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关于共振式无线充电的介绍

cROa_英飞凌 来源:djl 2019-09-24 17:42 次阅读

如下图所示,目前无线充电主要有三种实现方式,主要谈谈磁共振式无线充电。

关于共振式无线充电的介绍

磁共振式无线充电有多种好处,比如:

发射器与接收器之间的距离可以更远

较高的传输功率

更易于嵌入已有家具中而不需重新设计家具

金属后盖的智能或可穿戴设备也能充电.

上述优势综合在一起,让用户体验更佳

就磁共振式无线充电发射器一端的拓扑来说,目前有D类功率放大与E类功率放大,再细分下去,有D类全桥、半桥,E类全桥、半桥。

关于共振式无线充电的介绍

但是不管如何分类,所有磁共振式无线充电解决方案,甚至包括电磁感应式,它们的主要设计需求是一致的:

高效和易于设计的发射器解决方案

为接收器和发射器提供冷却的智能热量管理

小型化需求,因此器件的封装尺寸要小

通过高充电功率,可以确保更快的充电速度

关于共振式无线充电的介绍

关于共振式无线充电的介绍

关于共振式无线充电的介绍

关于共振式无线充电的介绍

为了满足上述磁共振式无线充电发射器的设计需求,针对不同拓扑,英飞凌建议采用以下器件:

关于共振式无线充电的介绍

Class D拓扑推荐器件

关于共振式无线充电的介绍

Class E拓扑推荐器件

采用英飞凌器件

设计磁共振式无线充电的

九个理由

1缩减BOM

能替换市面已有的GaN方案,降低电压钳位电路的要求。

2高效且易于设计的方案

用Benchmark测得相当低的开关与传输损耗。

3广泛应用的驱动芯片使得设计更自由

一流的驱动IC,专为硅MOSFET特性优化过——扩展的栅极驱动器窗口,死区时间控制,内部无夹导致较低的损失。

4小尺寸而高达100V的耐压,意味着高功率密度

提供超低开关与传输损耗的最小封装MOSFETS和Power Stages。

5久经考验的硅方案很成熟

就现阶段而言,GaN方案远没有硅方案成熟,而英飞凌的硅方案能完全满足客户需求。在不远的将来,英飞凌计划提供与硅方案一样成熟的GaN方案。

6封装优化

英飞凌的MOSFET(2x2,3x3 HB)和Power Stage(DrBridge)采用低寄生的封装。

7供应链稳定而安全

英飞凌拥有强大的持续性业务,以及经过验证的物流体系。

8凭借英飞凌参考设计方案能获得更快的上市时间

做好准备吧,采用英飞凌应用广泛的参考设计,以创建您的变频器/适配器/充电器方案。

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