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Microchip四款CAN MCU采用28引脚 封装业界最小

PCB线路板打样 2019-09-15 17:21 次阅读

亚利桑那州钱德勒 - Microchip Technology Inc.已经加入了越来越多的供应商,现在提供具有CAN功能的新型微控制器芯片。 Microchip的四款新器件据称是采用28引脚,6x6 mm QFN封装的业界最小的CAN MCU,可最大限度地减少占用电路板空间并降低总系统成本。

Microchip四款CAN MCU采用28引脚 封装业界最小

PIC18F4580单元结合了小型利用公司的ECAN模块和nanoWatt技术电源管理,完成Microchip PIC18F CAN微控制器产品系列的无缝移植路径,从16到64 KB闪存程序存储器和28到80引脚封装选项,适用于汽车和工业设计人员。

新的微控制器系列通过业界最可靠的现场可重编程闪存和板载ECAN模块帮助满足这些市场需求,该模块提供可靠的CAN通信并增强对更高级协议的支持(例如J1939, CANopen和DeviceNet正在用于网络化汽车和工业应用。此外,集成的nanoWatt技术低功耗模式和多个振荡器源可以严格控制功率和速度,这对于发现的70多个CAN节点中的每一个都至关重要在典型的车辆中。

“随着基于CAN的网络在汽车,工业控制和其他领域的普及,人们越来越需要具有强大性能和创新电源管理功能的CAN微控制器。封装尺寸非常小,“Microchip高级微控制器和存储器部门副总裁Ganesh Moorthy说。

示例应用PIC18F4580微控制器系列包括:汽车(车身控制器,转向位置传感器,驾驶室环境控制,仪表板/仪表组);工业(复印机,液压调节器,电机控制);消费者(晒黑床);医疗(药品分配系统和轮椅); J1939网络(卡车,公共汽车,越野车,客运/货运列车,自动售货机); CANopen网络(电梯,自动扶梯,工业控制); DeviceNet网络(工厂自动化和工业控制)。

板载ECAN模块可以在单个节点上配置多个应用程序,并可以更轻松地从CAN网络实现软件协议桥接。与具有CAN功能的现有PIC微控制器代码兼容,新设备允许当前客户轻松迁移到具有更大闪存的更具可扩展性的CAN设备。 ECAN模块在系统必须选择,接收和处理大量消息以及需要大量信息的背靠背传输的情况下提供益处。 ECAN的FIFO模式特别适合这些场景,因为它可以轻松处理数据突发,这是引导加载程序等应用程序所需要的。此外,ECAN几乎不需要CPU处理时间。

这四款微控制器预计将于12月上市,供采样和量产于1月份。 PIC18F2580和PIC18F2480采用28引脚QFN,SDIP或SOIC封装; PIC18F4580和PIC18F4480采用40引脚DIP,44引脚TQFP或QFN封装。 PIC18F4580的批量为10K,单价为5.74美元; 4480和2580的售价分别为5.27美元,2480售价为4.80美元。

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TP2520 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-200V,12欧姆

TP2522 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-220V,12 Ohm

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 22次 阅读
TP2522 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-220V,12 Ohm

TP2424 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-240V,8欧姆

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值 高输入阻抗 低输入电容 快速切换速度 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 20次 阅读
TP2424 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-240V,8欧姆

TP2510 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-100V,3.5 Ohm

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 12次 阅读
TP2510 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-100V,3.5 Ohm

TP2104 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-40V,6.0欧姆

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 高输入阻抗和高增益 低功率驱动要求 &nbsp ; 易于并联 低CISS和快速切换速度 卓越的热稳定性 整体来源 - 二极管 免于二次故障 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 35次 阅读
TP2104 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-40V,6.0欧姆

TP2435 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,15欧姆

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值 高输入阻抗 低输入电容 快速切换速度 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 54次 阅读
TP2435 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-350V,15欧姆

TP0620 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-200V,12欧姆

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值为85pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 44次 阅读
TP0620 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-200V,12欧姆

TP2502 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-20V,2.0欧姆

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 43次 阅读
TP2502 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-20V,2.0欧姆

TP0604 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-40V,2.0欧姆

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值95pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:03 124次 阅读
TP0604 MOSFET,P-CHANNEL增强型,-40V,2.0欧姆

TC1321 TC1321是一个可串行访问的10位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围为群

信息 TC1321是一个可串行访问的10位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围从地到外部提供的参考电压。它采用2.7V至5.5V的单电源供电,非常适合各种应用。内置于器件中的是上电复位功能,可确保器件在已知条件下启动。与TC1321的通信通过简单的2线SMBus / I2C™兼容串行端口实现,TC1321仅作为从机设备。主机可以使能CONFIG寄存器中的SHDN位来激活低功耗待机模式。 10位数模转换器 2.7 -5.5V单电源供电。 简单SMBus / I 2 C串行接口 低功耗 - 0.35mA工作,0.5μA关断。< / p> Monotonicity Ensured。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:02 76次 阅读
TC1321 TC1321是一个可串行访问的10位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围为群

TC1320 TC1320是一个串行可访问的8位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围为地面

信息 TC1320是一个串行可访问的8位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围从地到外部提供的参考电压。它采用2.7V至5.5V的单电源供电,非常适合各种应用。内置于器件中的是上电复位功能,可确保器件在已知条件下启动。通过简单的2线SMBus / I2C™兼容串行端口与TC1320进行通信,TC1320仅作为从机设备。主机可以使能CONFIG寄存器中的SHDN位来激活低功耗待机模式。 8位数模转换器 2.7 -5.5V单电源供电 简单SMBus / I 2 C串行接口 低功耗 - 0.35mA工作,0.5μA关断 8引脚SOIC和8引脚MSOP封装 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:02 68次 阅读
TC1320 TC1320是一个串行可访问的8位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围为地面

TC7650 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。 5V最大值

信息 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。例如,5uV最大VOS规格比行业标准OP07E提高了15倍。 50 nV /°C偏移漂移规格比OP07E低25倍以上。性能的提高消除了VOS修整程序,周期性电位器调整以及修剪器损坏引起的可靠性问题。无需额外的制造复杂性和激光或“齐纳击穿”VOS微调技术所带来的成本,即可实现TC7650的性能优势。 TC7650归零方案通过温度校正DC VOS误差和VOS漂移误差。归零放大器交替校正其自身的VOS误差和主放大器VOS误差。失调归零电压存储在两个用户提供的外部电容上。电容连接到内部放大器VOS零点。主放大器输入信号从不切换。 TC7650输出端不存在开关尖峰。 14引脚双列直插式封装(DIP)具有外部振荡器输入,用于驱动归零电路以获得最佳噪声性能。 8引脚和14引脚DIP均具有输出电压钳位电路,可最大限度地减少过载恢复时间。 低偏移和偏移漂移的零漂移架构 ;低偏移,5uV(最大) 低偏移漂移,50nV /°C 宽工作电压范围,4.5V至16V 单一和拆分供应 No 1 / f Noise 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:07 75次 阅读
TC7650 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。 5V最大值

TC7652 400 kHz,单零漂移运算放大器

信息 TC7652是TC7650的低噪声版本,牺牲了一些输入规格(偏置电流和带宽)以实现噪声降低10倍。存在斩波技术的所有其他益处,即,不受外部调整部件的偏移调整,漂移和可靠性问题的影响。与TC7650一样,TC7652仅需要两个非关键的外部电容来存储斩波的零电位。没有明显的斩波峰值,内部影响或超量程锁定问题。 漂移操作电压:5到16 单一和分离供应 低噪音 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:07 89次 阅读
TC7652 400 kHz,单零漂移运算放大器