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日本限制对韩国出口半导体还控制了全球52%的半导体材料市场!

芯智讯 2019-08-07 11:40 次阅读

7月1日消息,据日本共同社报道,日本经济产业省于今天宣布,将对用于智能手机及电视机的半导体等制造过程中需要的3种材料加强面向韩国的出口管制,理由则是“经过相关部门的讨论,认为日韩之间的信赖关系明显受到了损害”。

外界认为日本突然对韩国进行“贸易制裁”,真实原因可能是为了报复韩国不断向日本讨要战时劳工赔偿。不过,也有业内人士分析认为,日本是在刻意打压韩国的面板及存储产业。

对于日本的突然发难,韩国产业通商资源部长官成允模今天表示,韩国将就日本限制对韩出口采取应对措施,包括诉诸世贸组织。

三星/SK海力士/LG或受较大影响

根据新规,日本将改变对韩出口管理范畴,并从7月4日起对特定项目实行出口审查、要求单独申请出口许可。这意味着对于特定产品而言,日本供应商向韩国客户销售的每一份合同都需要申请日本政府批准。

即便是最终合同获得批准,新规也势必将延长日本对韩的出口流程。据韩媒评估,单独申请产品出口许可的过程每次大约需要90天。

根据日本经济产业省公布的资料显示,此次将加强对韩国出口管制的材料主要是:用于半导体制造过程中”清洗“所需的高纯度氟化氢、涂覆在半导体基板上的感光剂“光刻胶”、用于制造电视和智能手机显示面板的氟化聚酰亚胺,这3种材料都是显示面板及半导体芯片制造过程当中所需的关键材料。

(来源:日本经济产业省官网)

资料显示,由于日本占全球氟聚酰亚胺和光光刻胶总产量的90%,且全球半导体企业70%的氟化氢需从日本进口。

显然,针对韩国的“出口限制”可能会对三星电子、SK海力士和LG电子等韩国科技巨头的显示面板及半导体芯片的生产产生非常大的影响。毕竟日本在这些材料上占据了极高的全球市场份额,即便是韩国厂商能够从其他国家的供应商那里获得供应的话,可能也难以满足自身的需求量。更何况,在一些高规格的材料上,甚至可能在短时间内难以找到替代。

不过,同样,日本本国的相关供应商的出口业务也将受到较大影响。毕竟韩国厂商对于这些材料的需求远高于其他国家。

日本:曾经的全球半导体老大

众所周知,目前在显示面板、存储芯片等领域,韩国是当之无愧的霸主,因此也带动了韩国智能手机及电视产业的发展。相比之下,旁边的日本就显得落寞了许多。然而在20多年前,日本可是全球半导体市场的老大。

根据此前IC insights发布的一份全球半导体产业统计报告显示,2017年,日本IC市场份额(不包括Foundry)只有7%。但在1990年,这个数字竟高达90%。

曾经的日本半导体产业,是何等辉煌,从以下几组数据可见一斑:

1986年, 日本的半导体产品占世界 45%,是当时世界最大的半导体生产国;

1989年, 日本公司占据了世界存储芯片市场53% 的份额,而美国仅占37%;

1990年,全球前10大半导体公司中,日本占6家,NEC、东芝及日立高居前3大半导体公司,英特尔仅居全球第4,三星尚未能进入前10。

但是,自1990年之后,日本的半导体市场影响力和份额就开始极剧下降。

在过去的二十多年里,日本曾经非常重要的半导体供应商,包含NEC、日立(Hitachi)、三菱( Mitsubishi) 等,有的将半导体业务剥离,有的合并整合,一番洗牌后,这些曾经的半导体巨无霸,现在皆已不是全球半导体主要供应商。

存储双雄尔必达与东芝半导体的衰落

特别是在存储领域,尔必达(ELPIDA)和东芝存储的故事,在日本半导体产业的衰落之中颇具代表性。

尔必达成立于1999年,是日本唯一一家生产DRAM内存芯片的企业,曾在DRAM领域市场份额位列世界第三。但是,在与美韩DRAM企业持续十多年的竞争中,历经制造工艺竞赛、财务竞赛、销售渠道竞赛,逐渐失利掉队。最终,尔必达因业绩不佳和资金困难,于2012年2月正式申请了破产保护。同年7月,美国半导体厂商美光科技宣布以25亿美元的“白菜价”收购尔必达,日本唯一一家DRAM厂商黯然退场。值得一提的是,在2011年第四季度,尔必达依然在DRAM市场保持着12%的占有率。

同样日本的NAND FLASH闪存大厂——东芝半导体的命运也令人嘘唏。

作为全球十大半导体厂商中最后的日本元素,半导体存储业务是东芝这家143岁的老牌日企最具盈利能力的业务部门。

在1993年、2000年、2006年和2016年,东芝分别在全球十大半导体厂商中位列第三、第二、第四和第八,是仅存的依然处于领导地位的日系半导体厂商。

然而,东芝在2006年对西屋电气的收购为日后严重的财务危机埋下了伏笔。2011年,日本福岛核电站事故引发了全球范围对核电建设计划的谨慎,不少项目开始重新评估,东芝核电业务遭遇严重困境。

2016财年,东芝净亏损高达9657亿日元,已是连续第三年亏损,面临被东京证券交易所摘牌退市的风险,出售东芝存储成为了公司断臂求生的选择。2017年2月,东芝正式对外宣布将出售旗下最赚钱的半导体业务,以求自救。随后,2018年9月,东芝正式与贝恩资本牵头的财团签署协议,以总价2万亿日元(约合180亿美元)的价格,出售了其半导体芯片业务。

2018年6月,东芝公司宣布旗下半导体业务部门的出售交易正式完成。历时8个月,全球第三大NAND厂商的出售一事终于画上句号。不过,东芝通过再投资的方式仍然保有了东芝存储业务40.2%的股份。

曾经显示面板巨头:夏普被迫出售,JDI命悬一线

在显示面板领域,曾经的日本显示面板巨头,夏普已被鸿海集团收购,JDI目前仍是命悬一线。

作为日本曾经最大的显示面板和电视厂商,由于经营更加灵活的亚洲竞争对手大幅降价,以及对液晶显示面板的巨额投资未能获得回报,夏普的财务状况越来越差。尽管自2012年之后曾两度获得银行救助,但夏普仍未能成功扭转亏损局面。

2016年,处于重组期的夏普即将披露2015财年年报,净亏损预计将从原先预测的2000亿日元扩大至3000亿日元(约合184亿元人民币)。究其原因,还是因为主力液晶和太阳能电池板业务低迷,工厂设备和库存的账面亏损扩大。夏普当时已经陷入资不抵债的境地,不得不决定对外出售。

2016年8月12日,夏普官方宣布,已经接受鸿海精密工业公司3888亿日元(约合人民币255亿元)的注资,让出66%的股权,正式成为鸿海的子公司,“鸿夏恋”最终修成正果。

相比之下,目前日本硕果仅存的显示面板厂商——JDI也是面临着“倒下”的危机。

由于面板市场的激烈竞争,以及在OLED显示面板技术的投资和量产上的落后,一直靠大股东日本产业革新机构(INCJ)输血的JDI经营始愈发困难。从去年开始,JDI就开始积极的寻求外部融资。

在今年4月,JDI与中国内地投资基金嘉实基金(Harvest Fund)和中国台湾地区触控面板厂商宸鸿科技及台湾金融富邦集团组成的Suwa财团,以及JDI原大股东日本产业革新机构INCJ达成了约11亿美元的融资协议。然而,6月17日,随着宸鸿科技和富邦集团相继宣布推出对JDI的投资之后,JDI的融资计划已趋于“破产”。

所幸的是,上周五,JDI证实,苹果与嘉实基金决定向JDI注资522亿日元(约33亿元人民币)的救急资金,虽然相比之前的融资计划缩水了一半以上,但至少在目前是保住了“命”。不过,在目前显示面板产业投资大都转向OLED之际,JDI要想获得发展,必须加大对于OLED的投资,然而所需的庞大的资金来源又将是哪里呢?深陷困境的JDI,前景仍然是一片黯淡。

“衰落”背后的“繁荣”

我们知道半导体是个成熟的产业,整个产业链分为上中下游,包括上游的材料、设备、EDA软件,中游的设计、制造,以及下游的封测等。各环节紧密相关,成熟而又复杂,缺失了哪个环节,整个半导体产业都无法正常运转。

半导体是个技术密集型产业,得核心技术者得天下,而越往上游,核心技术越密集、越高端,特别是在半导体材料和设备领域,虽然其相关企业的营收很难排进产业前10,但技术密集这一特点决定,半导体材料和设备直接影响着整个产业链的中下游动向。没有合格、先进的材料和设备,IC设计就只能是纸上谈兵,IC制造、封测也是无米之炊。

生产半导体芯片需要多种设备和材料。只要1种设备或材料无法供给,就无法完成半导体芯片的生产。

虽然日本在半导体芯片及显示面板领域没落了,但是日本却在更上游的半导体材料及设备领域保持了极大的优势。

材料领域

据SEMI推测,日本企业在全球半导体材料市场上所占的份额达到约52%,而北美和欧洲分别占15%左右。日本的半导体材料行业在全球占有绝对优势,在硅晶圆、光刻胶、键合引线、模压树脂及引线框架等重要材料方面占有很高份额,如果没有日本材料企业,全球的半导体制造都要受挫。

放眼望去,半导体材料几乎被日本企业垄断,信越、SUMCO(三菱住友株式会社)、住友电木、日立化学、京瓷化学等。

在靶材方面,全球前6大厂商市占率超过90%,其中前两大是日本厂商Shin-Etsu和SUMCO, 合计市占率超过50%。

硅片方面,全球硅片行业形成日本信越化学、三菱住友、中国台湾地区环球晶圆、德国世创和韩国LG五大供应商垄断格局,占据全球超过90%以上的硅片供应。其中,日本信越半导体占27%,日本三菱住友占26%。

光刻胶,主要包括PCB光刻胶专用化学品(光引发剂和树脂)、液晶显示器(LCD)光刻胶光引发剂、半导体光刻胶光引发剂和其他用途光刻胶4大类。目前,半导体市场上主要使用的光刻胶包括 g 线、 i 线、KrF、 ArF 四类光刻胶,其中 g 线和 i 线光刻胶是市场上使用量最大的。

市场上正在使用的KrF和ArF光刻胶核心技术基本被日本和美国企业所垄断,产品也基本出自日本和美国公司,包括陶氏化学、 JSR株式会社、信越化学、东京应化工业、Fujifilm等企业。

以上只列出了半导体材料中的几种,而更多的材料,同样被日本企业所把控。而在所有材料供应商中,几乎都能看到SUMCO和信越这两个名字。可以说这两家就是全球半导体材料领域的“台积电”或“英特尔”,绝对是巨无霸级别的。

SUMCO,日本三菱住友株式会社,是全球第二大硅晶圆供应商。同时生产多种半导体材料。2017年第四季度财报显示,因硅晶圆需求供不应求,且12英寸硅晶圆价格上涨,带动SUMCO公司2017年合并营收大增23.3%,达到2606.27亿日元(约合24.29亿美元)、合并营益暴增199.6%,达420.85亿日元、合并纯益暴增310.1%,至270.16亿日元。

信越化学工业株式会社,作为IC电路板硅片的主导企业,信越始终奔驰在大口径化及高平直度的最尖端。最早研制成功了最尖端的300mm硅片,并实现了SOI硅片的量产,并稳定供应着优质的产品。同时,一贯化生产发光二极管中的GaP(磷化镓)、GaAs(砷化镓)、AIGaInP(磷化铝镓铟)系化合物半导体单晶与切片。

信越能够制造出具有11个9(99.999999999%)的纯度与均匀的结晶构造的单晶硅,在全世界处于领先水平,其先进工艺可以将单晶硅切成薄片并加以研磨而形成硅片,其表面平坦度在1微米以下。

半导体设备

在半导体设备领域,核心装备集中于日本、欧洲、美国、韩国四个地区。Gartner的数据显示,列入统计的、规模以上全球晶圆制造设备商共计58家,其中,日本企业最多,达到21 家,占 36%。

其次是欧洲的13家、北美10家、韩国7家,中国4家(上海盛美、上海中微、 Mattson(亦庄国投收购)和北方华创,仅占不到 7%)。

具体来说,美国、日本、荷兰是半导体设备最具竞争力的3个国家。从半导体设备细分领域来看,日本企业在具有非常强的竞争力,市场份额超过50%的半导体设备种类当中,日本就有10种之多。

日本占全球半导体设备总体市场份额高达37%。

虽然,在以极紫外光刻机EUV为代表的先进光刻设备领域,荷兰公司ASML处于绝对垄断地位,日本在光刻机方面则略逊一筹,特别进入EUV时代以后,传统日本光刻机双雄尼康和佳能已无法硬撑,ASML从此奠定垄断地位,佳能直接退出了光刻机领域了,仅保留低端的i-line和Kr-F光刻机。

但是,在电子束描画设备、涂布/显影设备、清洗设备、氧化炉、减压CVD设备等重要前端设备、以划片机为代表的重要后道封装设备和以探针器为代表的重要测试设备环节,日本企业处于垄断地位,竞争力非常强。

在前道15类关键设备中,日本企业平均市场份额为38%,在6类产品中市场份额占比超越40%,在电子束,涂布显影设备市场份额超过90%;在后道9类关键设备中,日本企业平均市场份额为41%,在划片,成型,探针的市场份额都超过50%。

具体市场份额和市占率如下图所示:

图源:新时代证券研究所

特别值得一提的是,虽然在显示面板市场,三星和LG拿下了大部分的OLED市场,但是其OLED面板生产的关键设备——真空蒸镀机,却被日本厂商Canon TLKKI所垄断。虽然韩国的Sunic System、YAS、SFA似乎也能够提供真空蒸镀机,但是在品质、良率等方面仍有较大差距。

此外,还有大量日本企业在OLED生产链条中扮演着举足轻重的角色,比如OLED生产必须的蒸发掩膜大多由Dai日本印刷公司生产,还有日本电气玻璃公司制造的玻璃基板,日本出光兴产的OLED发光材料等。

小结:

目前日本在半导体芯片及显示面板领域确实走向了没落,而隔壁的韩国则在这两个领域异军突起,傲视全球,两相对比之下,这确实难免会让日本觉得有些不爽。

而且,从上面的介绍来看,韩国半导体及面板产业虽强,但是其上游的关键半导体材料及设备在很大程度上仍需依赖于一些日本厂商。

所以,对于此次日本宣布限制相关材料对韩国的出口,也不得不让外界怀疑,日本这是在刻意打压韩国的面板及存储产业。

同时,此次事件也不得不引起国产厂商的重视,若日本未来在半导体材料及设备领域对中国实施“限制出口”(顺便提一句,此前韩国政府就曾计划限制向中国出口OLED屏幕生产设备),同样也将会对国产芯片及面板产业造成非常大的影响,其破坏力甚至可能不低于美国的“禁运”。

目前中国在相关半导体材料及设备领域也在抓紧追赶。

例如在设备方面,最核心的光刻机在上海微电子装备公司有所突破,已经研制成功90nm设备;在刻蚀机方面,中微半导体自主研发的5nm等离子体刻蚀机经台积电验证,性能优良,将用于台积电的全球首条5nm制程生产线;在沉积设备方面,北方华创的PVD和LPCVD,以及沈阳拓荆的PECVD,已通过主流晶圆代工厂验证,实现了小批量的设备交付;天津华海清科和上海盛美的CMP(化学机械抛光)设备也已经达到国际先进水平。

材料方面,江丰电子的靶材已经具备较强的竞争力,其产品也打入了国际主流市场;在大硅片方面,国内企业有新昇半导体,但竞争力还需要进一步提升;电子气体方面,雅克科技收购的科美特和江苏先科具备一定的研发能力;在CMP抛光垫方面,鼎龙股份在研发,江丰电子已经有出货;在工艺化学品方面,江化微、晶瑞股份有一定研发能力,但竞争力还不强。

总的来说,中国近年来在半导体芯片及显示面板领域所取得的快速发展和成绩是非常喜人的,但是仍存在不少的短板。而在更上游的半导体材料和设备领域,我们更是有很多的薄弱环节、甚至是空白需要去弥补。

原文标题:日本限制对韩出口的背后:控制了全球52%的半导体材料市场!

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的头像 半导体动态 发表于 09-12 10:44 728次 阅读
三星将于今年内完成4nm工艺开发 2020年完成3nm工艺开发

韩国推出了一款关于区块链定制的手机由三星制造

这个最新版本的变种机型在打开或关闭时都会显示Klaytn的标志,并安装区块链应用程序和加密货币钱包。....
的头像 电子魔法师 发表于 09-12 10:00 382次 阅读
韩国推出了一款关于区块链定制的手机由三星制造

三星看好折叠手机接市场连开发两款折叠屏手机

9月4日,有消息称,三星电子准备在明年初推出第二款可折叠手机。新手机将采用6.7英寸屏幕,竖向折叠设....
的头像 电子魔法师 发表于 09-12 09:50 1004次 阅读
三星看好折叠手机接市场连开发两款折叠屏手机

vivo与三星联合推搭载了芯片猎户座980的新手机

近日消息,vivo与三星合作推出支持双模5G的全新手机芯片猎户座980。这颗芯片采用8nm制程工艺,....
的头像 电子魔法师 发表于 09-12 09:25 470次 阅读
vivo与三星联合推搭载了芯片猎户座980的新手机

OLED显示屏究竟贵在哪里?

       因为OLED屏幕3D Touch模组以及其它零部件成本的增加,iPhone 8可能会成为史上最贵的iPhone。...
发表于 09-11 11:51 109次 阅读
OLED显示屏究竟贵在哪里?

宜鼎与微软联手推出InnoAGETM SSD,共建AIoT生态系与整合方案

宜鼎日前于美国AIoT研讨会中集结微软、三星、美超威、立普思,与旗下子公司安提、安捷科、巽晨等,共建....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 09-10 10:04 425次 阅读
宜鼎与微软联手推出InnoAGETM SSD,共建AIoT生态系与整合方案

三星Galaxy Fold改进版上市 三星晶圆代工追赶台积电困难重重

三星电子(Samsung Electronics)于在韩国国内正式推出折叠屏手机“Galaxy Fo....
发表于 09-10 09:46 658次 阅读
三星Galaxy Fold改进版上市 三星晶圆代工追赶台积电困难重重

台湾三星宣布98吋QLED8K量子电视将在台上市

备战2020东京奥运8K商机及因应全球电视大尺寸化的趋势,台湾三星积极布局8K电视产品,除了稍早推出....
发表于 09-10 09:42 420次 阅读
台湾三星宣布98吋QLED8K量子电视将在台上市

SK电讯将与三星电子合作共同开发基于5G的8K电视服务

据BusinessKorea报道,SK 电讯将与三星电子合作,开发并商业化全球首批基于5G的8K电视....
发表于 09-10 09:19 164次 阅读
SK电讯将与三星电子合作共同开发基于5G的8K电视服务

三星推出符合密钥存储设备行业标准的key-value SSD原型

9月6日消息,今年早些时候,存储网络行业协会(SNIA)的Object Drives工作组发布了Ke....
的头像 电子魔法师 发表于 09-10 09:19 608次 阅读
三星推出符合密钥存储设备行业标准的key-value SSD原型

三星推出功耗更低的第六代V-NAND存储器

三星推出了第六代V-NAND内存,为了进一步提高容量和密度,它拥有100多个活动层。从性能的角度来看....
发表于 09-09 16:05 184次 阅读
三星推出功耗更低的第六代V-NAND存储器

韩国多家半导体企业开始测试国产半导体材料

韩国三星电子开始在量产半导体的生产线上使用韩国产氟化氢一事9月4日浮出水面。自日本政府7月加强3种半....
的头像 半导体动态 发表于 09-09 10:29 601次 阅读
韩国多家半导体企业开始测试国产半导体材料

联发科暌违近三年后再度获得三星大单 预计第三季下旬将可望开始逐月放大出货量

联发科手机芯片报喜!市场传出,联发科P22芯片成功打入三星即将推出的A系列手机,可望自今年第三季下旬....
的头像 半导体动态 发表于 09-09 10:24 775次 阅读
联发科暌违近三年后再度获得三星大单 预计第三季下旬将可望开始逐月放大出货量

5G芯片市场争夺战已开启 真正商用方可见真章

一场关于未来通信基带芯片话语权的战争正在打响,短短三天时间内,三星、华为和高通纷纷揭开自家5G集成基....
的头像 半导体动态 发表于 09-09 10:12 647次 阅读
5G芯片市场争夺战已开启 真正商用方可见真章

三星Galaxy Fold已重新发布搭载骁龙855处理器拥有6颗摄像头

Galaxy Fold的整体设计和最初版本保持一致,内部依旧是7.3英寸的无限折叠屏(Infinit....
发表于 09-09 09:01 115次 阅读
三星Galaxy Fold已重新发布搭载骁龙855处理器拥有6颗摄像头

0.96寸OLED显示屏使用手册和程序合集免费下载

 OLED,即有机发光二极管( Organic Light Emitting Diode )。 OL....
发表于 09-09 08:00 87次 阅读
0.96寸OLED显示屏使用手册和程序合集免费下载

请问60s2单片机该怎么驱动oled屏幕?

51系列的 单片机怎么操控 oled屏 有没有例程 或者是教程...
发表于 09-09 02:06 147次 阅读
请问60s2单片机该怎么驱动oled屏幕?

Q3全球晶圆代工产值估季增13%,但旺季效应恐不如预期

受到中美贸易战持续延烧影响,消费者市场需求低于2018年同期,因此下半年半导体产业的反弹力道恐不若预....
的头像 Blue5 发表于 09-08 23:06 4569次 阅读
Q3全球晶圆代工产值估季增13%,但旺季效应恐不如预期

三星抢先推出5G移动平台Exynos 980,针对华为意图明显

9月4日,在没有预热宣传的情况下,三星官宣了新的5G移动处理平台Exynos 980,这款芯片实现了....
发表于 09-06 15:28 274次 阅读
三星抢先推出5G移动平台Exynos 980,针对华为意图明显

三星已在韩国正式开卖折叠屏手机Galaxy Fold

今天三星宣布在韩国正式开卖折叠屏手机Galaxy Fold,而之所以拖到现在才开卖,主要是之前手机折....
发表于 09-06 14:45 110次 阅读
三星已在韩国正式开卖折叠屏手机Galaxy Fold

三星今日在本土发售折叠屏手机Galaxy Fold

9月5日下午,三星正式宣布,将于6日在韩国率先发售折叠屏手机Galaxy Fold,它将成为第一款上....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 09-06 10:33 680次 阅读
三星今日在本土发售折叠屏手机Galaxy Fold

为什么oled会显示不太正常?

如题所示,oled可以显示出来,但是有时候会有点乱码,不知道你们有没有遇到过,求教。我rst加了强上拉,用单片机引脚控制复位。不...
发表于 09-06 04:36 297次 阅读
为什么oled会显示不太正常?

如何使OLED灯点亮?

哪位大神能给我写一个点亮龙丘科技购买的OLED的详细程序,具体标明每一步的注释。我看了客服给的程序,看不懂,哪位大神帮帮...
发表于 09-05 00:43 152次 阅读
如何使OLED灯点亮?

请问OLED驱动代码该怎么写?

哪位大神有51的OLED驱动代码啊?ssd1306,0.96寸单色OLED液晶屏,4线驱动模式的,用STCLE5A60S2驱动,晶振12m。我...
发表于 08-28 04:35 192次 阅读
请问OLED驱动代码该怎么写?

OLEDdisplay应该使用什么组件?

大家好: 我有一个应用程序,实际上有一个LCD和工作没有问题。我的客户想用OLED显示器代替LCD。附加新的OLED显示...
发表于 08-21 10:38 91次 阅读
OLEDdisplay应该使用什么组件?

LT3460 采用 SC70、ThinSOT 和 DFN 封装的 1.3MHz / 650kHz 升压型 DC/DC 转换器

和特点 开关频率:1.3MHz (LT3460) 开关频率:650kHz (LT3460-1) 高输出电压:高达 36V 300mA 集成开关 (LT3460) 180mA 集成开关 (LT3460-1) 宽输入范围:2.5V 至 16V 采用小型表面贴装元件 低停机电流:<1μA 扁平 (高度仅为 1mm) 的 SC70 封装 (LT3460 和 LT3460-1)、SOT-23 (ThinSOT™) 封装 (LT3460) 和2mm x 2mm DFN 封装(LT3460-1) 产品详情 LT®3460/LT3460-1 是通用型升压 DC/DC 转换器。LT3460/LT3460-1 的开关频率为1.3MHz/650kHz,因而允许使用纤巧、低成本和低矮扁平的电容器和电感器。恒定频率架构产生了易于滤除的低且可预知的输出噪声。 LT3460/LT3460-1 中的高电压开关具有 38V 的额定电压,从而使得这些器件非常适合于高达 36V 的升压型转换器。LT3460 能够从一个 5V 电源产生 12V 输出 (在高达 70mA 的电流条件下)。 LT3460-1 具有 1mA 的低静态电流和 650kHz 的开关频率,因而使其非常适合于低电流应用。 LT3460/LT3460-1 采用 SC70 封装。SOT-23 封装仅 LT3460 可以提供。 应用 数码相机 CCD 偏置电源 xDSL 电源 TFT-LCD 偏置电源 本机 ...
发表于 02-22 14:19 24次 阅读
LT3460 采用 SC70、ThinSOT 和 DFN 封装的 1.3MHz / 650kHz 升压型 DC/DC 转换器

LT3461A 采用 ThinSOT 封装并具集成型肖特基整流器的 3MHz 升压型DC/DC 转换器

和特点 集成型肖特基整流器1.3MHz / 3MHz 固定频率操作 (LT3461 / LT3461A)高输出电压:达 38V低 VCESAT 开关:260mV (在 250mA)从 5V 输入产生 12V/70mA 输出从 3.3V 输入产生 5V/115mA 输出宽输入范围:2.5V 至 16V采用小的表面贴装型组件低停机电流:< 1μA软起动扁平 (仅高 1mm) SOT-23 (ThinSOT™) 封装 产品详情 LT®3461 / LT3461A 是通用的固定频率电流模式升压型 DC/DC 转换器。这两款器件均具有一个集成型肖特基和一个低 VCESAT 开关,因而提供了小的转换器占板面积和较低的器件成本。LT3461 的开关频率为 1.3MHz,而 LT3461A 的开关频率为 3MHz。这些高开关频率允许使用纤巧、低成本和低矮扁平的电容器和电感器。恒定的开关频率产生了易于滤除且可预知的输出噪声,而且基于电感器的拓扑可确保一个摆脱了充电泵解决方案通常存在之开关噪声的输入。LT3461 / LT3461A 中的高电压开关具有40V的额定电压,从而使得这些器件非常适合于高达 38V 的升压型转换器。 LT3461 / LT3461A 采用扁平 (仅高 1mm) SOT-23 封装。应用数码相机CCD 偏置电源XDSL 电源TFT-LCD 偏置电源本...
发表于 02-22 14:19 6次 阅读
LT3461A 采用 ThinSOT 封装并具集成型肖特基整流器的 3MHz 升压型DC/DC 转换器

LT3461 采用 ThinSOT 封装并具集成型肖特基整流器的 1.3MHz 升压型DC/DC 转换器

和特点 集成型肖特基整流器1.3MHz / 3MHz 固定频率操作 (LT3461 / LT3461A)高输出电压:达 38V低 VCESAT 开关:260mV (在 250mA)从 5V 输入产生 12V/70mA 输出从 3.3V 输入产生 5V/115mA 输出宽输入范围:2.5V 至 16V采用小的表面贴装型组件低停机电流:< 1μA软起动扁平 (仅高 1mm) SOT-23 (ThinSOT™) 封装 产品详情 LT®3461 / LT3461A 是通用的固定频率电流模式升压型 DC/DC 转换器。这两款器件均具有一个集成型肖特基和一个低 VCESAT 开关,因而提供了小的转换器占板面积和较低的器件成本。LT3461 的开关频率为 1.3MHz,而 LT3461A 的开关频率为 3MHz。这些高开关频率允许使用纤巧、低成本和低矮扁平的电容器和电感器。恒定的开关频率产生了易于滤除且可预知的输出噪声,而且基于电感器的拓扑可确保一个摆脱了充电泵解决方案通常存在之开关噪声的输入。LT3461 / LT3461A 中的高电压开关具有40V的额定电压,从而使得这些器件非常适合于高达 38V 的升压型转换器。 LT3461 / LT3461A 采用扁平 (仅高 1mm) SOT-23 封装。应用数码相机CCD 偏置电源XDSL 电源TFT-LCD 偏置电源本...
发表于 02-22 14:19 13次 阅读
LT3461 采用 ThinSOT 封装并具集成型肖特基整流器的 1.3MHz 升压型DC/DC 转换器

LT3436 3A、800kHz 升压型开关稳压器

和特点 恒定的 800kHz 开关频率 宽工作电压范围:3V 至 25V 高效率 0.1Ω / 3A 开关 1.2V 反馈基准电压 ±2% 总输出电压容限 使用外形扁平的表面贴装型外部组件 低停机电流:11μA 可同步范围:1MHz 至 1.4MHz 电流模式控制 在所有占空比条件下保持恒定的最大开关电流额定值 采用小外形的耐热性能增强型 TSSOP-16 封装 产品详情 LT®3436 是一款 800kHz 单片式升压型开关稳压器。一个高效率 3A、0.1Ω 开关与所有必需的控制电路一起内置于芯片之中,以构成完整的高频、电流模式开关稳压器。电流模式控制可提供快速瞬态响应和卓越的环路稳定性。新型设计方法在高开关频率和宽工作范围内实现了高效率。一个低压差内部稳压器在宽输入范围内 (从 24V 系统到锂离子电池) 保持了一致的性能。一个 1mA 的工作电源电流可保持高效率,特别是在较低输出电流条件下。停机模式可把静态电流减小至 11μA。最大开关电流在所有占空比条件下保持恒定。同步能力允许一个外部逻辑电平信号把内部振荡器频率从 1MHz 增加至 1.4MHz。 该器件提供了完整的逐周期开关电流限制保护和热停机功能。高频工作可减少输入和输出滤波组件的数量,并允许使用纤巧的片式电感器。...
发表于 02-22 14:18 6次 阅读
LT3436 3A、800kHz 升压型开关稳压器

LT1613 采用 5 引脚 SOT-23 封装的 1.4MHz、单节电池 DC/DC 转换器

和特点 采用微型电容器和电感器内部补偿1.4MHz 固定频率工作可配合低至 1.1V 的 VIN 工作从单节电池获得 3V 电压和 30mA 电流从 3.3V 输入获得 5V 电压和 200mA 电流从四节碱性电池获得 15V 电压和 60mA 电流高输出电压:高达 34V低停机电流:< 1µA低VCESAT开关:在 300mA 时电压为 300mV小型 5 引脚 SOT-23 封装 产品详情 LT®1613 是业界第一个采用 5 引脚 SOT-23 封装的电流模式  DC/DC 转换器。它针对小型、低功率应用,可在低至 1.1V 的输入电压下工作,开关频率为 1.4MHz,并容许使用微型、低成本电容器以及高度为 2mm 或更扁平的电感器。得益于它的小尺寸和高开关频率,用户仅需小于 0.2 平方英寸的印刷电路板面积就能实现完整 DC/DC 转换器功能。现在,多输出电源可为每个输出电压用一个单独稳压器,取代了以往采用单个稳压器和定制变压器的笨拙准稳压方法。恒定频率、内部补偿电流模式PWM架构导致低及可预测的输出噪声,使之容易滤除掉。LT1613上的高压开关额定值为 36V,这使得该器件非常适合应用在高达 34V 的升压型转换器、以及单端主电感转换器 (SEPIC) 和回扫设计。在SEPIC设计中,该器件...
发表于 02-22 14:17 74次 阅读
LT1613 采用 5 引脚 SOT-23 封装的 1.4MHz、单节电池 DC/DC 转换器

LT1930 采用 ThinSOT 封装的 1A,1.2MHz/2.2MHz 升压型 DC/DC 转换器

和特点 1.2MHz 开关频率 (LT1930) 2.2MHz 开关频率 (LT1930A) 低 VCESAT 开关:在 1A 电流时为 400mV 高输出电压:高达 34V 从 3.3V 输入可得到 5V/480mA (LT1930) 从 5V 输入可得到 12V/250mA (LT1930A) 宽输入范围:2.6V 至 16V 采用小型表面安装组件 低停机电流:< 1µA 扁平外型 (1mm) ThinSOT™ 封装 与 LT1613 引脚兼容 产品详情 LT®1930 和 LT1930A 是业界最高功率的 SOT-23 开关稳压器。它们均包含内部 1A、36V 开关,从而允许在很小的电路板占位面积上产生大电流输出。LT1930 在 1.2MHz 频率下开关,允许使用小型、低成本和高度较低的电容器和电感器。较快的 LT1930A 在 2.2MHz 频率下开关,使得进一步减小电感器体积。采用这些器件可以做成面积接近十分之一平方英寸的完整稳压器解决方案。多个输出电源现在能作为每个输出电压的单独稳压器,取代了采用单个稳压器和定制变压器的笨重准调整方法。一种恒定频率的内部补偿电流模式 PWM 架构会导致低和可预测的输出噪声,而过滤这噪声是很容易。可以在输出端采用低 ESR 陶瓷电容器,从而进一步将噪声降低到毫伏水平。LT1930/LT1930A上的高...
发表于 02-22 14:17 61次 阅读
LT1930 采用 ThinSOT 封装的 1A,1.2MHz/2.2MHz 升压型 DC/DC 转换器

LT1317 微功率、600kHz PWM DC/DC 转换器

和特点 100μA 静态电流可在 VIN 低至 1.5V 的情况下工作600kHz 固定频率操作可在满负载条件下启动低电池电量检测器在器件的停机模式中处于运行状态在轻负载时自动地执行突发模式 (Burst Mode®) 操作 (LT1317)在轻负载条件下执行连续开关操作 (LT1317B)低 VCESAT 开关:300mV (在 500mA)与 LT1307 / LT1307B 具有引脚对引脚的兼容性 产品详情 LT®1317 / LT1317B 是微功率、固定频率升压型 DC/DC 转换器,可在 1.5V 至 12V 的宽输入电压范围内工作。LT1317在轻负载条件下自动地转换至省电的突发模式操作。在 300μA 至 200mA 的宽广负载范围内保持了高效率。突发模式操作期间的峰值开关电流在大多数工作情况下保持低于 250mA,从而实现了低输出纹波电压,即使在高输入电压条件下也不例外。LT1317B 在轻负载时并不转换至突发模式操作,因而消除了低频输出纹波,为此付出的代价是降低了轻负载效率。LT1317 / LT1317B 包含一个具有 200mV 基准的内部低电池电量检测器,该检测器在器件进入停机模式时保持在运行状态。LT1317 的无负载静态电流为 100μA,并在停机模式中降至 30μA。内部 NPN 电源开关可传输一个 5...
发表于 02-22 14:17 6次 阅读
LT1317 微功率、600kHz PWM DC/DC 转换器

LTC3459 10V 微功率同步升压型转换器

和特点 小巧的解决方案外形尺寸 在宽负载范围内实现 >85% 的效率 内部同步整流器 VIN 范围:1.5V 至 5.5V 可从 3.3V 输入提供 5V/30mA 可从两节 AA 电池输入提供 3.3V/20mA 可编程输出电压高至 10V 突发模式 (Burst Mode®) 操作 浪涌电流限制 停机模式中的输出断接功能 超低静态 (10μA) 和停机 (< 1μA) 电流 扁平 2mm x 3mm DFN、2mm x 3mm DFN 或 SOT-23 封装  产品详情 LTC®3459 是一款低电流、高效率同步升压型转换器,拟用于低功率、外形尺寸受限的便携式应用。LTC3459 可以从单节锂离子电池、两节或三节碱性或镍电池组、或任何 1.5V 至 5.5V 的低阻抗电压电源来供电。可利用一个外部分压器将输出设置在 2.5V 至 10V 之间。虽然该器件主要用于升压应用,但 VOUT 将在低于 VIN 的电压条件下保持稳压状态 (效率有所下降)。 LTC3459 提供了突发模式操作和一个固定的峰值电流,因而在一个很宽的负载电流范围内实现了高转换效率。在启动期间,电感器电流处于受控状态,从而避免了许多升压型转换器中常见的浪涌电流。在停机模式中,使输出与输入断接,静态电流减至 <1μA。 LTC3459 采用扁平的...
发表于 02-22 14:16 13次 阅读
LTC3459 10V 微功率同步升压型转换器

LT3498 采用 3mm x 2mm DFN 封装、具集成肖特基二极管的 20mA LED 驱动器和 OLED 驱动器

和特点 适合于双显示器设备的双输出升压型转换器 可驱动多达 6 个白光 LED 和 OLED / LCD 偏置 具内部电源开关和肖特基二极管 独立调光和停机功能 LED 驱动器上的 200mV 高压侧检测实现了“单线式电流源” 宽输入电压范围:2.5V 至 12V 宽输出电压范围:高达 32V LED 驱动器具 2.3MHz PWM 频率 OLED 驱动器的 PFM 在整个负载范围内是不可听的 LED 开路保护 (CAP1 引脚上的最大电压为 27V) OLED 输出断接 采用 12 引脚 DFN 封装 高度为 1mm 的解决方案   产品详情 LT®3498 是一款双输出升压型转换器,具有一个 2.3MHz PWM LED 驱动器和 PFM OLED 驱动器。该器件包括一个内部电源开关和肖特基二极管 (用于每个驱动器)。两个转换器均可以独立地停机和调制。这款高集成度电源解决方案非常适合于双显示器电子设备。 2.3MHz 升压型转换器专为从单节锂离子电池来驱动多达6个串联白光 LED 而设计。该器件具有一种独特的高压侧 LED电流检测功能,因而使其可以起一个“单线式”电流源的作用 —— LED 串的一端可在任何位置回接至地。传统的 LED驱动器采用一个接地电阻器来检测 LED...
发表于 02-22 14:16 12次 阅读
LT3498 采用 3mm x 2mm DFN 封装、具集成肖特基二极管的 20mA LED 驱动器和 OLED 驱动器

LT1944-1 双通道、微功率升压型 DC/DC 转换器

和特点 低静态电流:     在运行模式中为 20μA      在停机模式中 <1μA 可在 VIN 低至 1.2V 的情况下正常工作低 VCESAT 开关:85mV (在 70mA)采用小的表面贴装型组件高输出电压:达 34V纤巧型 10 引脚 MSOP 封装 产品详情 LT®1944-1 是一款双通道、微功率升压型 DC/DC 转换器,其采用 10 引脚 MSOP 封装。一个转换器设计为具有一个 100mA 的电流限值和一个 400ns 的关断时间;另一个转换器则设计为具有一个 175mA 的电流限值和一个 1.5μs 的关断时间。1.5μs 关断时间转换器非常适合产生一个接近输入电压的输出电压 (即是: 单节锂离子电池至 5V 转换器或两节电池至 3.3V 转换器)。LT1944-1 具有 1.2V 至 15V 的输入电压范围,因而成为众多应用的理想选择。两个转换器均具有一个仅 20μA 的静态电流 (在无负载时),并在停机模式中进一步减小至 0.5μA。该器件所运用的一种电流限制、固定关断时间控制方案节省了工作电流,因而在一个很宽的负载电流范围内实现了高效率。可以使用外形扁平的纤巧电感器和电容器,以在注重空间节省的便携式应用中最大限度地缩减占板面积和成本。应用小型 TFT LCD 屏手持式计算机电...
发表于 02-22 14:15 6次 阅读
LT1944-1 双通道、微功率升压型 DC/DC 转换器

LT1316 具可编程峰值电流限值的微功率 DC/DC 转换器

和特点 峰值开关电流的精确控制 静态电流: 在运行模式中为 33μA 在停机模式中为 3μA 低电池电量检测器在停机模式中处于运行状态 低开关 VCESAT:300mV (在 500mA) 8 引脚 MSOP 封装和 SO 封装 可在 VIN 低至 1.5V 的情况下工作 逻辑电平停机引脚 产品详情 LT®1316 是一款微功率升压型 DC/DC 转换器,可采用低至 1.5V 的输入电压工作。可编程输入电流限制功能可提供峰值开关电流的精确控制。可以通过调节一个电阻器把峰值开关电流设定在介于 30mA 和 500mA 之间的任何数值。这一点特别适用于那些采用锂钮扣电池或电话线等高源阻抗输入供电工作的 DC/DC 转换器。固定关断时间、可变接通时间调节方案在运行模式中实现了仅为 33μA 的静态电流。 在停机模式中,静态电流减小至 3μA,而此时低电池电量检测器仍然处于运行状态。LT1316 采用 8 引脚 MSOP 封装和 SO 封装。应用电池备份LCD 偏置低功率 –48V 至 5V/3.3V 转换器 方框图...
发表于 02-22 14:15 12次 阅读
LT1316 具可编程峰值电流限值的微功率 DC/DC 转换器

LT3473 内置肖特基二极管并具输出断接功能的微功率 1A 升压型转换器

和特点 纤巧的解决方案外形尺寸 静态电流: 在工作模式时为 150µA (VIN = 3.6V,VOUT = 15V,无负载) 在停机模式时为 1µA 内部 1A、36V 开关 集成肖特基二极管 集成 PNP 输出断接 内部基准替代引脚 /PGOOD (电源良好) 引脚 可从 3.6V 输入获得 25V / 80mA 输出 用于获得中间偏置电压的辅助NPN晶体管 (LT3473A) 在轻负载条件下执行自动突发模式 (Burst Mode®) 操作 恒定开关频率:1.2MHz 热停机 输入范围:2.2V 至 16V 扁平 (3mm × 3mm) DFN 封装 (LT3473) 扁平 (4mm × 3mm) DFN 封装 (LT3473A)  产品详情 LTC®3473/LT3473A 是采用扁平 DFN 封装、具有集成肖特基二极管和输出断接电路的微功率升压型 DC/DC 转换器。小封装尺寸、高集成度以及纤巧型 SMT 组件的使用造就了一个占板面积不足 50mm2 的解决方案外形尺寸。内部 1A 开关允许器件在高达 80mA 的电流条件下从单节锂离子电池输送 25V 输出,而自动突发模式操作则可在轻负载条件下保持效率。一个辅助基准输入 (CTRL) 使得用户能够采用任何较低的数值来取代内部 1.25V 反馈基准,从而在操作期间实现输出电压的全面控制。当输出电压...
发表于 02-22 14:15 21次 阅读
LT3473 内置肖特基二极管并具输出断接功能的微功率 1A 升压型转换器

LT1944 双通道、微功率升压型 DC/DC 转换器

和特点 低静态电流:       在运行模式中为 20μA      在停机模式中 <1μA 可在 VIN 低至 1.2V 的情况下正常工作低 VCESAT 开关:250mV (在 300mA)采用小的表面贴装型组件高输出电压:达 34V纤巧型 10 引脚 MSOP 封装 产品详情 LT®1944 是一款双通道、微功率升压型 DC/DC 转换器,采用 10 引脚 MSOP 封装。每个转换器均设计了一个 350mA 的电流限值和一个 1.2V 至 15V 的输入电压范围,从而使得 LT1944 成为众多应用的理想选择。两个转换器均具有一个仅 20μA 的静态电流 (在无负载时),并在停机模式中进一步减小至 0.5μA。该器件所运用的一种电流限制、固定关断时间控制方案节省了工作电流,因而在一个很宽的负载电流范围内实现了高效率。36V 开关使得能够在一种简单的升压拓扑中容易地产生高达 34V 的高电压输出,并未采用昂贵的变压器。LT1944 的低关断时间 (400ns) 允许使用外形扁平的纤巧电感器和电容器,以在注重空间节省的便携式应用中最大限度地缩减占板面积和成本。应用LCD 偏置手持式计算机电池备份数码相机 方框图...
发表于 02-22 14:15 8次 阅读
LT1944 双通道、微功率升压型 DC/DC 转换器

LT1307 单节电池、微功率、600kHz PWM DC/DC 转换器

和特点 使用小的陶瓷电容器50μA 静态电流 (LT1307)1mA 静态电流 (LT1307B)可在 VIN 低至 1V 的情况下工作600kHz 固定频率操作可在满负载条件下启动低停机电流:3μA低电池电量检测器可从单节电池提供 3.3V/75mA 输出在轻负载时自动地执行突发模式 (Burst Mode®) 操作 (LT1307)在轻负载条件下执行连续开关操作 (LT1307B)低 VCESAT 开关:295mV (在 500mA) 产品详情 LT®1307 / LT1307B 是微功率、固定频率 DC/DC 转换器,可采用低至 1V 的输入电压工作。LT1307 在业界率先采用单节电池电源实现了真正的电流模式 PWM 性能,它在轻负载条件下自动地转换至省电的突发模式操作。在 100μA 至 100mA 的宽广负载范围内保持了高效率。LT1307B 在轻负载时并不转换至突发模式操作,因而消除了低频输出纹波,为此付出的代价是降低了轻负载效率。这两款器件包含一个具 200mV 基准的低电池电量检测器,并在停机模式中把静态电流降至 5μA 以下。LT1307 的无负载静态电流为 50μA,而且内部 NPN 电源开关可传输一个 500mA 电流,产生的电压降仅为 295mV。与同类竞争器件不同,在单节电池供电的应用中使用 LT1307 / LT...
发表于 02-22 14:14 12次 阅读
LT1307 单节电池、微功率、600kHz PWM DC/DC 转换器

LT1308A 大电流、微功率、单电池、600kHz DC/DC 变换器

和特点 单锂离子电池可在 1A 电流提供 5V 电压 四个镍镉电池可在 SEPIC 方式下提供 5V 电压和 800mA 电流 固定工作频率:600kHz 高达 34V 的升压变换器输出 大负载起动 轻负载条件下的自动突发方式 (Burst Mode®) 操作 (LT1308A) 轻负载条件下的连续转换 (LT1308B) 低 VCESAT 开关:300mV/2A 与 LT1308 引脚升级兼容 停机状态下静态电流较小:1µA (最大值)     准确度更高的低电池电量检测器基准:200mV ±2% 采用 8 引线 SO 和 14 引线 TSSOP 封装   产品详情 LT®1308A / LT1308B 是工作于 1V 至 10V 输入电压范围的微功率、固定频率升压型 DC/DC 变换器。它们是 LT1308 的改进型产品,并推荐用于多种新型设计中。LT1308A 能够在轻负载的情况下自动转换至节能的突发方式操作状态,且在无负载条件下的消耗电流仅 140µA。而 LT1308B 能够在轻负载的情况下进行连续转换并在 2.5mA 的静态电流下工作。这两个器件在停机状态下消耗电流均小于 1µA。低电池电量检测器的准确度比 LT1308 有显著的提高。在室温时的 200mV 基准规定为 ±2%,以及在整个工作温度范围内为 ±3%。停机引脚与一...
发表于 02-22 14:14 8次 阅读
LT1308A 大电流、微功率、单电池、600kHz DC/DC 变换器

LTC1697 高效率、低功率 1W CCFL 开关稳压器

和特点 采用单节锂离子电池工作2.8V 至 5.5V 输入电压范围非常低的停机电流:<2μA同步降压型架构用于实现高效率PWM 调光频率可利用单个电容器进行调节准确的灯电流最大限度延长了灯的使用寿命300kHz 固定频率操作内部或外部 PWM 调光小外形 10 引脚 MSOP 封装 产品详情 LTC®1697 专为控制单个 1W 冷阴极荧光灯 (CCFL) 而设计。一个内部 PWM 调光系统实现了效率和动态范围的最大化。准确的灯电流可利用单个外部电阻器设定。LTC1697 包含一个同步电流模式 PWM 控制器和内部 1A MOSFET 开关。该器件内置一个 300kHz 振荡器、0.8V 基准、和内部电流检测功能电路。它采用一个 2.8V 至 5.5V 输入电压工作。另外,LTC1697 还具有热限制和停机功能,后者可把电源电流减小至 <2μA。LTC1697 采用 MSOP-10 封装。应用个人数字助理 (PDA)手持式计算机便携式仪器具地图显示器的手持式 GPS手持式 TV / 视频监视器 方框图...
发表于 02-22 14:11 58次 阅读
LTC1697 高效率、低功率 1W CCFL 开关稳压器

LT1768 用于实现宽调光范围和最大灯寿命的高功率 CCFL 控制器

和特点 超宽的多模式调光 (Multimode DimmingTM) 范围 具有控制多个荧光灯的能力 可编程 PWM 调光范围和频率 精准的最大和最小灯电流实现了灯寿命的最大化 在所有的电源和负载条件下均没有灯闪烁现象 灯开路检测和保护 350kHz 开关频率 1.5A MOSFET 栅极驱动器 100mV 电流检测门限 5V 基准电压输出 16 引脚 SSOP 封装 产品详情 LT®1768 专为控制单或多冷阴极荧光灯 (CCFL) 显示器而设计。一种独特的多模式调光方案*结合了线性和 PWM 控制功能,以实现灯寿命、效率和调光范围的最大化。准确的最大和最小灯电流可以容易地设定。LT1768 能够检测灯故障和过压启动情况,并提供相应的保护措施。该器件的设计目标是以极少的外部组件提供最大的灵活性。LT1768 是一款具有一个 1.5A MOSFET 驱动器的电流模式 PWM 控制器,适合高功率应用。该器件包含一个 350kHz 振荡器、5V 基准、和一个具 100mV 门限的电流检测比较器。LT1768 采用一个 8V 至 24V 输入电压工作。另外,该器件还具有欠压闭锁、热限制功能,和一个用于将电源电流减小至 65μA 的停机引脚。LT1768 可提供小型 16 引脚 SSOP 封装。Multimode Dimmin...
发表于 02-22 14:11 10次 阅读
LT1768 用于实现宽调光范围和最大灯寿命的高功率 CCFL 控制器

LTC3450 用于小型 TFT-LCD 显示器的三输出电源

和特点 可生成三种电压:      5.1V/10μA      –5V,–10V 或 –15V/500μA      10V 或 15V/500mA 效率高于 90% 低输出纹波:小于 5mVP-P 组件高度仅 1mm 的完整解决方案 受控上电排序:AVDD / VGL / VGH 所有输出在停机状态下均被断接并自动放电 低噪声固定频率操作 用于在消隐模式中获得高效率的降频输入 超低静态电流:在扫描模式中为 75μA (典型值) 采用 3mm×3mm 16 引脚 QFN 封装 产品详情 LTC®3450 是一款用于小型薄膜晶体管 (TFT) 液晶显示 (LCD) 屏的完整功率转换器解决方案。该器件可采用单节锂离子电池、两节至三节碱性电池输入或任何在 1.5V 至 4.6V 之间的电压源来运作。   这款同步升压型转换器可生成一个低噪声、高效率的 5.1V、10mA 电源。内部充电泵用于生成 10V、15V 和 –5V、–10V 或 –15V 电压。对输出排序进行内部控制以确保 LCD 屏的正确初始化。   一个主控停机输入将静态电流减小至2μA以下,并对每个输出进行快速放电以实现 LCD 屏的迅速关断。LTC3450采用一种扁平的(最大高度仅 0.8mm) 3mm×3mm 16 引脚 QFN 封装,从而极大地减小了解决方案的高度和...
发表于 02-22 12:19 67次 阅读
LTC3450 用于小型 TFT-LCD 显示器的三输出电源