Sematech在157纳米光刻技术的发展

德克萨斯州奥斯汀 - 国际Sematech公司的研究经理表示，他们对将光刻技术扩展到生产的可能性更加乐观一组专家回顾了下一代157纳米曝光工具关键材料的最新发展后，低于0.10微米技术节点的集成电路。

该联盟首次在加利福尼亚州达纳角举行的157纳米光刻国际研讨会期间上周，有六家公司报告了为下一代光学工具开发新型光刻胶和掩模版保护薄膜材料的进展。 “基于所提供的信息，157-nm技术的置信水平显着上升，”Sematech 157纳米项目经理Rich Harbison表示。

Sematech本周未发布有关这些演示的详细信息去年，该公司开始努力将光学光刻技术的应用扩展到157纳米波长系统，以便在电路中生产90纳米及以下的特征尺寸。虽然许多研究小组正致力于光刻技术的后光学技术，但Sematech和许多业内专家认为，在未来三年内，157纳米系统可用于即将推出的0.10微米(100纳米)工艺节点。

“157纳米光刻技术的时机仍然是一个关键问题，”Sematech光刻技术总监Gerhard Gross说。 “为了在100纳米节点上推出，生产工具必须在2003年初准备好。时间是我们现在最关心的问题。如果我们不能在2003年之前准备好工具，那么使用157-就太晚了nm技术。“

但Sematech官员表示，他们看到上周在为期三天的157纳米研讨会上提供的信息取得了实质性进展。会议上发表了超过65场演讲，来自全球设备和材料供应商，半导体制造商，实验室和大学的约300名专家参加了演讲。

抗蚀剂材料开发工作的成果和总部位于奥斯汀的财团表示，薄膜被认为是重大突破。

“这是我们能够克服157纳米大多数有机材料和现有抗蚀剂的高吸光度的第一个证据，”Gene Feit说。 ，Sematech抗拒开发经理。该联盟计划在最近安装在Sematech的Exitech Ltd.微型测试仪上设计用于157nm曝光的抗蚀剂(参见1999年12月22日的故事)。

用于薄膜 - 薄膜材料这可以保护光罩或光掩模免受缺陷 - 几家公司的介绍表明，聚合物材料和“硬膜”已经取得了进展。据Sematech称，麻省理工学院林肯实验室现在希望在5月底之前测试这些聚合物材料的样品，以评估它们的透射率和耐久性。

“去年，在157纳米上获得动力的重大进展是鉴于光罩的材料，“哈比森说。 “抗冲击和薄膜的发展同样重要，同样重要的是推动这项技术的发展。”