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比较器的性能指标_比较器的分类

h1654155282.3538 来源:陈翠 2019-09-13 09:24 次阅读

比较器的性能指标

1、滞回电压

发生改变,由于输入端常常叠加有很小的波动电压,这些波动所产生的差模电压会导致比较器输出发生连续变化,为避免输出振荡,新型比较器通常具有几mV的滞回电压。滞回电压的存在使比较器的切换点变为两个:一个用于检测上升电压,一个用于检测下降电压,电压门限(VTRIP)之差等于滞回电压(VHYST),滞回比较器的失调电压是TRIP和VTRIP-的平均值。不带滞回的比较器的输入电压切换点为输入失调电压,而不是理想比较器的零电压。失调电压一般随温度、电源电压的变化而变化。通常用电源抑制比表示电源电压变化对失调电压的影响。

2、偏置电流

理想的比较器的输入阻抗为无穷大,因此,理论上对输入信号不产生影响,而实际比较器的输入阻抗不可能做到无穷大,输入端有电流经过信号源内阻并流入比较器内部,从而产生额外的压差。偏置电流(Ibias)定义为两个比较器输入电流的中值,用于衡量输入阻抗的影响。MAX917系列比较器的最大偏置电流仅为2nA。

3、超电源摆幅

为进一步优化比较器的工作电压范围,Maxim公司利用NPN管与PNP管相并联的结构作为比较器的输入级,从而使比较器的输入电压得以扩展,这样,其下限可低至最低电平,上限比电源电压还要高出250mV,因而达到超电源摆幅(Beyond-theRail)标准。这种比较器的输入端允许有较大的共模电压。

4、漏源电压

由于比较器仅有两个不同的输出状态(零电平或电源电压),且具有满电源摆幅特性的比较器的输出级为射极跟随器,这使得其输入和输出信号仅有极小的压差。该压差取决于比较器内部晶体管饱和状态下的发射结电压,对应于MOSFFET的漏源电压。

5、输出延迟时间

包括信号通过元器件产生的传输延时和信号的上升时间与下降时间,对于高速比较器,如MAX961,其延迟时间的典型值可对达到4.5ns,上升时间为2.3ns。设计时需注意不同因素对延迟时间的影响,其中包括温度、容性负载、输入过驱动等的影响。

比较器的分类

1、过零电压比较器

典型的幅度比较电路,它的电路图和传输特性曲线如图。

2、电压比较器

将过零比较器的一个输入端从接地改接到一个固定电压值上,就得到电压比较器,它的电路图和传输特性曲线如图[xulj1]。

3、窗口比较器

电路由两个幅度比较器和一些二极管电阻构成,电路及传输特性图如图[xulj2]。高电平信号的电位水平高于某规定值VH的情况,相当比较电路正饱和输出。低电平信号的电位水平低于某规定值VL的情况,相当比较电路负饱和输出。该比较器有两个阈值,传输特性曲线呈窗口状,故称为窗口比较器。

4、滞回比较器

从输出引一个电阻分压支路到同相输入端,电路及传输特性如图[xulj3]。当输入电压vI从零逐渐增大,且VI小于VT时,比较器输出为正饱和电压,VT称为上限阀值(触发)电平。当输入电压VI》VT’时,比较器输出为负饱和电压,VT’称为下限阀值(触发)电平。

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