GaN功率电子器件的技术路线
目前世界范围内围绕着GaN功率电子器件的研发工作主要分为两大技术路线，一是在自支撑GaN衬底上制作垂直导通型器件的技术路线，另一是在Si衬底上制作平面导通型器件的技术路线。GaN基垂直和平面导通型器件的结构简图如图表2所示。
(a)垂直导通型GaNMOSFET
(b)平面导通型GaNMOSFET
图表2基于GaN自支撑衬底的垂直导通型MOSFET 和基于Si衬底的平面导通型GaNMOSFET的结构图
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
140文章
6488浏览量
209988 -
GaN
+关注
关注
19文章
1755浏览量
67608
原文标题：GaN（氮化镓）推动电源新解决方案
文章出处：【微信号：gh_030b7610d46c，微信公众号：GaN世界】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
报名 | 宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子技术应用交流会
`由电气观察主办的“宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子技术应用交流会”将于7月16日在浙江大学玉泉校区举办。宽禁带半导体电力电子技术的应用、宽禁带半导体电力电子器件的封装、宽禁带电
发表于 07-11 14:06
电力电子器件的问题
【不懂就问】在书上看到的说，电力电子器件工作在开关状态，这样损耗很小，但是不是说功率器件在不停开关过程中有大量损耗吗？这个矛盾吗？而且开关电源的功率管工作在饱和区，而线性电源的
发表于 01-23 16:10
功率电子器件的介绍
改进控制技术来降低器件功耗，比如谐振式开关电源。总体来讲，从耐压、电流能力看，可控硅目前仍然是最高的，在某些特定场合，仍然要使用大电流、高耐压的可控硅。但一般的工业自动化场合，功率电子器件
发表于 05-08 10:08
IFWS 2018：氮化镓功率电子器件技术分会在深圳召开
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
发表于 11-05 09:51
中国光电子器件产业技术发展路线图(2018-2022年
光通信芯片依赖进口，导致综合价格居高不下。（想想自己的通信费？切肤之痛啊！） 中国必须努力开发并生产属于自己的光通信芯片，特别是高端芯片！ * 该数据来自《中国光电子器件产业技术发展路线图(2018-2022年)》
发表于 12-18 20:48
(二)电子器件、电子技术和电子电路 精选资料分享
目录#电子器件电子管(真空管、充气管)固态电子器件(晶体管的分类及与真空管的对比)#电子技术集成电路技术微处理器裸晶(Die)的概念模拟
发表于 07-30 06:06
平面磁件如何提高电力电子器件性能
（GaN）和碳化硅（SiC）晶体管等化合物半导体器件限制了高频条件下的开关损耗，加速了电路越来越小的趋势。事实上，高频操作导致电子电路的收缩，这要归功于减小的磁性器件尺寸和增加的
发表于 09-06 06:38
电力电子器件试卷
1.电力电子器件一般工作在________状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为________，而当器件开关频率较高时，功率
发表于 01-12 11:31
•62次下载
gan基电力电子器件
该GaN功率器件可以应用在快速充电设备中, 令其避免出现受高温熔断的情况，进而确保此功率器件在进行快速充电时能够很好的运行使用。
工商网监
评论