使用离散小信号MOSFET测试AND门和幅度调制器

现在仍然可以使用离散小信号MOSFET，本设计理念提供了两个简单的例子：AND门和幅度调制器。

图1显示了一个标准的双输入AND门及其MOSFET（和单电阻或双电阻）实现。

图1双输入与门（a）和MOSFET实现（b）

输入-A和输入-B在这里连接

到单极由15V电池供电的开关。输入A连接到MOSFET的漏极端子;输入-B到其门终端。标记为Output-C的源端子是AND门的输出。电路中的MOSFET处于截止或饱和模式。

当栅极端子施加逻辑低电平（0V）时，MOSFET工作在截止模式，并且工作在高电平MOSFET的漏极和源极之间存在阻抗。类似地，当在栅极端子施加高电压（15V）时，MOSFET工作在饱和模式，MOSFET的漏极和源极端之间存在低阻抗。

图2两个输入的示例模拟= 1

与非门当然可以通过添加M2和R3来形成输出反相器来实现。

图3双输入与非门（a）和MOSFET实现（b）

对于更多模拟 MOSFET应用，请考虑这种简单的AM调制器。

图4MOSFET幅度调制器

电路由N沟道MOSFET，两个电阻和一个肖特基二极管组成。调制信号 sig（t），连接到MOSFET的漏极端子。载波信号 v-carr（t）连接到栅极端子。幅度调制输出信号 v-out（t）从源极端获得。

载波信号是方波，并且由于MOSFET的栅极连接到载波，MOSFET将以该频率接通和断开。接通时，漏极上的任何电压都将通过MOSFET并出现在源极端子上。当MOSFET关闭时，R2会将输出拉至地。

为了正常工作，载波信号的峰峰值电压应为调制信号的峰峰值电压的两倍。 。肖特基二极管可防止幅度调制输出信号成为双极性信号。

图5采用25kHz 12V PP 载波和1kHz 6V PP 正弦调制的仿真结果

图6如上所述，使用方波调制