全面分析MOSFET状况

MOSFET，金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。

MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

本文主要涉及到的内容有：

（1）半导体物理最基本的概念：载流子、沟道、耗尽层、反型层；

（2）MOSFET核心部分；

（3）MOSFET工作基本原理；

（4）MOSFET工作特性分析；

（5）MOSFET命名与符号理解；

（6）MOSFET主要参数。

（一）基本概念-半导体

金属材料可以导电，绝缘材料不导电，那怎么样实现一个东西既能够导电又能够不导电？那就是半导体。MOSFET作为一种半导体器件，我们需要它实现的功能按最简单话来说就是既能够实现电路的通，又能够实现电路的断。

放在数字电路里，这就是实现0和1的方式，在功率电路里，这就是实现PWM转换器工作的基本手段，这都是后话。

如何实现通？当材料内部具有自由移动的电子（负电荷）或者空穴（正电荷）的时候就是导通的（假如说电子或空穴被晶格束缚，那么同样无法导电），存在载流子的时候材料是导通的。如何实现断？那就是将一定区域内的自由载流子去除，材料就不能够导电了，从而达到阻断电流的作用。

我们目前用得最多的半导体材料，比如硅（Si），是Ⅳ族元素，本身最外层电子为4，可以形成稳定的晶格结构，因此它本身是无法导电的，如下图所示，所有电子和原子核都被牢牢束缚在稳定的结构中出不来，所以没有自由移动的电荷。

而当材料中掺杂了其他元素，比如说Ⅲ族或者Ⅴ族元素，甚至其他元素，取代了晶格中的位置。掺杂Ⅴ族元素，结构中就有了除了最外层4个以外的一个电子（即多数载流子为电子），掺杂了Ⅲ族元素，结构中就缺了一个电子构成稳定结构，即形成一个空穴（即多数载流子为空穴）。

如下图所示，左图为掺杂Ⅴ族元素的示意图，Ⅴ族元素最外层有五个电子，四个电子参与形成共价键，因此还剩余一个电子；右图为掺杂Ⅲ族元素的示意图，Ⅲ族元素最外层有三个电子，只有三个电子用于形成共价键，因此留下一个空穴。为了方便，可以直接将电子和空穴理解成负电荷和正电荷。

由于带电粒子在电场中会发生移动，假如在电场的作用下，使得结构中的电子和空穴都跑掉了，那么这个区域不存在自由移动的载流子，因此区域就不再导电，这样的区域称为耗尽区（载流子被电场耗尽）。

牢牢记住，耗尽区内不存在自由移动的载流子，因此是断开状态。MOS的核心原理就是利用电场的作用，使得一定区域时而导电时而断开。

（二）MOSFET 核心部分

1、MOSFET是什么？为什么叫MOSFET？

MOSFET全称Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor。即金属氧化物半导体场效应晶体管。名字一长串，一看就记不住。相信大家跟我应该是一样的感觉。

但这个名字实际上是跟其结构息息相关，只要理解它，记住并不是难事。为什么这么说，我们看下图中的核心结构（这不是MOSFET，仅仅是取其中局部进行讲解）。从上往下依次是金属、氧化层、掺杂的半导体材料，连起来不就是Metal-Oxide-Semiconductor了吗，有其名必有其因。

2、那何为Field-Effect Transistor？

这里的Field自然指电场，所以FET实际上就是指这种器件是电场驱动的晶体管。如果在上下极板加上正电压，就会在材料中建立电场，如下图所示，其中绿色的线为电场线。

由于图中这里所示为P掺杂（Ⅲ族元素掺杂），红色区域中存在空穴（也就是正电荷），在外加电场的作用下，正电荷就会往下离开，从而在上表面形成不含有自由载流子的区域，也就是耗尽区（depletion region）。

而施加的电压足够高时，将把耗尽层内的空穴进一步驱赶，并吸引电子往上表面运动，在上表面堆积可以导电的电子，从而形成N型半导体，从而形成反型层（之所以叫反型层是指在电场作用下，该区域内的自由载流子与掺杂形成的半导体载流子相反）。

一般我们将开始形成反型层时施加的电压称为 ，即门槛电压。反型层也就是我们后面要提到的导电沟道（沿水平方向形成导电沟道）。这到底和MOSFET工作有什么关系？

在维基百科上看到的导电沟道形成的图很有意思，分享给大家：

（三）MOSFET 工作原理

以平面耗尽型N沟道MOSFET为例，基本结构如下图所示。可以看到，从左到右为NPN的掺杂，在扩散作用下，会自然形成像图中所示的深红色的耗尽区(depletion region)，根据前面所述，耗尽区是不能导电的，因此漏极(Drain)到源极(Source)在未加外加电场的时是断开的，因此该结构是Normal off的结构。

注意到，图中正中心区域就是之前讲的核心部分，从上往下，橘黄色，黄色，浅红色依次为金属、氧化物、P掺杂。当VGS＞0，会开始在氧化层下面首先形成新的耗尽层，如下如所示。

当VGS大于VTH，形成反型层，如下图所示。

由于反型层相当于N掺杂的半导体，因此D和S直接直接连通，因此MOSFET导电沟道形成，进入导通状态。

（四）MOSFET 输出特性

如下图所示为增强型N沟道MOS输出特性。

对于上图所示的MOS，有三种工作区域：

1）夹断区(cutoff mode)

当VGS＜Vth，时MOS处于此工作区域，基本处于断开状态，但是此时仍存在较微弱的反型层，存在漏电流，其大小电流满足：

2）线性区(linear mode)

当VGS＞Vth且VDS＜VGS－Vth时为此区域，电流满足：

3）饱和区(saturation mode)

当VGS＞Vth且VDS≥（VGS－Vth）时为饱和区，电流满足：

（五）MOSFET 符号与命名

前面仅仅是谈到了增强型P沟道的MOSFET，而实际上的MOSFET是一个大家族，还有很多兄弟姐妹，下图中除了JFET以外都是MOSFET。这么多符号怎么记住呢？有规律！

1、门极符号

MOSFET不同于JFET，在Gate是不与导电沟道相连的，是有一层氧化绝缘层的，因此从符号中可以看出，MOSFET中Gate和沟道是由缝隙的，也就是有两条竖线，或者一条竖线与三段虚线，而JFET则是一条竖线。

另外，细心的你可能还会发现，有的Gate形状为“L”，有的则是“T”，如果是“L”，意味着Gate和Source在物理结构上靠得更近。

2、沟道形状

增强型MOSFET在未加外部电压时为断开(normal off)，而耗尽型MOSFET则在未加外部电压时为导通（normal on）。所以增强型MOSFET的沟道为三段虚线，意味着还未导通，而耗尽型MOSFET的沟道则是一条直线。

3、箭头方向

对于含有bulk connection的MOSFET，区分P沟道与N沟道就是靠箭头方向。箭头方向遵循一个准则，P指向N，如果沟道是P，则由沟道指向外，如果沟道是N，则由外指向沟道。

（六）MOSFET主要参数

MOSFET参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：

1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。

2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。

3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。

4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。

5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

7、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM。