视新品,搭载了4K超高清QLED面板

华为Mate X将于10月份在中国区发布和销售

折叠屏一度被视为智能手机未来的一个全新方向,但无论三星Galaxy Fold还是华为Mate X,进....
的头像 牵手一起梦 发表于 10-14 14:22 139次 阅读
华为Mate X将于10月份在中国区发布和销售

瑞萨电子推出新型的双向同步升降压工业控制器

全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社今日宣布,推出创新的新型双向四开关同步升降压控制器系列....
发表于 10-14 11:24 43次 阅读
瑞萨电子推出新型的双向同步升降压工业控制器

晶圆制造主要设备市场情况

半导体供应链上各家厂商之间的关系正在大洗牌,昨日的合作伙伴,未来可能是最大的竞争对手;本来井水不犯河....
发表于 10-14 10:18 334次 阅读
晶圆制造主要设备市场情况

半导体制造业的特点与机会

另一个重要的趋势是制造尺寸更大的晶圆。由于与200mm晶圆相比,尺寸更大的晶圆存在着潜在的制造成本优....
发表于 10-14 09:20 40次 阅读
半导体制造业的特点与机会

三星I9250智能手机的电路原理图免费下载

本资料详细介绍了I9250各单元电路的工作原理,对其他手机的维修也具有指导借鉴作用。
发表于 10-14 08:00 104次 阅读
三星I9250智能手机的电路原理图免费下载

什么是微处理器的低功耗芯片设计技术?

随着半导体工艺的飞速发展和芯片工作频率的提高,芯片的功耗迅速增加,而功耗增加又将导致芯片发热量的增大和可靠性的下降。因此...
发表于 10-14 07:48 22次 阅读
什么是微处理器的低功耗芯片设计技术?

一加7 Pro的90Hz屏幕实验报告显示屏幕BEW值越高画质就越清晰

本次实验对象为一台90Hz刷新率的一加7 Pro和一台60Hz刷新率的一加6T,通过示波器能将肉眼看....
发表于 10-13 16:12 203次 阅读
一加7 Pro的90Hz屏幕实验报告显示屏幕BEW值越高画质就越清晰

三大NAND生产厂商再次掀起新一轮军备竞赛

随着NAND Flash价格的连续走低,为了防止过量的NAND闪存供应导致市场崩溃,三大NAND生产....
的头像 牵手一起梦 发表于 10-13 07:24 383次 阅读
三大NAND生产厂商再次掀起新一轮军备竞赛

LED产业专利大戏仍持续上演,国内企业还需防患于未然

专利大战是LED行业的永恒话题,目前大有愈演愈烈的趋势。尤其是以首尔半导体、日亚化学、丰田合成、欧司....
的头像 牵手一起梦 发表于 10-13 07:08 338次 阅读
LED产业专利大戏仍持续上演,国内企业还需防患于未然

釜川高端装备研发制造项目落户江苏无锡锡山区 总投资达10.6亿元

近日,江苏无锡锡山区东港镇人民政府与上海釜川自动化设备有限公司(以下简称“上海釜川”)举行签约仪式。....
的头像 半导体动态 发表于 10-12 16:37 317次 阅读
釜川高端装备研发制造项目落户江苏无锡锡山区 总投资达10.6亿元

处理器的核心架构将提高嵌入式应用的性价比

现阶段半导体晶片商多采用ARM的处理器核心,来制造旗下处理器或微控制器等产品。ARM的核心可分为A、....
发表于 10-12 16:34 96次 阅读
处理器的核心架构将提高嵌入式应用的性价比

台积电持续扩大领先距离 第二梯队厂商发展布局从多方切入

时序将迈入2019年第四季,面对2020年半导体产业展望,市场上普遍预估将有5~7%的成长水平,但由....
的头像 半导体动态 发表于 10-12 16:06 383次 阅读
台积电持续扩大领先距离 第二梯队厂商发展布局从多方切入

国内最大的半导体测试机本土供应商?

数据显示,2016年至2018年以及2019年第一季度,华峰测控的营业收入分别为1.12亿元、1.4....
的头像 倩倩 发表于 10-12 15:47 226次 阅读
国内最大的半导体测试机本土供应商?

三星已成功研发出新型的汽车无线充电设备

据外媒报道,美国专利商标局(US Patent & Trademark Office)公布了三星(S....
发表于 10-12 15:35 472次 阅读
三星已成功研发出新型的汽车无线充电设备

高通首次使用其7纳米EUV工艺的骁龙865处理器或将会在11月推出

据消息报道,高通最快将在11月推出高通骁龙865处理器,而且将会在三星Galaxy S11系列上首先....
的头像 牵手一起梦 发表于 10-12 15:34 264次 阅读
高通首次使用其7纳米EUV工艺的骁龙865处理器或将会在11月推出

三星即将推出价格更为实惠的Galaxy Note 10 Lite,拥有两种配色

据sammobile报道,三星正在开发一款新的Galaxy Note系列手机,这款手机可能比Gala....
的头像 牵手一起梦 发表于 10-12 15:32 287次 阅读
三星即将推出价格更为实惠的Galaxy Note 10 Lite,拥有两种配色

聚焦下一代通信和材料半导体

在自主研发方面,中国走出了华为,凭一己之力拿下5G在网络+终端+芯片端到端能力。现在的测控行业犹如当....
的头像 倩倩 发表于 10-12 15:32 252次 阅读
聚焦下一代通信和材料半导体

韩国巨头大手笔投资中国半导体工厂

根据三星10月8日发布财报显示,第三季度,三星营业利润仅为7.7万亿韩元,与去年同期相比减少56%,....
的头像 倩倩 发表于 10-12 15:22 378次 阅读
韩国巨头大手笔投资中国半导体工厂

江苏南大光电发布了2019年前三季度业绩预告

MO源系列产品是制备LED、新一代太阳能电池、相变存储器、半导体激光器、射频集成电路芯片等的核心原材....
的头像 倩倩 发表于 10-12 15:19 241次 阅读
江苏南大光电发布了2019年前三季度业绩预告

叶国光:70年大变局,看中美贸易战、台湾半导体与MicroLED

台湾市场太小了,台湾只有代工制造这个仅有的骄傲,台湾永远是5G的配角,如何做一个称职的配角,台湾还在....
的头像 倩倩 发表于 10-12 15:16 494次 阅读
叶国光:70年大变局,看中美贸易战、台湾半导体与MicroLED

韩国优秀半导体企业将来西安考察

英国大使馆官员表示,他们在陕西的主要工作方向集中于一带一路主题、医疗健康、教育领域、科技领域以及文物....
的头像 倩倩 发表于 10-12 15:12 280次 阅读
韩国优秀半导体企业将来西安考察

台积电总市值达到2482亿美元超越英特尔,成为半导体行业第一

据台积电称,采用EUV光刻技术的N7+(7nm+)工艺已经大批量的供应客户,但官方没有透露具体的合作....
的头像 倩倩 发表于 10-12 15:03 501次 阅读
台积电总市值达到2482亿美元超越英特尔,成为半导体行业第一

三星电子营业利润预降56%,日韩交火殃及三星

营收不是吸睛点,利润的变动才是最受关注的。财报显示,三星电子当季的营业利润介于7.6万亿-7.8万亿....
的头像 倩倩 发表于 10-12 14:58 2092次 阅读
三星电子营业利润预降56%,日韩交火殃及三星

百亿元半导体产业链雏形显现

台湾半导体产业园项目的加速迈进只是句容 “芯”力量快速崛起的缩影,2018年落户的壹度科技项目建设发....
的头像 倩倩 发表于 10-12 14:53 371次 阅读
百亿元半导体产业链雏形显现

厦企携手中科院双方将共同推进半导体光刻胶的研发和项目产业化

恒坤新材料是国内率先实现量供集成电路超高纯前驱体和高端光刻胶的企业,已成为国内多家高端芯片企业的材料....
的头像 倩倩 发表于 10-12 14:50 249次 阅读
厦企携手中科院双方将共同推进半导体光刻胶的研发和项目产业化

材料千千万,化合物半导体的春天来了

光纤通信、手机的无线通信系统、用于三维识别的VSECL泛光源、自动驾驶的毫米波雷达、5G基站的射频模....
的头像 倩倩 发表于 10-12 14:47 201次 阅读
材料千千万,化合物半导体的春天来了

深耕洁净领域,抢抓半导体发展机遇

据悉,制程污染控制是指在生物医药、半导体、光电、食品饮料等产品的制造过程中,为了减少或避免由于细菌、....
的头像 倩倩 发表于 10-12 14:37 296次 阅读
深耕洁净领域,抢抓半导体发展机遇

日本与韩国将在瑞士日内瓦举行双边磋商

1990年,德国管理学家赫尔曼。西蒙提出过隐形冠军的概念。他认为德国能在长达23年的时间里保持世界出....
的头像 倩倩 发表于 10-12 14:34 288次 阅读
日本与韩国将在瑞士日内瓦举行双边磋商

停滞期的全球半导体市场有望从明年开始重新恢复增长趋势

数据显示,半导体市场去年创下了4856亿美元的历史最高纪录,但今年随着存储芯片需求的急剧减少,整个市....
的头像 倩倩 发表于 10-12 14:30 192次 阅读
停滞期的全球半导体市场有望从明年开始重新恢复增长趋势

三星发布视频用于检验自家OLED电视面板是有否烧屏现象

三星近日发布一支视频,用于帮助用户检查自家OLED电视面板是否烧屏。视频开始展示了一些烧屏会出现的现....
的头像 牵手一起梦 发表于 10-12 14:29 490次 阅读
三星发布视频用于检验自家OLED电视面板是有否烧屏现象

集成电路用大直径硅片实现产业化

在半导体领域中,高品质材料和高端装备,至今仍是我国的“短腿”和“痛点”。其中,高品质材料自我供给率不....
的头像 倩倩 发表于 10-12 14:20 224次 阅读
集成电路用大直径硅片实现产业化

海宁技师学院打造集成电路技术,服务地方经济

前不久,海宁市市长曹国良携市府办、发改局、经信局、教育局、人社局、尖山新区有关领导和海宁芯盟科技股份....
的头像 倩倩 发表于 10-12 14:16 134次 阅读
海宁技师学院打造集成电路技术,服务地方经济

三星W20 5G的宣传海报曝光,采用全新的折叠屏形态亮相

众所周知,三星W系列手机是一款专为商业成功人士打造高端手机。近日,有数码博主在微博曝光了一张三星W2....
的头像 牵手一起梦 发表于 10-12 14:06 1848次 阅读
三星W20 5G的宣传海报曝光,采用全新的折叠屏形态亮相

下一代的模拟和射频设计验证工具将会是什么样的?

目前最先进的模拟和射频电路,正广泛应用于消费电子产品、无线通讯设备、计算机和网络设备的SoC中。它们带来了一系列验证方面的...
发表于 10-11 06:39 29次 阅读
下一代的模拟和射频设计验证工具将会是什么样的?

吉时利——半导体分立器件I-V特性测试方案

吉时利——半导体分立器件I-V特性测试方案半导体分立器件包含大量的双端口或三端口器件,如二极管,晶体管,场效应管等,是组成...
发表于 10-08 15:41 456次 阅读
吉时利——半导体分立器件I-V特性测试方案

半导体测试设备BaseSupport软件功能和优点概述

This document describes the features and benefits of BaseSupport software phone assistance....
发表于 10-08 08:13 43次 阅读
半导体测试设备BaseSupport软件功能和优点概述

金丝球焊机怎么操作?

近年来半导体封装工业己经开始在中国蓬勃兴起和发展,对中国工业技术的提高具有很大的推动作用。金丝球焊线机是芯片封装工艺设备...
发表于 09-29 10:19 60次 阅读
金丝球焊机怎么操作?

全系统支持半导体测试系统校准服务

This document provides a general description of the service in addition to listing the features and benefits....
发表于 09-27 14:31 68次 阅读
全系统支持半导体测试系统校准服务

半导体器件C-V特性测试方案

半导体器件C-V特性测试方案交流C-V测试可以揭示材料的氧化层厚度,晶圆工艺的界面陷阱密度,掺杂浓度,掺杂分布以及载流子寿...
发表于 09-27 14:23 989次 阅读
半导体器件C-V特性测试方案

半导体激光电源的电路由什么组成?

半导体激光器的核心是PN结一旦被击穿或谐振腔面部分遭到破坏,则无法产生非平衡载流子和辐射复合,视其破坏程度而表现为激光器...
发表于 09-26 09:00 63次 阅读
半导体激光电源的电路由什么组成?

光纤温度传感器实际应用有什么难点?

光纤温度检测技术是近些年发展起来的一项新技术,由于光纤本身具有电绝缘性好、不受电磁干扰、无火花、能在易燃易爆的环境中使用...
发表于 09-26 08:03 154次 阅读
光纤温度传感器实际应用有什么难点?

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 850次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 103次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
发表于 01-08 17:51 131次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 154次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 214次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 109次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 149次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 229次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
发表于 01-08 17:51 825次 阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 139次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 113次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 188次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 166次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
发表于 01-08 17:51 224次 阅读
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
发表于 01-08 17:51 225次 阅读
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
发表于 01-08 17:51 283次 阅读
TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 278次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 169次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 195次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 170次 阅读
LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器