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长距离电动汽车应用中 SiC 功率器件的有效实现

2019-08-19 09:39 次阅读


电动和混合动力电动汽车 (EV/HEV) 的电池颇受关注,然而,工程实际却是整个动力管理子系统 — 包括基本电机驱动、车载和外部充电器、电源使用和再生制动等功能,都与提高 EV 性能同等重要。因此,随着 EV 需求量持续增长,人们越来越重视改良组件的开发和利用,以此优化 EV 电池使用并延长汽车行驶里程。

由作为功率控制器件的标准金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 渡越为基于碳化硅 (SiC) 基底和工艺技术的 FET,标志着向 EV 能效和系统整体特性提升迈出的重要一步。不过,SiC 器件的关键规格和驱动要求都与 MOSFET 有所区别,只有深入了解才能充分发挥其优势。

本文概述了 EV 和 HEV 的动力要求,解释 SiC 基功率器件适合此类应用的原因,并阐明其辅助器件驱动器的功能。本文先简要讨论通过汽车级 AEC-Q101 标准鉴定对分立式器件的意义,然后介绍 ROHM Semiconductor 推出的两款通过 AEC 标准鉴定的 SiC 功率器件,并重点强调成功设计必须考虑的关键特性。

为 EV 和 HEV 提供动力

内燃机 (IC)、EV 和 HEV 等所有汽车对动力子系统的需求一直呈指数级增长,以支持高级辅助驾驶系统 (ADAS)、电动车窗、车门和后视镜、内部网络及连接、雷达、娱乐系统、GPS 等功能。

IC 车辆的主要电源通常采用 12 V,100 至 200 Ah 的标准铅酸电池。不过,相较于 EV 电池,其电量要求相对较小,因为 EV 电池还必须为“原动机”供电(图 1)。因此,EV 电池组容量范围为 50 至 150 kWh,具体取决于车辆功能、尺寸和供应商,电压典型值为 200 至 300 V。如需进行同环境比较,则使用以下公式将其转换为 Ah:Ah = (kWh × 1,000)/V。

图 1:EV 基于电池的动力子系统为牵引电机及相关功能,以及如今驾驶员所期望的许多标准特性和功能供电。(图片来源:ROHM Semiconductor)

动力子系统整体能效的决定因素众多,其中最重要的还属开关稳压器的性能。该器件可将原始电能转换为传动系统和电池充电所需的电压/电流

原因很简单,电流水平达到数百安培时,基本的阻抗 (IR) 压降就成了关键参数。例如,100 A 时,即便只是 100 mΩ 的导通电阻 (RDS(ON)) 也会在两方面产生不利影响:一是 10 V 的输送电压损耗,二是必须管理 100 W 的耗散功率 (I2R)。除 RDS(ON) 损耗外,DC/AC 和 DC/DC 转换器的开关损耗也会降低能效,缩短电池续航时间,并且增加热负荷和耗散功率。

为什么要考虑 SiC?

众所周知,针对这些静态损耗,降低 IR 压降和 I2R 损耗的常用策略有两种:1) 降低导通电阻;2) 提高系统工作电压从而降低所需电流,却可为负载提供等量功率。任何以期降低动态开关损耗的器件改进(通常与器件物理特性、开关频率及其他因素有关)都会产生巨大影响。

过去数十年间,市面上主要的功率开关器件是硅 (Si) 基 MOSFET 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)。尽管技术进步显著提高了器件性能,但改进已基本进入平台期。与此同时,EV 应用却需要性能表现更佳的开关器件兼具可行性和吸引力。

所幸过去数十年间,另一种固态 MOSFET 工艺技术已然成熟:这种技术基于由硅和碳通过共价键连接而成的碳化硅 (SiC) 材料,而非全硅材料。尽管 SiC 拥有百余种不同型态(独特结构),但由于生产和加工原因,4H 型和 6H 型最受青睐。

相较于全 Si MOSFET,SiC MOSFET 在许多关键属性上具有绝对优势:

SiC 的临界电场约为 Si 的 8 倍,因此非常适合用作功率半导体器件。高介电强度可使芯片更薄,掺杂层相对较厚,并且损耗更低。

SiC 的导热率约为 Si 的 3 倍,因此产生的全部热量都可以通过传导传递,材料本身的温度自然就低得多。

SiC 的熔点相当高,因此工作温度可达 400℃ 以上(标准 Si 器件最高达 150℃)。较高的工作温度极大简化了冷却要求,使 SiC 器件即使在更高的环境温度下工作,温差仍足以支持热量的传导和对流。

SiC 支持的最大电流密度是硅器件的 2 至 3 倍,因此在给定功率水平下可以降低元器件和系统成本。

如表 1 所示,标准硅、4H SiC 和 6H SiC 本身的临界电气特性规格显然各有不同。SiC 的带隙能量和临界电场值较高,因而工作电压相对较高;电子和空穴迁移率较小,开关损耗较低,因而工作频率较高(所需滤波器和无源元器件也相对较少)。此外,较高的导热率和工作温度也简化了冷却要求。

电气特性 Si SiC (4H) SiC (6H) 金刚石
带隙能量 (eV) 1.12 3.28 2.96 5.5
临界电场 (MV/cm) 0.29 2.5 3.2 20
电子迁移率 (cm²/VS) 1200 800 370 2200
空穴迁移率 (cm²/VS) 490 115 90 1800
导热率 (W/cmK) 1.5 3.8 3.8 20
最高结温 (℃) 150 600 600 1927

表 1:硅、两种型态的 SiC 与金刚石(用以对照)的基本材料级关键电气特性。(表格来源:Semantic Scholar)

SiC 成熟度与 AEC-Q101

不过,SiC 器件从理论推断过渡到具体实现,发展并非一路顺畅快捷。但是在过去十年间,经过数次更新换代,每一次都伴随着工艺的改进和结构的重大变化,SiC 基 MOSFET 终于发展成熟。

例如,ROHM Semiconductor 长期以来提供的第 2 代 SiC 器件已广泛应用于汽车领域。第 2 代 SiC 器件等标准 SiC MOSFET 大多采用共面结构,随着芯片尺寸减小将逐渐接近 FET 内阻下限(图 2)。相比之下,ROHM 的第 3 代产品采用双沟槽结构(栅极沟槽和源极沟槽),从而有效减小沟道尺寸和导通电阻。

图 2:ROHM 的SiC器件由第 2 代过渡到第 3 代,伴随着工艺的改进和结构的重大变化。(图片来源:ROHM Semiconductor)

ROHM 的第 3 代 SiC MOSFET 采用专有沟槽式栅极结构。相较于现有的共面型 SiC MOSFET,这种结构使导通电阻减少 50%,输入电容减少 35%,从而显著降低开关损耗,提高开关速度和能效。此外,相比 600 V 和 900 V 的器件,1200/1800 V 的 SiC MOSFET 芯片面积更小(因此封装尺寸更小),体二极管的恢复损耗也相对较低。

符合 AEC 标准

伴随成熟 SiC 器件及此前数代产品的另一个问题在于,是否能够通过 AEC-Q101 标准鉴定。该标准基于美国汽车电子委员会 (AEC) 颁布的一套规范。该委员会由主要汽车制造商和美国电子元器件制造商组成,负责构建汽车电子可靠性测试体系。主要协议有:

AEC-Q100(IC 器件)

AEC-Q101(MOSFET 等分立元器件)

AEC-Q102(分立光电元件)

AEC-Q104(多芯片模块)

AEC-Q200(无源元器件)

相比工业应用中广泛采用的其他标准,AEC-Q101 标准更为严格。AEC 规范设立了一系列等级,如表 2 所示。SiC 器件可以满足 0 级(-40℃ 至 +150℃),而全硅器件往往达不到该等级。1 级适用于车内应用,确保器件可在 -40℃ 至 +125℃ 的环境温度范围内稳定运行,但传动系统和发动机舱内应用则需要 0 级。

领域 汽车 商业/工业
压力条件 取决于所需温度等级
0 级:-40℃ 至 +150℃
1 级:-40℃ 至 +125℃
2 级:-40℃ 至 +105℃
3 级:-40℃ 至 +85℃
4 级:0℃ 至 +70℃
符合 1 级,可能提升
电气测试 室温,以及每个温度等级对应的冷热极端温度 室温
ESD-CDM 边角引脚 = 750 V(最小值),所有其他引脚 = 5000 V(最小值),分别采用不同的测试方法和测试仪 所有引脚 = 250 V(最小值)
物理尺寸 所有尺寸的 Cpk > 1.33 和 Ppk > 1.67 符合规格书规定
汽车级标准鉴定的特殊压力测试 电源温度循环
温度循环后的键合拉力
早期寿命故障率
鉴定批次的组成 所有鉴定类型都包括 3 个非连续晶圆批次和 3 个非连续组装批次 晶圆制造厂技术鉴定 = 3 个晶圆批次,封装鉴定 = 3 个组装批次

表 2:相比商业和工业应用中采用的其他标准,AEC 可靠性鉴定标准更具挑战性。(表格来源:Texas Instruments)

请注意,据某些供应商报告称,工业应用开始逐步采用 AEC-Q100 系列规范以确保增强可靠性。从成本角度来看,此举确实可行。由于电子设备和元器件广泛应用于汽车,显著降低了工业应用与汽车应用之间的价格差异。

SiC 器件支持中等至大电流设计

SiC 器件不单单适用于 EV 的大电流应用。除传动系统外,许多低功率功能(例如电动座椅/车窗、座椅和车厢加热器、电池预热器、交流电机、动力转向系统)也可受益于 SiC MOSFET 的特性。

例如,ROHM 的 SCT3160KL 是一款 N 沟道 SiC 功率 MOSFET,经优化负载高达 17 A(图 3)。该器件采用 TO-247N 封装,尺寸仅为 16 mm(宽)x 21 mm(高)x 5 mm(厚),通过背面的散热接片可轻松连接至散热器(图 4)。由其顶级规格可知,该器件适用于中等电流和功率要求的应用(表 3)。

图 3:ROHM 的 SCT3160KL 是一款基本 N 沟道 SiC 功率 MOSFET,负载高达 17 A。(图片来源:ROHM Semiconductor)

图 4:SCT3160KL 封装尺寸为 16 mm × 21 mm × 5 mm,通过背面的散热接片可提供增强的散热功能。(图片来源:ROHM Semiconductor)

VDSS 1200 V
RDS(ON)(典型值) 160 mΩ
ID 17 A
PD 103 W

表 3:SCT3160KL 的基本规格表明,该器件适合驱动 EV 中许多较小负载或为其他应用供电。(表格来源:ROHM Semiconductor)

如最大安全工作区域 (SOA) 图所示,该 SiC 器件适用于脉冲工作周期,典型代表为高压开关电源和高压稳压器(图 5)。

图 5:SCT3160KL 的 SOA 图显示并规定了漏电流、漏源电压和脉冲功率处理的最大限值。(图片来源:ROHM Semiconductor)

当然,电流越大,SiC 基器件的优势越明显。ROHM 的 SCT3022AL 也是一款采用 TO-247N 封装的 N 沟道 SiC 功率 MOSFET。由主要规格(表 4)和 SOA(图 6)可知,由于导通电阻较小,额定电流较大,该器件适用于电机驱动功率转换、电池管理以及 EV 电池充电。

VDSS 650 V
RDS(ON)(典型值) 22 mΩ
ID 93 A
PD 339 W

表 4:由于较低的导通电阻及其他属性,ROHM 的 SCT3022AL N 沟道 SiC 功率 MOSFET 适用于大电流设计。(表格来源:ROHM Semiconductor)

图 6:SCT3022AL N 沟道 SiC 功率 MOSFET 的 SOA 图清楚表明,该器件可有效支持电流和功率相对较大的应用。(图片来源:ROHM Semiconductor)

SiC FET 的辅助栅极驱动器

无论是硅 MOSFET、SiC FET 还是 IGBT,功率器件本身只是功率转换/控制设计的一部分。实际上,大功率“信号链”运行需要三大功能:控制器、栅极驱动器和功率半导体。

在驱动特性方面,SiC 器件与 Si 器件(和 IGBT)虽有类似,却仍有较大差异。例如,由于 SiC MOSFET 的跨导较低,从线性(阻性)区域到饱和区域的过渡相对平缓,不似 Si 器件一般明显,因此导通状态下,SiC 器件的栅源电压 (VGS) 大于 20 V,而关断状态下则介于 -2 V 至 -5 V 之间(因为 VGS 阈值的噪声容限较低)。

SiC 驱动器需要满足以下条件:

供电电压相对较高(25 至 30 V),通过低传导损耗实现高能效

具有较大驱动电流(典型值 > 5 A)、低阻抗和快速压摆率,瞬态电压变化率 (dV/dt) 较小,使驱动电流流入和流出栅极电容时开关损耗更低

快速短路保护(典型响应值 <400 ns),因为 SiC 器件的开关速度比 Si 器件快

降低传播延迟和器件间偏移(同样可提高能效)

具有超高 dV/dt 抗扰度,可确保在高电压大电流工作环境中稳定运行

SiC 基 FET、Si MOSFET 与 IGBT 的差异一览表如下。

功率开关 Si MOSFET Si IGBT SiC
开关频率 高 (>20 kHz) 低至中等(5 kHz 至 20 kHz) 高 (>50 kHz)
基本保护 有 - 去饱和、米勒箝位 有 - 电流检测、米勒箝位
最大 VDD(电源) 20 V 30 V 30 V
VDD 范围 0 V 至 20 V 10 V 至 20 V -5 V 至 25 V
工作 VDD 10 V 至 12 V 12 V 至 15 V 15 V 至 18 V
UVLO 8 V 12V 12 V 至 15 V
CMTI 50 V/ns 至 100 V/ns <50 V/ns >100 V/ns
传播延迟 越小越好 (<50 ns) 大(不严重) 越小越好 (<50 ns)
电源轨电源 最高 650 V >650 V >650 V
典型应用 电源 - 服务器、数据通信、电信、工厂自动化、车载和外部充电器、太阳能 U 型逆变器和组串逆变器 (<3 kW),以及 400 V 至 12 V 的 DC/DC 转换器- 汽车 电机驱动(交流电机)、UPS、太阳能集中和组串逆变器 (<3 kW),以及汽车牵引逆变器 PFC - 电源、太阳能逆变器、EV/HEV 的 DC/DC 转换器和 EV 牵引逆变器、电机驱动和铁路

表 5:虽然 Si 基 MOSFET 和 IGBT 的驱动要求大致相同,但 SiC 器件的驱动规格却大不相同。(表格来源:Texas Instruments)

由于这些器件与各种其他系统拓扑因素都在高压下运行,因此设计标准中通常包括爬电距离和间隙尺寸相关的监管问题。此外,在控制器和功率器件之间进行电流(阻性)隔离总是必要之举。

电流隔离可以使用独立元器件布置于控制器和驱动器之间,也可以使用多芯片驱动器的内置功能。后者可使整体占用空间更小,但是一些设计人员更倾向于使用独立隔离器,以便选择隔离技术(例如磁、光、电容)以及性能规格。

例如,Texas Instruments 的 UCC27531-Q1 是一款通过 AEC-Q100 标准鉴定(1 级)的非隔离式单通道高速栅极驱动器,可用于 SiC(及其他)器件(图 7)。VDD 为 18 V 时,峰值拉电流高达 2.5 A,灌电流达 5 A。不对称驱动模式下的强大灌入功能,提高了系统免受寄生米勒导通效应干扰的能力。 驱动 1800 pF 负载时,传播延迟为 17 ns(典型值),快速上升/下降时间为 15/7 ns,因此该器件适合驱动 SiC 器件。

图 7:Texas Instruments 的 UCC27531-Q1 非隔离式栅极驱动器,满足 SiC 开关器件的技术要求。(图片来源:Texas Instruments)

这款采用 6 引脚 SOT-23 封装的小型驱动器看似功能简单,却能有效满足 SiC 器件的特定驱动需求。

该器件的输出级采用独特的架构,从而在最需要时提供峰值拉电流,即功率开关导通时的米勒平台区域,此时功率开关漏极/集电极电压的 dV/dt 最大(图 8)。实现方法是在输出由低电平转为高电平时,栅极驱动器输出峰值拉电流,N 沟道 MOSFET 则在这一瞬间实现快速导通。

图 8:Texas Instruments 的 UCC27531-Q1 栅极驱动器增加了特殊电路和时序,最大限度地增大拉电流,并在 SiC 功率器件最需要的瞬间提供。(图片来源:Texas Instruments)

Power Integrations 的 SIC1182K 是隔离式 SiC 驱动器解决方案,这款 8 A 单通道 SiC 栅极驱动器具有高达 1200 V 的高级有源钳位和增强隔离。请注意,这款隔离式 SiC 驱动器模块未通过 AEC 标准鉴定,不过 Power Integrations 推出的类似产品 SID11x2KQ MOSFET/IGBT 栅极驱动器系列通过了 AEC-100 标准 1 级鉴定。例如,SID1182KQ-TL 是一款 8 A/1200 V 单通道 IGBT/MOSFET 栅极驱动器。

SIC1182K 采用 16 引脚 eSOP-R16B 封装(9 mm x 10 mm x 2.5 mm),具有 9.5 mm 的爬电距离和间隙(符合监管规定),以及亦可作为散热路径的有效初级侧接地连接(图 9)。隔离采用该公司专有的固体绝缘 FluxLink 技术,而该驱动器已获得 VDE 0884-10 认证和 UL 1577 认证(申请中)。

图 9:Power Integrations 的 SIC1182K 隔离式 SiC 栅极驱动器引脚 3、4、5 和 6 的合并连接,可提供导热路径以及有效的初级侧接地连接。(图片来源:Power Integrations)

SIC1182K 可通过同一个检测引脚实现导通阶段的短路保护,以及关断时的过压限制(通过高级有源钳位)。隔离式栅极驱动器必须连接初级/次级侧电源和接地、逻辑控制和驱动输出。如需实现更强大的驱动能力,也提供其他连接(图 10),其中包括:逻辑故障信号(开漏)、输入检测(导通短路检测和关断过压限制)、自举和电荷泵电压源,以及次级侧基准电位。

图 10:SIC1182K 隔离式 SiC 栅极驱动器增加的引脚可以在实际电路中增强驱动能力,多用于解决故障和不良问题。(图片来源:Power Integrations)

总结

可行的 EV 应用必须具备高端电池和高性能电源管理,而两者均可由 SiC MOSFET 等先进的功率开关器件提供。如上所述,第 2 代和第 3 代器件的多个性能参数在导通电阻、损耗、开关性能和热性能等方面均优于现有 Si 器件。

然而,为了充分发挥这些高性能 SiC 器件的潜力,设计人员还必须选择符合应用需求的栅极驱动器。

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发表于 12-03 16:36 365次 阅读
意法半导体完成对碳化硅晶圆厂商Norstel AB的并购

意法半导体完成Norstel AB整体收购,可应对SiC晶圆产能紧缺

据了解,Norstel将被完全整合到意法半导体的全球研发和制造业务中,继续发展150mm碳化硅裸片和....
的头像 汽车玩家 发表于 12-03 15:39 1966次 阅读
意法半导体完成Norstel AB整体收购,可应对SiC晶圆产能紧缺

开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程哦,来教你怎么选择MOSFET

DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MO...
发表于 11-30 18:41 997次 阅读
开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程哦,来教你怎么选择MOSFET

MP2359单片降压开关模式转换器的数据手册免费下载

 MP2359是一个内置功率MOSFET的单片降压开关模式转换器。它在宽的输入电源范围内达到1.2A....
发表于 11-27 17:21 497次 阅读
MP2359单片降压开关模式转换器的数据手册免费下载

SiC和GaN半导体产品竞争激烈,日本企业实力雄厚

近两年来,各国科技企业都在关注半导体建设,加快在半导体领域中的自主研发步伐,毕竟半导体涉及到的领域也....
的头像 汽车玩家 发表于 11-25 15:55 1571次 阅读
SiC和GaN半导体产品竞争激烈,日本企业实力雄厚

AO4292E N沟道MOSFET的数据手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是AO4292E N沟道MOSFET的数据手册免费下载。
发表于 11-25 08:00 173次 阅读
AO4292E N沟道MOSFET的数据手册免费下载

【高分奖励】电子老顽童:电路中Mosfet驱动问题讨论

看这两个电路,有两个问题: 1.都可以驱动Mosfet,分析两个电路的优缺点 2.假如将12V,替换成36V、48V甚至更高的电压,电路...
发表于 11-21 15:49 1712次 阅读
【高分奖励】电子老顽童:电路中Mosfet驱动问题讨论

【每日电路赏析】过流保护电路

对一个成功设计的来说保护电路是至关重要的。我们之前探讨了过压保护电路,这里我们来看看如何用运放打造一个过流保护电路。 ...
发表于 11-20 09:07 1269次 阅读
【每日电路赏析】过流保护电路

ZCC9430同步升压芯片的数据手册免费下载

ZCC9430 芯片是一款具有 600KHz 的自动调节频率、 高效率、 宽输入范围的电流模式升压 ....
发表于 11-20 08:00 112次 阅读
ZCC9430同步升压芯片的数据手册免费下载

FD6288三相250V栅极驱动器的数据手册免费下载

FD6288 是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片,专为高压、高速驱动 MOSFET 和 ....
发表于 11-20 08:00 231次 阅读
FD6288三相250V栅极驱动器的数据手册免费下载

110W输出开关电源应用中的MC44603的设计方法说明

 本申请说明的目的是提供一种在两种不同情况下设计MC44603的方法,即110 Vrms主电源和22....
发表于 11-19 17:45 208次 阅读
110W输出开关电源应用中的MC44603的设计方法说明

科锐助力ABB进入高增长EV电动汽车市场

电子发烧友讯,11月19日消息,全球碳化硅(SiC)技术领先企业科锐宣布与ABB达成合作,该公司将采....
的头像 刘伟DE 发表于 11-19 09:44 1622次 阅读
科锐助力ABB进入高增长EV电动汽车市场

ZCC6688锂离子电池充电器的数据手册免费下载

ZCC6688是一款3A锂电池充电管理芯片,可以支持单节、双节、三节、四节锂电池充电管理应用。ZCC....
发表于 11-19 08:00 137次 阅读
ZCC6688锂离子电池充电器的数据手册免费下载

ZCC2451降压型电源的数据手册免费下载

ZCC2451是一款内部集成有高边高压功率MOSFET管的高频率(2 MHz)降压型开关稳压器。提供....
发表于 11-19 08:00 103次 阅读
ZCC2451降压型电源的数据手册免费下载

ZCC2459降压型电源的数据手册免费下载

ZCC2459是一款内部集成有功率MOSFET管的降压型开关稳压器。以电流模式控制方式达到快速环路响....
发表于 11-19 08:00 104次 阅读
ZCC2459降压型电源的数据手册免费下载

如何选型—功率 MOSFET 的选型?

使用功率 MOSFET 也有两年多时间了,这方面的技术文章看了不少,但实际应用选型方面的文章不是很多。在此,根据学到的理论...
发表于 11-17 08:00 850次 阅读
如何选型—功率 MOSFET 的选型?

功率MOSFET的参数怎么看?教你在实际应用选择功率MOSFET

使用功率 MOSFET 也有两年多时间了,这方面的技术文章看了不少,但实际应用选型方面的文章不是很多。在此,根据学到的理论...
发表于 11-17 08:00 860次 阅读
功率MOSFET的参数怎么看?教你在实际应用选择功率MOSFET

如何通过提升开关电源的EMI特性来改善整个电路的EMI性能

开关电源的功率MOSFET安装在印制电路板上,由于印制电路板上MOSFET走线和环路存在杂散电容和寄....
发表于 11-15 17:13 478次 阅读
如何通过提升开关电源的EMI特性来改善整个电路的EMI性能

1欧姆电阻作用是什么?

直流电机的H桥驱动电路中驱动电机的IC芯片输出端连接1欧姆电阻去驱动MOSFET,为什么要选1欧姆电阻,它有什么作用??? ...
发表于 11-15 09:57 730次 阅读
1欧姆电阻作用是什么?

格力20亿入股三安光电,再次加大芯片投入!

格力11月11日晚发布公告,拟以自有资金20亿元认购三安光电非公开发行的股份,三安光电此次非公开发行....
的头像 行业投资 发表于 11-12 15:45 4355次 阅读
格力20亿入股三安光电,再次加大芯片投入!

双全桥MOSFET步进电机驱动器设计原理图、程序、教程说明

本设计介绍的是THB8128大功率、高细分两相混合式步进电机驱动器设计,见附件下载其原理图和测试代码等。该THB8128步进电...
发表于 11-12 07:00 1843次 阅读
双全桥MOSFET步进电机驱动器设计原理图、程序、教程说明

GaN和SiC增利效应拉高,市场竞逐日趋白热化

Wolfspeed,英飞凌,三菱,安森美半导体,意法半导体,ROHM和Toshiba等供应商正在推出....
的头像 渔翁先生 发表于 11-11 18:01 3433次 阅读
GaN和SiC增利效应拉高,市场竞逐日趋白热化

请问STM32L4系列芯片上电运行后为什么所有的全局变量、地址变量的数据全都变成了最大值(0xffff)?

     程序运行后,全局变量不可控,Debug仿真发现寄存器内存储的值全部变为FF。定时器工作正常,板子上的...
发表于 11-09 20:57 847次 阅读
请问STM32L4系列芯片上电运行后为什么所有的全局变量、地址变量的数据全都变成了最大值(0xffff)?

最新SiC器件与Si IGBT的性能比较

直到最近,功率模块市场仍被硅(Si)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)把持。需求的转移和对更高性能的关注....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 11-08 11:41 2301次 阅读
最新SiC器件与Si IGBT的性能比较

无刷电机控制器的热设计介绍和MOSFET功率损耗的计算详细说明

本文介绍了电动自行车无刷电机控制器的热设计。其中包括控制器工作原理的介绍、MOSFET功率损耗的计算....
发表于 11-07 15:37 203次 阅读
无刷电机控制器的热设计介绍和MOSFET功率损耗的计算详细说明

TPS5430直流稳压器的数据手册免费下载

TPS5430是SWIFTM系列直流/直流稳压器的一个成员,它是一个高输出电流的脉宽调制转换器,集成....
发表于 11-07 08:00 221次 阅读
TPS5430直流稳压器的数据手册免费下载

科锐与采埃孚推进电驱动领域合作

全球碳化硅(SiC)半导体领先企业科锐(Cree)与德国采埃孚(ZF Friedrichshafen....
的头像 刘伟DE 发表于 11-06 13:42 1952次 阅读
科锐与采埃孚推进电驱动领域合作

EV2359DJ-00B评估板的数据手册免费下载

EV2359DJ-00B是MP2359的评估板,MP2359是一个集成功率MOSFET的单片非同步降....
发表于 11-06 11:13 168次 阅读
EV2359DJ-00B评估板的数据手册免费下载

NCP81143 VR多相控制器

43多相降压解决方案针对具有用户可配置3/2/1相位的Intel VR12.5兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。该控制系统基于双边沿脉冲宽度调制(PWM)与DCR电流检测相结合,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应。它具有在轻负载运行期间脱落到单相的能力,并且可以在轻负载条件下自动调频,同时保持优异的瞬态性能。 NCP81143提供两个内部MOSFET驱动器,带有一个外部PWM信号。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-09 11:36 285次 阅读
NCP81143 VR多相控制器

NCV8853 汽车级非同步降压控制器

3是一款可调输出非同步降压控制器,用于驱动外部P沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括内部软启动,欠压锁定,逐周期电流限制,打嗝模式过流保护,打嗝模式短路保护。其他功能包括可编程开关频率,低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率。 特性 优势 带内部斜率补偿的峰值电流模式控制 宽输入电压范围内的良好瞬态响应 0.8 V 2%参考电压 精确的电压调节 3.1 V至36 Vdc的宽输入电压范围,44 V负载转储 适用于各种应用 输入欠压锁定(UVLO ) 禁用欠压条件下的启动 内部软启动 在启动期间降低浪涌电流并避免输出过冲 睡眠模式下的低静态电流 睡眠电流非常低 电力良好(PG) 简单数字电源监控 外部时钟同步高达600 kHz 允许频率同步和扩频操作 逐周期电流限制保护(CL) 防止过电流条件 打嗝模式短路保护(SCP) 防止短路故障 热缩(TSD) 热保护IC 应用 终端产品 汽车信息娱乐 仪表 集群 汽车系统...
发表于 07-29 20:02 208次 阅读
NCV8853 汽车级非同步降压控制器

NCP81246 用于IMVP8的三轨多相降压控制器

46是一款3轨多相降压解决方案,针对Intel IMVP8兼容CPU进行了优化。它包含一个两相和两个单相导轨,支持Core,GT和SA,配置如下2ph-1ph-1ph,1ph-2ph-1ph和1ph-1ph-1ph。该部件专为Notebook和Ultrabook应用程序而设计。两相控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,以提供精确调节的功率。两个单相控制器可用于Core,GT或SA导轨。两者均利用安森美半导体的专利高性能RPM操作。 RPM控制可最大化瞬态响应,同时允许不连续频率缩放操作和连续模式全功率操作之间的平滑过渡。单相轨道具有超低偏移电流监视放大器,具有可编程偏移补偿,可实现超高精度电流监视.NCP81246提供三个内部MOSFET驱动器,具有单个外部PWM信号 特性 优势 3内部驱动程序 允许高度集成,减少整体解决方案PCB占用空间 高性能RPM控制系统 新1相架构减少了补偿元件PWM输出提供了布线灵活性 多相轨的双边沿调制 对瞬态加载的最快初始响应 动态VID前馈 自适应电压定位(AVP) 开关频率范围为300 kHz - 750 kHz 相间动态电流...
发表于 07-29 20:02 329次 阅读
NCP81246 用于IMVP8的三轨多相降压控制器

NCV8876 汽车级启停非同步升压控制器

6是一款非同步升压控制器,设计用于在启动 - 停止车辆运行电池电压下降期间提供最小输出电压。控制器驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括逐周期电流限制,保护和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式操作。当电源电压低于7.3 V时,NCV8876使能,当电源电压低于6.8 V时启动升压操作。 使用 NCV8876评估板SystemVision设计和模拟环境验证参数和功能性能,并通过实时虚拟测试更好地了解功能和行为。 特性 优势 自动启用低于7.3 V (工厂可编程) 紧凑型SOIC8封装的额外功能 -40 C至150 C操作 汽车级 2 V至45 V操作 通过曲柄转动和装载转储进行操作 低静态曲线睡眠模式(...
发表于 07-29 20:02 121次 阅读
NCV8876 汽车级启停非同步升压控制器

NCV1034 AEC Qual - 100 V同步降压控制器

4是一款高压PWM控制器,专为高性能同步降压DC-DC应用而设计。 NCV1034采用高达500 kHz的可编程开关频率驱动一对外部N-MOSFET,可灵活调整IC的工作,以满足系统级要求。外部同步功能允许简化系统级过滤器设计。对于低压应用,可以使用内部1.25 V基准电压精确调节输出电压。提供欠压锁定和打嗝电流限制等保护,以便在发生故障时提供所需的系统级安全性。 特性 优势 输入电压高达100V + 48V或+ 60V输入使用的宽输入电压 2输出驱动能力 能够使用更大尺寸的FET提高效率 1.25 V +/- 2.5%反温电压 整个温度范围内的系统级精度优异 外部频率同步 能够同步到外部频率或输出同步脉冲 可编程切换频率高达500 kHz 效率和尺寸优化 AEC-Q100合格 中压DC-DC系统 应用 终端产品 48 V非隔离式DC-DC转换器 汽车高压DC-DC转换器 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 20:02 221次 阅读
NCV1034 AEC Qual  -  100 V同步降压控制器

NCV8871 非同步升压控制器 汽车级

1是一款可调输出非同步升压控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制,打嗝模式短路保护和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 在宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 1.2 V 2%参考电压 精确的电压调节 宽输入电压范围3.2 V至40 Vdc,45 V负载转储 适用于各种应用 输入欠压锁定(UVLO) 在欠压条件下禁用启动 内部软启动 Decr缓解浪涌电流 睡眠模式下的低静态电流 非常低的关闭电流 周期 - 循环电流限制保护 防止过电流情况 打嗝模式短路保护(SCP) 防止短路故障 热关机(TSD) 热保护IC 应用 终端产品 启停系统 SEPIC(同相降压升压) 直接注气 汽车系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 20:02 287次 阅读
NCV8871 非同步升压控制器 汽车级

NCV8873 非同步升压控制器 汽车级

3是一款可调输出非同步升压控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 LED PWM调光能力 0.2 V 2%参考电压恒流负载 宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 宽输入电压范围为3.2 V至45 V 精确的电流/电压调节 输入欠压锁定 适用于各种各样的应用程序 内部软启动 禁用启动在欠压条件下 睡眠模式下的低静态电流 降低浪涌电流 逐周期电流限制保护 电流非常低 打嗝模式过流保护 防止过电流情况 热关机 热保护IC 应用 终端产品 LED照明,背光,前照灯 启停系统 升压,SEPIC(非反相降压升压) 直接注气 汽车系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 20:02 229次 阅读
NCV8873 非同步升压控制器 汽车级

NCV898031 非同步SEPIC /升压控制器 2 MHz

031是一款可调输出非同步2 MHz SEPIC / boost控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。 保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制和热关断。 其他功能包括低静态电流睡眠模式和微处理器兼容使能引脚。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 1.2 V 2%参考电压 准确的电压调节 2 MHz固定频率操作 卓越的瞬态响应,较小尺寸的滤波元件,基频高于AM频段 宽输入电压范围3.2 V至40 V,45 V负载转储 适用于各种应用 输入Und ervoltage Lockout(UVLO) 禁用欠压条件下的启动 内部软启动 减少启动期间的浪涌电流 睡眠模式下的低静态电流 非常低的关闭状态电流消耗 逐周期电流限制保护 防止过电流情况 打嗝模式短路保护(SCP) 防止短路故障 热关断(TSD) 热保护IC 应用 终端产品 启动 - 停止系统 SEPIC(非反相降压 - 升压),升压,反激...
发表于 07-29 19:02 229次 阅读
NCV898031 非同步SEPIC /升压控制器 2 MHz

NCV8851-1 汽车平均电流模式控制器

1-1是一款可调输出,同步降压控制器,可驱动双N沟道MOSFET,是大功率应用的理想选择。平均电流模式控制用于在宽输入电压和输出负载范围内实现非常快速的瞬态响应和严格调节。该IC集成了一个内部固定的6.0 V低压差线性稳压器(LDO),为开关模式电源(SMPS)底栅驱动器提供电荷,从而限制了过多栅极驱动的功率损耗。该IC设计用于在宽输入电压范围(4.5 V至40 V)下工作,并且能够在500 kHz下进行10至1次电压转换。其他控制器功能包括欠压锁定,内部软启动,低静态电流睡眠模式,可编程频率,SYNC功能,平均电流限制,逐周期过流保护和热关断。 特性 优势 平均电流模式控制 快速瞬态响应和简单的补偿器设计 0.8 V 2%参考电压 可编程输出电压的严格公差 4.5 V至40 V的宽输入电压范围 允许通过负载突降情况直接调节汽车电池 6.0 V低压差线性稳压器(LDO) 耗材栅极驱动器的内部电源 输入UVLO(欠压锁定) 在欠压条件下禁用启动 内部软启动 降低浪涌电流并避免启动时输出过冲 睡眠模式下1.0μA的最大静态电流 睡眠电流极低 自适应非重叠...
发表于 07-29 19:02 322次 阅读
NCV8851-1 汽车平均电流模式控制器

LV5725JA 降压转换器 DC-DC 1通道

JA是一个降压电压开关稳压器。 特性 优势 宽输入动态范围:4.5V至50V 可在任何地方使用 内置过流逐脉冲保护电路,通过外部MOSFET的导通电阻检测,以及HICCUP方法的过流保护 烧伤保护 热关闭 热保护 负载独立软启动电路 控制冲击电流 外部信号的同步操作 它可以改善发生两个稳压器IC之间的振荡器时钟节拍 电源正常功能 稳定性操作 外部电压为输出电压高时可用 应用 降压方式开关稳压器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 19:02 132次 阅读
LV5725JA 降压转换器 DC-DC 1通道

FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初级侧调节PWM

代初级侧调节(PSR)和高度集成的PWM控制器提供多种功能,以增强低功耗反激式转换器的性能。 FSEZ1317WA的专有拓扑结构TRUECURRENT®可实现精确的CC调节,并简化电池充电器应用的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,可以实现低成本,更小,更轻的充电器。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供关断时间调制,以在轻载时线性降低PWM频率条件。绿色模式有助于电源满足节能要求。 通过使用FSEZ1317WA,可以用很少的外部元件实现充电器并降低成本。 特性 30mW以下的低待机功率 高压启动 最少的外部元件计数 恒压(CV)和恒流(CC)控制无二次反馈电路 绿色模式:线性降低PWM频率 固定频率为50kHz的PWM频率以解决EMI问题 CV模式下的电缆补偿 CV中的峰值电流模式控制模式 逐周期电流限制 V DD 使用Auto Restar进行过压保护t V DD 欠压锁定(UVLO) 栅极输出最大电压钳位在15V 自动重启固定过温保护 7导联SOP 应用 电子书阅读器 外部AC-DC商用电源 - 便携消费型 外部AC-D...
发表于 07-29 19:02 95次 阅读
FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初级侧调节PWM

FSEZ1016A 带有集成式MOSFET的初级端调节PWM控制器

度集成的PWM控制器具备多种功能,可增强低功率反激转换器的性能.FSEZ1016A专有的拓扑简化了电路设计,特别是电池充电器应用中的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,它成本更低,尺寸更小,具有更轻的充电器。启动电流仅为10μA,允许使用大启动电阻以实现进一步的节能。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供了关断时间调制,以在轻载条件下线性降低PWM频率。绿色模式有助于电源达到节电要求。通过使用FSEZ1016A,充电器可以用极少的外部元件和最低的成本来完成.FSEZ1016A系列控制器提供7引脚SOIC封装。 特性 恒压(CV)和恒流(CC)控制( 通过飞兆专有的TRUECURRENT™技术实现精准恒定电流 绿色模式功能:线性降低PWM频率 42 kHz的固定PWM频率(采用跳频来解决电磁干扰问题) 恒压模式下的电缆补偿 低启动电流:10μA 低工作电流:3.5 mA 恒压模式下的峰值电流模式控制 逐周期限流 V DD 过压保护(带自动重启) V DD 欠压锁定(UVLO) 带闩锁的固定过温保护(OTP) 采用SOIC-7封装 应用 ...
发表于 07-29 19:02 124次 阅读
FSEZ1016A 带有集成式MOSFET的初级端调节PWM控制器

NCP81231 降压控制器 USB供电和C型应用

31 USB供电(PD)控制器是一款针对USB-PD C型解决方案进行了优化的同步降压控制器。它们是扩展坞,车载充电器,台式机和显示器应用的理想选择。 NCP81231采用I2C接口,可与uC连接,以满足USB-PD时序,压摆率和电压要求。 NCP81231工作在4.5V至28V 特性 优势 I2C可配置性 允许电压曲线,转换速率控制,定时等 带驱动程序的同步降压控制器 提高效率和使用标准mosfet 符合USB-PD规范 支持usb-pd个人资料 过压和过流保护 应用 终端产品 USB Type C 网络配件 消费者 停靠站 车载充电器s 网络中心 桌面 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 19:02 141次 阅读
NCP81231 降压控制器 USB供电和C型应用

NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 USB供电和C型应用

39 USB供电(PD)控制器是一种同步降压升压,经过优化,可将电池电压或适配器电压转换为笔记本电脑,平板电脑和台式机系统以及使用USB的许多其他消费类设备所需的电源轨PD标准和C型电缆。与USB PD或C型接口控制器配合使用时,NCP81239完全符合USB供电规范。 NCP81239专为需要动态控制压摆率限制输出电压的应用而设计,要求电压高于或低于输入电压。 NCP81239驱动4个NMOSFET开关,允许其降压或升压,并支持USB供电规范中指定的消费者和供应商角色交换功能,该功能适用​​于所有USB PD应用。 USB PD降压升压控制器的工作电源和负载范围为4.5 V至28 V. 特性 优势 4.5 V至28 V工作范围 各种应用的广泛操作范围 I2C接口 允许uC与设备连接以满足USB-PD电源要求 将频率从150 kHz切换到1200 kHz 优化效率和规模权衡 过渡期间的压摆率控制 允许轻松实施USB-PD规范 支持USB-PD,QC2.0和QC3.0配置文件 过电压和过流保护 应用 终端产品 消费者 计算 销售点 USB Type-C USB PD 桌面 集线器 扩展...
发表于 07-29 19:02 165次 阅读
NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 USB供电和C型应用

ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单相

1是一款高效的单相同步降压开关稳压控制器。凭借其集成驱动器,ADP3211经过优化,可将笔记本电池电压转换为高性能英特尔芯片组所需的电源电压。内部7位DAC用于直接从芯片组或CPU读取VID代码,并将GMCH渲染电压或CPU核心电压设置为0 V至1.5 V范围内的值。 特性 优势 单芯片解决方案。完全兼容英特尔®IMVP-6.5 CPU和GMCH芯片组电压调节器规格集成MOSFET驱动器。 提高效率。 输入电压范围为3.3V至22V。 提高效率。 最差±7mV -case差分感应核心电压误差超温。 提高效率。 自动节电模式可在轻负载运行期间最大限度地提高效率。 提高效率。 软瞬态控制可降低浪涌电流和音频噪声。 当前和音频缩减。 独立电流限制和负载线设置输入,以增加设计灵活性。 改进设计灵活性ity。 内置电源良好屏蔽支持电压识别(VID)OTF瞬变。 提高效率。 具有0V至1.5V输出的7位数字可编程DAC。 提高效率。 短路保护。 改进保护。 当前监听输出信号。 提高效率。 这是一款无铅设备。完全符合RoHS标准和32引...
发表于 07-29 19:02 143次 阅读
ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单相

NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节器 适用于计算应用

49是一款单相同步降压稳压器,集成了功率MOSFET,可为新一代计算CPU提供高效,紧凑的电源管理解决方案。该器件能够在带SVID接口的可调输出上提供高达14A TDC的输出电流。在高达1.2MHz的高开关频率下工作,允许采用小尺寸电感器和电容器,同时由于采用高性能功率MOSFET的集成解决方案而保持高效率。具有来自输入电源和输出电压的前馈的电流模式RPM控制确保在宽操作条件下的稳定操作。 NCP81149采用QFN48 6x6mm封装。 特性 优势 4.5V至25V输入电压范围 针对超极本和笔记本应用进行了优化 支持11.5W和15W ULT平台 符合英特尔VR12.6和VR12.6 +规格 使用SVID接口调节输出电压 可编程DVID Feed - 支持快速DVID的前进 集成栅极驱动器和功率MOSFET 小外形设计 500kHz~1.2MHz开关频率 降低输出滤波器尺寸和成本 Feedforward Ope输入电源电压和输出电压的比例 快线瞬态响应和DVID转换 过流,过压/欠压和热保护 防止故障 应用 终端产品 工业应用 超极本应用程序 笔记本应用程序 集成POL U...
发表于 07-29 19:02 54次 阅读
NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节器 适用于计算应用

NCP81141 Vr12.6单相控制器

41单相降压解决方案针对Intel VR12.6兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。单相控制器采用DCR电流检测,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应.NCP81141集成了内部MOSFET驱动器,可提高系统效率。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 18:02 158次 阅读
NCP81141 Vr12.6单相控制器

NCP81147 低压同步降压控制器

47是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP81147还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 优势 内部高性能运算放大器 简化系统补偿 集成MOSFET驱动器 节省空间并简化设计 热关机保护 确保稳健的设计 过压和过流保护 确保稳健设计 省电模式 在轻载操作期间最大限度地提高效率 支持5.0 V至19 V输入 5.0 V至12 V操作 芯片使能功能通过OSC引脚 保证启动进入预充电负载 内部软启动/停止 振荡器频率范围为100 kHz至1000 kHz OCP准确度,锁定前的四次重入时间 无损耗差分电感电流检测 内部高精度电流感应放大器 20ns内部栅极驱动器的自适应FET非重叠时间 Vout从0.8V到3.3 V(5V,12V VCC) 热能补偿电流监测 ...
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NCP81147 低压同步降压控制器

NCP5230 低压同步降压控制器

0是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP5230还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 高性能误差放大器 >内部软启动/停止 0.5%内部电压精度,0.8 V基准电压 OCP精度,锁存前四次重入时间无损差分电感电流检测内部高精度电流检测放大器振荡器频率范围100 kHz 1000 kHz 20 ns自适应FET内部栅极驱动器非重叠时间 5.0 V至12 V操作支持1.5 V至19 V Vin Vout 0.8 V至3.3 V(具有12 VCC的5 V电压)通过OSC引脚实现芯片功能锁存过压保护(OVP)内部固定OCP阈值保证启动预充电负载 热补偿电流监控 Shutdow n保护集成MOSFET驱动器集成BOOST二极管,内部Rbst = 2.2 自动省电模式,最大限度地提高光效率负载运行同步功能远程地面传感这是一个无铅设备 应用 桌面和服务器系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 17:02 123次 阅读
NCP5230 低压同步降压控制器

NCP3030 同步PWM控制器

0是一款PWM器件,设计用于宽输入范围,能够产生低至0.6 V的输出电压.NCP3030提供集成栅极驱动器和内部设置的1.2 MHz(NCP3030A)或2.4 MHz( NCP3030B)振荡器。 NCP3030还具有外部补偿跨导误差放大器,内置固定软启动。保护功能包括无损耗电流限制和短路保护,输出过压保护,输出欠压保护和输入欠压锁定。 NCP3030目前采用SOIC-8封装。 特性 优势 输入电压4.7 V至28 V 从不同输入电压源调节的能力 0.8 V +/- 1.5%参考电压 能够实现低输出电压 1200 kHz操作(NCP3020B - 2400 kHz) 高频操作允许使用小尺寸电感器和电容器 > 1A驱动能力 能够驱动低Rdson高效MOSFET 电流限制和短路保护 高级保护功能 输出过压和欠压检测 高级保护功能 具有外部补偿的跨导放大器 能够利用所有陶瓷输入和输出电容器 集成升压二极管 减少支持组件数量和成本 受管制的软启动 已结束软启动期间的环路调节可防止任何尖峰或下垂 AEC-Q100和PPAP兼容(NCV3030) 适用于汽车应用 应用 终端产品 ...
发表于 07-29 17:02 90次 阅读
NCP3030 同步PWM控制器