晶圆模块捆绑在一起的新型铜CMP工艺

应用材料公司今天为其Mirra Mesa化学机械平面化（CMP）推出了两种新的铜工艺它表示支持全系列双大马士革芯片集成方案。

Mirra Mesa工艺与Applied的Endura屏障/种子和Electra机电电镀系统集成，作为捆绑的一部分 - Applied正在追求的模块策略（见4月5日的故事）。应用材料公司CMP产品组副总裁兼总经理克里斯史密斯说：“这套设备让客户有机会购买预先集成的互连解决方案，帮助他们快速扩大工厂的铜制造量。”

首次快速去除铜材料后，客户可以选择非选择性或选择性工艺来抛光阻隔薄膜，这取决于他们的双大马士革整合策略，该公司表示。非选择性工艺采用新的成本效益方法去除阻挡膜，以及未加盖的介电材料，如氧化物，氟化硅酸盐玻璃（FSG）和黑钻石膜。

选择性CMP工艺旨在平坦化并保留用于封顶低k电介质应用的顶部介电层。这两种解决方案都可以简化工艺流程，无需额外的电介质抛光步骤，从而降低制造成本。

“铜CMP是芯片制造商面临的最关键挑战之一，”史密斯说。 “将我们的下一代铜工艺与Mirra Mesa系统的多板结构，先进的抛光头技术以及我们新的FullScan端点技术相结合，为体积铜生产创造了一种高生产率的抛光工具。”

FullScan端点技术可精确识别整个晶圆上的薄膜去除点。结合工艺顺序，这可以最大限度地减少铜布线结构的凹陷和腐蚀，创造出创建多层互连所需的平面表面形貌，Smith解释道。

系统的铜工艺已经过特性测试和测试缺陷水平。该系统的Mesa集成式CMP后清洗站采用超声波清洗技术和双面刷洗，有助于抵抗腐蚀，去除晶圆两侧的颗粒和浆料残留物，包括非常小的凹陷特征和难以倾斜的区域。