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实现3nm技术节点需要突破哪些半导体关键技术

半导体动态 2019-09-15 17:23 次阅读

将互连扩展到3nm技术节点及以下需要多项创新。IMEC认为双大马士革中的单次显影EUV,Supervia结构,半大马士革工艺以及后段(BEOL)中的附加功能是未来的方向。IMEC纳米互连项目总监Zsolt Tokei阐述了这些创新 ,这些创新已在ITF USA和最新的IITC会议上公布。

当今的互连技术

金属互连 ,芯片后段(BEOL)中的微小布线,用于分配时钟和其他信号,为各种电子系统组件提供电源和接地,并连接芯片前段(FEOL)的晶体管。互连线由不同的金属层组成:本地(local Mx),中间层(intermediate),半全局(semi-global)和全局(global)线。总层数可以多达15个,而Mx层的典型数量范围在3到6之间。这些层中的每一个都包含(单向)金属线(或轨道)和介电材料。它们通过填充金属的通孔结构垂直互连。由于在在90年代中期引入双大马士革铜制程和低k电介质(例如SiO2,SiCO(H)和气隙,因此铜在逻辑和存储器芯片应用中一直是金属线和通孔的主力金属。

传统的CMOS技术节点缩放,导致互连金属线节距减小。虽然FinFET晶体管的尺寸缩放预计会减慢,但后段金属节距仍然会保持以0.7倍左右的速度缩放,以跟上所需的面积缩放。目前正在生产的最先进的互连技术(即10nm和7nm技术节点)其local M1层,金属节距缩小至36nm,以适应前段的缩放。同时,为了保持后段的性能,业界已经开始采用钴(Co)和气隙(Air gap)来制作金属互连。

在中间互连层中集成薄膜晶体管(TFT)被认为是为BEOL增加额外功能的另一个机会。在该中间互连层中,通孔密度相对较低,这为诸如TFT等小晶体管提供了空间。这里,它们可用于各种应用,例如电源管理。BEOL中首批采用TFT的技术主要限于物联网应用。

迈向3nm互连

低于5nm技术节点的器件尺寸缩小正变得越来越具有挑战性。这主要是由于前段的电性和工艺漂移限制,以及后段线路中显着的RC延迟和线路拥塞。RC延迟是由金属线的横截面积减小引起的,其导致互连系统的RC变高。这最终导致信号延迟和功耗的大幅增加。这些问题在几个节点之前就开始了,每一代技术都在变得越来越糟。

为了继续超越5nm技术节点的互连扩展,IMEC正在探索各种新的工艺创新,微缩助推器和材料。特别是,用于未来互连的工艺“工具箱”包括在双大马士革工艺中引入单次极紫外(EUV)光刻,与气隙结合的半大马士革工艺,以及诸如Supervia结构的微缩助推器以实现更好的可布线性。所有这些创新都需要新的导体材料,与传统的Cu或Co相比具有更好的品质因数。“工具箱”与BEOL中的TFT集成相结合,可实现各种附加功能。在接下来的部分中,将更详细地讨论这些新颖的互连结构。

实现3nm技术节点需要突破哪些半导体关键技术

用于将互连扩展到3nm及以下的“工具箱”

双大马士革工艺

在转向新的集成工艺之前,半导体行业将尽可能长时间地扩展当前的双大马士革工艺。将双大马士革工艺延伸到较小金属节距的关键是引入单次EUV光刻以图案化最密集的线(M1和M2)和通孔(V1),这降低了工艺复杂性。对于当前浸没式光刻的多重显影,单次显影EUV将实现成本效益且具有更短的工艺流程。这种方法的真正效益将在制作低至少30nm节距的金属线时体现出来。

在IITC2019展会上,IMEC展示了3nm 节点的双大马士革工艺TQV结果。M1层用单次显影EUV工艺制作。为了实现M2 的21nm节距,IMEC提出了一种混合光刻方案,使用193i SAQP来制作线和沟槽,以及单次显影EUV用于制作隔断和通孔。此次TQV实现了无阻挡层的钌(Ru)金属连线方案和介电常数k = 3.0的绝缘介质层。与前几代产品相比,RC获得了30%的改善,而且拥有相同的可靠性。

21nm间距双大马士革试验车的RC特性

目前,IMEC团队正在探索实现16nm金属节距的可行性。这就需要多重显影方案,由于工艺漂移和机械稳定性问题,16nm金属节距依然挑战重重。

半大马士革工艺

将基于大马士革工艺扩展到16nm金属节距的另一种有趣方法是引入半大马士革工艺。它可以与传统的双大马士革工艺结合使用。双大马士革和半大马士革之间的本质区别在于省略了金属的化学机械抛光(CMP)步骤。

半大马士革开始于通孔开口的光刻并蚀刻介电膜。然后用金属(例如Ru)填充通孔并过填充(意味着继续沉积金属),直到在电介质上形成金属层。然后掩蔽并蚀刻金属以形成金属线。

与传统大马士革工艺相比,半大马士革的真正优势在于能够降低工艺漂移并在金属线之间形成气隙(传统电介质的替代品)。当采用钌(Ru)作为导体时,在电介质和导体之间不需要扩散阻挡层。在传统双大马士革工艺中,在较高纵横比下的电容增加被视为改善互连RC的主要障碍。需要更高的深宽比来降低电阻和工艺漂移,但是它们的积极效果被不希望的电容增加所消除。使用无阻挡层的钌(Ru)金属线搭配气隙的半大马士革工艺可以解决这个问题。

早些时候,IMEC团队展示了其工艺可行性。最近它与EUV单次显影相结合,产生均匀的30nm金属节距线,如下图(右)。

半大马士革工艺:示意图和SEM切片

Supervia实现更好的可布线性

互连领域的下一个游戏规则改变者是Supervia结构,高深宽比的通孔,以最简单的形式连接Mx层和Mx + 2层。Supervia属于缩放助推器系列,用于减少轨道数量,因此可以降低标准逻辑单元的单元高度。

在其最简单的形式中,Supervia通过以自对准方式绕过中间Mx + 1层,提供从Mx到Mx + 2金属层的直接连接,Supervia和常规通孔可以在同一设计中共存。

(左)通孔电阻与面积关系(右)Supervia结构 第一个用例是SRAM结构和掩埋电源轨结构,即埋在芯片前段的电源轨,以帮助释放互连的布线资源。例如,在2019年IITC,IMEC展示了具有高良率和低电阻率的Ru回蚀刻工艺(埋入式电源轨集成的关键工艺)。

为了将Supervia结构扩展到3nm节点之外,IMEC定义了一个Supervia工艺路线图,其中包含第二代(从Mx到Mx + 3和Mx + 4)和第三代(从Mx到Mx+ 5)。这个最终的第三代,也被称为‘Ubervia’,是非常复杂和仍远未实现的。但它可以从Mx直接“跳”到更宽的金属线,从而进一步降低RC。

关键促成因素:替代导体

多年来,IMEC一直致力于寻找新金属,以取代传统的Cu,钨(W)和钴(Co)在各种互连中的应用。这些替代导体将是实现上述创新的关键,包括“下一代”双大马士革和半大马士革工艺,以及Supervia结构。

寻求替代金属的第一步:定义品质因数(FOM),以给候选材料进行排名。该FOM定义为体电阻率与金属中载流子平均自由程的乘积。现在科学界广泛认为Cu,W和Co是材料排名的基准点。具有最低FOM的金属是铑(Rh),然后是铂(Pt),铱(Ir),镍(Ni),Ru,钼(Mo)和铬(Cr)。然而,排名不包括成本,退火敏感度或与电介质的粘附性等指标。例如,Ir和Rh对电介质的粘附性非常差,特别是Rh非常昂贵,甚至比金(Au)贵。在实验方面,IMEC证明了Mo是一种非常有前途的互连金属,特别是作为W的潜在替代品。关于替代金属的工作已在2019年IITC上提出。

寻找替代导体:Mo的薄膜研究

该团队还研究了二元和三元化合物作为传统导体的替代品。特别是所谓的“MAX相”,其比纯单质金属有更好的性能。MAX相是由早期过渡金属(M),A族元素(A)和碳或氮(X)组成的分层结构。

最后,还可以通过用石墨烯覆盖连线来降低诸如Ru的金属的电阻率。石墨烯已知具有原子级薄,并且具有高导电性和导热性以及高载流能力。在IITC2019,IMEC证明了制造的石墨烯包覆的Ru线具有较低的电阻率和较高的热稳定性。这些发现为碳/金属互连提供了可能的途径。

向BEOL添加功能

在高级节点芯片的中间M6到M8互连级别,通孔密度相对较低,可提供实现小晶体管的空间。薄膜晶体管足够小且温度兼容,可以完成这项任务,从而为BEOL增加了额外的功能。

BEOL中的TFT:示意图

目标应用是服务器和移动应用的电源管理,双V T逻辑电路,FPGA(具有大型SRAM阵列),用于电压转换的高压I / O,用于神经形态概念的信号缓冲器(buffer)。它也可以在DRAM存储器中找到它的方式,或者用于非易失性存储器的选择器(selector)。

最终的互连梦想是将它们用作中继器,中继器在当前设计中占据了很大一部分面积。但是,由于需要n型和p型TFT,后者对于实际实现来说还达不到要求。BEOL的其他挑战包括可靠性,CMOS工艺技术的成熟度以及成本,尽管在这些“宽松”尺寸下,可以使用简单的单次浸没式光刻技术来提高其成本效益。

IMEC团队最近在300mm晶圆上提供了功能性铟镓锌氧化物(IGZO)TFT的硬件演示,即使在高温下也具有低漏电。

总结

在本文中,imec提出了几种未来的方案,这些方案有望解决RC延迟问题,并将互连扩展到3nm技术节点及更高版本。通过启用新工艺(例如半大马士革),新的缩放助推器(Supervia,以获得更好的可布线性),新材料(例如替代导体和气隙)以及通过添加功能来减小面积和降低成本。

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发表于 11-07 07:50 339次 阅读
背照式CMOS传感器怎么样?

精密组件,半导体和材料测量的新标准

A new standard for precise component, semiconductor and material measurements...
发表于 11-06 14:21 220次 阅读
精密组件,半导体和材料测量的新标准

请问有半导体三极管的等效电路图吗?

半导体三极管的等效电路图
发表于 11-05 09:02 186次 阅读
请问有半导体三极管的等效电路图吗?

AR0237AT CMOS图像传感器 数字 2.1 MP /全高清 1 / 2.7英寸

美半导体的AR0237AT是一款1 / 2.7英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为1928(H)×1088(V)。它可以在线性或高动态范围模式下捕获图像,并具有滚动快门读数。它包括复杂的相机功能,如像素内装箱,窗口以及视频和单帧模式。它专为低光和高动态范围的场景性能而设计。它可通过简单的双线串行接口进行编程。 AR0237AT可以产生非常清晰,清晰的数码照片,并且能够捕捉连续视频和单帧,使其成为各种应用的理想选择,包括监控和高清视频。 特性 卓越的低光性能 采用安森美半导体DR-Pix技术的最新3.0米像素具有双转换增益 高达1080p 60 fps的全高清支持,实现卓越的视频性能 线性或高动态范围捕获 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持用于外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 ...
发表于 08-13 13:47 211次 阅读
AR0237AT CMOS图像传感器 数字 2.1 MP /全高清 1 / 2.7英寸

AR0238 RGB-IR CMOS图像传感器 2.1 MP 1 / 2.7 RGB-IR

RGB-IR是一款1 / 2.7英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为1928(H)x 1088(V)。它采用滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如像素内合并,窗口以及视频和单帧模式。它专为低光和高动态范围场景性能而设计,可通过简单的双线串行接口进行编程。 AR0238 RGB-IR集成了在一个传感器中进行白天彩色成像和夜间近红外成像的能力,无需机械红外截止滤波器,这种滤波器可能响亮,大,导致重新聚焦问题并且维护成本高,非常适合家庭安全和其他监控应用,其中照明条件可能会在相机预期工作期间发生剧烈变化。 特性 卓越的低光性能 具有双转换增益的DR-PIX(TM)技术 高达1080p 60 fps的全高清支持,提供卓越的视频性能 线性或高动态范围捕获 片上锁相环(PLL)振荡器 支持行交错T1 / T2读出以启用HDR处理在ISP...
发表于 08-13 11:04 204次 阅读
AR0238 RGB-IR CMOS图像传感器 2.1 MP 1 / 2.7  RGB-IR

AR0234AT 带全局快门的1 / 2.6英寸2.3 Mp CMOS数字图像传感器

AT是1 / 2.6英寸2Mp CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为1920(H)x 1200(V)。它采用了全新的创新全局快门像素设计,针对以每秒120帧的全分辨率精确快速捕捉移动场景进行了优化。该传感器可在低光和明亮场景下产生清晰,低噪声的图像。它包括复杂的相机功能,如自动曝光控制,窗口,行跳过模式,列跳过模式,像素分级以及视频和单帧模式。它可通过简单的双线串行接口进行编程。 AR0234AT产生极其清晰,锐利的数字图像,具有业界领先的全局快门效率,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为包括汽车车厢系统在内的广泛应用的理想选择。 特性 卓越的低光和红外性能 高清视频(1080p120) 4通道MIPI或并行数据接口 自动黑电平校准(ABLC) 感兴趣区域(ROI)的可编程控制 水平和垂直镜像,窗口和像素分级 ...
发表于 08-13 11:03 248次 阅读
AR0234AT 带全局快门的1 / 2.6英寸2.3 Mp CMOS数字图像传感器

AR0230AT CMOS图像传感器 2 MP 1/3

AT是一款1 / 2.7英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为1928Hx1088V。它可以在线性或高动态范围模式下捕获图像,并具有滚动快门读数。它包括复杂的相机功能,如像素内装箱,窗口以及视频和单帧模式。它专为低光和高动态范围的场景性能而设计。它可通过简单的双线串行接口进行编程。 AR0230AT可生成非常清晰,锐利的数码照片,并且能够捕捉连续视频和单帧,使其成为各种应用的理想选择。 特性 高动态范围 应用 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-13 11:03 209次 阅读
AR0230AT CMOS图像传感器 2 MP 1/3

ARX3A0 560 x 560超低功耗CMOS图像传感器 基于2.2μmBSI像素 最高可达每秒360帧

是一款突破性的CMOS成像传感器。 ARX3A0设计为超小型(1/10英寸光学格式)和超低功耗,为物联网设备,无人机和机器人技术带来了新的选择。该产品具有创新的超级低功耗模式,在激活时功耗小于2.5mW,可以检测运动(或照明条件的变化)并唤醒系统的其余部分。能够达到每秒360帧意味着在许多情况下,ARX3A0可以像全局快门传感器一样工作,同时仍具有2.2μm滚动快门像素的功率,尺寸和性能的所有优势。评估套件和我们行业领先的DevWare评估软件是可用的。请联系您当地的安森美半导体销售代表。 特性 优势 超小1/10英寸光学格式 几乎可以放入任何寻找相机的设备中。 超低功耗操作 适合电池供电的相机 高帧率(360 fps) 可以滚动快门传感器的工作方式类似于全局快门传感器 车载框架保险杠 ...
发表于 08-13 11:02 320次 阅读
ARX3A0 560 x 560超低功耗CMOS图像传感器 基于2.2μmBSI像素 最高可达每秒360帧

AR0237SR CMOS图像传感器 2.1 MP 1 / 2.7 更低成本

是一款1 / 2.7英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为1928(H)x 1088(V)。它采用滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如像素内合并,窗口以及视频和单帧模式。它专为低光和高动态范围场景性能而设计,可通过简单的双线串行接口进行编程。 AR0237可以产生非常清晰,锐利的数码照片,并且能够捕捉连续视频和单帧,使其成为各种应用的理想选择,包括监控和高清视频。 特性 具有双转换增益的DR-PIX™技术 全高清支持1080p 60 fps,提供卓越的视频性能 线性或高动态范围捕获 片上锁相环(PLL)振荡器 支持线路交错T1 / T2读出以在ISP芯片中启用HDR处理 基于位置的集成颜色和镜头阴影校正 用于精确帧率控制的从属模式 ...
发表于 08-13 11:01 171次 阅读
AR0237SR CMOS图像传感器 2.1 MP 1 / 2.7 更低成本

NCP691 LDO稳压器 1 A 超低压差 带使能

/ NCP691 / NCP692器件设计为极低压降(LDO)1安培线性稳压器。这款新型CMOS VLDO系列在固定电压选项或5.0V至1.25V的可调输出电压范围内提供1A输出电流。这些器件专为空间受限和便携式电池供电应用而设计,并提供许多重要功能,如高PSRR,低静态和地电流消耗,低噪声操作以及短路和热保护。与标准CMOS LDO相比,它们提供增强的ESD保护,旨在与低成本陶瓷电容器一起使用。 NCP691包括一个Enable低功能,NCP692和一个高电平,所有三个产品都采用6引脚DFN3x3封装。 特性 优势 输出电压选项:可调,1.5 V,1.8 V ,2.5 V,3.3 V,5.0 V - 联系工厂获取其他电压选项 最流行的电压选项。其他可根据要求提供。 限流保护 引领更强大的产品 热能关机保护 适合在恶劣环境中使用 没有旁路电容的15 Vrms的典型噪声电压 适用于音频和其他电噪声敏感应用 输入电压低至1.5V 适用于低压输入轨道 1 A时典型的压差为190 mV(Vout = 2.5 V,T J = 25C) 适用于低压输入轨和电池供电应用 低电平有效使能引脚(NCP691器件)高电平有效引脚...
发表于 07-30 09:02 134次 阅读
NCP691 LDO稳压器 1 A 超低压差 带使能

NCP59800 LDO稳压器 1 A 低压差 低Iq 低噪声 带使能

00是1 A低压差线性稳压器(LDO)系列,提供高电源纹波抑制(PSRR)和超低输出噪声。该系列LDO采用先进的BiCMOS工艺实现了非常好的电气性能。它是电信设备中使用的噪声敏感模拟RF前端的理想选择。 NCP59800采用3 mm x 3 mmDFN8封装。 特性 优势 2.2 V至6.0 V工作输入电压范围 适用于锂离子电池或后期调节应用 低典型静态电流。 60μA 延长电池寿命 极低压差:200 mV典型值。在Iout = 1 A(Vout = 2.5 V) 扩展电池范围 极低噪音,15μVrms/ V通常 适用于噪音敏感的应用程序 可调软启动 限制浪涌电流 线路精度±2.5%。负载和温度范围 高输出电压精度 热关断和电流限制保护 保护产品和损坏的系统 使用4.7μF陶瓷输出电容稳定 节省PCB空间和系统成本 应用 终端产品 电信基础设施 音频 高速I / F(PLL / VCO) 电信设备 工业控制 网络设备 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 09:02 130次 阅读
NCP59800 LDO稳压器 1 A 低压差 低Iq 低噪声 带使能

LV5685PV 线性稳压器 5通道 带2个高侧开关

PV是一款多输出线性稳压器IC,可降低静态电流。 LV5685PV专为满足汽车信息娱乐系统的电源要求而设计。 LV5685PV集成了5个线性稳压器输出,2​​个高端功率开关,I 2 C总线通信,ACC检测,电池电压检测,过流限制器,过压保护和热关断。 VDD和SW33V输出的电源是低电压规格,与现有型号相比,可大幅降低功耗。 特性 低功耗电流:65μA(典型值,只有VDD输出正在运行) 5稳压器输出“VDD”用于微控制器:输出电压: 3.3V,最大输出电流:350mA 系统“SW33V”:输出电压:3.3 / 5V(由I 2 C-bus设定),最大输出电流:450mA “AUDIO “对于音频:输出电压:5 / 8.5 / 9 / 11.5V(由I 2 C-bus设置),最大输出电流:250mA ”ILM“用于照明:输出电压:5 /8/10.5/12V(由I 2 C-bus设置),最大输出电流:300mA CD的“CD”:输出电压:5/6/7 / 8V(设置为I 2 C-bus),最大输出电流:1300mA 2高侧开关“EXT”:最大输出电流: 350mA,输入和输出之间的电压差:0.5V “ANT”:最大输出电流:300mA,输入和输出之间的电压差:0.5V ACC检测电路:检测电...
发表于 07-30 05:02 107次 阅读
LV5685PV 线性稳压器 5通道 带2个高侧开关

NCV8177 LDO稳压器 500 mA 高PSRR 带使能

7是CMOS LDO稳压器,具有500 mA输出电流。输入电压低至1.6 V,输出电压可设置为0.75 V.它提供非常稳定和精确的电压,具有低噪声和高电源抑制比(PSRR),适用于RF应用。 NCV8177适用于为汽车信息娱乐系统和其他功率敏感设备的RF模块供电。由于功耗低,NCV8177具有高效率和低散热性。小型4引脚XDFN4 1.0 mm x 1.0 mm封装使该器件特别适用于空间受限的应用。 特性 优势 1.6 V至5.5 V工作输入电压范围 适用于锂离子电池或后期调节应用 根据要求提供多种固定输出电压选项和其他选项,范围为0.7 V至3.6 V 设计灵活性 Typ的低静态电流。 60μA 延长电池寿命 极低压差:200 mV典型值。在Iout = 0.5 A(1.8V版本) 扩展电池范围 1 kHz PSRR时高75 dB 适用于噪声敏感电路 内部软启动 限制浪涌电流 室温下±0.8%精度 高输出电压精度 热关断和限流保护 保护产品和系统免受损坏 使用小型1μF陶瓷电容器稳定 节省PCB空间和系统成本 应用 终端产品 灯光 仪器设备 相机,摄像机,Se nsors 相机 摄...
发表于 07-29 22:02 139次 阅读
NCV8177 LDO稳压器 500 mA 高PSRR 带使能

AR1630 CMOS图像传感器 数字 16 MP 1 / 3.2英寸

美半导体AR1630是一款叠加1 / 3.1英寸BSI(背面照明)PDAF支持CMOS有源像素数字图像传感器,像素阵列为4632(H)×3492(V)(4648(H)× 3508(V)包括边界像素)。 AR1630的独特功能是高性能SuperPD™相位检测自动聚焦(PDAF)像素技术,可实现快速自动对焦相机系统。它使用片上PDAF像素缺陷校正来输出完全校正的图像和片上计算,这些计算提供AF相关数据(或原始PDAF数据)。它集成了复杂的片上相机功能,如镜像,列和行跳过模式以及快照模式。它可通过简单的双线串行接口进行编程,功耗极低.AR1630数字图像传感器采用安森美半导体突破性的低噪声CMOS成像技术,可实现近CCD图像质量(基于信噪比和低光灵敏度)同时保持CMOS固有的尺寸,成本和集成优势.AR1630传感器可以高达每秒30帧(fps)的速度生成全分辨率图像。片上模数转换器(ADC)为每个像素生成12位或10位值。 特性 优势 16MP分辨率 具有数码变焦功能的高细节捕获 30fps的4K视频捕获 超高清视频录制 领先的SuperPD™PDAF自动对焦性能 快速聚焦和连续视频功能 高级堆叠技术 针对像素和电路供...
发表于 07-29 17:02 130次 阅读
AR1630 CMOS图像传感器 数字 16 MP 1 / 3.2英寸

AR1337 CMOS成像传感器 13 MP 采用SuperPD™PDAF技术

是一款采用SuperPD™PDAF技术的13万像素CMOS成像传感器。这款先进的传感器具有独特的PDAF微透镜和PDAF图案技术,在低光照条件下具有出色的自动对焦性能。采用1.1μm像素构建,提供符合行业标准的1 / 3.2“光学格式,使AR1337具有适合大批量设计的尺寸。图像质量由领先的量子效率和灵敏度驱动,同时保持低读取噪声。这种组合可在明亮的日光或低室内照明条件下提供出色的图像。 AR1337以每秒30帧的速度运行在13 MP,并支持每秒30帧的4k2k视频和高达每秒60帧的全高清1080P视频。 特性 优势 SuperPD™PDAF技术 领先的低光自动对焦性能 独特的PDAF图案和微透镜技术 高精度相位检测自动聚焦(PDAF)功能 片上坏像素校正和AF计算 简化的相机模块积分校准和与后端应用处理器的集成 具有低读取噪声的高量子效率和灵敏度 卓越的图像质量,尤其是在光线不足 应用 终端产品 智能手机相机 平板电脑相机 智能手机 平板电脑 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 17:02 116次 阅读
AR1337 CMOS成像传感器 13 MP 采用SuperPD™PDAF技术

AR1011 CMOS图像传感器 10 MP 1

HS是一款1080万像素,1英寸光学格式图像传感器,结合了高分辨率成像和3.4微米DR-Pix(动态响应像素),可动态调整以提供卓越的低光性能。在全分辨率下,AR1011HS提供60帧/秒(fps)视频;同时跳至120 fps的1080p高清模式。该传感器非常适合需要高分辨率的高端监控摄像系统,如电子平移,倾斜,变焦(ePTZ)等具有惊人的低光能力的功能。 4K超高清(3840 x 2190)分辨率为每秒60帧的模式,使传感器也成为专业消费类广播相机的理想选择。 应用 相机 安全 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 17:02 82次 阅读
AR1011 CMOS图像传感器 10 MP 1

AR0239 CMOS图像传感器 2.3 MP 1 / 2.7

美半导体的AR0239是一款1 / 2.7英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为1936(H)×1188(V)。它可以在线性或高动态范围模式下捕获图像,并具有滚动快门读数。它包括复杂的相机功能,如像素内装箱,窗口以及视频和单帧模式。它专为低光和高动态范围的场景性能而设计。它可通过简单的双线串行接口进行编程。 AR0239可以产生非常清晰,锐利的数码照片,并且能够捕捉连续视频和单帧,使其成为各种应用的理想选择,包括监控和高清视频。 特性 以90 fps的速度拍摄2.3Mp以获得出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.7英寸 1080p模式适用于16:9视频 卓越的低光性能 3.0um大背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2 / T3读数以启用HDR处理ISP芯片处于1080P和30fps 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头着色校正 用于精确帧率控制的从模式 数据接口: - HiSPi(SLVS) - 4个车道 - MIPI CSI-2 - 4车道 - 平行 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 多相机同步支持 高速可配置上下文切换 具有灵...
发表于 07-29 16:02 172次 阅读
AR0239 CMOS图像传感器 2.3 MP 1 / 2.7

AR1335 CMOS图像传感器 13 MP 1/3

是一款1 / 3.2英寸CMOS有源像素数字图像传感器,像素阵列为4208H x 3120V。 AR1335数字图像传感器采用突破性的1.1μm像素技术,通过领先的灵敏度,量子效率和线性全阱提供卓越的低光图像质量。这使得图像质量可以与数码相机相媲美。 AR1335采用专注于低功耗的传感器架构和低Z高度的高射线角度(CRA),是智能手机和其他移动设备应用的理想选择。它集成了复杂的片上相机功能,如窗口,镜像,列和行跳过模式以及快照模式。它可通过简单的双线串行接口进行编程。 AR1335传感器可以高达每秒30帧(fps)的速度生成全分辨率图像,并支持高级视频模式,包括4K 30fps,1080P 60fps和720P 120fps。 特性 13MP CMOS传感器,采用先进的1.1μm像素BSI技术 数据接口:2,3和4通道MIPI 可用于MIPI的比特深度压缩:10-8和10-6以降低带宽 启用立体视频捕获的3D同步控制 6.8 kbits一次性可编程存储器(OTPM) 可编程控制器:增益,水平和垂直消隐,自动黑电平偏移校正,帧大小/速率,曝光,左右和上下图像反转,窗口大小和平移 两个片上锁相环路(PLL)振荡器,具有超低噪声性能 片上...
发表于 07-29 16:02 125次 阅读
AR1335 CMOS图像传感器 13 MP 1/3

AR0543 CMOS图像传感器 5 MP 1/4

美半导体专注于卓越的像素性能,为该传感器的卓越图像质量奠定了基础,具有卓越的色彩精度,低光灵敏度和低噪声水平.AR0542是一款1/4英寸CMOS有源像素数字图像传感器集成了复杂的片上相机功能,如窗口,镜像,列和行跳过模式以及快照模式。它可通过简单的双线串行接口进行编程,功耗非常低。 应用 移动 电路图、引脚图和封装图
发表于 07-29 16:02 104次 阅读
AR0543 CMOS图像传感器 5 MP 1/4

AR0261 CMOS图像传感器 2 MP 1/6

美半导体的AR0261是一款200万像素传感器,可提供原始1080p分辨率和卓越的图像质量,满足严格的外形尺寸要求(z高度小于3.5mm),适用于移动,平板电脑和移动设备中的超薄全高清视频应用笔记本市场。该传感器具有1/6英寸光学格式和采用安森美半导体A-PixHS(tm)技术的新1.4微米像素,可提供出色的低光性能。新型传感器提供1080p / 60fps或720p / 60fps的高清视频,对于清晰,清晰的视频捕捉至关重要。 特性 具有高级1.4um像素BSI的2 MP CMOS传感器技术 数据接口:1和2通道移动行业处理器接口(MIPI) 可用于MIPI接口的比特深度压缩:10-8和10-6为全帧速率应用启用低带宽接收器 启用立体视频捕获的3D同步控件 隔行扫描多重曝光读数,支持高动态范围(HDR)静止和视频应用 8.8kbits一次性可编程存储器(OTPM),用于存储阴影校正系数和模块信息 可编程控制:增益,水平和垂直消隐,自动黑电平偏移校正,帧大小/速率,曝光,左右和上下图像反转,窗口大小和平移 用于改善EMI特性的片上双锁相环(PLL)振荡器结构 卓越的低光性能 低暗电流 简单的双线串行接口 ...
发表于 07-29 16:02 76次 阅读
AR0261 CMOS图像传感器 2 MP 1/6

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 215次 阅读
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

AR0835 CMOS图像传感器 8 MP 1/3

图像传感器是一款1 / 3.2“光学格式1.4微米像素传感器,能够以每秒42帧的速度捕获其完整的8 MP传感器分辨率,以60fps的速度捕获1080P视频.A-PixHS(tm )技术将安森美半导体的第二代背照式(BSI)像素技术和先进的高速传感器架构结合在一起,实现了许多创新功能。它旨在实现低z高度相机模块,以满足OEM和移动设备制造商的需求。 特性 高动态范围 应用 移动 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 16:02 102次 阅读
AR0835 CMOS图像传感器 8 MP 1/3

AR0522 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5 近红外增强

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0522可生成非常清晰,锐利的数码照片,并且能够捕捉连续视频和单帧,使其成为各种应用的理想选择。 特性 5 Mp,60 fps,优异的视频性能 小光学格式(1 / 2.5英寸) 彩色滤光片阵列:RGB和单色 1440p模式适用于16:9视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头着色校正 用于精确帧率控制的从模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4条车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 近红外线增强 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 机器视觉...
发表于 07-29 16:02 174次 阅读
AR0522 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5  近红外增强