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回顾台积电与三星的3nm争斗

半导体科技评论 2019-08-27 17:47 次阅读

4月18日,在台积电召开第一季度财报会议中,台积电指出3nm技术已经进入全面开发的阶段。5月15日,三星在Foundry Forum活动中,发布了公司第一款3nm工艺的产品设计套件。由此看来,在英特尔还在纠结10nm如何向前发展之际。先进工艺的战火已经在台积电和三星的推动下,燃烧到了3nm。

去年,三星的Foundry Forum活动中强调了先进封装的重要性;今年,三星的Foundry Forum则将重点放在了先进制程的进度上。就此,我们也能够很明显地感受到,三星与台积电之间的竞争越发激烈。

战略部署:3nm何时到来?

在先进制程方面,台积电和三星的关系可以说是针尖对麦芒,两者之间的龙争虎斗也着实精彩。2015~2016年,三星Foundry先进制程能力的逐步成熟,从台积电那里夺得了不少大客户订单。2016~2017年,台积电先进制程的进一步成熟,并凭借InFO技术独揽苹果大单。2017年,三星又宣布将晶圆代工部分独立,扩大纯晶圆代工业务份额,直接对标台积电。至此以后,两者之间关于先进制程的抢滩战越来越激烈。

就目前公开的消息来看,台积电和三星都已经透露了一些关于3nm工艺节点上的进展。目前来看,5nm、3nm节点主要面向FPGA等高性能计算领域,智能处理器和5G芯片。而2019年被视为是5G商用元年,在接下来的两三年中,5G将会被大规模使用。或许,这也是两大晶圆代工龙头纷纷选择透露3nm进程的诱因之一。

回顾台积电与三星的3nm争斗

2018年12月,据台湾媒体报道称,台积电的3nm晶圆厂方案已经获得台湾主管部门批准,选址台湾南部科技园区。据悉,台积电3nm工厂建设预计会花费超过200亿美元,同时有望带动相关供应商跟进建厂。依照台积电规划蓝图,3nm应可在2021年试产、2022年量产,成为全球第一家提供晶圆代工服务,同时解决很多AI人工智能芯片功效更强大的晶圆代工厂。

前不久,三星也公布了未来的制程工艺路线图,公司计划今年推出7nm EUV工艺,明年有5/4nm EUV工艺,2020年则会推出3nm EUV工艺,同时晶体管类型也会从FinFET转向GAA结构。据悉,三星3GAE工艺中还在开发当中,不过他们4月份就发布了3GAE工艺的PDK 1.0工艺设计套件,旨在帮助客户尽早开始设计工作,提高设计竞争力,同时缩短周转时间(TAT)。

基于GAA的工艺节点有望在下一代应用中广泛采用,例如移动、网络通讯、汽车电子、人工智能(AI)和IoT物联网等。三星还透露,通过使用全新的晶体管结构可使性能提升35%、功耗降低50%,芯片面积缩小45%。不过,三星官方没有明确3GAE工艺量产时间,但根据市场猜测,三星3nm在2021年实现量产是大概率事件。

而就以上消息来看,三星将早于台积电一年推出3nm工艺。谁能更快地推出可靠的新工艺,谁就有可能掌握在该制程上的最大话语权。为了能够赢得3nm这场抢滩战的胜利,都需要哪些技术来助攻?

助攻一:晶体管结构

目前,先进制程多数采用立体结构,即"FinFET"(鳍式场效晶体管),此结构的通道是竖起来而被闸极给包围起来的,因为形状像鱼类的鳍而得名,如此一来闸极偏压便能有效调控通道电位,因而改良开关特性。但是FinFET在经历14/16nm、7/10nm阶段后,不断拉高的深宽比(aspect ratio)让前段制程已逼近物理极限,再继续微缩的话,先不提电性是否还能有效提升,就结构而言就已有许多问题。

为了扩展,通道和栅极之间的接触面积需要增加,Gate-All-Around(GAA)设计被提了出来。GAA调整了晶体管的尺寸,以确保栅极也位于通道下方,而不仅仅在顶部和侧面。这允许GAA设计垂直堆叠晶体管,而不是横向堆叠晶体管。

三星方面,据公开消息整理,三星与IBM合作开发了GAAFET(Gate-All-Around)工艺节点,同时,三星也已宣布对早期工艺进行定制。三星Foundry市场副总裁Ryan Sanghyun Lee称,自2002年以来,三星一直在开发其GAA技术的专有实现,称为多桥通道FET(MBCFET)。该公司指出,其MBCFET技术使用纳米片器件来增强栅极控制,这可以显着改善晶体管的性能。据悉,它可以通过用纳米片代替Gate All Around的纳米线来实现每堆更大的电流。取代增加了传导面积,允许增加更多的栅极而不增加横向足迹。三星声称MBCFET的设计将改善工艺的开关行为,并允许处理器将工作电压降至0.75V以下。MBCFET的关键点在于该工艺与FinFET设计完全兼容,不需要任何新的制造工具。

回顾台积电与三星的3nm争斗

在前不久三星举行的Foundry Forum上,三星称3nm工艺时代不再使用FinFET晶体管,而是使用全新的晶体管结构——GAA(Gate-All-Around环绕栅极)晶体管,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。

回顾台积电与三星的3nm争斗

在台积电方面,官方公布有关于3nm技术方面的消息较少。据芯科技消息称,台积电3nm制程技术已进入实验阶段,业内人士更透露,3nm制程在"Gate All Around(GAA) "、环绕式闸极技术上已有新突破。业内人士进一步表示,台积电已经做出环绕式闸极的结构,外型就像类圆形般,但因为尺寸比前一代缩小30%,也必须导入新材料InAsGe nanowire and Silicon nanowire,因此制程技术上相当困难,尤其是在蚀刻部分是大挑战,不过以优势来说,环绕式闸极的结构将可以改善ESD静电放电、且优化尖端放电的问题,材料厂的高管也认为,环绕式闸极的结构得以继续微缩栅长尺寸。

由此可见,GAA架构将成为3nm工艺上不可缺少的技术。

助攻二:EUV

在上文三星所提到的先进制程路线图时,我们不止一次看到了EUV的身影。同时,我们也通过台积电在今年来的动作上,发现了EUV对于先进制程能够得到进一步发展的重要性——前不久,台积电宣布已完成其5纳米工艺节点的基础设施设计,该节点将利用该公司的第二代极紫外(EUV)以及深紫外(DUV)光刻技术。

Techshop消息称,从3月底开始,台积电准备开始使用极紫外光刻技术批量生产7nm晶圆。ASML已经为台积电在2019年计划的30个系统中分配了18个。接下来,台积电的7nm EUV产量将全面运行,该公司的5nm工艺将转向风险生产状态。EUV将继续用于5nm,预计可行至3nm。到2019年底,台积电将在5nm节点上进行芯片设计,预计到2020年初量产。据悉,2018年,7nm EUV仅占台积电销售额的9%。今年,新工艺有望占其总销售额的四分之一。

在三星方面,去年 10 月,三星就宣布了准备初步生产 7nm 工艺,这是三星首个采用 EUV 光刻技术的工艺节点。据悉,三星已提供业界首批基于EUV的新产品的商业样品,并于今年年初开始量产 7nm 工艺。与其前身的10nm FinFET相比,三星的7LPP技术不仅大大降低了工艺复杂性,而且层数更少,产量更高,而且面积效率提高了40%,性能提高了20%,功耗降低了50%。到2020年,三星希望通过新的EUV系列为需要大批量生产下一代芯片设计的客户提供额外的容量。作为EUV的先驱,三星还开发了专有功能,例如独特的掩模检测工具,可在EUV掩模中执行早期缺陷检测,从而可以在制造周期的早期消除这些缺陷。据悉,三星位于韩国华成的S3生产线正在生产基于EUV的工艺的芯片产品。此外,三星还在华城部署了新的EUV生产线,该生产线预计将在2019年下半年完成,并从明年开始增产。

助攻三:封装

除此之外,先进封装也是各大代工厂的主攻方向。

回顾台积电与三星的3nm争斗

此前有媒体报道称,台积电完成全球首颗3D IC封装,预计将于2021年量产。台积电此次揭露3D IC封装技术成功,正揭开半导体制程的新世代。目前业界认为,此技术主要为是为了应用在 5 纳米以下先进制程,并为客制化异质芯片铺路,当然也更加巩固苹果订单。Digitimes的研究也指出,为了搭配先进制程微缩及异质芯片整合趋势,台积电研发整合的10nm逻辑芯片DRAM的整合扇出层叠封装(InFO-PoP),以及12nm系统单芯片与8层HBM2存储器的CoWoS封装等均进入量产,并推出整合多颗单芯片的整合扇出型基板封装(InFO-oS)、整合扇出存储器基板封装(InFO-MS)、整合扇出天线封装(InFO-AIP)等新技术。

三星推出了可与台积电晶圆级扇出型封装(InFO)抗衡的FOPLP-PoP封装,其目标2019年前为新制程建立量产系统,藉此赢回苹果供应订单。但DIGITIMES认为,FOPLP 仍面临不小的挑战,以目前 FOPLP 刚起步的状况来看,经济规模将是技术普及的最大挑战,在初期良率还不够好的状态下,FOPLP 产能要达到理想的成本优势,短期内恐不易达成。在其他先进封装上,针对2.5D封装,三星推出了可与台积电CoWoS封装制程相抗衡的I-Cube封装制程,在2019年三星晶圆代工论坛上,该公司的FD-SOI(FDS)流程和eMRAM的扩展以及一系列最先进的封装解决方案也在今年的Foundry论坛上亮相。据悉,三星今年将完成28FDS工艺,18FDS和1Gb容量eMRAM的继任者的开发。

投资规模

无论是晶体管架构,还是EUV,亦或是先进封装,都是先进制程在向前发展的过程中不可缺少的技术。但每一项技术,都需要大量的资金来做支持。

国际商业战略(IBS)首席执行官汉德尔•琼斯(Handel Jones)曾表示,“该行业需要大幅增加功能,并小幅增加晶体管成本,以证明使用3纳米。3nm工艺开发成本将达到40亿至50亿美元,而每月40,000片晶圆的晶圆厂成本将达到150亿至200亿美元。”

回顾台积电与三星的3nm争斗

为此,三星电子于4月24日宣布,三星电子将在2030年投资1150亿美元用于系统半导体领域的研发和生产技术。根据已批准的未来12年计划,这1150亿美元中,将投资73万亿韩元(634亿美元)用于韩国的研发(这可能意味着芯片研发和工艺技术的研发),60万亿韩元(521亿美元)将投资于用于制造逻辑芯片的生产设施和基础设施为各种客户。

台积电方面,根据台积电14日董事会消息称,台积电通过了1,217.81亿元资本预算,除升级先进制程产能外,也用于转换部分逻辑制程产能为特殊制程产能。台积电预定今年度资本支出金额约100亿美元至110亿美元,其中80%经费将用于3 纳米、5纳米及7纳米先进制程技术。台积电预期,今年7纳米与第二代7纳米制程将贡献约25%业绩。另外有10%经费用于先进封装与光罩,10%用于特殊制程。

三星与台积电除了在3nm制程上争夺激烈,在其他先进制程方面的碰撞也不少。自2019年以来,台积电接连发布了6nm、5nm、5nm+的发展路线。三星方面,虽在7nm的进度上稍显逊色,但其EUV技术却不容小觑。另外,从本次三星积极布局3nm的动作上来看,也许,三星正在企图利用3nm技术来反超台积电。

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大佬些,我用ACS-712芯片,20安的测电流,现在情况是这样,没通交流电时芯片输出是2.5伏,通上交流电时,芯片输出端仍然是2.5...
发表于 12-02 10:40 159次 阅读
acs-712输出电压没变化,求指导下,急,谢谢

联发科MT7688芯片的数据手册免费下载

联发科MT7688芯片组将1T1R 802.11n WiFi收音机、580MHz MIPS®24KE....
发表于 12-02 08:00 46次 阅读
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请教一下,对AM信号进行解调,有没有什么好用的芯片推荐一下呀

发表于 11-30 15:11 214次 阅读
请教一下,对AM信号进行解调,有没有什么好用的芯片推荐一下呀

请各位大神给鉴定一个68脚的带DAC功能的芯片,谢谢

有哪位大神认识图中这个68脚的芯片,芯片上的丝印是制造商把原丝印抹去后重新喷上去的,该芯片特点如下: 1.有DAC功能 2.有...
发表于 11-29 14:10 248次 阅读
请各位大神给鉴定一个68脚的带DAC功能的芯片,谢谢

TWS充电仓芯片ETA9085:带四灯、1μA低功耗、20V高耐压

为了面对严酷的低功耗待机和抵御高耐压冲击的诉求,钰泰半导体再推出ETA9085新型充放三合一蓝牙充电仓解决方案,采用ESOP...
发表于 11-12 16:06 462次 阅读
TWS充电仓芯片ETA9085:带四灯、1μA低功耗、20V高耐压

如何配置cc2640芯片RF端接LFB182G45?

cc2640芯片RF端接LFB182G45时,bleUserConfig.h中 #define RF_FE_MODE_AND_BIAS ( RF_FE_DIFFE...
发表于 11-11 16:24 199次 阅读
如何配置cc2640芯片RF端接LFB182G45?

有人用过AD7997这个芯片吗

这个芯片怎样通过I2C配置其工作模式,选择转换通道,寄存器地址这些。 我MCU用的ATMEGA64 ...
发表于 11-11 11:01 330次 阅读
有人用过AD7997这个芯片吗

这些是什么芯片,有什么作用

在百度没查到,谢谢大家
发表于 11-10 18:48 421次 阅读
这些是什么芯片,有什么作用

FPF2895C 限流负载开关含OVP和TRCB 28 V 5 A.

2895C具有28 V和5A额定电流限制电源开关,提供过流保护(OCP),过压保护(OVP)和真正反向电流模块(TRCB)来保护系统。具有典型值为27mΩ的低导通电阻,WL-CSP可在4 V至22 V的输入电压范围内工作.FPF2895C支持±10%的电流限制精度,500 mA至2 A的过流范围和± 5%的限流精度,2 A至5 A的过流范围,可选择的OVP,可选择的ON极性和可选的OCP行为等灵活操作,可根据系统要求进行优化。 FPF2895C可用于一个24焊球,1.67 mm x 2.60 mm晶圆级芯片级封装(WL-CSP),间距为0.4 mm。“ 特性 28V / 5A能力 宽输入电压范围:4V~22V 超低导通电阻 Typ。在5V和25°C时为27mΩ 外部RSET的可调电流限制: - 500 mA~5 A 带OV1和OV2逻辑输入的可选OVLO: - 5.95 V±50 mV - 10 V±100 mV - 16.8 V±300 mV - 23 V±460 mV 可选ON极性 可选择的过流行为: - 自动重启模式 - 当前来源模式 真实反向当前阻止 热关机 应用 终端产品 带OVP的USB Vbus电源开关和OCP整合 笔记本 平板电脑 PAD 监视器 ...
发表于 07-31 14:02 30次 阅读
FPF2895C 限流负载开关含OVP和TRCB 28 V 5 A.

FPF2290 过压保护负载开关

0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能,可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 13:02 32次 阅读
FPF2290 过压保护负载开关

FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...
发表于 07-31 13:02 95次 阅读
FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...
发表于 07-30 19:02 42次 阅读
NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 14次 阅读
NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 22次 阅读
NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...
发表于 07-30 18:02 44次 阅读
NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 45次 阅读
NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 23次 阅读
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 17次 阅读
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 22次 阅读
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 19次 阅读
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 68次 阅读
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
发表于 07-30 12:02 55次 阅读
NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
发表于 07-30 12:02 40次 阅读
NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 36次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 72次 阅读
FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 00:02 20次 阅读
NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 76次 阅读
NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 153次 阅读
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5