根据Tom‘s Hardwared的报道,东芝在今年的闪存峰会上提到了未来的BiCS闪存,以及PLC的NAND开发。
东芝已经开始计划其BiCS闪存的第五代到第七代的研发。每一代新产品都将与新一代的PCIe标准相一致,BiCS 5将很快与PCIe 4.0同步上市,但该公司没有提供具体的时间表。BiCS5将具有更高的带宽1200 MT/s,而BiCS6将达到1600 MT/s, BiCS7将达到2000 MT/s。
该公司还开始研究5bit PLC的NAND闪存,新的闪存提供了更高的密度,每个单元可以存储5位,而目前的QLC只能存储4位。PLC将有更少的PE和更慢的性能,但新的NVMe协议特性以及Dram闪存和控制芯片会带来一些性能提升。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
东芝
+关注
关注
6文章
1317浏览量
120315 -
NAND闪存
+关注
关注
2文章
178浏览量
22540
发布评论请先 登录
相关推荐
三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20%
三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低;在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存
江波龙首颗自研NAND闪存问世
江波龙首颗自研32Gb 2D MLC NAND Flash于近日问世。该产品采用BGA132封装,支持Toggle DDR模式,数据访问带宽可达400MB/s,将有望应用于eMMC、SSD等产品上。
东芝暂时关闭NAND闪存工厂!
1月4日消息,据外媒报道,日本的7.6级地震迫使石川县的芯片和电子公司暂时关门,受影响的公司包括东芝、环球晶圆(GlobalWafers)、Murata等。
三星计划NAND闪存芯片每个季度涨价20%
三星采取此举的目的很明确,希望通过此举逆转整个闪存市场,稳定NAND闪存价格,并实现明年上半年逆转市场等目标。
三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存
三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023年正式生产第9代V-
发表于 08-21 18:30
•290次阅读
三星或提高512Gb NAND闪存晶圆报价 涨幅为15%
据《电子时报》报道,三星提出的512gb nand闪存晶片单价为1.60美元,比2023年初的1.40美元约上涨15%。但消息人士表示,由于上下nand闪存的库存缓慢,很难说服上调价格
开放NAND闪存接口ONFI介绍
本文转自公众号,欢迎关注 开放NAND闪存接口ONFI介绍 (qq.com) 一.前言 ONFI即 Open NAND Flash Interface, 开放NAND
MAXQ7665寻页(PE)程序和数据闪存的应用内编程(IAP)
本应用笔记介绍如何使用内置实用程序ROM擦除/写入MAXQ7665微控制器(μC)中的程序和数据闪存。此信息适用于带可页面擦除(PE)闪存的基于MAXQ7665闪存的μC。
NAND闪存特点及决定因素
内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit,用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页(Page)(可以看到,NAND型
SK海力士量产世界最高238层4D NAND闪存
sk海力士表示:“以238段nand闪存为基础,开发了智能手机和pc用客户端ssd (client ssd)解决方案产品,并于5月开始批量生产。该公司通过176层、238层的产品,在成本、性能
如何启动IMX6ULL NAND闪存?
我正在尝试启动 IMX6ULL NAND 闪存。供您参考,我使用 buildroot 2018_11_4 成功启动了 IMX6ULL NAND 闪存。(uboot 4.15 和 lin
发表于 04-20 07:55
什么是3D NAND闪存?
我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,
评论