侵权投诉

关于介绍Intel先进工艺细节的分析和发展

半导体科技评论 2019-09-06 15:30 次阅读

作为全球技术最先进的厂商之一,英特尔在10nm工艺上的一再拖延已经让业界对其Tick-Tock更新频率的质疑,乃至担心摩尔定律是否继续延续。但日前,Intel一口气推出了10nm的各项细则,并对10nm寄于了厚望,也发布了22nm FDSOI工艺,叫板Globalfoundries。我们来看一下全球半导体巨头的“大动作”。

提议的晶体管密度度量方法

英特尔今年将开始制造10nm芯片,它提出了一种引领行业晶体管密度度量方式,迫使竞争对手采用。另外,它宣布推出一款22nm低功耗FinFET(鳍式场效应晶体管)节点,通过全耗尽型绝缘层上硅技术(FD-SOI)与Globalfoundries等对手竞争代工业务。

英特尔的10nm工艺每平方毫米将封装10080万个晶体管。据估计,目前台积电和三星生产10nm工艺,晶体管密度只有它的一半。

关于介绍Intel先进工艺细节的分析和发展

英特尔度量方法的平均密度是指小型和大型逻辑单元的密度。具体而言,它使用的是有两个有源栅极的双输入与非单元,以及一个有多达25个有源栅极的扫描触发器单元。

工艺架构与整合的资深研究员兼总监Mark Bohr说:“我认为这是一个全面、量化和诚实的指标。我认为,台积电和三星过去曾采用它,但我猜他们不太好再用这个度量了。”

关于介绍Intel先进工艺细节的分析和发展

英特尔建议竞争对手重新使用这个密度度量方法来定义节点。

乘法门间距和单元高度的现有度量体现了节点相对数量的增加,而不是节点能力绝对数值的提升。此外,它不包括英特尔提出的密度度量方法所包含的各种因素。Bohr补充道。

无论是哪种度量方法,英特尔表示,都将在今年下半年开始制造10nm Cannonlake芯片,这在它推出14nm工艺的三年后。预计升级10nm工艺将继续着为期三年的节奏,两次年度升级可称为10+和10++。

英特尔晶圆厂和销售团队执行副总裁Stacy Smith表示:“即使节点之间的升级时间较长,我们也将保持与晶体管曲线相同的成本,我们预计10nm这一代仍将继续这种情况。”

有趣的是,英特尔的14nm++表现出的性能高于它最初的10nm工艺。然而10nm节点可以提供低功耗、高密度。

英特尔对于其10nm节点透露了比以往更多的细节。x86巨头需要通过对比竞争对手台积电和三星正在进行的10nm工艺,更进一步地展示其优势,

具体而言,英特尔的10nm节点包括:

34nm鳍片间距

53nm 鳍片高度

36nm 最小金属间距

272nm 单元高度

54nm 栅极间距

英特尔声称,节点展现了行业中最紧密的栅极间距和金属间距,标志着行业首次使用自对准四重图案成形技术(self-align quad patterning)。相比于14nm节点时,FinFET(鳍式场效应晶体管)的高度和密度提高了25%。

英特尔描述了晶体管的两个创新,以补偿更多光刻图案步骤带来的成本上涨。有源栅极上接触(contact-over-active-gate,COAG)有助于提供额外10%的密度;10nm时,单个而不是双虚拟栅极提供了额外的缩放优势。

关于介绍Intel先进工艺细节的分析和发展

英特尔声称其10nm工艺的节点密度是其竞争对手的两倍。(图片来源:英特尔)

对10nm不吝赞美,对度量方法褒贬不一

分析师对英特尔的10nm节点印象深刻,但对于晶体管密度是否是衡量竞争节点的最佳指标褒贬不一。他们表示,在28和16nm竞争日益激烈的情况下,现在还不清楚谁会赢得这一重大前沿业务。

市场观察家VLSI研究公司总裁G. Dan Hutcheson表示:“现在是时候摆脱这些利用节点名称搞的市场营销手段了,让大家看看节点的真面目……摩尔定律总是关于密度。”

他表示,进行芯片级别拆解的独立分析师能够使用公式来检验芯片密度。但是较大的尺寸(例如cm2)将使得对照更接近真实SoC的大小。

Gartner半导体集团研究副总裁Bob Johnson说:“我们需要客观地比较节点名称的扩展,显示出与它们的名称无关的维度。”

台积电的一位发言人说,先前基于栅极密度的度量方法比现在基于单元高度要好得多。

她表示:“我不知道英特尔如何进行新的计算。它的Broadwell(第一代14nm CPU)每平方毫米有1840万个晶体管,但在新的度量方法下,每平方毫米突然有了3750万个晶体管。他们在玩文字游戏吗?”

台积电发言人还注意到,密度本身并不能直接转化为芯片尺寸。她说,布局和其他设计规则都是影响芯片尺寸和竞争力的重要因素。

分析师Hutcheson表示:“看到英特尔10nm工艺中的数字,我震惊了。”

Linley集团的David Kanter同意这种观点,他表示:“这是令人印象深刻的密度……但英特尔提出的观点不到生产就无法证实。然而,英特尔的制造工艺会继续领先,问题是转化到产品中的是什么。”

Kanter 称赞英特尔的COAG晶体管进步。然而,直到公司发布如何制造COAG器件,才能清楚能否将该设计作为一种优化接触电阻的新方法,进而区分其工艺。

对于新的22FFL,Hutcheson指出,Globalfoundries 和英特尔的代工团队都面临着来自竞争对手在IP(知识产权)方面的挑战,例如台积电在28nm的IP。

关于介绍Intel先进工艺细节的分析和发展

英特尔对于其10nm工艺透露了不同以往的大量细节。

FinFETs与 FD-SOI之争

关于介绍Intel先进工艺细节的分析和发展

英特尔的22FFL相比于平面28nm具有成本和功耗优势

英特尔将在今年年底前启动22FFL节点,明确针对来自Globalfoundries等公司利用FD-SOI技术制造的用于移动设备和物联网的同类芯片。0.5 PDK已经准备就绪,并将出现在6月份的1.0版本中。

相比于同行的28nm,它的工艺包括漏电流小100倍的高性能晶体管和低功耗晶体管。它的目的是通过简化设计规则和用于14nm FinFET的内部连接参与28nm的成本竞争。

Intel的首席财务官Smith最近表示:“我们认为这是业界最简单易用的FinFET工艺,服务大众的FinFET。”

具体而言,该22FFL工艺支持:

45nm 鳍片间距,

108nm 栅极间距

90nm 采用单一图案成形技术的金属间距

630nm逻辑单元高度

1880 万晶体管/mm2

0.88mm2 SRAM位单元

英特尔的第一代FinFET 22nm节点的栅极间距和金属间距明显松散,分别为90nm和80nm。

Bohr展示了22FFL的漏电流数据,他提出的包括亚阈值、栅氧化层和结漏电流。他表示:“所有三个问题都表明节点对于任何主流技术都拥有最小的漏电流。”

英特尔拒绝提供22FL和22nm FD-SOI之间的具体比较。然而,它的内部产品有的已经被设计为22FL,并希望吸引代工客户。

英特尔客户和物联网业务和系统架构集团总裁Murthy Renduchintala说:“我们今后的路线图在物联网和网络等领域将会更加广阔,这使我们能够获得差异化的业绩。”

Globalfoundries的产品管理高级副总裁Alain Mutricy回应了Intel的22FFL的消息。Mutricy说:“我们的生产过程完全符合生产要求,我们看到客户需求旺盛,50多个客户积极参与到诸如移动设备、物联网和汽车等高增长领域。”

在一篇博客中,Mutricy指出,台积电和英特尔已经宣布了22nm工艺,这发生在Globalfoundries宣布其FD-SOI计划的两年后。他写道:“这项工作展示了前所未有的创新,它发生在高级节点上,相比于最前沿技术又迈进了一到两步。”

他补充说:“德国德累斯顿的Fab 1工厂完全符合Globalfoundries的22nm工艺生产要求。公司计划到2020年将德累斯顿22nm晶圆厂的产能提高40%。”

此外,Globalfoundries于二月份宣布,将于2019年在中国开始合资制造22nm FD-SOI产品,并于去年在德累斯顿进行了后续的12nm FD-SOI工艺计划。“我们期望其他公司追随我们的12FDX领先技术。”他写道。

台积电发言人说:“台积电的22ULP节点将推动更好的RF元件,它在低功耗物联网市场非常具有竞争力。”

14nm的更多详细信息,代工厂

最后,英特尔提供了关于其当前14nm工艺(即现在的第三个变种14++)的更多细节。英特尔已经在14nm节点生产了三代x86处理器,以及Stratix 10 FPGA。 到今年年底,也将利用14nm节点生产LTE调制解调器。

具体而言,英特尔的14nm节点使用:

42nm 鳍片间距

52nm 内部连接间距

70nm 栅极间距

399nm 单元高度

3750万晶体管mm2

0.050mm2 SRAM单元

英特尔公司互联技术和集成总监Ruth Brain表示,英特尔采用自对准双重图案成形技术,这可以使成本低于使用光刻蚀技术的其他芯片制造商。

英特尔并没有公布任何新客户的新生代工服务。不过,英特尔在代工厂主管领导的活动上,在IP和EDA专家小组中间获得了好评。

Synopsys首席执行官Aart De Geus表示,英特尔的定制代工厂拥有多个回头客户,如果你不能成功交付产品,就永远不会得到它。

“代工厂现在准备好了迎接黄金时间”,ARM公司销售和联盟高级副总裁Will Abbey说,该公司与英特尔的代工厂合作了大约10个月。

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

英特尔突破存储瓶颈 战略起了非常重要的作用

作为数据存储基础设施领域近年来的一大创新,在2019年,英特尔傲腾在更多场景下普及和落地了,2019....
发表于 12-06 17:44 62次 阅读
英特尔突破存储瓶颈 战略起了非常重要的作用

英伟达和英特尔激战 AI芯片将迎来一场马拉松式的较量

英伟达和英特尔的竞争在AI时代变得更为直白。英伟达在AI训练领域具有绝对优势,英特尔保持着在芯片架构....
发表于 12-06 17:19 57次 阅读
英伟达和英特尔激战 AI芯片将迎来一场马拉松式的较量

高通做笔记本电脑芯片欲挑战英特尔垄断地位

笔记本电脑芯片市场,一直由英特尔占据垄断地位,而高通在全球高端智能手机芯片市场占据领导地位。分析师认....
的头像 汽车玩家 发表于 12-06 16:15 185次 阅读
高通做笔记本电脑芯片欲挑战英特尔垄断地位

微软Surface Pro 7专享优惠套装推出,搭载第十代英特尔酷睿处理器

12月5日消息,微软在济南举办“微软Surface政府及教育类客户专享优惠套装”发布会,宣布推出首款....
的头像 牵手一起梦 发表于 12-06 15:49 186次 阅读
微软Surface Pro 7专享优惠套装推出,搭载第十代英特尔酷睿处理器

英特尔全球最大容量FPGA的容量高达20亿个ASIC门

英特尔发布了全球最大容量FPGA——Intel® Stratix® 10 GX 10M FPGA,拥....
发表于 12-06 15:09 48次 阅读
英特尔全球最大容量FPGA的容量高达20亿个ASIC门

英特尔公布了全新的紧凑型模块化迷你个人电脑细节

英特尔表示,灵活性和模块化是NUC Element的两个主要特点。英特尔的想法是让客户能够轻松、快速....
的头像 lhl545545 发表于 12-06 11:11 249次 阅读
英特尔公布了全新的紧凑型模块化迷你个人电脑细节

英特尔正在计划收购以色列AI芯片制造商Habana Labs

据悉,Habana Labs创立于2016年,致力于提高AI芯片的处理性能并降低其成本和功耗,其AI....
的头像 lhl545545 发表于 12-06 09:53 126次 阅读
英特尔正在计划收购以色列AI芯片制造商Habana Labs

英特尔推出了以数据为中心的创新解决方案

要想创新,就需要更广泛的合作伙伴共同努力开发产品,从而为客户提供更好的传输、存储和处理数据的方式。我....
的头像 lhl545545 发表于 12-06 09:46 169次 阅读
英特尔推出了以数据为中心的创新解决方案

高通、英特尔和海思如何玩转物联网芯片

纵观这数年来,不管是高通,还是华为、英特尔等企业,均不断发布新一代物联网终端芯片,这对于物联网终端企....
的头像 汽车玩家 发表于 12-06 09:17 212次 阅读
高通、英特尔和海思如何玩转物联网芯片

Supermicro推出新款英特尔Nervana NNP-T服务器

随着人工智能和机器学习应用的兴起,研究者对于深度学习和训练的计算量需求也日渐提升。
的头像 独爱72H 发表于 12-05 16:01 312次 阅读
Supermicro推出新款英特尔Nervana NNP-T服务器

英特尔NUC 10即将发布,十代酷睿将Mini PC带入新时代

今年下半年,英特尔正式发布了10代酷睿处理器,为笔记本带来了更加强劲的性能,除此之外,英特尔广受欢迎....
的头像 独爱72H 发表于 12-05 15:56 454次 阅读
英特尔NUC 10即将发布,十代酷睿将Mini PC带入新时代

英特尔寒霜峡谷NUC,搭载6核心i7-10710U处理器将12月上市

今年下半年,英特尔正式发布了10代酷睿处理器,为笔记本带来了更加强劲的性能,除此之外,英特尔广受欢迎....
的头像 牵手一起梦 发表于 12-05 13:38 648次 阅读
英特尔寒霜峡谷NUC,搭载6核心i7-10710U处理器将12月上市

英特尔与腾讯合作智慧教育领域,一起推出教育学习电脑

在教育现代化2035及教育信息化2.0政策指引下,我国教育行业应用正在向网络化、移动化、智能化方向加....
的头像 汽车玩家 发表于 12-05 10:51 428次 阅读
英特尔与腾讯合作智慧教育领域,一起推出教育学习电脑

英特尔与腾讯共同签署了智慧教育产业战略合作备忘录

根据英特尔与腾讯签署的智慧教育产业战略合作备忘录,双方将在多方面开展深度合作,包括由腾讯教育云服务支....
发表于 12-05 10:07 45次 阅读
英特尔与腾讯共同签署了智慧教育产业战略合作备忘录

Intel持续缺货严重,戴尔或与AMD合作缓解

今年以来,Intel的缺货问题愈发严重,官方也一再表态承诺改进,甚至公开道歉,但依然无济于事。
的头像 汽车玩家 发表于 12-05 09:18 224次 阅读
Intel持续缺货严重,戴尔或与AMD合作缓解

英特尔自动驾驶汽车研发新进展,奔驰S级进行Robotaxi测试

英特尔投资的Perrone Robotics公司在自动驾驶汽车研发方面有了新的进展,戴勒姆已与博世进....
的头像 汽车玩家 发表于 12-04 16:49 241次 阅读
英特尔自动驾驶汽车研发新进展,奔驰S级进行Robotaxi测试

英特尔超10亿美元收购Habana Labs?英特尔没有回应

雷锋网消息,以色列媒体 Calcalist 周二报道,美国科技巨头英特尔公司正在进行高级谈判,拟以 ....
的头像 汽车玩家 发表于 12-04 16:09 303次 阅读
英特尔超10亿美元收购Habana Labs?英特尔没有回应

英特尔i9-10980XE 18核36线程上线,支持WiFi 6将于双12开卖

12月3日消息,不久前,英特尔上架了i9-10900X,现在该系列的最强选手也上架了,i9-1098....
的头像 牵手一起梦 发表于 12-04 15:32 329次 阅读
英特尔i9-10980XE 18核36线程上线,支持WiFi 6将于双12开卖

英特尔将为20年东京奥运会提供VR技术支持

英特尔日前表示,他们将利用2020年东京奥运会来展示一系列的新技术,包括为运动员采用基于人工智能的3....
发表于 12-04 10:38 440次 阅读
英特尔将为20年东京奥运会提供VR技术支持

英特尔将开发出以傲腾双端口NVMe SSD作为高速缓存的全闪存储平台

基于此,英特尔®傲腾™技术和英特尔QLC NAND技术旨在通过弥合内存与存储层级结构中成本和性能差距....
的头像 lhl545545 发表于 12-04 10:26 313次 阅读
英特尔将开发出以傲腾双端口NVMe SSD作为高速缓存的全闪存储平台

MC1413和MC1413B与NCV1413B晶体管的数据手册免费下载

这些阵列中七个NPN达林顿连接晶体管非常适合在各种工业和消费应用中驱动灯、继电器或打印机锤子。它们的....
发表于 12-04 08:00 24次 阅读
MC1413和MC1413B与NCV1413B晶体管的数据手册免费下载

三极管共集电极放大电路和共基极放大电路的详细说明

晶体管除了在大多数情况下都接成共射极的形式外,还可接成共集电极和共基极的形式。下面分别介绍。先介绍共....
发表于 12-04 08:00 127次 阅读
三极管共集电极放大电路和共基极放大电路的详细说明

Intel的Rocket Lake未来或将会使用Willow Cove内核

Intel下一代处理器的代号是Comet Lake这回事应该很多人都已经清楚了,而再往下呢?根据目前....
的头像 独爱72H 发表于 12-03 17:47 497次 阅读
Intel的Rocket Lake未来或将会使用Willow Cove内核

英特尔在未来几年内将混用14nm与10nm两种工艺

14nm工艺产能不足和10nm工艺“难产”,让英特尔在最近的一年时间里依然处于产能不足的情况。
的头像 独爱72H 发表于 12-03 17:36 447次 阅读
英特尔在未来几年内将混用14nm与10nm两种工艺

中国半导体技术新突破,成功研发3纳米晶体管

最近,国产芯片一直是个热议的话题,随着科技的发展,芯片在我们日常生活中的应用无处不在,最常见的就是我....
的头像 独爱72H 发表于 12-03 17:02 573次 阅读
中国半导体技术新突破,成功研发3纳米晶体管

英特尔宣布已完成智能手机调制解调器业务出售给苹果的交易 交易价值10亿美元

今年7月,苹果和英特尔共同宣布,双方已签署协议,苹果将收购英特尔的大部分智能手机调制解调器业务。12....
的头像 半导体动态 发表于 12-03 16:08 270次 阅读
英特尔宣布已完成智能手机调制解调器业务出售给苹果的交易 交易价值10亿美元

英特尔推出全球最大容量FPGA oneAPI简化PFGA硬件工作

“正是因为英特尔在IC工艺技术、制造和封装等领域的创新,让英特尔得以设计、制造并交付目前世界上密度最....
发表于 12-03 15:35 106次 阅读
英特尔推出全球最大容量FPGA oneAPI简化PFGA硬件工作

FPGA与GPU类比一下就明白了

电路模拟是 FPGA 的经典主流用例,这也是 FPGA 最早出现的原因。FPGA 的关键在于硬件设计....
的头像 嵌入式ARM 发表于 12-03 15:28 350次 阅读
FPGA与GPU类比一下就明白了

32gb内存卡多少钱

12月2日消息 不久前,联想发布了Y9000X 标压核显笔记本,四风扇散热,主打轻薄高性能。由于Y9....
的头像 牵手一起梦 发表于 12-03 15:13 356次 阅读
32gb内存卡多少钱

调制解调器的作用是

12月3日消息,英特尔今天宣布,经过监管部门的批准,英特尔已完成以10亿美元的价格将其大部分智能手机....
的头像 牵手一起梦 发表于 12-03 14:42 276次 阅读
调制解调器的作用是

小米新机RedmiBook 13开启预售,采用英特尔10代处理器

12月3日消息 今天,小米的京东旗舰店开启了RedmiBook 13的预约,预约信息显示新品将于12....
的头像 牵手一起梦 发表于 12-03 14:41 599次 阅读
小米新机RedmiBook 13开启预售,采用英特尔10代处理器

苹果收购Intel基带业务,希望有自研的5G基带

苹果的A系处理器性能很好很强大,远超安卓一众厂商,高通、华为及安卓之光三星在CPU、GPU性能上都无....
的头像 汽车玩家 发表于 12-03 09:06 277次 阅读
苹果收购Intel基带业务,希望有自研的5G基带

英特尔:向苹果出售5G调制解调器业务亏损数十亿美元

今年夏天,英特尔将其领先的5G移动调制解调器业务出售给了苹果,该公司现在确认自己在那笔交易中损失了数....
的头像 刘伟DE 发表于 12-02 18:20 923次 阅读
英特尔:向苹果出售5G调制解调器业务亏损数十亿美元

英特尔14nm工艺制程永流传

英特尔已经使用了 N 年的 14nm 工艺制程了,而现在这家科技巨头似乎遇到了 10nm 的产能问题....
的头像 汽车玩家 发表于 12-02 16:31 333次 阅读
英特尔14nm工艺制程永流传

从系统芯片打破芯片之间的籓篱,为摩尔定律之外寻找另一种解方

在美国早期的Chiplet项目中,有企业如英特尔、Northrop、Micorss等,还有模块芯片开....
的头像 DIGITIMES 发表于 12-02 15:58 553次 阅读
从系统芯片打破芯片之间的籓篱,为摩尔定律之外寻找另一种解方

微软Surface Laptop 3笔记本明日正式开售,搭载英特尔最新10nm芯片

10月初,微软发布了新一代的Surface Laptop 3笔记本,分为13.5英寸和15英寸两个版....
的头像 牵手一起梦 发表于 12-02 15:46 387次 阅读
微软Surface Laptop 3笔记本明日正式开售,搭载英特尔最新10nm芯片

英特尔为什么卖掉5G智能手机基带部门转而与联发科携手研发5G基带

英特尔日前发布消息称,英特尔将与联发科共同开发、验证和支持5G调制解调器解决方案,在下一代PC为消费....
的头像 半导体动态 发表于 12-02 15:11 663次 阅读
英特尔为什么卖掉5G智能手机基带部门转而与联发科携手研发5G基带

英特尔调整Tiger Lake移动处理器的缓存结构,计划提高移动CPU效率

12月2日消息,据报道,早在Skylake微架构发布时,英特尔就开始在HEDT系列处理器中调整其CP....
的头像 牵手一起梦 发表于 12-02 14:40 250次 阅读
英特尔调整Tiger Lake移动处理器的缓存结构,计划提高移动CPU效率

英特尔Tiger Lake处理器缓存结构将调整

根据WCCFTECH的报道,早在Skylake微架构发布时,英特尔就开始在HEDT系列处理器中调整其....
的头像 汽车玩家 发表于 12-02 11:41 250次 阅读
英特尔Tiger Lake处理器缓存结构将调整

传闻是假的!Intel辟谣三星代工CPU

韩国媒体前几天报道称Intel会将14nm CPU处理器交给三星代工,结果Intel官方很快辟谣,三....
的头像 汽车玩家 发表于 12-02 09:46 509次 阅读
传闻是假的!Intel辟谣三星代工CPU

年销售收入达4.5亿美元,Intel出售互连家庭部门

在以10亿美元的价格将手机基带业务卖给苹果之后,Intel又要出售一项业务了,这次是互连家庭部门(C....
的头像 汽车玩家 发表于 12-02 09:29 457次 阅读
年销售收入达4.5亿美元,Intel出售互连家庭部门

英特尔表示把Modem芯片业务出售给苹果公司是高通造成的

在今年早些时候,苹果和高通达成和解,与此同时英特尔宣布退出5G移动芯片业务。近日,据外媒报道,英特尔....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 12-02 09:07 735次 阅读
英特尔表示把Modem芯片业务出售给苹果公司是高通造成的

晶体管β参数测试电路的设计,如何用Proteus仿真?用液晶屏显示?

课题:晶体管β参数测试电路的设计 要求用Proteus仿真,采用适当的A/D芯片,最好串行转换,液晶显示。 已尝试用发光二级管...
发表于 11-30 18:30 270次 阅读
晶体管β参数测试电路的设计,如何用Proteus仿真?用液晶屏显示?

晶体管β参数测试电路的设计

自己做的仿真总是出错,不知道为什么会亮两个灯,也不知道为什么电容报错。有哪位大神可以帮我一下么...
发表于 11-30 14:41 206次 阅读
晶体管β参数测试电路的设计

满足“电老虎”移动计算的需求

提高频率是减小尺寸的一种行之有效的方法。对于移动系统而言,实现高效解决方案同样重要,这是延长电池寿命....
的头像 MEMS 发表于 11-30 10:30 391次 阅读
满足“电老虎”移动计算的需求

Intel的5G笔记本是个什么?

Intel近日宣布,将在商用、消费笔记本中引入联发科5G基带,打造全新的5G PC,而几乎同时,联发....
的头像 汽车玩家 发表于 11-29 16:58 662次 阅读
Intel的5G笔记本是个什么?

Intel处理器缺货影响到了Win10升级

Intel处理器持续严重缺货已经一年多,而且最近不但没有缓解,反而日益严峻,官方甚至不得不出面道歉,....
的头像 汽车玩家 发表于 11-29 16:54 688次 阅读
Intel处理器缺货影响到了Win10升级

技嘉首款USB 3.2 Gen 2x2 PCIe扩展卡支持AMD和英特尔平台

11月28日消息,根据消息报道,技嘉宣布发布世界上第一款USB 3.2 Gen 2x2 PCIe扩展....
的头像 牵手一起梦 发表于 11-29 16:05 390次 阅读
技嘉首款USB 3.2 Gen 2x2 PCIe扩展卡支持AMD和英特尔平台

GaN Systems和安森美半导体的半桥评估板展示氮化镓的下一个性能飞跃

这评估板的优势包括显著减小损耗、重量、尺寸(布板尺寸可减小达80%)和系统成本(可节省达60%的BO....
的头像 安森美半导体 发表于 11-29 14:58 388次 阅读
GaN Systems和安森美半导体的半桥评估板展示氮化镓的下一个性能飞跃

英特尔至强E-2200处理器现可用于入门级服务器

英特尔至强E-2200处理器旨在帮助小型企业以不可或缺的性能、可靠性、安全性和可扩展性,满足业务增长....
的头像 知IN 发表于 11-29 11:27 518次 阅读
英特尔至强E-2200处理器现可用于入门级服务器

研究麒麟990 5G芯片,并公布了其内核照片、尺寸面积

根据测量,麒麟990 5G的面积为10.68×10.61=113.31平方毫米,集成了多达103亿个....
的头像 MCA手机联盟 发表于 11-29 10:58 633次 阅读
研究麒麟990 5G芯片,并公布了其内核照片、尺寸面积

英特尔665p固态硬盘有什么亮点

近日,英特尔发布了665p固态硬盘,这是基于其2018年发布的英特尔660p之后的第二款QLC NA....
的头像 汽车玩家 发表于 11-29 10:52 484次 阅读
英特尔665p固态硬盘有什么亮点

晶体管规格书中insertion power gain 的写法为啥是|s21| 2?

如附件图片所示,为什么insertion power gain 的写法为啥是|s21| 2? 加个平方是什么意思? ...
发表于 11-28 16:24 108次 阅读
晶体管规格书中insertion power gain 的写法为啥是|s21| 2?

哪里可以找到Xilinx芯片晶体管通道长度的规格?

嗨, 有没有办法在Xilinx FPGA芯片的数据表中找到晶体管沟道长度规格? 作为我项目的一部分,我正在比较基于标准单元的设...
发表于 11-11 07:10 65次 阅读
哪里可以找到Xilinx芯片晶体管通道长度的规格?

嵌入式微处理器未来的发展方向是什么?

从上世纪70年代微处理器诞生以来,性能、功能和功耗表现一直按照摩尔定律在提高。但是从大型机时代一直到现在的移动互联网时代,...
发表于 11-08 07:45 97次 阅读
嵌入式微处理器未来的发展方向是什么?

FPGA的功耗概念是什么?如何进行低功耗设计?

芯片对功耗的苛刻要求源于产品对功耗的要求。集成电路的迅速发展以及人们对消费类电子产品——特别是便携式(移动)电子产品——...
发表于 11-06 07:57 55次 阅读
FPGA的功耗概念是什么?如何进行低功耗设计?

【每日电路赏析】威尔逊电流镜电路

电流镜电路可以用晶体管和MOSFET来搭建,尽管我们可以用这两个简单的有源器件或直接使用一个放大器电路,但其输出并不完美...
发表于 11-05 16:27 4913次 阅读
【每日电路赏析】威尔逊电流镜电路

两个共发射极晶体管放大器怎么连接成直接耦合二级放大器?

两个共发射极晶体管放大器连接成的直接耦合二级放大器...
发表于 11-04 09:00 64次 阅读
两个共发射极晶体管放大器怎么连接成直接耦合二级放大器?

使用EDA工具进行功率RF晶体管的恒定失配分析

This Article wirtten by John Pritiskutch and Craig Rotay (STMicroelectronics)  describes a Constant ...
发表于 11-01 09:14 71次 阅读
使用EDA工具进行功率RF晶体管的恒定失配分析

调试模式崩溃该怎么办?

大家好,我有一个电路控制螺线管通过一个高侧P场效应晶体管。它在调试模式下工作正常,但是,当我通过手动覆盖的外部按钮给螺线...
发表于 11-01 06:12 101次 阅读
调试模式崩溃该怎么办?

NCP500 LDO稳压器 150 mA 低压差 低噪声

低压降(LDO)线性稳压器专为需要低噪声工作,快速响应时间和低压差的便携式电池供电应用而设计。该器件无需外部噪声旁路电容即可实现低噪声性能。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,以及电流限制和温度限制保护电路。 NCP500 LDO线性稳压器设计用于与低成本陶瓷电容器一起使用,要求最小输出电容为1.0 mF。标准电压版本为1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3和5.0 V. 特性 150 mA时超低压降170 mV 快速启用20微秒的开启时间 1.8 V至6.0 V的宽工作电压范围 出色的线路和负载调节 高精度输出电压2.5% 启用可以通过1.0 V逻辑直接驱动 非常小的QFN 2x2封装 无铅封装可能有售。* G-Suffix表示无铅铅...
发表于 08-13 17:36 28次 阅读
NCP500 LDO稳压器 150 mA 低压差 低噪声

NCV663 LDO稳压器 100 mA 超低Iq

系列低静态电流低压降(LDO)线性稳压器最初设计用于手持通信设备和便携式电池供电应用,可用于需要超低静态电流的汽车应用。它应该用作后置调节器件,因为该产品不能防止汽车电池工作所固有的高输入瞬态电压。 该系列具有2.5μA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻器,以及电流限制和温度限制电路等保护功能。 NCV663设计用于低成本陶瓷电容器,需要最小0.1μF的输出电容。该器件采用微型SC82-AB表面贴装封装。提供无铅电镀选项。 标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3和5.0 V. 特性 超低静态电流2.5 uA典型 低输出电压选项低至1.5V,输出电压精度为+/- 2%。 温度范围-40C至125C 集成保护:电流限制,热关断 AEC合格 PPAP Capable 应用 终端产品 信息娱乐:卫星广播,导航系统 Body ElectronicS 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 14:02 12次 阅读
NCV663 LDO稳压器 100 mA 超低Iq

NCP7800 线性稳压器 1 A 高PSRR

0系列由3引脚,固定输出,正线性稳压器组成,适用于各种应用。这些稳压器非常坚固,内置电流限制,热关断和安全区域补偿。通过足够的散热,它们可以提供超过1.0 A的输出电流。这些产品可直接替代流行的MC7800系列,提供增强的ESD保护。 特性 优势 输出电流超过1.0 A 适用于各种各样的应用程序 无需外部组件 设计简单并且非常划算 内部热过载保护 可在各种操作条件下使用 内部短路电流限制 坚固耐用 标准版3 Lea中提供d晶体管封装 出色的功耗 增强型ESD容差:HBM 4 kV(5 V和8 V选项),3 kV(12 V和15 V选项)和MM 400 V 降低最终产品装配过程中受损的风险 这些是无铅设备 符合监管要求且环保 输出晶体管SafeArea补偿 输出电压提供4%容差 对于更严格的公差和扩展的工作范围请参阅MC7800 应用 终端产品 电源 船上监管后 工业和消费者应用 冰箱,空调,家用电器 电视,机顶盒,天线驱动器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 25次 阅读
NCP7800 线性稳压器 1 A 高PSRR

NCV7693 3通道控制器 带有汽车LED灯诊断功能

3是一种驱动多个外部开关元件的设备,可实现3个独立功能。可以通过适当选择占空比和电池电压来调节每个LED串中的平均电流。该设备的目标应用是汽车后组合灯。每个驱动器都有自己的诊断功能,可以检测开路负载,接地短路或电池.LED平均亮度水平可通过适当的占空比控制和与开关晶体管串联的外部电阻轻松编程。多串LED可通过单个NCV7693器件运行。该器件采用TSSOP-14封装。 特性 3x脉冲宽度调制(PWM)控制 每个功能的独立诊断反馈 外部切换用于宽电流范围灵活性的装置 外部电阻器定义最大电流 打开LED灯串诊断 短 - 电路LED灯串诊断 热关断诊断和保护 PWM输入引脚上的短路保护 多个LED灯串控制 TSSOP-14包 AEC-Q100合格且PPAP能力 应用 后组合灯(RCL) 日间行车灯(DRL) 雾灯 中央高位刹车灯(CHMSL)阵列 转向信号 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 11:02 23次 阅读
NCV7693 3通道控制器 带有汽车LED灯诊断功能

NCP502 LDO稳压器 80 mA 低Iq

系列固定输出低静态电流低压差(LDO)线性稳压器专为需要低静态的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 NCP502系列具有40μA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP502设计用于低成本陶瓷电容器。 LDO线性稳压器采用微型SC70-5表面贴装封装。标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,2.9,3.0,3.1,3.3,3.4,3.5,3.6,3.7,3.8和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 典型值为40μA的低静态电流 优良线路和负载调节 低输出电压选项 输出电压精度为2.0% 工业温度范围-40°C至85°C 应用 手机 电池供电消费品 手持式仪器 可携式摄像机和相机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 10:02 11次 阅读
NCP502 LDO稳压器 80 mA 低Iq

NCP512 LDO稳压器 80 mA 低压差 低Iq

固定输出低压降(LDO)线性稳压器专为需要低静态的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 NCP512具有40μA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP512设计用于低成本陶瓷电容。 LDO采用微型SC70-5表面贴装封装。标准电压版本为1.3,1.5,1.8,2.2,2.5,2.7,2.8,3.0,3.1,3.3和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 低静态电流40μA典型 低压差250 mV,80 mA 低输出电压选项 输出电压精度2.0% 工业温度范围-40° C到85°C 应用...
发表于 07-30 10:02 8次 阅读
NCP512 LDO稳压器 80 mA 低压差 低Iq

NCP699 LDO稳压器 150 mA 带使能

固定输出LDO线性稳压器专为需要低静态电流的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 NCP699系列具有40 uA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的内部电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP699设计用于低成本陶瓷电容器。该器件采用微型TSOP-5表面贴装封装。标准电压版本为1.3,1.4,1.5,1.8,2.5,2.8,3.0,3.1,3.3,3.4和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 优势 极低地电流为40 uA典型 最大限度地降低功耗 150 mA时的低压差340 mV和3.0 V Vout 延长电池使用量。保留更长的监管 启用控制(高电平有效,支持低于1伏逻辑) 输出电压精度为2.0% 工作温度范围-40C至+ 85C 使用1 uF陶瓷或钽电容器稳定 应用 终端产品 移动电话 电池供电的消费产品 HandHeld Instruments 打印机和办公设备 摄像机和相机 打印机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 09:02 22次 阅读
NCP699 LDO稳压器 150 mA 带使能

NCP698 LDO稳压器 150 mA 超低Iq

列固定输出低压差(LDO)线性稳压器专为需要低静态的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。该系列具有2.5 uA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP698系列提供用于ON / OFF控制的使能引脚。 NCP698设计用于低成本陶瓷电容器,需要0.1μF的最小输出电容。该器件采用微型SC82-AB表面贴装封装。标准电压版本为1.3,1.5,1.8,2.5,2.8,3.0,3.3,3.5和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。可提供无铅电镀选项。 特性 优势 超低静态和接地电流 最小化功耗 低压差 延长电池使用时间。保留更长的监管。 低输出电压选项 输出电压准确度为2.0% 温度范围-40C至85C 应用 终端产品 电池供电仪器 手持式仪器 摄像机和相机 MP3播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 09:02 30次 阅读
NCP698 LDO稳压器 150 mA 超低Iq

NCP563 LDO稳压器 80 mA 超低Iq

定输出低压差(LDO)线性稳压器专为需要低静态的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。该系列具有2.5μA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP562系列提供用于ON / OFF控制的使能引脚。 NCP562设计用于低成本陶瓷电容器,需要0.1μF的最小输出电容。该器件采用微型SC82-AB表面贴装封装。标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3,3.5和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。可以使用无铅电镀选项。 特性 典型值为2.5μA的低静态电流 低输出电压选项 输出电压精度为2.0% -40°C至85°C的温度范围 NCP562提供启用引脚 Pb - 免费套餐可用 应用 终端产品 电池供电仪器 手持式仪器 摄像机和相机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 08:02 33次 阅读
NCP563 LDO稳压器 80 mA 超低Iq

NCP511 LDO稳压器 150 mA 超低压差 低Iq

固定输出低静态电流低压降(LDO)线性稳压器专为需要低静态电流的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 NCP511具有40μA的超低静态电流。每个LDO线性稳压器包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP511设计用于低成本陶瓷电容器,要求最小输出电容为1.0 5F。 LDO采用微型TSOP-5表面贴装封装。标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 低典型值为40μA的静态电流 100 mA时100 mV的低压差电压 出色的生产线和负荷调节 最大工作电压6.0 V 低输出电压选项 高精度输出电压2.0% 工业温度范围-40°C至85°C 无铅封装可用 应用 手机 电池供电仪器 手持式仪器 Camcorde rs和相机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 08:02 22次 阅读
NCP511 LDO稳压器 150 mA 超低压差 低Iq

MC79M LDO稳压器 500 mA 5 V 负极

0负线性稳压器用于补充流行的MC78M00系列器件。 可提供-5.0,-8.0,-12和-15 V的固定输出电压选项,该负线性稳压器采用限流,热关断和安全区域补偿 - 使其在大多数操作下非常坚固条件。通过充分的散热,可以提供超过0.5 A的输出电流。 规格: MC79M00B MC79M00C 公差 4% 4% 温度范围 -40°C至+ 125°C 0°C至+ 125°C 封装 DPAK,TO-220 DPAK,TO-220 特性 无需外部组件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 也可用于表面贴装DPAK(DT)封装器件类型/标称输出电压MC79M05 -5.0 VMC79M 12-12 V MC79M08-8.0 VMC79M15-15 V 无铅封装可能有效。 G-Suffix表示 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 07:02 57次 阅读
MC79M LDO稳压器 500 mA 5 V 负极

MC34268 LDO稳压器 800 mA 2.85 V SCSI-2有源端接器

8是一款中等电流,低压差(LDO)正线性稳压器,专为SCSI-2有源终端电路而设计。该器件为电路设计人员提供了一种经济的精密电压调节解决方案,同时将功率损耗降至最低。线性稳压器由1.0 V压差复合PNP / NPN传输晶体管,限流和热限制组成。该LDO采用SOIC-8和DPAK-3表面贴装功率封装。 应用包括有源SCSI-2端接器和开关电源的后置调节。 特性 2.85 V SCSI-2有源端接的输出电压 1.0 V Dropout 输出电流超过800 mA 热保护 短路保护 输出调整为1.4%容差 无需最低负载 节省空间的DPAK-3,SOT-223和SOIC-8表面贴装电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 49次 阅读
MC34268 LDO稳压器 800 mA 2.85 V SCSI-2有源端接器

MC78LC LDO稳压器 80 mA 超低Iq

00低压降(LDO)线性稳压器专为需要低静态电流的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 MC78LC00系列具有1.1μA的超低静态电流。每个LDO线性稳压器包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管和用于设置输出电压的电阻。 MC78LC00低压降(LDO)线性稳压器设计用于低成本陶瓷电容器,要求最小输出电容为0.1μF。 LDO采用微型薄型SOT23-5表面贴装封装和SOT-89,3引脚封装。标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3,4.0和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 低静态电流1.1μA典型 出色的线路和负载调节 最大工作电压12 V 低输出电压选项 高精度输出电压2.5% 工业温度范围-40°C至85°C 两个表面贴装封装(SOT-89,3针或SOT-23,5针) 无铅封装可用 应用 电池供电仪器 手持式仪器 Camcorde rs和相机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 75次 阅读
MC78LC LDO稳压器 80 mA 超低Iq

MC7900 线性稳压器 1 A 5 V 负极

固定输出负线性稳压器旨在作为流行的MC7800系列器件的补充。该负电压调节器提供与MC7800器件相同的七电压选项。此外,负系统MC7900系列还提供MECL系统中常用的一个额外电压选项。 这些线性稳压器具有-5.0 V至-24 V的固定输出电压选项,采用限流,热关断和安全区域补偿 - 使其在大多数工作条件下非常坚固。通过充分的散热,它们可以提供超过1.0 A的输出电流。 规格: MC7900AC MC7900B MC7900C 容差 2% 4% 4% 温度范围 0°C至+ 125°C -40°C至+ 125°C 0°C至+ 125° C 包装 D2PAK,TO-220 D2PAK,TO-220 D2PAK,TO -220 特性 无需外部组件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 2%电压T可用油酸(参见订购信息) 无铅包可能有货。 G-Suffix表示无铅铅涂层。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 38次 阅读
MC7900 线性稳压器 1 A 5 V 负极

NCV97310 具有3个降压稳压器的多输出电源管理单元(PMU)

10是3输出稳压器,由低Iq电池连接的3 A 2 MHz非同步开关和两个低压1.5 A 2 MHz同步开关组成;所有都使用集成功率晶体管。高压开关能够以4.1 V恒定的开关频率将4.1 V至18 V电池输入转换为5 V或3.3 V输出,提供高达3 A的电压。在过压条件下,最高可达3 A. 36 V,开关频率折回1 MHz;在高达45 V的负载突降条件下,稳压器关闭。电池连接降压稳压器的输出用作2个同步开关的低压输入。每个下行输出可在1.2 V至3.3 V范围内调节,具有1.5 A电流限制和恒定的2 MHz开关频率。每个开关都有独立的使能和复位引脚,提供额外的电源管理灵活性。对于低Iq工作模式,低压开关被禁用,待机轨由低Iq LDO(高达150 mA)供电,具有典型功能Iq为30 uA。 LDO稳压器与高压开关并联,并在切换器强制进入待机模式时激活。所有3个SMPS输出均采用峰值电流模式控制,内部斜率补偿,内部设置软启动,电池欠压锁定,电池过压保护,逐周期电流限制,打嗝模式短路保护和热关断。错误标志可用于诊断。 特性 优势 可编程扩频 EMI降低 打嗝过流保护 短路事件期间降低功率 个别复位引脚可调延迟 电压监控 带有可湿性侧面...
发表于 07-30 05:02 33次 阅读
NCV97310 具有3个降压稳压器的多输出电源管理单元(PMU)

FAN4868UC33X 3 MHz 同步稳压器

8是一款低功耗升压稳压器,旨在通过单节锂离子或锂离子电池提供稳定的3.3 V输出。输出电压选项固定为3.3 V,在VIN = 2.3 V时保证最大负载电流为200 mA,在VIN = 3.3 V时保证300 mA。关断模式下的输入电流小于1μA,从而最大限度地延长电池寿命。 PFM操作是自动的并且“无故障”。该稳压器可在低负载时保持低至37μA静态电流的输出调节。内置功率晶体管,同步整流和低电源电流的组合使FAN4868成为电池供电应用的理想选择.FAN4868可在6-凸点0.4 mm间距晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)。 特性 使用少量外部元件工作:1μH电感和0402外壳尺寸输入和输出电容 输入电压范围为2.3 V至3.2 V 固定3.3 V输出电压选项 最大负载电流> 150 mA,VIN = 2.3 V 最大负载电流300 mA,VIN = 2.7 V,VOUT = 3.3 V 低工作静态电流 True Load Disc关机期间的连接 具有轻载省电模式的可变导通时间脉冲频率调制(PFM) 内部同步整流器(无需外部二极管) 热关断和过载保护 6-Bump WLCSP,0.4 mm间距 应用 终端产品 为3.3 V核心导轨供电 PDA...
发表于 07-30 05:02 39次 阅读
FAN4868UC33X 3 MHz 同步稳压器

NCV97310A 具有3个降压稳压器的多输出电源管理单元(PMU)

10是3输出稳压器,由低Iq电池连接的3 A 2 MHz非同步开关和两个低压1.5 A 2 MHz同步开关组成;所有都使用集成功率晶体管。高压开关能够以4.1 V恒定的开关频率将4.1 V至18 V电池输入转换为5 V或3.3 V输出,提供高达3 A的电压。在过压条件下,最高可达3 A. 36 V,开关频率折回1 MHz;在高达45 V的负载突降条件下,稳压器关闭。电池连接降压稳压器的输出用作2个同步开关的低压输入。每个下行输出可在1.2 V至3.3 V范围内调节,具有1.5 A电流限制和恒定的2 MHz开关频率。每个开关都有独立的使能和复位引脚,提供额外的电源管理灵活性。对于低Iq工作模式,低压开关被禁用,待机轨由低Iq LDO(高达150 mA)供电,具有典型功能Iq为30 uA。 LDO稳压器与高压开关并联,并在切换器强制进入待机模式时激活。所有3个SMPS输出均采用峰值电流模式控制,内部斜率补偿,内部设置软启动,电池欠压锁定,电池过压保护,逐周期电流限制,打嗝模式短路保护和热关断。错误标志可用于诊断。 特性 优势 打嗝过流保护 在短路事件期间降低功耗 具有可调延迟的单个复位引脚 电压监控 可编程扩频 EMI降低 带有可...
发表于 07-30 04:02 37次 阅读
NCV97310A 具有3个降压稳压器的多输出电源管理单元(PMU)

NCP1095 以太网供电 - 供电设备接口控制器 IEEE 802.3bt

5是符合IEEE.3bt,IEEE 802.3af和/或IEEE 802.3at标准的以太网供电设备(PoE-PD)接口控制器,可实现包括连接照明在内的高功率应用的开发。监控摄像头。 NCP1095集成了PoE系统中的所有功能,例如在浪涌阶段的检测,分类和电流限制。 使用外部传输晶体管,NCP1095可提供高达90瓦的输出电压。 NCP1095还提供Autoclass支持,以根据PD类型和分类优化功率分配。 特性 IEEE 802.3bt,IEEE 802.3af,IEEE 802.3at兼容 - 允许高达90 W的功率 - 保证PoE设备之间的互操作性 安森美半导体PoE-PD解决方案系列的一部分 内置71mΩ传输晶体管,支持高功率应用 包括由PoE或墙上适配器供电的应用程序的辅助检测引脚 支持自动分类(Autoclass)功能,允许供电设备(PSE)有效地为每个受电设备(PD)供电 内置热插拔FET也可提供更高集成度(NCP1096) 应用 终端产品 以太网供电设备(PoE-PD) Internet物联网(IoT) IEEE 802.3bt IEEE 802.3af IEEE 802.3at 数字标牌 卫星数据网 连接照明 视频和VOIP电话 安全摄像机 Pico基...
发表于 07-30 02:02 35次 阅读
NCP1095 以太网供电 - 供电设备接口控制器 IEEE 802.3bt

NCV8843 降压稳压器 1.5 A 340 kHz 具有同步功能

3是一款1.5 A降压稳压器IC,工作频率为340 kHz。该器件采用V 2 ™控制架构,提供无与伦比的瞬态响应,最佳的整体调节和最简单的环路补偿。 NCV8842可承受4.0 V至40 V的输入电压,并包含同步电路。片上NPN晶体管能够提供最小1.5 A的输出电流,并通过外部升压电容进行偏置,以确保饱和,从而最大限度地降低片内功耗。保护电路包括热关断,逐周期电流限制和频率折返短路保护。 特性 优势 V 2 ™控制架构 超快速瞬态响应,改进调节和简化设计 2.0%误差放大器参考电压容差 严格的输出调节 逐周期限流 限制开关和电感电流 开关频率短路时减少4:1 降低短路功耗 自举操作(BOOST) 提高效率并最大限度地降低片内功耗 与外部时钟同步(SYNC) 与外部时钟同步(SYNC) 1.0 A关闭静态电流 当SHDNB为最小时电流消耗最小化断言 热关机 保护IC免于过热 软启动 在启动期间降低浪涌电流并最大限度地减少输出过冲 无铅封装可用 应用 终端产品 汽车 工业 直流电源 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 01:02 35次 阅读
NCV8843 降压稳压器 1.5 A 340 kHz 具有同步功能

MC78M 线性稳压器 500 mA 5至24 V 高PSRR 正极

0 / MC78M00A正线性稳压器与流行的MC7800系列器件完全相同,只是它的输出电流仅为输出电流的一半。与MC7800器件一样,MC78M00三端稳压器用于本地卡上电压调节。 内部通道晶体管的内部限流,热关断电路和安全区域补偿相结合,使这些线性稳压器在大多数工作条件下都非常坚固。具有足够散热的最大输出电流为500 mA。 规格:
发表于 07-29 21:02 49次 阅读
MC78M 线性稳压器 500 mA 5至24 V 高PSRR 正极