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关于晶圆与芯片之间的联系与异同

半导体科技评论 2019-09-03 17:25 次阅读

芯片代工厂商正在将新节点工艺和现有节点的不同工艺大量投入到市场,给芯片制造商带来了困扰和一系列的挑战。

目前已有10nm和7nm的全节点工艺,正在研发5nm和3nm工艺。同时引入了越来越多的半节点或“node-let”技术,包括12nm,11nm,8nm,6nm和4nm。

Node-let在全节点工艺的基础上发展而来。例如,12nm和11nm比16nm/14nm的版本稍先进,8nm和6nm与7nm属于相同类别。

节点名称不再像过去一样直接反映晶体管的实际尺寸。一些芯片制造商通过大肆吹捧节点名称来显示其在「工艺竞赛」中的领导地位。而实际上,其中的数字是随意定义的,许多业内人士仅把它们当作营销术语。

节点的数字很容易理解。对于代工厂客户来说,挑战在于决定使用哪个工艺进行设计以及是否可以提供价值。随着IC设计成本的增加,客户不再能负担得起每个节点开发一个新的芯片。西门子(Siemens)旗下Mentor的总裁兼首席执行官Wally Rhinesyu 说,“所以你必须比较和选择,了解自己的需求和代工厂的能力。”

对于代工厂来说,挑战在于拓展所有这些新工艺,新的10nm和7nm工艺预计将在2018年进行大批量生产,新工艺是当前16nm / 14nm finFET晶体管的缩小版,并且更加复杂。finFET中,电流的控制是通过将栅极加到鳍的三个面上实现的。

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图1:FinFET与平面晶体管  来源:Lam Research

第一代10nm / 7nm工艺将采用光刻和多图案成形设计(multiple patterning),引入了更多的掩膜层和更小的特征尺寸。缺陷更难被发现。10nm/7nm的工艺中不同制造设备的差异也变得更难处理。

显然,这个行业面临一些挑战,“7nm晶圆代工产品的使用可能令人失望,”Gartner的分析师Samuel Wang说,“我之所以这样认为,是因为设计者首个7nm芯片的硅成品率远远低于以前的节点。设计成本高,设计复杂,与合作者深入合作需求高,这些都使一次性设计成功7nm的SOC变得遥不可及。”

一段时间后,芯片制造商发现有可能会解决这个问题。之后,为了简化这个过程,供应商希望在7nm和/或5nm工艺的第二阶段加入极紫外(EUV)光刻。但是,EUV也存在一些挑战。

FinFET预计将缩小至5nm。 除此之外,芯片制造商正在研究各种下一代晶体管类型。 客户也正在评估其他选项,如高级包装

总的来看,全节点工艺周期从传统的2年增加至2.5到3年。尽管如此,在全节点和半节点技术基础上,业界面临着以更快速度提供更多更复杂技术的压力。应用材料(Applied Materials)半导体产品集团高级副总裁Prabu Raja说,“这个行业正在快速地发展,客户每年都在推动我们在各个方面做出新的改变。”

什么是节点?

芯片由晶体管和内部互连组成,我们把晶体管看作开关。通过铜布线实现晶体管顶部的互连,这些布线使电信号实现在晶体管间的传递。

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图2:具有前端和后端的芯片。 来源:维基百科

芯片有10到15层铜互连。通常,第二金属层M2的间距最窄。 TechInsights的分析师Andy Wei表示,“以前,技术节点名称根据最窄节距定义,通常是最合适的布线间距(在M2)。”

随着每个节点推进,晶体管规格缩小了0.7倍。采用光刻技术缩小晶体管尺寸,晶体管缩小的同时,性能提升15%,成本下降35%,面积增加50%,功耗降低40%。这个定理普遍适用于90nm, 65nm, 45nm等数字定义的不同工艺。

但是,28nm以后定理开始失效。英特尔仍遵循0.7倍的缩放规律,但在16nm/14nm,其他规律不再遵循以上定理,不再与金属层间距那么相关。 “之前节点的名字有一定的含义,通常与金属节距有关,”魏说,“在某些方面,我们不再考虑节距,而是把关注点更多地放在下一个节点及其特征上。”

因此,节点名称和规格不再与M2间距一致,而且不同厂商的也不一样。总而言之,如今的节点名称“更像是一个市场化的数字”,他说,“当然,每一个节点都是上一个节点的改进。”

更重要的是,28nm以后晶体管的尺寸缩小更加困难。光刻可以解决一些尺寸缩小的方法,但不适用于所有的尺寸。

因此,单个晶体管的成本——按比例缩小的关键指标——不再遵循陡峭地线性下降的规律。“如果我们除金属间距外加入其它的考虑,这将更加不符合线性下降的规律。如果我们根据金属间距除以一个实际因子来定义节点名称,曲线将变得平缓,但实际上并不符合我们所期望的缩放比例。”他说。

而且,随着设计成本的不断增加,更少的代工厂客户可以承担得起先进节点工艺的费用,16nm/14nm芯片的平均集成电路设计成本为8000万美元,而28nm平面器件的平均集成电路设计成本仅为3000万美元。根据Gartner的说法,设计一个7nm的芯片要花费 2.71亿美元。

工艺节点为16nm / 14nm的finFET对很多客户来说非常昂贵。 “如果客户不需要finFET的性能,那根本不用考虑16nm/14nm的finFET,因为它太贵了。”联华电子(UMC)美国销售的副总裁Walter Ng表示,“据我们了解,目前仍有大量的客户关注28nm,只有特别少的客户在关注finFETs。

有很多应用不需要前沿的工艺节点。“你看汽车电子或物联网,很多客户无法承担前沿工艺的费用,因此,很多汽车电子也不会用到最先进的工艺节点,”Ng说。

也有可以承担起先进节点工艺设计费用的代工厂客户,因为他们需要将最先进的工艺应用于像智能手机这样的传统的应用程序。

人工智能,机器学习和电子货币是推动工艺节点发展的几个最新应用。 “深度学习应用正在席卷全球,其中的训练需要巨大的计算能力,通常由GPU和专用处理器加速。”D2S首席执行官Aki Fujimura表示,“仅此就会增加全球对高性能计算的需求。所以毫无疑问,发展7nm及以下的工艺很有必要。尤其是适用于仿真,图像处理和深度学习的GPU。要实现所有的这些事情,我们必须有足够的计算能力。

出于以上考虑,半导体行业不能停止,甚至不能放慢脚步,这也是为什么芯片制造商一直在寻求使芯片尺寸缩小的新方法。许多方法属于过度缩放(over-scaling)的范畴。英特尔称之为“超微缩技术(hyper-scaling)”。

例如,从22nm / 20nm开始,芯片制造商开始使用193nm浸入式光刻以及各种多图案成形技术。为了减小40nm多的间距,多图案成形在制造中进行了多次光刻,蚀刻和沉积。

同时,原来的平面结构也发展成了三维结构。finFET就是一个最好的例子。然后出现了全栅覆盖结构(gate-over-contact)和其他结构。这反过来改变了材料的混合集成。 “当考虑到垂直结构时,又会出现许多新材料。 那如何对这些材料进行沉积和刻蚀?关于材料的选择方式就出现了巨大的变化,”Applied的Raja说。

再举一个例子,供应商使用的设计协同优化技术。其中的想法是在每个节点,在一个标准单元布局中减小单元高度和单元大小。

标准单元是设计中预定义的逻辑元件。这些单元被放置在一个网格中,track用来是标准单元高度的计量单位。例如,根据微电子研究中心(Imec)的说法,10nm可能有7.5轨道高度(7.5-track height),64nm的栅极间距,48nm的金属间距。

在7nm情况下,高度大概为7 至 6 tracks,据微电子研究中心分析,栅极和金属间距分别为56nm和36nm。

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图3缩放单元使单元库缩小 来源:Imec

这反过来又使缩放提升了0.52倍。“尺寸缩放与标准单元高度缩放并行。” Imec半导体技术和系统的执行副总裁An Steegen说,“这种方式使节点到节点减小了50%的面积。”

14nm开始,英特尔通过引入双高度轨道技术(double-height track)——将两组轨道相结合——进一步推进了这一技术。 “(英特尔)把原来的宽单元折叠起来,”TechInsights的Wei说,“表面上看,它好像使用了更多的区域。它比较窄,但高度变为原来的两倍,折叠起来面积更小。当你折叠单元时,可以使用更小的线路,而且整体的电阻更小,性能更好。”

这种技术是否可以使缩放再次符合传统单个晶体管曲线仍存在争议,但是此技术和其他技术成为了这个等式中不可缺少的一部分。 “你需要这些技术,因为你正在使新节点技术更加复杂。”格罗方德(Global Foundries)的首席技术官Gary Patton表示,“你需要超微缩技术来满足缩放2倍多的要求。”

那么,节点和node-let(有时称为inter-nodes)的定义是什么?“至少从英特尔的角度来看,全节点与之前的节点相比需要接近2倍的晶体管密度的提高,” 英特尔高级研究员、流程架构与集成总监Mark解释说,“全节点也是我们通常引入技术改进的地方,例如高k /金属栅极和finFET。半节点就是在全节点上进一步优化的地方。”

如何选择成了一个问题

无论如何,代工厂客户都不知道如何去选择。下面的图表中列出了一些选项。

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图1:代工厂计划和现状 来源:分析员,代工厂报告/半导体工程

节点解密的一种方法是将英特尔的战略与其他战略分开。英特尔引入了一个全节点的流程,在此基础上开发增强功能。Bohr说:“英特尔经常每三年有一个大动作,然后在此基础上反复的进行小修改。”

其他芯片制造商的全节点和半节点工艺从名字上来看似乎是领先于英特尔的, “其中有些是为了竞争,” Bohr说,“英特尔工艺竞赛中仍处于领先地位。”

然而,代工厂正在为客户提供各种选择。假如16nm / 14nm是一个起点。 “有些将保持在14nm,之后直接跳到7nm,”Global Foundries的Patton说,“而有些正在寻找14nm的扩展。”

例如,12nm是16nm / 14nm的延伸。它的性能比16nm / 14nm稍好。

前沿,代工厂正在研发10nm / 7nm。英特尔的14nm工艺大致相当于其他代工厂的10nm。英特尔的10nm相当于Global Foundries和台积电的7nm,三星的8nm。

Patton解释说:“在我所说的“7nm”中有四种技术。“我们可以讨论其中哪一个技术最高,哪个性价比最好,但是他们都在PPAC中拥有相同的编码。”

Patton指的是客户关注的关键指标——功耗、性能、面积和成本。那么哪个节点提供最好的PPAC?类似于以前,它在很大程度上取决于设计和应用。 Semico Research的制造总经理Joanne Itow表示,“代工厂的客户很精明,知道他们决定与谁合作、使用哪些流程最终取决于技术的性能、经济性以及代工厂与客户之间的融洽程度。”

一位匿名的代工厂客户概述了一个可能的策略。一般来说,一家公司的旗舰芯片产品是针对16nm / 14nm和7nm等全节点工艺的。

那么,一家公司可能会有一些附加产品或新的芯片预定为16nm/14nm。对于这些来说,公司将会考虑像12nm / 11nm这样的半节点工艺。根据代工厂的说法,“代工厂不只是缩放所有的层,而是用12nm / 11nm的半节点工艺来缩放选定层。所以,我们可以在不增加掩膜层,不增加成本和复杂性的条件下从14nm发展到11nm。”

由于一些原因,12nm和/或11nm是很有吸引力的。多数情况下,16nm/ 14nm与12nm和11mnm之间的IP相似,因此我们很容易决定转向12nm和11nm的半节点工艺。但是,如果IP在12nm和/或11nm不可用,代工厂客户要尽量避免转向12nm和11nm的半节点。

12nm和/或11nm之后,客户可以发展到7nm或类似的工艺。所有这一切都取决于生态系统。并不是所有的代工厂和IP公司都可以承担起在每个节点和节点间开发IP。 “这使半节点的应用变得复杂。这不仅仅是工艺技术,而且还需要IP”据某些消息。

所以客户必须考虑个解决方案。 “你必须更深入地看每个过程,了解规格。 “在选择使用哪个工艺时,很大程度取决于你设计中的重要参数。” Mentor的Rhines说,“代工厂拥有可以使用的物理IP,或者有能力将RTL级别的IP综合到设计中并使其运作,这一点也很重要。”

最重要的是,7nm的情况下代工厂需要与客户进行更多的合作。 Gartner公司的王先生说:“除了使这种技术可以在7nm情况下进行生产外,晶圆代工厂还需要花费更多的时间来帮助设计公司降低设计成本、验证IP和首个成品,以缩短产品上市的时间。

还有一些其他的考虑。代工厂客户也必须检查各种流程,并决定是否满足需求。

并不是所有的工艺都是一样的,但是代工厂正迈入10nm / 7nm的大体方向。 首先,他们在每个节点上都做出更高更薄的鳍片以增大驱动电流。例如,英特尔的14nm finFET技术中鳍片间距42nm,鳍片高度42nm。 10nm工艺中,英特尔的鳍片间距34nm,鳍片高度53nm,这意味着鳍片更高。

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图4: 14nm与10nm中的鳍片,金属,栅极间距和单元高度  来源:英特尔

芯片制造商想通过EUV光刻来形成鳍片和其他结构。EUV将有助于简化这一过程,但对于10nm / 7nm来说该技术尚未成熟。 所以对于10nm / 7nm,最初他们将使用193nm浸没式光刻(193nm immersion)和多图案化。 例如,采用193nm浸没式光刻和自对准四重图案(SAQP),英特尔在10nm工艺中开发了36nm金属间距。

英特尔的10nm工艺有12层金属层。最低的两个互连层由铜变为钴,使电迁移率提高了5-10倍,通孔电阻降低了2倍。

相比之下,Global Foundries的7nm finFET工艺具有30nm的鳍距,56nm的接触栅极间距以及40nm的金属间距。与英特尔不同,Global Foundries在金属层上使用了自对准双重图案。

“这使后端操作更加灵活,”Patton说, “我们通过其他方式获得密度。 所以,如果你有关键的线路,你可以广泛地布线。”

Global Foundries的策略与英特尔在互连金属方面也有所不同。“我们通过对铜线的改进,提高了近100倍的电迁移率,所以我们可以继续使用铜来布线,其产量和复杂性有很大的优势。” Patton说。

不过,Globa lFoundries正在使用钴作为MOL,从而降低了接触电阻。

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图5:各个节点中的互连,接触点和晶体管 资料来源:应用材料

不过,晶圆代工厂在发展10nm / 7nm中也面临一些挑战,因此客户必须密切关注该技术的关键问题。 “首个挑战就是是边缘放置错误,这是特征尺寸(CD)和覆盖导致的,”TEL和高级技术成员Ben Rathsack说,“在你将前端连接到后端的过程中,MOL往往会遇到一些问题,这确实是最复杂的地方。”

随着时间的推移,台积电和Global Foundries希望在7nm的第二代中加入EUV。而三星计划一开始就计划在7nm的工艺中加入EUV。

这取决于EUV的准备情况, Rathsack说:“如果EUV足够成熟,可以用来节约成本,那也许在7nm的第二代或第三代中,都可能会有EUV的出现。”

关于未来

目前还不清楚是否所有的节点工艺都会长期存在。更大的问题是,finFET尺寸会缩小到哪里? “5nm的布线非常清晰,FinFET至少会发展到5nm。:“还有可能到3nm,” Lam Research公司首席技术官Rick Gottscho表示,“之后还会有其他的解决方案,无论是水平还是垂直的全栅结构(GAA)。会出现新的材料,也会有很多挑战。”

业界正在探索横向全栅FET(gate-all-around FET)和纳米FET(nanosheet FET)。 在这两种情况下,一个finFET放在旁边,栅环绕在其周围。

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图6:(a) finFET, (b) nanowire和 (c) nanosheet的模拟截面

现在说5nm及以下会发生什么还为时过早。“一些代工厂仍没有确定5nm器件结构。 台积电和GF可能会使用finFET,三星可能会选择5nm(和4nm)的全栅结构(GAA)。 英特尔目前还不清楚,”Gartner的王说,“除非7nm下使用EUV生产有成功的案例,否则我不相信设计师可以发展为5nm的承诺。”

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作为新时代的职场人,一心二用甚至多用早已成为标配,同时还要胜任在不同场景下随时随地办公的要求。用手机....
的头像 牵手一起梦 发表于 12-11 16:15 722次 阅读
华为MatePad Pro智慧分屏,搭载麒麟990芯片将于明日开售

光学传感器芯片可以检测出癌症?

使用微盘激光器,而不是其他类似传感器中使用的非激光环形谐振器,开启了前所未有的灵敏度之门。
发表于 12-11 15:23 85次 阅读
光学传感器芯片可以检测出癌症?

一种由亚麻线制成的晶体管

近日,美国塔夫茨大学的工程师团队开发出一种由亚麻线制成的晶体管,并创造出完全由细线制成的电子器件。这....
的头像 IntelligentThings 发表于 12-11 14:59 302次 阅读
一种由亚麻线制成的晶体管

世界上最薄、最轻的用于生物仪器的差分放大器

可是当与坚硬的电子器件接触时,柔软的生物组织例如皮肤很容易红肿发炎。因此,长时间监测日常生活中的生物....
的头像 IntelligentThings 发表于 12-11 14:55 353次 阅读
世界上最薄、最轻的用于生物仪器的差分放大器

英特尔发布未来十年制造工艺扩展路线图,2029年推1.4纳米工艺

12月11日消息,据外媒报道,在今年的IEEE国际电子设备会议(IEDM)上,芯片巨头英特尔发布了2....
的头像 牵手一起梦 发表于 12-11 14:37 533次 阅读
英特尔发布未来十年制造工艺扩展路线图,2029年推1.4纳米工艺

荣耀MagicWatch 2搭载麒麟A1芯片,将于12月12日开售

12月11日消息,11月26日,荣耀正式推出了荣耀MagicWatch 2,搭载了麒麟A1芯片,采用....
的头像 牵手一起梦 发表于 12-11 14:21 348次 阅读
荣耀MagicWatch 2搭载麒麟A1芯片,将于12月12日开售

超越韩国,中国台湾成半导体设备最大市场

国际半导体设备与材料协会(SEMI)12月11日发布报告表示,全球半导体制造设备销售额将从去年的历史....
的头像 汽车玩家 发表于 12-11 14:02 469次 阅读
超越韩国,中国台湾成半导体设备最大市场

2019年全球第四季晶圆代工厂营收,台积电以大优势领先

12月11日消息,根据集邦咨询的消息,第四季全球前十大晶圆代工厂营收排名出炉,台积电遥遥领先,三星第....
的头像 牵手一起梦 发表于 12-11 13:37 428次 阅读
2019年全球第四季晶圆代工厂营收,台积电以大优势领先

2019年全球半导体设备销售金额减少10.5%,明年或回暖

国际半导体产业协会(SEMI)预估,2019年全球半导体制造设备销售金额将自去年高点减少10.5%至....
的头像 汽车玩家 发表于 12-11 11:38 609次 阅读
2019年全球半导体设备销售金额减少10.5%,明年或回暖

液晶芯片LCD1602的中文资料免费下载

LCD1602已很普遍了,具体介绍我就不多说了,市面上字符液晶绝大多数是基于HD44780液晶芯片的....
发表于 12-11 11:36 47次 阅读
液晶芯片LCD1602的中文资料免费下载

西安三星电子闪存芯片项目二期正式启动 投资达80亿美元

日前,西安三星电子闪存芯片项目再次取得重要突破。12月10日,该项目二期第二阶段80亿美元投资正式启....
的头像 半导体动态 发表于 12-11 10:52 799次 阅读
西安三星电子闪存芯片项目二期正式启动 投资达80亿美元

XILINX商用、工业、军用及宇航级的区分

[table] [tr][td]我公司做XILINX电子商务销售十余年,只是从事销售,个人浅薄知识分享: 大家都清楚C代表的是商用级、I...
发表于 12-09 11:07 241次 阅读
XILINX商用、工业、军用及宇航级的区分

求助,这是什么芯片,型号是什么?

这个是激光管控制的一芯片,要维修,但不知道是什么型号的芯片。...
发表于 12-07 21:04 395次 阅读
求助,这是什么芯片,型号是什么?

AD格式标准封装库 SMT必备资料 硬件工程师福音

部分截图   基本常用的芯片全都有  值得拥有 ...
发表于 12-07 11:12 367次 阅读
AD格式标准封装库 SMT必备资料 硬件工程师福音

想找一个芯片

想找一个芯片,不知道有没有这种芯片, 功能是8路或者16路的数字量输入(超过16路的也行),然后输出只有1路,输出内容是把输入...
发表于 12-06 09:47 393次 阅读
想找一个芯片

芯片型号查不出来,请大神帮忙看看是什么型号。

谢谢各位,坐等啊,比较着急。
发表于 12-03 11:48 385次 阅读
芯片型号查不出来,请大神帮忙看看是什么型号。

使用dsp33E芯片下载代码时出错

编译下载时出现这种情况,求问各位大佬是什么情况...
发表于 12-03 10:37 124次 阅读
使用dsp33E芯片下载代码时出错

acs-712输出电压没变化,求指导下,急,谢谢

大佬些,我用ACS-712芯片,20安的测电流,现在情况是这样,没通交流电时芯片输出是2.5伏,通上交流电时,芯片输出端仍然是2.5...
发表于 12-02 10:40 215次 阅读
acs-712输出电压没变化,求指导下,急,谢谢

晶体管β参数测试电路的设计,如何用Proteus仿真?用液晶屏显示?

课题:晶体管β参数测试电路的设计 要求用Proteus仿真,采用适当的A/D芯片,最好串行转换,液晶显示。 已尝试用发光二级管...
发表于 11-30 18:30 318次 阅读
晶体管β参数测试电路的设计,如何用Proteus仿真?用液晶屏显示?

NCP500 LDO稳压器 150 mA 低压差 低噪声

低压降(LDO)线性稳压器专为需要低噪声工作,快速响应时间和低压差的便携式电池供电应用而设计。该器件无需外部噪声旁路电容即可实现低噪声性能。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,以及电流限制和温度限制保护电路。 NCP500 LDO线性稳压器设计用于与低成本陶瓷电容器一起使用,要求最小输出电容为1.0 mF。标准电压版本为1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3和5.0 V. 特性 150 mA时超低压降170 mV 快速启用20微秒的开启时间 1.8 V至6.0 V的宽工作电压范围 出色的线路和负载调节 高精度输出电压2.5% 启用可以通过1.0 V逻辑直接驱动 非常小的QFN 2x2封装 无铅封装可能有售。* G-Suffix表示无铅铅...
发表于 08-13 17:36 28次 阅读
NCP500 LDO稳压器 150 mA 低压差 低噪声

NCP699 LDO稳压器 150 mA 带使能

固定输出LDO线性稳压器专为需要低静态电流的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 NCP699系列具有40 uA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的内部电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP699设计用于低成本陶瓷电容器。该器件采用微型TSOP-5表面贴装封装。标准电压版本为1.3,1.4,1.5,1.8,2.5,2.8,3.0,3.1,3.3,3.4和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 优势 极低地电流为40 uA典型 最大限度地降低功耗 150 mA时的低压差340 mV和3.0 V Vout 延长电池使用量。保留更长的监管 启用控制(高电平有效,支持低于1伏逻辑) 输出电压精度为2.0% 工作温度范围-40C至+ 85C 使用1 uF陶瓷或钽电容器稳定 应用 终端产品 移动电话 电池供电的消费产品 HandHeld Instruments 打印机和办公设备 摄像机和相机 打印机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 09:02 22次 阅读
NCP699 LDO稳压器 150 mA 带使能

NCP698 LDO稳压器 150 mA 超低Iq

列固定输出低压差(LDO)线性稳压器专为需要低静态的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。该系列具有2.5 uA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP698系列提供用于ON / OFF控制的使能引脚。 NCP698设计用于低成本陶瓷电容器,需要0.1μF的最小输出电容。该器件采用微型SC82-AB表面贴装封装。标准电压版本为1.3,1.5,1.8,2.5,2.8,3.0,3.3,3.5和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。可提供无铅电镀选项。 特性 优势 超低静态和接地电流 最小化功耗 低压差 延长电池使用时间。保留更长的监管。 低输出电压选项 输出电压准确度为2.0% 温度范围-40C至85C 应用 终端产品 电池供电仪器 手持式仪器 摄像机和相机 MP3播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 09:02 32次 阅读
NCP698 LDO稳压器 150 mA 超低Iq

NCP563 LDO稳压器 80 mA 超低Iq

定输出低压差(LDO)线性稳压器专为需要低静态的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。该系列具有2.5μA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP562系列提供用于ON / OFF控制的使能引脚。 NCP562设计用于低成本陶瓷电容器,需要0.1μF的最小输出电容。该器件采用微型SC82-AB表面贴装封装。标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3,3.5和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。可以使用无铅电镀选项。 特性 典型值为2.5μA的低静态电流 低输出电压选项 输出电压精度为2.0% -40°C至85°C的温度范围 NCP562提供启用引脚 Pb - 免费套餐可用 应用 终端产品 电池供电仪器 手持式仪器 摄像机和相机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 08:02 35次 阅读
NCP563 LDO稳压器 80 mA 超低Iq

NCP511 LDO稳压器 150 mA 超低压差 低Iq

固定输出低静态电流低压降(LDO)线性稳压器专为需要低静态电流的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 NCP511具有40μA的超低静态电流。每个LDO线性稳压器包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP511设计用于低成本陶瓷电容器,要求最小输出电容为1.0 5F。 LDO采用微型TSOP-5表面贴装封装。标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 低典型值为40μA的静态电流 100 mA时100 mV的低压差电压 出色的生产线和负荷调节 最大工作电压6.0 V 低输出电压选项 高精度输出电压2.0% 工业温度范围-40°C至85°C 无铅封装可用 应用 手机 电池供电仪器 手持式仪器 Camcorde rs和相机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 08:02 22次 阅读
NCP511 LDO稳压器 150 mA 超低压差 低Iq

MC79M LDO稳压器 500 mA 5 V 负极

0负线性稳压器用于补充流行的MC78M00系列器件。 可提供-5.0,-8.0,-12和-15 V的固定输出电压选项,该负线性稳压器采用限流,热关断和安全区域补偿 - 使其在大多数操作下非常坚固条件。通过充分的散热,可以提供超过0.5 A的输出电流。 规格: MC79M00B MC79M00C 公差 4% 4% 温度范围 -40°C至+ 125°C 0°C至+ 125°C 封装 DPAK,TO-220 DPAK,TO-220 特性 无需外部组件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 也可用于表面贴装DPAK(DT)封装器件类型/标称输出电压MC79M05 -5.0 VMC79M 12-12 V MC79M08-8.0 VMC79M15-15 V 无铅封装可能有效。 G-Suffix表示 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 07:02 59次 阅读
MC79M LDO稳压器 500 mA 5 V 负极

MC34268 LDO稳压器 800 mA 2.85 V SCSI-2有源端接器

8是一款中等电流,低压差(LDO)正线性稳压器,专为SCSI-2有源终端电路而设计。该器件为电路设计人员提供了一种经济的精密电压调节解决方案,同时将功率损耗降至最低。线性稳压器由1.0 V压差复合PNP / NPN传输晶体管,限流和热限制组成。该LDO采用SOIC-8和DPAK-3表面贴装功率封装。 应用包括有源SCSI-2端接器和开关电源的后置调节。 特性 2.85 V SCSI-2有源端接的输出电压 1.0 V Dropout 输出电流超过800 mA 热保护 短路保护 输出调整为1.4%容差 无需最低负载 节省空间的DPAK-3,SOT-223和SOIC-8表面贴装电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 51次 阅读
MC34268 LDO稳压器 800 mA 2.85 V SCSI-2有源端接器

MC78LC LDO稳压器 80 mA 超低Iq

00低压降(LDO)线性稳压器专为需要低静态电流的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 MC78LC00系列具有1.1μA的超低静态电流。每个LDO线性稳压器包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管和用于设置输出电压的电阻。 MC78LC00低压降(LDO)线性稳压器设计用于低成本陶瓷电容器,要求最小输出电容为0.1μF。 LDO采用微型薄型SOT23-5表面贴装封装和SOT-89,3引脚封装。标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3,4.0和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 低静态电流1.1μA典型 出色的线路和负载调节 最大工作电压12 V 低输出电压选项 高精度输出电压2.5% 工业温度范围-40°C至85°C 两个表面贴装封装(SOT-89,3针或SOT-23,5针) 无铅封装可用 应用 电池供电仪器 手持式仪器 Camcorde rs和相机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 79次 阅读
MC78LC LDO稳压器 80 mA 超低Iq

MC7900 线性稳压器 1 A 5 V 负极

固定输出负线性稳压器旨在作为流行的MC7800系列器件的补充。该负电压调节器提供与MC7800器件相同的七电压选项。此外,负系统MC7900系列还提供MECL系统中常用的一个额外电压选项。 这些线性稳压器具有-5.0 V至-24 V的固定输出电压选项,采用限流,热关断和安全区域补偿 - 使其在大多数工作条件下非常坚固。通过充分的散热,它们可以提供超过1.0 A的输出电流。 规格: MC7900AC MC7900B MC7900C 容差 2% 4% 4% 温度范围 0°C至+ 125°C -40°C至+ 125°C 0°C至+ 125° C 包装 D2PAK,TO-220 D2PAK,TO-220 D2PAK,TO -220 特性 无需外部组件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 2%电压T可用油酸(参见订购信息) 无铅包可能有货。 G-Suffix表示无铅铅涂层。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 38次 阅读
MC7900 线性稳压器 1 A 5 V 负极

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 44次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

NCV97310 具有3个降压稳压器的多输出电源管理单元(PMU)

10是3输出稳压器,由低Iq电池连接的3 A 2 MHz非同步开关和两个低压1.5 A 2 MHz同步开关组成;所有都使用集成功率晶体管。高压开关能够以4.1 V恒定的开关频率将4.1 V至18 V电池输入转换为5 V或3.3 V输出,提供高达3 A的电压。在过压条件下,最高可达3 A. 36 V,开关频率折回1 MHz;在高达45 V的负载突降条件下,稳压器关闭。电池连接降压稳压器的输出用作2个同步开关的低压输入。每个下行输出可在1.2 V至3.3 V范围内调节,具有1.5 A电流限制和恒定的2 MHz开关频率。每个开关都有独立的使能和复位引脚,提供额外的电源管理灵活性。对于低Iq工作模式,低压开关被禁用,待机轨由低Iq LDO(高达150 mA)供电,具有典型功能Iq为30 uA。 LDO稳压器与高压开关并联,并在切换器强制进入待机模式时激活。所有3个SMPS输出均采用峰值电流模式控制,内部斜率补偿,内部设置软启动,电池欠压锁定,电池过压保护,逐周期电流限制,打嗝模式短路保护和热关断。错误标志可用于诊断。 特性 优势 可编程扩频 EMI降低 打嗝过流保护 短路事件期间降低功率 个别复位引脚可调延迟 电压监控 带有可湿性侧面...
发表于 07-30 05:02 35次 阅读
NCV97310 具有3个降压稳压器的多输出电源管理单元(PMU)

FAN4868UC33X 3 MHz 同步稳压器

8是一款低功耗升压稳压器,旨在通过单节锂离子或锂离子电池提供稳定的3.3 V输出。输出电压选项固定为3.3 V,在VIN = 2.3 V时保证最大负载电流为200 mA,在VIN = 3.3 V时保证300 mA。关断模式下的输入电流小于1μA,从而最大限度地延长电池寿命。 PFM操作是自动的并且“无故障”。该稳压器可在低负载时保持低至37μA静态电流的输出调节。内置功率晶体管,同步整流和低电源电流的组合使FAN4868成为电池供电应用的理想选择.FAN4868可在6-凸点0.4 mm间距晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)。 特性 使用少量外部元件工作:1μH电感和0402外壳尺寸输入和输出电容 输入电压范围为2.3 V至3.2 V 固定3.3 V输出电压选项 最大负载电流> 150 mA,VIN = 2.3 V 最大负载电流300 mA,VIN = 2.7 V,VOUT = 3.3 V 低工作静态电流 True Load Disc关机期间的连接 具有轻载省电模式的可变导通时间脉冲频率调制(PFM) 内部同步整流器(无需外部二极管) 热关断和过载保护 6-Bump WLCSP,0.4 mm间距 应用 终端产品 为3.3 V核心导轨供电 PDA...
发表于 07-30 05:02 41次 阅读
FAN4868UC33X 3 MHz 同步稳压器

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 78次 阅读
FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCV97310A 具有3个降压稳压器的多输出电源管理单元(PMU)

10是3输出稳压器,由低Iq电池连接的3 A 2 MHz非同步开关和两个低压1.5 A 2 MHz同步开关组成;所有都使用集成功率晶体管。高压开关能够以4.1 V恒定的开关频率将4.1 V至18 V电池输入转换为5 V或3.3 V输出,提供高达3 A的电压。在过压条件下,最高可达3 A. 36 V,开关频率折回1 MHz;在高达45 V的负载突降条件下,稳压器关闭。电池连接降压稳压器的输出用作2个同步开关的低压输入。每个下行输出可在1.2 V至3.3 V范围内调节,具有1.5 A电流限制和恒定的2 MHz开关频率。每个开关都有独立的使能和复位引脚,提供额外的电源管理灵活性。对于低Iq工作模式,低压开关被禁用,待机轨由低Iq LDO(高达150 mA)供电,具有典型功能Iq为30 uA。 LDO稳压器与高压开关并联,并在切换器强制进入待机模式时激活。所有3个SMPS输出均采用峰值电流模式控制,内部斜率补偿,内部设置软启动,电池欠压锁定,电池过压保护,逐周期电流限制,打嗝模式短路保护和热关断。错误标志可用于诊断。 特性 优势 打嗝过流保护 在短路事件期间降低功耗 具有可调延迟的单个复位引脚 电压监控 可编程扩频 EMI降低 带有可...
发表于 07-30 04:02 39次 阅读
NCV97310A 具有3个降压稳压器的多输出电源管理单元(PMU)

NCP1095 以太网供电 - 供电设备接口控制器 IEEE 802.3bt

5是符合IEEE.3bt,IEEE 802.3af和/或IEEE 802.3at标准的以太网供电设备(PoE-PD)接口控制器,可实现包括连接照明在内的高功率应用的开发。监控摄像头。 NCP1095集成了PoE系统中的所有功能,例如在浪涌阶段的检测,分类和电流限制。 使用外部传输晶体管,NCP1095可提供高达90瓦的输出电压。 NCP1095还提供Autoclass支持,以根据PD类型和分类优化功率分配。 特性 IEEE 802.3bt,IEEE 802.3af,IEEE 802.3at兼容 - 允许高达90 W的功率 - 保证PoE设备之间的互操作性 安森美半导体PoE-PD解决方案系列的一部分 内置71mΩ传输晶体管,支持高功率应用 包括由PoE或墙上适配器供电的应用程序的辅助检测引脚 支持自动分类(Autoclass)功能,允许供电设备(PSE)有效地为每个受电设备(PD)供电 内置热插拔FET也可提供更高集成度(NCP1096) 应用 终端产品 以太网供电设备(PoE-PD) Internet物联网(IoT) IEEE 802.3bt IEEE 802.3af IEEE 802.3at 数字标牌 卫星数据网 连接照明 视频和VOIP电话 安全摄像机 Pico基...
发表于 07-30 02:02 41次 阅读
NCP1095 以太网供电 - 供电设备接口控制器 IEEE 802.3bt

NCV8843 降压稳压器 1.5 A 340 kHz 具有同步功能

3是一款1.5 A降压稳压器IC,工作频率为340 kHz。该器件采用V 2 ™控制架构,提供无与伦比的瞬态响应,最佳的整体调节和最简单的环路补偿。 NCV8842可承受4.0 V至40 V的输入电压,并包含同步电路。片上NPN晶体管能够提供最小1.5 A的输出电流,并通过外部升压电容进行偏置,以确保饱和,从而最大限度地降低片内功耗。保护电路包括热关断,逐周期电流限制和频率折返短路保护。 特性 优势 V 2 ™控制架构 超快速瞬态响应,改进调节和简化设计 2.0%误差放大器参考电压容差 严格的输出调节 逐周期限流 限制开关和电感电流 开关频率短路时减少4:1 降低短路功耗 自举操作(BOOST) 提高效率并最大限度地降低片内功耗 与外部时钟同步(SYNC) 与外部时钟同步(SYNC) 1.0 A关闭静态电流 当SHDNB为最小时电流消耗最小化断言 热关机 保护IC免于过热 软启动 在启动期间降低浪涌电流并最大限度地减少输出过冲 无铅封装可用 应用 终端产品 汽车 工业 直流电源 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 01:02 38次 阅读
NCV8843 降压稳压器 1.5 A 340 kHz 具有同步功能

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 00:02 27次 阅读
NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 82次 阅读
NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

MC78M 线性稳压器 500 mA 5至24 V 高PSRR 正极

0 / MC78M00A正线性稳压器与流行的MC7800系列器件完全相同,只是它的输出电流仅为输出电流的一半。与MC7800器件一样,MC78M00三端稳压器用于本地卡上电压调节。 内部通道晶体管的内部限流,热关断电路和安全区域补偿相结合,使这些线性稳压器在大多数工作条件下都非常坚固。具有足够散热的最大输出电流为500 mA。 规格:
发表于 07-29 21:02 51次 阅读
MC78M 线性稳压器 500 mA 5至24 V 高PSRR 正极

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 163次 阅读
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5