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日本与韩国的主要矛盾所在,为何能吃定韩国?

2019-08-19 09:21 次阅读

据消息报道,在日本加强对韩国的出口管制后,针对光刻胶、氟化氢和氟化聚酰亚胺这3种半导体原材料,三星7月起开始紧急寻找其他供应来源,目前正从比利时采购材料。

事情的起因是,日本在G20大阪峰会之后突然宣布将就一些事关韩国经济命脉的关键产品对韩国实施事实上的禁运。

那么,日本为何选择在此时对韩国发难?为何选择在这个领域下手?又何来的底气呢?

日本与韩国的主要矛盾所在,为何能吃定韩国?

外交领域的报复行为

日本经济产业省要求从7月4日开始,所有日本企业向韩方出口3种半导体产业原材料前,必须向日本政府申请批准,而整个审查过程将长达90天。8月2日,日本政府在内阁会议上正式决定将韩国排除在“白色清单国家”之外。韩国对此表示强烈反对,准备启动世界贸易组织(WTO)的纷争解决程序。

“白色清单国家”是日本人为在国家安全方面对日友好的国家,现有27个国家,除韩国外均为西方国家。该清单上的国家可免除申请漫长的出口许可。

谈起日韩贸易摩擦,得从当前的日韩关系说起。

近年来,这两家关系实在不咋地——2017年10月,韩国大法院(最高法院)终审裁定,支持4名二战时期遭日本强征的韩国劳工的索赔权,判决涉事日本企业向每名原告赔偿1亿韩元(约合58万元人民币)。该判决引起日方强烈不满,日本外交大臣河野太郎当时称判决结果“令人非常遗憾且无法接受”,坚持认定两国1965年签订的《日韩请求权协定》已经解决这类索赔问题,并威胁将考虑所有可能的应对选项。

同年12月,韩国一艘驱逐舰搜救一只朝鲜渔船时,遭遇日本军机低空飞过。日方指认韩方驱逐舰用火控雷达定日方飞机,韩方否认,认定日方飞机作威胁性低空飞行。之后两国骂战不断升级,日方军机又多次抵近韩方军舰,韩方则直斥日本举动是“公然挑衅”。

受到这些事件影响,被韩国历任总统上台后视为重要事宜的访日活动,在现任韩国总统文在寅上台后被一拖再拖,至今仍无定论。

而且,日本海上自卫队定于10月举行阅舰式,日本也罕见地没有对韩国发出邀请。日本选择在此时突然对韩国发难,明眼人都知道这是一种外交领域的报复行为。

半导体材料,韩国经济的命门

这次日本对韩国实施禁运的三种半导体原材料分别是含氟聚酰亚胺、光刻胶和高纯度氟化氢,均为半导体产业里基础性的原材料:

含氟聚酰亚胺是制造无色透明、传导属性良好的智能手机屏幕的上佳材料;

光刻胶是半导体制作过程中的核心材料,它对光线、温度、湿度十分敏感,可以在光照后发生化学性质的改变,无论在民用还是军用领域都极具价值;

高纯度氟化氢同样是半导体产业关键性的基础化工材料之一,但与前两者不同的是,它带有剧烈的毒性和强烈的腐蚀性。高纯度的氟化氢常用于芯片等材料在加工过程中的清洗,对于产品工艺和质量有着不可或缺的作用。

韩国贸易协会资料显示,韩国企业对日本产的高纯度氟化氢、光刻胶和含氟聚酰亚胺的依赖度分别达到43.9%、91.9%和93.7%。此前,SK海力士的有关人士也透露称,相关原材料库存量不足3个月,如果不能追加采购,3个月后工厂可能会停产。

据中国科学院大学网络经济和知识管理研究中心主任吕本富介绍,半导体行业是韩国的支柱型产业,2018年韩国的经济增长率为2.7%,如果去除掉半导体增长所带来的效益,那么韩国的经济增长只有1.4%。日本企业或许可以接受失去这一业务,但韩国无法忍受。

近20年,韩国在半导体产业的逆袭之路,看上去很成功。随着日本东芝等退出消费终端、半导体制造市场,隔壁的韩国顺势抢下内存产业,三星、SK海力士等韩国企业在存储产业的崛起,给外界传递了其掌控上游产业链的高科技形象。

其实,韩国只是处在半导体技术俯冲带,是赌上自己的命运,孤注一掷地投入到这项产业中,在半导体和屏幕产业“孤军”奋进,使韩国经济发展非常畸形。

事实上,半导体生产工艺主要分为设计、制造、封测三大环节,在后两个环节中,就需要关键设备和材料,它们是保障芯片顺利生产的上游基石。

日本这下子可算是捏住了韩国的命门——韩国关税厅发布的数据显示,7月前20天出口同比下降了13.6%。半导体作为拉动出口的动力,已经明显马力不足。前20天里,韩国半导体产品出口锐减30.2%,而这类产品几乎能够达到韩国总出口产品的1/5。

这还不算完。据报道称,若日本将韩国移出“白名单”,除了三种半导体材料外,可用作军事用途的非战略产品,如工业器械,以及可用于浓缩铀离心机材料的碳素纤维等也将被列入日本对韩出口物品强化出口管制的范围内。日本经济产业省可以从国家安全的角度要求对这些可转用为武器的物品进行个别审查,而办理此类出口手续则要长达数月。

抵制日货还是抵制禁运日货?

为什么采取上述贸易制裁措施?日方的解释是,因为“(两国)信赖关系受损和发现韩方的不当情况”。韩方则回击,此举对是二战劳工索赔案的“报复措施”,违反世贸组织规则,准备上诉至WTO。

据韩国媒体消息,在7月24日的世界贸易组织(WTO)总理事会会议上,作为韩国首席代表出席的产业通商资源部新通商秩序战略室长金胜镐表示,日本限制对韩出口半导体关键材料有违世贸组织规定,与国家安全无关,并公开要求韩日高层对话,但日方没有作出答复。

韩方在当天下午的会议上再次要求日本回应对话提议,日方仍没有具体回复。金胜镐称,通过对话解决问题是韩国一直坚持的立场,“拒绝对话表明日方没有勇气和自信直面自己的行为”。他重申,日本7月4日实施的贸易限制,是对日韩在劳工征用赔偿诉讼问题上的报复。

在“禁运”事件发生后,韩方对与日本自民党“二把手”二阶俊博的面谈寄予厚望。

韩方代表团与二阶俊博的会面原定于7月31日下午5时在自民党办公大楼进行。韩方代表团成员均为资深政坛人士,其中还包括韩日议员联盟主席姜昌一。

日方此前一直未敲定日程,后在韩国代表团访日前晚安排出时间。但在会面开始前2小时,日方通知因准备第二天的国会会议而要内部开会,将同韩方的会面推迟至8月1日。

韩方接受提议后,会面时间定在了8月1日上午11时30分。之后日方于7月31日晚再次发来通知称,二阶俊博因将主持紧急安保会议难以与韩方会面。据悉,姜昌一前一晚在与日韩议员联盟干事长河村建夫通话时对日方的做法提出强烈抗议,并谴责日方做法为重大外交失礼。

8月3日,大批韩国民众连续第三周举行集会,谴责日本首相安倍晋三扩大对韩国的贸易限制,并要求安倍为日本战时的强征劳工行为道歉。3日也是日本决定将韩国剔除出出口管理优惠对象的第二天。

韩联社称,约1.5万名韩国人(代表约680个民间团体)在首尔市中心的光华门广场举行了游行,这是7月以来规模最大的反对日本贸易限制的抗议活动。抗议者在日本驻韩国大使馆前高喊“道歉”,挥舞着写有“谴责安倍政权”和“为战时强征劳工道歉”的横幅。还有很多人手持蜡烛参加集会,就像抗议韩国前总统朴槿惠时一样。示威人群在日本大使馆前大声抗议,要求日本政府收回将韩国移出“白名单”的决定。

与此同时,韩国在全国范围内都开展了轰轰烈烈的抵制日货行动。韩国中小个体户总联谊会7月5日宣布禁销日本商品,到7月16日已经有500多家小商店加入抵制活动。同时,多数民众也在网上发起抵制日货运动,日本平价服饰品牌优衣库和杂货品牌无印良品的销售额分别减少了26.2%和19.2%。

可是让人纳闷的是,含氟聚酰亚胺、光刻胶和高纯度氟化氢也是日货,为何不抵制?不但不抵制,还有人因此自焚。

韩国人到底是抵制日货还是抵制禁运日货?

日本为何能吃定韩国?

由此可见,日本在这次贸易摩擦中占据上风,将韩国吃得死死的。那么,日本怎么会对韩国有那么大的影响力呢?这就不得不提起让韩国人伤心的那段往事——

近代,日本吞并朝鲜半岛长达半个世纪,殖民统治了近40年。在这段时期内,日本对韩国形成的影响不容小觑:

首先是经济影响。

统治朝鲜半岛期间,双方经济交流非常密切——主要是日本对朝鲜半岛的经济掠夺。

日韩建交时,美国驻日大使赖肖尔使韩国人相信他们的国家与日本“在经济上是互补的自然联盟”。因为不仅“日本的资本可以购买韩国的廉价劳力”,而且韩国人也会发现“日本市场和廉价商品的巨大诱惑力”。这就意味着韩国人要服用日本经济渗透这剂良药,良药虽然苦口,却能治疗韩国经济滞后发展和孤立无援的恶疾。

然而,这就造成了今天韩国在经济领域,特别是半导体产业对日本的依赖相当大的事实。半导体上游的原材料和硬件设备上,众多技术门槛非常高,尤其是材料方面,不少日本企业的产品不可替代。

2018年,韩国对日本的贸易赤字为203亿美元(约合1433亿元人民币),中间产品的赤字就达到151亿美元(约合1066亿元人民币),占整体的四分之三。韩国企业要想真正“脱离日本原材料、零部件和设备,实现进口多元化,走上国产化道路”,恐怕颇为艰难,这类相关表述更多地表现为一种民族气节和官方立场,在实际过程中代价高昂、成本巨大,在短期内几无可能。

其次是文化影响。

在日本占领韩国的几十年间,韩国整整一代人被正式禁止说韩语,殖民时期的韩国精英必须在语言、习俗、礼仪和关系上以日本文化为基准。

今天的韩国社会,与日本社会的相似度极高,例如,都很看重“前辈文化”、喜欢本土食品。在两国的企业文化中,雇员基本都是终身雇佣制,也都有着加班的习惯,上下级等级观念同样非常严重。

所以,如果说古代朝鲜半岛深受中国文化影响,那么现代韩国则更接近日本文化。这样带来的一个后果就是日本对韩国人的心理特征、思维方式、行为模式等方面非常熟悉,能够有针对性地出牌,从而使韩国无论是在物质还是精神上都陷于被动。

韩国人一方面要求日本道歉,另一方面又要求日本将韩国重新纳入“白名单”的令人吃惊的非理性行为,也可以看做是日本对韩国人心理实施“精确打击”的战果。

最后是外交影响。

日本对韩国的外交影响属于间接影响。在日本对韩国进行殖民统治时期,日本对韩国文化进行了改造,采取一系列同化、毁灭韩国文化的措施。韩国文化的连续性遭到破坏,民众心理深受创伤。通过文化对国家利益、国家实力、国家决策机制的影响,日本可以间接影响到韩国外交政策从而形成其独特的外交特点。

日本充分利用了韩国外交政策方面的漏洞,使其陷于被动——在外交层面有意施加的羞辱成功激怒了韩国民众,而民众徒劳无功的抗议和抵制活动给政府施加了很大压力,从而极大限制了韩国政府的回旋余地,这种局面反过来又进一步增加了日本的主动权,甚至是主导权。

日本就是这样吃定了韩国——通过对韩国的经济影响在技术上掐住韩国主导产业的命门,并利用对韩国的文化影响对其行为逻辑实施精准判断与预测,进而采取有针对性的措施进行压制,然后利用对韩国的外交影响在该领域牵着韩国的鼻子走,让后者陷入被动。

消除日本的影响,何其难也

在日韩贸易战中毫无还手之力的韩国为何不能消除日本的影响呢?

经济基础决定上层建筑。

如前所述,韩国在经济上对日本依赖程度很高。

7月28日,韩国经济研究院发表了《韩日主要产业竞争力比较及启示》的报告,报告显示,2018年,韩国从日本进口的产品高达4227项,对日本进口依赖度超过50%的产品高达253项,其中,韩国纺织用纤维产品的对日进口依赖度高达99.6%,韩国化学工业与相关工业产品的对日进口依赖度为98.4%,汽车、飞机、船舶、运输机械相关产品的对日进口依赖度为97.7%。在这种情况下,消除日本影响对韩国来说是不可能完成的任务。

过去这种模式的成功使得韩国没有改变的动力。

韩国曾经是一个贫穷的农业国,从20世纪60年代开始经济腾飞,到如今已经成为一个典型的新兴工业国家,人均GDP在2018年达到3.18万美元,并建立了先进的制造业体系。可以说正是上述高度依赖日本的经济模式才创造出这样的奇迹,这种模式如此成功,以至于韩国没有改变的动力,消除日本影响自然无从谈起。

此外,大量“亲日派”的存在也使得韩国清理日本影响困难重重。

“亲日”在很多时候成为韩国朝野的“死穴”,一次次加重韩国民众对日本在殖民历史、领土争端等方面的负面印象。“亲日派”的更新换代也让韩国人五味杂陈,许多人成为掌握韩国实权的社会精英阶层,职业包括政治人物、公务员、法律界人士、媒体人等。在这种情况下,要想清除日本影响,何其难也。

日韩就半导体原料展开的贸易战将会产生不小的影响,在冲击全球价值链的同时也为中日韩三边贸易区的前景蒙上一层阴影,但是对中国的半导体行业来说未尝不是一次机遇。从长远来看,日韩还将就贸易问题继续缠斗,并有可能因此蔓延到其它领域,比如独岛。届时,东北亚地区局势将又起波澜。

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半导体开发为核心的产业现在是怎样的发展状况

F435Ⅱ对半导体工厂的电压暂降监测与分析应用

据美国电科院统计,电压暂降占据了超过92%的电能质量事件,工厂无法事先得到即将到来的电压暂降的警告。
发表于 09-18 09:47 76次 阅读
F435Ⅱ对半导体工厂的电压暂降监测与分析应用

2019年半导体产业投资的真相与误解

资本是一把双刃剑,它有多诱人,也就有多大的摧毁力。繁荣的产业图景面前,还要警惕种种乱象和误解。本文中....
的头像 墨记 发表于 09-18 09:10 1698次 阅读
2019年半导体产业投资的真相与误解

离散半导体器件温度的计算

離散半導體器件可用於各種條件和環境機制。特別是處理高功率的功率半導體器件。由於功率密度高, 產生的熱量可能會永久損壞或降低...
发表于 09-18 09:05 32次 阅读
离散半导体器件温度的计算

为连网装置提供多域安全性

現在,正有一股力量在推動全球半導體產業的革命性進展。從穿戴裝置到智慧型汽車和家庭,似乎連網功能已經成為全球創新的關鍵要角...
发表于 09-18 09:05 28次 阅读
为连网装置提供多域安全性

MOS管的电路工作原理电路符号和实物等详细资料讲解

金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型....
发表于 09-18 08:00 86次 阅读
MOS管的电路工作原理电路符号和实物等详细资料讲解

半导体器件中的噪声及其低噪声化技术PDF电子书免费下载

本书介绍了半导体、器件中各种噪声现象的理论及其应用技术,包括:噪声基础、半导体器件的低噪声化技术等7....
发表于 09-18 08:00 52次 阅读
半导体器件中的噪声及其低噪声化技术PDF电子书免费下载

模拟电子技术基础第三版PDF电子书免费下载

《模拟电子技术基础第三版》是2006年清华大学电子学教研组出版社出版的图书,作者是杨素行。全书内容共....
发表于 09-17 16:41 54次 阅读
模拟电子技术基础第三版PDF电子书免费下载

这款手机竟获得iFixit拆解满分的评分 开盖不需借助任何工具

【天极网手机频道】随着智能手机设计越来越复杂,很难想象有产品获得iFixit拆解满分的评分,但是有荷....
的头像 39度创意研究所 发表于 09-17 16:17 291次 阅读
这款手机竟获得iFixit拆解满分的评分 开盖不需借助任何工具

单色数码管的驱动方式是什么?

数码管按段数可分为七段数码管和八段数码管,八段数码管比七段数码管多一个发光二极管单元,也就是多一个小数点(DP)这个小数...
发表于 09-17 09:01 28次 阅读
单色数码管的驱动方式是什么?

什么是MEMS(微机电系统)陀螺仪?

什么是MEMS?MEMS = Micro-Electro-Mechanical System, 是用半导体技术,在半导体材料上刻蚀出来的微机械结构。下图...
发表于 09-12 09:05 251次 阅读
什么是MEMS(微机电系统)陀螺仪?

5G相关核心产业链有哪些?

化合物半导体在通讯射频领域主要用于功率放大器、射频开关、滤波器等器件中。砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)和碳化硅(S...
发表于 09-11 11:51 176次 阅读
5G相关核心产业链有哪些?

元器件故障怎么看?分享老司机总结的元器件检查技巧

电子工程师在实际操作中常常碰到各种各样的故障,特定元器件的故障是有规律可循的,今天这篇文章就来总结一下电子元器件的故障规...
发表于 09-10 15:08 1037次 阅读
元器件故障怎么看?分享老司机总结的元器件检查技巧

什么是半导体磁敏元件?

     基于霍耳效应的半导体磁电转换传感器。在磁场测量以及利用磁场作为媒介对位移、速度、加速度、压力、角...
发表于 09-10 10:42 111次 阅读
什么是半导体磁敏元件?

什么是可将任意设备连接至Wi-Fi的新型产品?

日前,德州仪器宣布推出一批全新的设备,此类设备的面世象征着人类在创造真正互联世界的里程中迈出了巨大一步。此消息确实引起了...
发表于 09-05 07:04 61次 阅读
什么是可将任意设备连接至Wi-Fi的新型产品?

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 840次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 99次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
发表于 01-08 17:51 127次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 138次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 198次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 100次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 141次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 215次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
发表于 01-08 17:51 771次 阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 133次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 111次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 182次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 158次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
发表于 01-08 17:51 215次 阅读
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
发表于 01-08 17:51 211次 阅读
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
发表于 01-08 17:51 273次 阅读
TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 250次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 163次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 187次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
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LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器