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美光开始量产1z nm工艺节点的DRAM内存

渔翁先生 来源:电子发烧友网 作者:Allen Yin 整合 2019-08-20 10:22 次阅读

美光科技(Micron)16日宣布进一步推动DRAM产品的革新,其开始采用业界首个“1z nm”的工艺节点批量生产16Gb DDR4内存。

与上一代1Y nm相比,该公司将使用1z nm节点来改善DRAM性能并降低成本。该工艺技术强化了计算DRAM(DDR4),移动DRAM(LPDDR4)和图形DRAM(GDDR6)产品线的相对性能和功耗方面的持续优化。可适用于人工智能,自动驾驶汽车,5G,移动设备,图形,游戏,网络基础设施和服务器等应用。

该公司通过大规模生产新的16Gb DDR4内存产品,开始向1z nm过渡。它与前几代基于8Gb DDR4的产品相比,功耗降低约40%。

据悉,该公司还开始批量生产由1z nm节点制造的用于移动设备的16Gb LPDDR4X DRAM。并还提供基于UFS的多芯片封装(uMCP4)。

1z nm LPDDR4X产品提供业界最低的功耗,它与上一代4K视频播放等内存密集型应用解决方案相比,功耗降低了10%。作为目前可用的最高容量单片16Gb LPDDR4X芯片(可在单个封装中堆叠多达8个裸片),LPDDR4X可在不增加前几代LPDDR4封装尺寸的情况下使存储器容量翻倍。

目前,该公司LPDDR4X内存解决方案已批量供货,可作为分立解决方案和八种不同配置的基于UFS的多芯片封装(uMCP4),范围从64GB + 3GB到256GB + 8GB。

另外,美光新加坡3D NAND闪存生产基地(Fab 10)的扩建已于14日完成,NAND大规模生产计划于2019年下半年在扩建工厂开始。

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