发烧友10周年庆典,全网超值优惠来袭!千元现金券,下单抽奖赶紧参与》》

贸易战争不断升温,半导体产业何去何从?

C114通信网 2019-08-15 17:16 次阅读

原先预期美中贸易战在6月下旬的G20会面后暂时趋于和缓,使得半导体业可恢复原先2019年第三季应有的旺季效应,不料8月初再掀波澜,美国总统川普宣布9月起再对中国剩余3,000亿美元商品加征10%关税,此则将影响半导体供应链第三季、第四季订单分布,以及终端应用市场对于半导体需求的变化。

另外,日韩贸易战也于同时间出现升温态势,日本2019年8月2日宣布将韩国自出口白名单剃除,韩国也立即将日本于韩国出口白名单中排除,显然日韩关系进一步恶化,也由于双方民族意识坚定,因此短期间内要化解仍有相当的难度,此情况除了使SK Hynix的DRAM供给出现边际减少、牵动全球记忆体价格、延后Samsung于1z制程的DRAM进入EUV世代之进程之外,则牵制Samsung在7纳米EUV制程大幅量产的时程,但日韩贸易战若最终无法获得控制,全球半导体业乃至于科技产业亦难逃脱断链的阴霾。

短期上述美中、日韩贸易战的纠葛,对于半导体业来说利弊并存,同时供应链依旧存在高度不确定性;负面影响将是第三季中旬~第四季终端需求若不如预期,恐导致客户在2019年第三季追单的状况,反造成后续又将快速进入库存调整阶段,毕竟美国最终对于中国3,000亿美元货品加征10%的关税,范围牵扯到半导体重要应用市场—智能型手机、NB、游戏机、TV、资料储存装置等所致;而正面效益则是贸易摩擦反而凸显台湾半导体供应链替代的竞争力,如晶圆代工客户因担心Samsung的关键材料供给状况、未来制程的进展,订单更形集中于台积电,也奠定7纳米甚至5纳米世代台积电在先进制程的独霸地位,另外中国品牌及OEM厂为摆脱受制于美国芯片厂的窘境,短期内台湾IC设计业者似乎成为最佳的合作对象。

事实上,美中贸易战凸显中国在核心芯片掌握度仍有待加强的问题,而有鉴于短期内中国将积极着手去美国化的供应链,以及中国建立自主可控的供应链尚需时间,故短期内台厂部分集成电路设计业者将可间接受惠中国去美国化商机,同时受益于中国发展5G网络、车用电子、物联网、高速运算服务等市场商机。

而2019年下半年中国半导体供应链的去美国化动作已日趋显著,从第三季Qualcomm扣除Apple支付的和解金后营运表现不佳、第四季财测展望不如预期即可知,除全球智能型手机买气仍处于5G手机换机潮浮现前的观望氛围影响外,智能型手机厂商市占率结构的分布也不利于Qualcomm,也就是说华为持续提升海思麒麟系列的应用处理器,海思2019年底前更有机会再推出旗舰级麒麟芯片985,其中将含括全球首款整合5G基带SoC,而华为中低阶智能型手机采用Qualcomm、联发科的比例则是一消一长的局面,更何况中国其他智能型手机厂如OPPO、小米、Vivo等亦多拉高联发科芯片的采用比例,使得联发科经验的高性价比优势得以发挥。

此外,台厂在嵌入式非挥发性记忆体IP、RISC-V架构处理器IP,以及基础元件IP、高速介面IP、实体层设计架构IP等领域,如晶心科、力旺、M31厂商,也将成为短期内中国大陆发展自主可控供应链的助力;但中长期仍须留意中国大陆建置完整半导体上下游供应链之后,对于台厂反嗜的替代力道。

原文标题:7nm产能全满:台积电将新招3000人

文章出处:【微信号:C114-weixin,微信公众号:C114通信网】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

全球沙子开采速度已超过自然恢复速度 专家称不会引发硅材料价格整体上涨

前不久英国《自然》杂志发表文章,指出全球的沙子已经不够用了,目前沙子、砾石的开采速度已经超过了自然恢....
的头像 39度创意研究所 发表于 09-18 17:48 140次 阅读
全球沙子开采速度已超过自然恢复速度 专家称不会引发硅材料价格整体上涨

NOR Flash产能吃紧,逆市上扬

同样是存储器芯片,DRAM产品的价格在持续下行,市场一片冰天雪地;而NOR Flash产品则在需求持....
的头像 荷叶塘 发表于 09-18 17:19 492次 阅读
NOR Flash产能吃紧,逆市上扬

全球首例基于国产FPGA的人工智能解决方案已发布

人工智能在物联网(IoT)终端及云的边缘应用中突飞猛进,这主要得益于其无需网络连接到数据中心就能进行....
发表于 09-18 14:58 33次 阅读
全球首例基于国产FPGA的人工智能解决方案已发布

5G和AI驱动存储消费需求增长 存储器价格何时有望走出下行周期

2019年全球半导体市况表现不佳,增速大幅下滑,成为当前业界最为关注的话题之一。而本轮下行周期的成因....
的头像 半导体动态 发表于 09-18 14:43 223次 阅读
5G和AI驱动存储消费需求增长 存储器价格何时有望走出下行周期

韩国已向WTO申诉日本对半导体材料实施出口管制一事

据日本共同社17日消息,世界贸易组织(WTO)16日发布消息称,针对日本对3种半导体材料实施出口管制....
的头像 半导体动态 发表于 09-18 14:37 133次 阅读
韩国已向WTO申诉日本对半导体材料实施出口管制一事

张汝京对我国半导体产业提出三大建议

近日,芯恩(青岛)集成电路有限公司董事长张汝京博士在谈到中国半导体材料现状时表示,国内光刻胶、特种化....
的头像 半导体动态 发表于 09-18 14:28 98次 阅读
张汝京对我国半导体产业提出三大建议

丽水开发区签订60亿元半导体项目 实现产值约76亿元

据丽水经济技术开发区报道,9月16日,在浙江·丽水(上海)周推介会上,丽水开发区现场签订了半导体、生....
的头像 半导体动态 发表于 09-18 14:12 117次 阅读
丽水开发区签订60亿元半导体项目 实现产值约76亿元

智源学者候选名单公布,重大研究方向5至7个

北京智源人工智能研究院今天发布“智能体系架构与芯片”智源学者候选名单,清华大学研究员张悠慧、中科院半....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 09-18 11:13 74次 阅读
智源学者候选名单公布,重大研究方向5至7个

半导体开发为核心的产业现在是怎样的发展状况

随着中国智造2025计划的发布,由国家牵头引导的产业升级是实体经济发展的重要手段。
发表于 09-18 09:53 87次 阅读
半导体开发为核心的产业现在是怎样的发展状况

F435Ⅱ对半导体工厂的电压暂降监测与分析应用

据美国电科院统计,电压暂降占据了超过92%的电能质量事件,工厂无法事先得到即将到来的电压暂降的警告。
发表于 09-18 09:47 40次 阅读
F435Ⅱ对半导体工厂的电压暂降监测与分析应用

2019年半导体产业投资的真相与误解

资本是一把双刃剑,它有多诱人,也就有多大的摧毁力。繁荣的产业图景面前,还要警惕种种乱象和误解。本文中....
的头像 墨记 发表于 09-18 09:10 830次 阅读
2019年半导体产业投资的真相与误解

离散半导体器件温度的计算

離散半導體器件可用於各種條件和環境機制。特別是處理高功率的功率半導體器件。由於功率密度高, 產生的熱量可能會永久損壞或降低...
发表于 09-18 09:05 12次 阅读
离散半导体器件温度的计算

为连网装置提供多域安全性

現在,正有一股力量在推動全球半導體產業的革命性進展。從穿戴裝置到智慧型汽車和家庭,似乎連網功能已經成為全球創新的關鍵要角...
发表于 09-18 09:05 13次 阅读
为连网装置提供多域安全性

浅析DRAM和Nand flash

关于存储额知识 回顧歷史,存儲介質按物理材料可以分成三大類:光學存儲介質、半導體存儲介質和磁性存儲介質。詳細的如下圖;...
发表于 09-18 09:05 31次 阅读
浅析DRAM和Nand flash

MOS管的电路工作原理电路符号和实物等详细资料讲解

金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型....
发表于 09-18 08:00 20次 阅读
MOS管的电路工作原理电路符号和实物等详细资料讲解

半导体器件中的噪声及其低噪声化技术PDF电子书免费下载

本书介绍了半导体、器件中各种噪声现象的理论及其应用技术,包括:噪声基础、半导体器件的低噪声化技术等7....
发表于 09-18 08:00 15次 阅读
半导体器件中的噪声及其低噪声化技术PDF电子书免费下载

模拟电子技术基础第三版PDF电子书免费下载

《模拟电子技术基础第三版》是2006年清华大学电子学教研组出版社出版的图书,作者是杨素行。全书内容共....
发表于 09-17 16:41 24次 阅读
模拟电子技术基础第三版PDF电子书免费下载

三星已成5G领域领跑者 未来方向将如何

去年8月,三星宣布了有史以来最大的投资计划——未来三年计划新增180万亿韩元投资,这是韩国企业集团史....
的头像 半导体动态 发表于 09-17 14:17 302次 阅读
三星已成5G领域领跑者 未来方向将如何

我国功率半导体需求快速增长 国产替代空间将更广阔

近日,华润微电子回复了上交所科创板上市的首轮问询,对股权结构等52个问题进行了详细说明。6月26日,....
的头像 半导体动态 发表于 09-17 11:50 275次 阅读
我国功率半导体需求快速增长 国产替代空间将更广阔

压阻式压力传感器应用

70年代以来制成了周边固定支撑的电阻和硅膜片的一体化硅杯式扩散型压力传感器。它不仅克服了粘片结构的固....
发表于 09-17 09:44 42次 阅读
压阻式压力传感器应用

应变式压力传感器优缺点

应变片尺寸小、重量轻、使用方便、测量速度快。测量时对被检测的工作组昂太和应力分布基本上无影响。既可用....
发表于 09-17 09:11 42次 阅读
应变式压力传感器优缺点

单色数码管的驱动方式是什么?

数码管按段数可分为七段数码管和八段数码管,八段数码管比七段数码管多一个发光二极管单元,也就是多一个小数点(DP)这个小数...
发表于 09-17 09:01 13次 阅读
单色数码管的驱动方式是什么?

金线焊接的详细教程免费下载

1. 所谓的金线焊接所谓的金线焊接是指端子与端子之间结合的一种方法。与半导体指有关的结合方法,真是数....
发表于 09-17 08:00 18次 阅读
金线焊接的详细教程免费下载

大数据量处理和传输的增长将提高对连接器的要求

当前,连接器已经成为电子元件的第二大支柱产业,根据最新的连接器权威研究机构Bishop& Assoc....
发表于 09-16 16:51 47次 阅读
大数据量处理和传输的增长将提高对连接器的要求

士兰微聚焦半导体特色工艺 IDM优势明显

作为国内目前为数不多的以IDM为发展模式的综合型半导体产品公司,士兰微近年来一直聚焦特色工艺,以高强....
的头像 半导体动态 发表于 09-16 11:50 563次 阅读
士兰微聚焦半导体特色工艺 IDM优势明显

半导体产业今年起面临库存调整压力 硅晶圆厂获利表现开始走缓

硅晶圆族群今年受到半导体产业面临库存调整影响,获利表现走缓,不过,由于客户库存大多已去化至合理水位,....
的头像 半导体动态 发表于 09-16 11:40 375次 阅读
半导体产业今年起面临库存调整压力 硅晶圆厂获利表现开始走缓

目前存储器的种类繁多且应用非常之广

存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。其概念很广,有很多层次,在数字系统中,....
发表于 09-16 11:19 147次 阅读
目前存储器的种类繁多且应用非常之广

Imagination助力加速异构SoC设计,领先IP技术加速“自主创芯”

“第三届‘芯动北京’中关村IC产业论坛”在北京中关村集成电路设计园举行。本次论坛以“构建产业生态,加....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 09-16 10:20 105次 阅读
Imagination助力加速异构SoC设计,领先IP技术加速“自主创芯”

半导体的特性和半导体二极管的详细资料说明

本文档的主要内容详细介绍的是半导体的特性和半导体二极管的详细资料说明包括了:半导体的特性,半导体二极....
发表于 09-16 08:00 57次 阅读
半导体的特性和半导体二极管的详细资料说明

一文看懂集成电路的设计流程

集成电路设计和房屋设计原理上是相似的。假设你要设计房屋,假设你要设计IC((integrated c....
的头像 半导体动态 发表于 09-15 17:32 218次 阅读
一文看懂集成电路的设计流程

实现3nm技术节点需要突破哪些半导体关键技术

将互连扩展到3nm技术节点及以下需要多项创新。IMEC认为双大马士革中的单次显影EUV,Superv....
的头像 半导体动态 发表于 09-15 17:23 840次 阅读
实现3nm技术节点需要突破哪些半导体关键技术

Globalfoundries对台积电诉讼最新详细进展

Globalfoundries最近针对竞争对手半导体代工厂台积电发起专利侵权诉讼。该诉讼使两家提供半....
的头像 刘伟DE 发表于 09-14 00:36 2676次 阅读
Globalfoundries对台积电诉讼最新详细进展

关于嵌入式系统中的低功耗设计

在嵌入式系统中,低功耗设计是在产品规划以及设计过程中必须要面对的问题。半导体芯片每18个月性能翻倍。....
发表于 09-13 13:36 27次 阅读
关于嵌入式系统中的低功耗设计

矽格股份新的野望在苏州建立新工厂和成立测试基地

9月10日,高新区与矽格股份有限公司举办项目签约仪式。矽格股份有限公司将在高新区注册新公司,设立预计....
的头像 电子魔法师 发表于 09-12 17:50 1032次 阅读
矽格股份新的野望在苏州建立新工厂和成立测试基地

目前国内存储芯片企业的发展现状

日韩作为存储芯片的主要玩家,其产品几乎垄断了全球主流的市场。近年来,国内对存储芯片的重视,也诞生了诸....
发表于 09-12 17:32 424次 阅读
目前国内存储芯片企业的发展现状

三星将于今年内完成4nm工艺开发 2020年完成3nm工艺开发

尽管日本严格管制半导体材料多少都会影响三星的芯片、面板研发、生产,但是上周三星依然在日本举行了“三星....
的头像 半导体动态 发表于 09-12 10:44 678次 阅读
三星将于今年内完成4nm工艺开发 2020年完成3nm工艺开发

瑞萨电子推出RX72M工业网络解决方案,加速工业从站设备开发

全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社(TSE:6723)今日宣布推出RX72M工业网络解决....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 09-12 10:44 382次 阅读
瑞萨电子推出RX72M工业网络解决方案,加速工业从站设备开发

矽格股份将在苏州高新区建立半导体测试基地 总投资达1亿美元

9月10日苏州高新区与矽格股份有限公司举行项目签约仪式。
的头像 半导体动态 发表于 09-12 10:38 322次 阅读
矽格股份将在苏州高新区建立半导体测试基地 总投资达1亿美元

什么是MEMS(微机电系统)陀螺仪?

什么是MEMS?MEMS = Micro-Electro-Mechanical System, 是用半导体技术,在半导体材料上刻蚀出来的微机械结构。下图...
发表于 09-12 09:05 224次 阅读
什么是MEMS(微机电系统)陀螺仪?

ICMAX存储器能否成为国产存储行业的突破口

从原始的结绳记事,到现在的存储器,记录变得越来越简便,生活瞬间在一次次的记录中成为永恒,而更多的记录....
发表于 09-11 17:26 136次 阅读
ICMAX存储器能否成为国产存储行业的突破口

我国半导体产业公司聚能晶源将GaN外延材料项目投产8英寸GaN

9月10日,聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司“8英寸GaN外延材料项目投产暨产品发布仪式”在青岛市....
的头像 电子魔法师 发表于 09-11 16:33 2237次 阅读
我国半导体产业公司聚能晶源将GaN外延材料项目投产8英寸GaN

嵌入式系统中的存储器有什么特点

SRAM表示静态随机存取存储器,只要供电它就会保持一个值,它没有刷新周期,由触发器构成基本单元,集成....
发表于 09-11 16:26 52次 阅读
嵌入式系统中的存储器有什么特点

两年专利纠纷:中微半导体最终胜诉台湾盛群半导体企业

近日,历时两年多的台湾盛群半导体股份公司(以下简称“台湾盛群”)诉深圳市中微半导体有限公司(以下简称....
发表于 09-11 15:46 146次 阅读
两年专利纠纷:中微半导体最终胜诉台湾盛群半导体企业

摩尔时代集成电路发展的三大支撑技术使得后摩尔定律得以继续

近日,华进半导体封装先进技术研发中心有限公司副总经理秦舒表示,摩尔定律的延伸受到物理极限、巨额资金投....
的头像 半导体动态 发表于 09-11 15:11 314次 阅读
摩尔时代集成电路发展的三大支撑技术使得后摩尔定律得以继续

耐威科技第三代半导体材料制造项目正式投产 将打造世界级氮化镓材料公司

9月10日,北京耐威科技股份有限公司(以下简称“耐威科技”)发布公告称,公司控股子公司聚能晶源(青岛....
的头像 半导体动态 发表于 09-11 15:06 1796次 阅读
耐威科技第三代半导体材料制造项目正式投产 将打造世界级氮化镓材料公司

聚力成半导体成功试产氮化镓外延片 将有望进一步推动国内氮化镓产业发展

重庆大足区人民政府网消息显示,近日,聚力成半导体(重庆)有限公司工厂成功试产的第三代半导体产品氮化镓....
的头像 半导体动态 发表于 09-11 15:01 422次 阅读
聚力成半导体成功试产氮化镓外延片 将有望进一步推动国内氮化镓产业发展

韩国半导体硅晶圆厂SKSiltron拟4.5亿美元收购美国化学大厂杜邦的碳化硅晶圆事业

朝鲜日报、中央日报日文版11日报导,韩国唯一的半导体硅晶圆厂SK Siltron于10日举行的董事会....
的头像 半导体动态 发表于 09-11 14:50 362次 阅读
韩国半导体硅晶圆厂SKSiltron拟4.5亿美元收购美国化学大厂杜邦的碳化硅晶圆事业

第三届“中欧第三代半导体高峰论坛”报名开启

第三届“中欧第三代半导体高峰论坛”将于9月19日上午在深圳五洲宾馆举行。来自中国和欧洲的专家学者、企....
的头像 电子魔法师 发表于 09-11 14:23 908次 阅读
第三届“中欧第三代半导体高峰论坛”报名开启

5G相关核心产业链有哪些?

化合物半导体在通讯射频领域主要用于功率放大器、射频开关、滤波器等器件中。砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)和碳化硅(S...
发表于 09-11 11:51 156次 阅读
5G相关核心产业链有哪些?

聚合物半导体实现高效分子掺杂

9月3日消息,日本东京大学的Shun Watanabe教授(通讯作者)团队报道了一种利用阴离子交换来....
的头像 电子魔法师 发表于 09-10 17:46 533次 阅读
聚合物半导体实现高效分子掺杂

新氮化镓IC将进一步巩固PI在市场上的优势地位

氮化镓(GaN)作为半导体第三代材料,近年来高频进入业界视野。各大IC厂商先后涉足氮化镓领域,源由氮....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 09-10 17:04 430次 阅读
新氮化镓IC将进一步巩固PI在市场上的优势地位

元器件故障怎么看?分享老司机总结的元器件检查技巧

电子工程师在实际操作中常常碰到各种各样的故障,特定元器件的故障是有规律可循的,今天这篇文章就来总结一下电子元器件的故障规...
发表于 09-10 15:08 966次 阅读
元器件故障怎么看?分享老司机总结的元器件检查技巧

什么是半导体磁敏元件?

     基于霍耳效应的半导体磁电转换传感器。在磁场测量以及利用磁场作为媒介对位移、速度、加速度、压力、角...
发表于 09-10 10:42 101次 阅读
什么是半导体磁敏元件?

美光推出内容量最高的单片式的LPDDR4X DRAM

美光科技股份有限公司推出业内容量最高的单片式 16Gb 低功耗双倍数据率 4X (LPDDR4X) ....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 09-10 10:28 311次 阅读
美光推出内容量最高的单片式的LPDDR4X DRAM

柔性半导体服务制造新基地

西安在柔性显示产业领域具有较强基础,有彩虹集团、柔性电子研究院等领头单位,其中彩虹集团是中国生产量最....
的头像 电子魔法师 发表于 09-10 08:32 459次 阅读
柔性半导体服务制造新基地

近年来FPGA的市场发展以及未来发展趋势

FPGA虽积极使用最先进的工艺技术提升效能、降低成本,但工艺日益缩密的结果是:晶体管的漏电流(Lea....
发表于 09-09 17:27 186次 阅读
近年来FPGA的市场发展以及未来发展趋势

中国半导体功率器件品牌公司

昨日,第十三届中国半导行业协会分立器件年会暨2019年中国半导体器件技术创新及产业发展论坛在青岛顺利....
的头像 电子魔法师 发表于 09-09 17:06 837次 阅读
中国半导体功率器件品牌公司

3DIC的运用于与对于半导体的影响

对于我国的半导体行业来说,碳纳米管+RRAM+ILV 3DIC是一个值得关注的领域。目前碳纳米管+R....
的头像 电子魔法师 发表于 09-09 17:00 379次 阅读
3DIC的运用于与对于半导体的影响

什么是莱迪思新一代低功率FPGA?

       近年来,FPGA以其成本低、开发周期短、灵活性强的优势崭露头角并逐渐占领了部分以往ASIC胜任...
发表于 09-03 07:55 78次 阅读
什么是莱迪思新一代低功率FPGA?

什么因素推动射频半导体格局的变化?

当今的半导体行业正在经历翻天覆地的变化,这主要是由于终端市场需求变化和重大整合引起。几十年前,业内有许多家射频公司,它们...
发表于 09-02 07:55 97次 阅读
什么因素推动射频半导体格局的变化?

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 836次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 99次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
发表于 01-08 17:51 125次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 136次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 194次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 98次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 141次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 211次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
发表于 01-08 17:51 766次 阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 133次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 111次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 182次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 158次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
发表于 01-08 17:51 215次 阅读
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
发表于 01-08 17:51 211次 阅读
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
发表于 01-08 17:51 273次 阅读
TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 248次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 163次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 185次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 148次 阅读
LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器