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功耗相关设计可以节省双MOSFET的空间

PCB线路板打样 来源:LONG 2019-08-12 15:08 次阅读

您的功耗相关设计可以节省双MOSFET的空间,因为您经常成对使用这些功能。飞兆半导体(图片)的P沟道FDZ2552P和类似的N沟道FDZ2551N MOSFET用于低阈值电池保护应用(V GS = 2.5V)和低导通电阻。这些双器件采用BGA封装,印刷电路板面积为0.10 cm,约为可比SO-8器件面积的三分之一。

N通道双器件具有R DS(ON) 0.018W,V GS = 4.5V,0.030W,V GS = 2.5V; P沟道器件的可比数字为0.045和0.075W。 BGA封装,安装在印刷电路板上时仅高0.70 mm,具有出色的散热特性和尺寸。例如,N沟道器件支持高达9A的连续漏极电流。这些双MOSFET还提供SuperSOT-8和TSSOP-8封装;价格从85美分(10,000)开始。

如果您需要低压双器件,您可以考虑使用Siliconix/Vishay Intertechnology的P和N通道Si3552DV,双P沟道Si3909DV和Si3905DV,以及双N沟道Si3948DV。这些器件的工作电压低至1.8V,采用TSSOP-6封装,但由于导通电阻比其前代产品低61%,因此可替代更大的SOT-23 MOSFET。根据您选择的器件,您可以获得关键参数的组合,包括R DS(ON) = 0.20W,V GS = - 4.5V(-20V击穿),R DS(ON) = 0.265W,V GS = - 1.8V(-8V击穿);和R DS(ON) = 0.105W且R DS(ON) = 0.200W ,均为V GS = 10V。您可以以26美分(100,000)的频率访问TSOP-6双MOSFET。

最后,国际整流器公司的IRF7901D1将高端控制FET和低侧同步FET与并联肖特基二极管放在一起。 SO-8封装,用于同步降压DC/DC转换器架构。该IC最大限度地减少了外部印刷电路板走线并减少了杂散电感,从而对效率和性能产生不利影响。使用这款65美分(100,000)IC,您可以在5,3.3和1.8V输出时提供高达5A的峰值输出,效率高达96%。该供应商还提供了一个设计套件,可让您评估应用中的离散对双FET方法。

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