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中国新能源汽车及充电桩市场对IGBT的需求分析【附本土IGBT企业梳理】

简析 2019-08-20 07:01 次阅读
IGBT具有高频率、高电压、大电流、易于开关等优良性能,被业界誉为功率变流装置的“CPU”,小到电磁炉,大到新能源汽车、轨道交通、智能电网等战略性产业,IGBT都扮演着及其重要的角色。本文将主要介绍中国新能源汽车及充电桩市场对IGBT的需求,并对本土IGBT企业进行梳理。

中国新能源汽车及充电桩市场发展情况

2019上半年,中国新能源汽车市场保持高速增长,其中新能源汽车产量为61.4万辆,同比增长48.5%;截至6月底,新能源汽车保有量344万辆。可见,在汽车市场总体低位运行的状态下,中国新能源汽车市场依然保持着良好的发展态势。
图表:2014年-2019上半年中国新能源汽车产量及保有量走势图
数据来源:电子发烧友整理
截至2019年6月底,中国充电桩保有量已超100万台,车桩比达到3.5:1;从充电桩类型来看,交流、直流公共桩占比稳定在6:4左右。随着新能源汽车保有量的增长、使用频率的增加和使用范围的延伸,充电需求将持续提升,这也必将带动包括充电桩在内的充电基础设施的快速推广。
图表:2014年-2019上半年中国充电桩基础设施保有量(万台)
数据来源:电子发烧友整理

中国新能源汽车及充电桩领域IGBT的市场规模

在新能源汽车制造中,IGBT约占整车成本的7%-10%,对整车的能源效率有重要影响;同时,IGBT也是新能源充电桩的核心部件之一,约占到充电桩成本的20%。根据<电子发烧友>测算,2018年中国新能源汽车及充电桩领域IGBT的市场规模约为60亿元,其中新能源汽车市场约占65%。
图表:2014-2018年新能源汽车及充电桩领域IGBT市场规模(亿元)
数据来源:电子发烧友整理

新能源汽车及充电桩领域IGBT市场前景

近年来,我国新能源汽车保有量持续上升,但充电桩的建设增速却相对较低,距离2020年达到车桩比接近1的目标较远。在中央和地方政府的大力支持下,新能源汽车及充电桩市场将保持高速发展,IGBT作为其核心器件也将迎来快速发展期,预计到2020年,该细分领域IGBT市场规模将为130亿元

本土IGBT企业梳理

近几年,本土IGBT技术发展较快,以比亚迪为例,其在2005年进入IGBT产业,并在2009年打破国际厂商垄断,2018年底,比亚迪发布了在车规级领域具有标杆性意义的IGBT 4.0技术,再一次展示出其在电动车领域的领先地位,进一步打破了国际大厂形成的技术壁垒。
中国作为全球最大的IGBT需求市场,主要市场份额被欧美日企业所占据,但经过多年的发展,目前,已建立起来完整的IGBT产业链,并发展起来了一批优秀的IGBT企业。如下表所示,<电子发烧友>整理了本土IGBT企业的简况,以供参考。
为了全面客观的对中国模拟器件行业进行梳理和分析,以及了解企业对模拟IC国产化的看法,<电子发烧友>特开展此次调研。我们承诺,对您填写的信息将绝对保密,所有信息仅供调研参考。【点击下方二维码 诚邀您参与调研】
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MC33153 单IGBT驱动器

NCP5106 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧

6是一款高压栅极驱动器IC,提供两路输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT,采用半桥配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A. 它使用自举技术确保正确驱动高端电源开关。驱动程序使用2个独立输入。 NCP5109 = 200V NCP5106 = 600V 特性 高压范围:最高600 V dV / dt抗扰度±50 V / nsec 栅极驱动电源范围为10 V至20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 输入引脚上的Vcc摆动 匹配传播两个渠道之间的延迟 输入阶段的输出 适应所有拓扑的独立逻辑输入(版本A) 交叉传导保护机智h 100 ns内部固定死区时间(版本B) 在两个通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin-to-Pin与行业标准兼容 应用 半桥电源转换器 任何互补驱动转换器(非对称半桥,有源钳位)(仅限A型)。 全桥转换器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 00:02 32次 阅读
NCP5106 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧

FL73282 半桥栅极驱动器

2是一款单片半桥栅极驱动器IC,可驱动工作电压高达+ 900V的MOSFET和IGBT.Fairchild的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高dV / dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路,可使高侧栅极驱动器的工作电压在V BS = 15 V时达到V S = - 9.8 V(典型值)。当V CC 或V BS 低于指定阈值电压时,两个通道UVLO电路可防止发生故障。输出驱动器的源电流/灌电流典型值分别为350 mA / 650 mA,适用于各种半桥和全桥逆变器。 特性 浮动通道可实现高达+900 V的自举运行 两个通道的源/灌电流驱动能力典型值为350 mA / 650 mA 共模dv / dt噪声消除电路 容许扩展负V S 摆幅至-9.8 V,以实现V CC = V BS = 15 V时的信号传输 10 V至20 V的V CC 和V BS 供电范围 双通道的欠压锁定功能 匹配传播延迟低于50 ns 内置170 ns死区时间 输出与输入信号同相 应用 照明 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 00:02 24次 阅读
FL73282 半桥栅极驱动器

NCV5703 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

3系列是一组高电流,高性能独立式IGBT驱动器,具有非反相输入逻辑,适用于中高功率应用,包括PTC加热器,EV充电器和其他汽车等汽车应用电源。通过消除许多外部组件,这些器件提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括Active Miller Clamp(用于NCV5703A),精确的UVLO,DESAT保护和漏极开路故障输出。这些驱动器还具有精确的5.0 V输出(适用于所有版本)和独立的高低(VOH和VOL)驱动器输出(仅适用于NCV5703C),便于系统设计。这些驱动器设计用于容纳宽电压范围的单极性偏置电源(以及NCV5703B的双极性偏置电源)。所有版本均采用8引脚SOIC封装,符合AEC-Q100标准。 特性 优势 IGBT米勒平台电压下的高电流输出(+ 4.0 / -6.0 A) 降低开关损耗并缩短切换时间 低VOH和VOL 完全增强IGBT 可编程延迟的DESAT保护 增强的可编程保护 活动密勒钳(仅限NCV5703A) 防止假门开启 应用 终端产品 DC-交流变频器 电池充电器 汽车PTC加热器 驱动程序 电机控制 电动汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 22:02 30次 阅读
NCV5703 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

NCV5702 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

2是一款高电流,高性能独立式IGBT驱动器,具有非反相输入逻辑,适用于高功率应用,包括PTC加热器,EV充电器,动力总成逆变器和其他汽车电源等汽车应用。该器件通过消除许多外部元件提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括有源米勒钳位,精确的UVLO,EN输入,DESAT保护和漏极开路故障输出。该驱动器还具有精确的5.0 V输出和独立的高低(VOH和VOL)驱动器输出,便于系统设计。该驱动器设计用于适应宽电压范围的偏置电源,包括单极性和双极性电压。它采用16引脚SOIC封装。符合AEC-Q100标准。 特性 优势 降低开关损耗和缩短开关时间 低VOH和VOL 完全增强IGBT 活动密勒钳 防止伪门开启 可编程延迟的DESAT保护 增强的可编程保护 应用 终端产品 DC-AC逆变器 电池充电器 汽车PTC加热器 板载充电器 xEV充电器 汽车动力总成逆变器 牵引逆变器 电动汽车 EV充电器 牵引 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 22:02 32次 阅读
NCV5702 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

晶闸管和IGBT有什么区别?

SCR的开关时间较长,所以频率不能太高,一般在3-5KHZ左右;IGBT的开关频率较高。IGBT模块....
发表于 07-30 10:09 481次 阅读
晶闸管和IGBT有什么区别?

电力电子技术的经典教程电子书免费下载

我们现在要开始学习一个新的学科——电力电子技术( Power Electronics Technol....
发表于 07-29 08:00 176次 阅读
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变频器在高温下工作需要注意什么及大功率高压变频器的散热分析

变频器是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置。随着现代电力电子技术和微....
的头像 电力讲坛 发表于 07-28 10:41 681次 阅读
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IGBT过流保护技术示例

工业电机驱动的整个市场趋势是对更高效率以及可靠性和稳定性的要求不断提高。
的头像 电力电子技术与新能源 发表于 07-26 08:41 832次 阅读
IGBT过流保护技术示例

IGBT与MOSFET分布式发电中电力电子逆变器拓扑结构的比较研究资料说明

在目前的能源行业情景中,分布式电网在智能电网中的作用成为一个重要的方面。电力电子转换器或交流旋转电机....
发表于 07-24 08:00 153次 阅读
IGBT与MOSFET分布式发电中电力电子逆变器拓扑结构的比较研究资料说明

半桥逆变电路的工原理

驱动信号仍然采用处理脉宽调制器输出信号的形式。使得两路驱动信号的相位错开(有死区),以防止两个开关管....
发表于 07-23 10:01 530次 阅读
半桥逆变电路的工原理

新能源汽车领域的国产IGBT厂商有哪些?

近年来,新能源汽车逐渐走进人们的生活,据中国汽车工业协会预测,2019年我国新能源汽车销量将达到16....
的头像 Carol Li 发表于 07-19 17:14 2713次 阅读
新能源汽车领域的国产IGBT厂商有哪些?

注册资金2.5亿美元 总投资7.5亿美元 IGBT签约落户嘉善县开发区

7月16日,IGBT功率半导体项目签约落户嘉善县开发区。嘉善县领导徐鸣阳、郑明、何全根、陆春浩参加签....
的头像 半导体前沿 发表于 07-19 10:47 1118次 阅读
注册资金2.5亿美元 总投资7.5亿美元 IGBT签约落户嘉善县开发区

浙江省嘉善县捷报IGBT功率半导体正式落户嘉善经济技术开发区

7月16日,浙江省嘉善县数字经济发展再传捷报,IGBT功率半导体项目正式签约落户嘉善经济技术开发区。
的头像 芯论 发表于 07-18 16:11 730次 阅读
浙江省嘉善县捷报IGBT功率半导体正式落户嘉善经济技术开发区

IGBT功率半导体项目落户嘉善经济技术开发区

7月16日,浙江省嘉善县数字经济发展再传捷报,IGBT功率半导体项目正式签约落户嘉善经济技术开发区。
的头像 中国半导体论坛 发表于 07-18 10:04 785次 阅读
IGBT功率半导体项目落户嘉善经济技术开发区

IGBT功率半导体项目落户嘉善经济技术开发区 总投资达7.5亿美元

7月16日,浙江省嘉善县数字经济发展再传捷报,IGBT功率半导体项目正式签约落户嘉善经济技术开发区。
的头像 半导体动态 发表于 07-17 16:27 898次 阅读
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逆变器核心开关器件IGBT的应用特点、可靠性

本文研究了逆变器核心开关器件IGBT主要参数的选择, 分析三相逆变电路拓扑及功率器件IGBT的应用特....
的头像 畅学电子 发表于 07-17 08:45 598次 阅读
逆变器核心开关器件IGBT的应用特点、可靠性

太厉害了,终于有人能把IGBT讲得明明白白

一文看懂IGBT
的头像 电子发烧友网 发表于 07-16 10:11 3201次 阅读
太厉害了,终于有人能把IGBT讲得明明白白

三种IGBT驱动电路和保护方法的详细资料说明

本文着重介绍三个IGBT驱动电路。驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大,以驱动IGBT,保....
发表于 07-16 08:00 167次 阅读
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IGBT模块驱动及保护技术的详细资料说明

IGBT 是 MOSFET 和双极晶体管的复合器件。它既有 MOSFET 易驱动的特点,又具有功率晶....
发表于 07-16 08:00 187次 阅读
IGBT模块驱动及保护技术的详细资料说明

焊机IGBT炸管的分析和维修注意事项资料免费下载

有的焊机不用分流器,而是通过互感器来检测主变初级的电流,它的优势是电流更稳,哪怕二次整流管短路也不至....
发表于 07-10 08:00 198次 阅读
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电力开关中不可缺少的死区时间发生电路的详细说明

在驱动电路等电力开关电路中,采用半桥式及全桥式电路时,必须注意图1.12所示的实现推挽动作的设备的断....
发表于 07-08 08:00 119次 阅读
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碳化硅(SiC)功率器件发展现状

近年来,SiC功率器件的出现大大提升了半导体器件的性能,这对电力电子行业的发展意义重大。据Yole预....
的头像 Carol Li 发表于 07-05 11:56 3899次 阅读
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英飞凌亮相PCIM Asia 2019,以最新产品技术助力多领域实现节能增效

英飞凌以“我们赋能世界”为主题,在展会上展示了具备更高功率密度、最新芯片技术和功能更集成的一系列新产....
发表于 07-03 18:47 200次 阅读
英飞凌亮相PCIM Asia 2019,以最新产品技术助力多领域实现节能增效

常见的MOSFET以及IGBT绝缘栅极隔离驱动技术解析

MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构,直流电不能通....
发表于 07-03 16:26 271次 阅读
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IGBT驱动模块的设计资料免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是IGBT驱动模块的设计资料免费下载。如图 1 所示,驱动模块由三个部分组....
发表于 07-03 08:00 154次 阅读
IGBT驱动模块的设计资料免费下载

常用的功率半导体器件汇总

电力电子器件(Power Electronic Device),又称为功率半导体器件,用于电能变换和....
发表于 07-02 16:52 433次 阅读
常用的功率半导体器件汇总

IGBT基本结构和原理_IGBT设计关键因素

因为最近工作中比较多的涉及到IGBT,所以今天我们来聊一聊IGBT的设计的相关要点,当然只是从我们比....
的头像 电力电子技术与新能源 发表于 06-29 09:44 942次 阅读
IGBT基本结构和原理_IGBT设计关键因素

IGBT的双脉冲测试介绍

IGBT的双脉冲测试(Double Pulse Test)-Micro_Grid,欢迎加入技术交流Q....
的头像 电力电子技术与新能源 发表于 06-29 09:40 2055次 阅读
IGBT的双脉冲测试介绍

功率半导体器件基础PDF电子书免费下载

本书系统介绍了电力电子领域广泛应用的各类功率半导体器件。由浅入深地介绍了器件的基本结构、物 理机理、....
发表于 06-27 08:00 431次 阅读
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IGBT的定义及特性

IGBT晶体管采用这两种常见晶体管的最佳部分,即MOSFET的高输入阻抗和高开关速度利用双极晶体管的....
的头像 模拟对话 发表于 06-25 18:27 676次 阅读
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IGBT功率模块及装置的热设计详细资料说明

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,....
发表于 06-21 08:00 260次 阅读
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IR2133系列高电压和高速功率MOSFET IGBT驱动器的数据手册免费下载

IR2133IR2135/IR2233 IR2355(J&S)是高电压、高速功率MOSFET和IGB....
发表于 06-20 08:00 242次 阅读
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电动汽车成为增长动能 2021年IGBT产值预估将突破52亿美元

根据集邦咨询旗下拓墣产业研究院报告指出,电动汽车已成为汽车产业未来的主要成长动能,预估在2021年电....
的头像 章鹰 发表于 06-19 08:20 3966次 阅读
电动汽车成为增长动能 2021年IGBT产值预估将突破52亿美元

2019年世界IGBT市场总值将达到48.4亿美元 同比增长2.8%

据报道:电动汽车已成为汽车产业未来的主要成长动能,预计到2021年电动汽车将达到年产800万辆,为2....
的头像 集成电路园地 发表于 06-14 16:31 1169次 阅读
2019年世界IGBT市场总值将达到48.4亿美元 同比增长2.8%

2019年世界IGBT市场总值将达到48.4亿美元

电动汽车已成为汽车产业未来的主要成长动能,预计到2021年电动汽车将达到年产800万辆,为2018年....
发表于 06-14 16:24 870次 阅读
2019年世界IGBT市场总值将达到48.4亿美元

受益于电动汽车发展,IGBT产值2021年突破52亿美元

电动汽车已成为汽车产业未来的主要成长动能,预计在2021年电动汽车将突破800万辆,为2018年的两....
的头像 Blue5 发表于 06-13 11:11 972次 阅读
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电子技术行业的介绍和发展及形势说明

电子技术是根据电子学的原理,运用电子元器件设计和制造某种特定功能的电路以解决实际问题的科学,包括信息....
发表于 06-13 08:00 151次 阅读
电子技术行业的介绍和发展及形势说明

IGBT与MOSFET到底有什么区别

mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管....
发表于 06-13 08:00 237次 阅读
IGBT与MOSFET到底有什么区别

总投资200亿元!名芯半导体项目落户赣州经开区

名芯半导体项目总投资200亿元,将分两期建设
的头像 芯论 发表于 06-12 16:09 1284次 阅读
总投资200亿元!名芯半导体项目落户赣州经开区

区分电磁加热器全桥与半桥控制板?

把半桥电路的两个桥臂谐振电容改成两个IGBT,线圈串联一个揩振电容就构成全桥电路,IGBT1和IGB....
发表于 06-10 17:32 317次 阅读
区分电磁加热器全桥与半桥控制板?

满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压IGBT“RGS系列”

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101....
的头像 皇华电子元器件IC供应商 发表于 05-29 15:15 1029次 阅读
满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压IGBT“RGS系列”

IGBT之闩锁(Lanch-up)效应

闩锁(Lanch-up)效应,一般我们也可以称之为擎住效应,是由于IGBT超安全工作区域而导致的电流....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-28 14:57 1471次 阅读
IGBT之闩锁(Lanch-up)效应