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IGBT过流保护技术示例

电力电子技术与新能源 2019-07-26 08:41 次阅读

工业电机驱动的整个市场趋势是对更高效率以及可靠性和稳定性的要求不断提高。功率半导体器件制造商不断在导通损耗和开关时间上寻求突破。有关增加绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)导通损耗的一些权衡取舍是:更高的短路电流电平、更小的芯片尺寸,以及更低的热容量和短路耐受时间。这凸显了栅极驱动器电路以及过流检测和保护功能的重要性。本文讨论现代工业电机驱动中成功可靠地实现短路保护的问题。

工业环境中的短路

工业电机驱动器的工作环境相对恶劣,可能出现高温、交流线路瞬变、机械过载、接线错误以及其它突发情况。其中有些事件可能会导致较大的过流流入电机驱动器的功率电路中。图1显示了三种典型的短路事件。

图1 工业电机驱动中的典型短路事件

其中:

1是逆变器直通。这可能是由于不正确开启其中一条逆变器桥臂的两个IGBT所导致的,而这种情况又可能是因为遭受了电磁干扰或控制器故障。它也可能是因为臂上的其中一个IGBT磨损/故障导致的,而正常的IGBT保持开关动作。

2是相对相短路。这可能是因为性能下降、温度过高或过压事件导致电机绕组之间发生绝缘击穿所引起的。

3是相线对地短路。这同样可能是因为性能下降、温度过高或过压事件导致电机绕组和电机外壳之间发生绝缘击穿所引起的。一般而言,电机可在相对较长的时间内(毫秒到秒,具体取决于电机尺寸和类型)吸收极高的电流;然而,IGBT——工业电机驱动逆变器级的主要部分——短路耐受时间为微秒级。

IGBT短路耐受能力

IGBT短路耐受时间与其跨导或增益以及IGBT芯片热容量有关。更高的增益导致IGBT内的短路电流更高,因此显然增益较低的IGBT具有较低的短路电平。然而,较高增益同样会导致较低的通态导通损耗,因而必须作出权衡取舍。IGBT技术的发展正在促成增加短路电流电平,但降低短路耐受时间这一趋势。此外,技术的进步导致使用芯片尺寸更小, 缩小了模块尺寸,但降低了热容量,以至耐受时间进一步缩短。

另外,还与IGBT集电极-发射极电压有很大关系,因而工业驱动趋向更高直流总线电压电平的并行趋势进一步缩减了短路耐受时间。过去,这一时间范围是10 μs,但近年来的趋势是在往5 μs3以及某些条件下低至1 μs方向发展。

此外,不同器件的短路耐受时间也有较大的不同,因此对于IGBT保护电路而言,通常建议内建多于额定短路耐受时间的额外裕量。

IGBT过流保护

无论出于财产损失还是安全方面的考量,针对过流条件的IGBT保护都是系统可靠性的关键所在。IGBT并非是一种故障安全元件,它们若出现故障则可能导致直流总线电容爆炸,并使整个驱动出现故障。过流保护一般通过电流测量或去饱和检测来实现。图2显示了这些技巧。

对于电流测量而言,逆变器臂和相位输出都需要诸如分流电阻等测量器件,以便应付直通故障和电机绕组故障。控制器和/或栅极驱动器中的快速执行跳变电路必须及时关断IGBT,防止超出短路耐受时间。这种方法的最大好处是它要求在每个逆变器臂上各配备两个测量器件,并配备一切相关的信号调理和隔离电路。只需在正直流总线线路和负直流总线线路上添加分流电阻即可缓解这种情况。然而,在很多情况下,驱动架构中要么存在臂分流电阻,要么存在相位分流电阻,以便为电流控制环路服务,并提供电机过流保护;它们同样可能用于IGBT过流保护——前提是信号调理的响应时间足够快,可以在要求的短路耐受时间内保护IGBT。

图2 IGBT过流保护技术示例

去饱和检测利用IGBT本身作为电流测量元件。原理图中的二极管确保IGBT集电极-发射极电压在导通期间仅受到检测电路的监控;正常工作时,集电极-发射极电压非常低(典型值为1 V至4 V)。然而,如果发生短路事件,IGBT集电极电流上升到驱动IGBT退出饱和区并进入线性工作区的电平。这导致集电极-发射极电压快速升高。上述正常电压电平可用来表示存在短路,而去饱和跳变阈值电平通常在7 V至9 V区域内。重要的是,去饱和还可表示栅极-发射极电压过低,且IGBT未完全驱动至饱和区。进行去饱和检测部署时需仔细,以防误触发。这尤其可能发生在IGBT尚未完全进入饱和状态时,从IGBT关断状态转换到IGBT导通状态期间。消隐时间通常在开启信号和去饱和检测激活时刻之间,以避免误检。通常还会加入电流源充电电容或RC滤波器,以便在检测机制中产生短暂的时间常数,过滤噪声拾取导致的滤波器杂散跳变。选择这些滤波器元件时,需在噪声抗扰度和IGBT短路耐受时间内作出反应这两者之间进行权衡。

检测到IGBT过流后,进一步的挑战便是关闭处于不正常高电流电平状态的IGBT。正常工作条件下,栅极驱动器设计为能够尽可能快速地关闭IGBT,以便最大程度降低开关损耗。这是通过较低的驱动器阻抗和栅极驱动电阻来实现的。如果针对过流条件施加同样的栅极关断速率,则集电极-发射极的di/dt将会大很多,因为在较短的时间内电流变化较大。由于线焊和PCB走线杂散电感导致的集电极-发射极电路寄生电感可能会使较大的过压电平瞬间到达IGBT(因为VLSTRAY = LSTRAY × di/dt)。因此,在去饱和事件发生期间,关断IGBT时,提供阻抗较高的关断路径很重要,这样可以降低di/dt以及一切具有潜在破坏性的过压电平。

除了系统故障导致的短路,瞬时逆变器直通同样会发生在正常工作条件下。此时,IGBT导通要求IGBT驱动至饱和区域,在该区域中导通损耗最低。这通常意味着导通状态时的栅极-发射极电压大于12 V。IGBT关断要求IGBT驱动至工作截止区域,以便在高端IGBT导通时成功阻隔两端的反向高电压。原则上讲,可以通过使IGBT栅极-发射极电压下降至0 V实现该目标。但是,必须考虑逆变器臂上低端晶体管导通时的副作用。

导通时开关节点电压的快速变化导致容性感应电流流过低端IGBT寄生密勒栅极-集电极电容(图3中的CGC)。该电流流过低端栅极驱动器(图3中的ZDRIVER)关断阻抗,在低端IGBT栅极发射极端创造出一个瞬变电压增加,如图所示。如果该电压上升至IGBT阈值电压VTH以上,则会导致低端IGBT的短暂导通,从而形成瞬态逆变器臂直通——因为两个IGBT都短暂导通。这一般不会破坏IGBT,但却能增加功耗,影响可靠性。

图3 密勒感应逆变器直通

一般而言,有两种方法可以解决逆变器IGBT的感应导通问题——使用双极性电源或额外的米勒箝位。在栅极驱动器隔离端接受双极性电源的能力为感应电压瞬变提供了额外的裕量。例如,–7.5 V负电源轨表示需要大于8.5 V的感应电压瞬变才能感应杂散导通。这足以防止杂散导通。另一种方法是在完成关断转换后的一段时间内降低栅极驱动器电路的关断阻抗。这称为米勒箝位电路。容性电流现在流经较低阻抗的电路,随后降低电压瞬变的幅度。针对导通与关断采用非对称栅极电阻,便可为开关速率控制提供额外的灵活性。所有这些栅极驱动器功能都对整个系统的可靠性与效率有正面影响。

原文标题:工业电机驱动中的IGBT过流和短路保护问题

文章出处:【微信号:Micro_Grid,微信公众号:电力电子技术与新能源】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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发表于 07-31 07:02 64次 阅读
FSB50825A Motion SPM

FSBB10CH120D 1200 V Motion SPM

CH120D是一款先进的Motion SPM ® 3模块,为交流感应,BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。这些模块集成了内置IGBT已优化的栅极驱动,从而最小化EMI和损耗,同时提供多种模块化保护特性,包括欠压锁定,过流关断和故障报告。内置高速HVIC仅需要单电源电压并将收到的逻辑电平栅极输入信号转换为高电压,高电流驱动信号,从而有效驱动模块的内部IGBT。独立负IGBT引脚适用于各相位,以支持最广泛的算法控制。 特性 1200 V - 10 A三相IGBT逆变器,带积分栅极驱动器和保护功能 低功耗,额定短路IGBT 使用Al 2 0 3 陶瓷基质实现极低热阻 专用Vs引脚能够简化PCB布局 低侧IGBT的独立发射极开路引脚用于三相电流检测 单相接地电源 绝缘等级:2500 V rms /分 应用 运动控制 - 家用设备/工业电机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 32次 阅读
FSBB10CH120D 1200 V Motion SPM

FSB52006S Motion SPM

06S是MotionSPM®5系列产品,基于快速恢复MOSFET(FRFET®)技术,用作小功率电机驱动应用(如风扇和泵)的紧凑型逆变器解决方案。 它由六个FRFET MOSFET产品和三个半桥栅极驱动HVIC组成。此外,由于它采用MOSFET作为电源开关,因此,它具有比IGBT功率模块更强的耐用性和更大的安全工作区(SOA)。该封装针对热性能和紧凑性进行了优化,以便用于空间有限的应用.FSB52006S是要求高能效, 特性 60V,RDS(ON)。最大=80mΩ@ 25°C三相FRFET逆变器,包括高压集成电路(HVIC) 三个独立负直流链路端子,实现逆变器电流感测应用 栅极驱动和欠压保护的HVIC 高电平有效接口,可用于3.3V / 5V逻辑电平 针对低电磁干扰进行优化 1500Vrms / 1min的额定隔离电压。 表面贴装器件封装 湿度敏感等级(MSL)3 应用 运动控制 - 家用设备/工业电机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 06:02 32次 阅读
FSB52006S Motion SPM

FND42060F2 智能功率模块(IPM) 运动控制

60F是一款用于运动控制的电源模块,旨在为空调和工业逆变器等低功耗应用中的交流电机驱动提供极其紧凑的高性能逆变器解决方案。它将低损耗短路额定IGBT和优化的栅极驱​​动器组合在一个完全隔离的封装中,以提供简单而稳健的设计。内置NTC进一步增强了系统可靠性,用于温度监控,高低侧集成欠压锁定功能和过流保护输入。用于低侧IGBT的三个独立的开路发射极引脚可实现三脚电流感应。内置自举二极管和专用VS引脚使PCB布局变得简单。 特性 UL认证编号E209204 600 V,20 A 3相IGBT逆变器,包括用于栅极驱动和保护的控制IC 内置自举二极管和专用Vs引脚便于PCB布局 用于三脚电流感应的低侧IGBT三个独立的开路 - 发射极引脚 单 - 带引导操作的接地电源 用于过温监控的内置NTC热敏电阻 隔离等级为2000 Vrms / min。 应用 运动控制 - 家用电器/工业电机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 05:02 30次 阅读
FND42060F2 智能功率模块(IPM) 运动控制

NXH80B120L2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 30 A Si二极管

120L2Q0SG是一款功率模块,包含一个双升压级,由两个40A / 1200V IGBT,两个30A / 1200V硅二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2830 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 Si整流器规格:VF = 2.4 V,IRRM = 53 A 用于中速切换的Si二极管 可焊接针 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + Si整流器模块 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 05:02 36次 阅读
NXH80B120L2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 30 A Si二极管

FNA25012A 智能功率模块 1200 V 50 A.

12A是Motion SPM ® 2模块,为交流感应,BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。这些模块集成了内置IGBT的优化栅极驱动,可最大限度地降低EMI和损耗,同时还提供多种模块内保护功能:欠压锁定,过流关断,温度检测和故障报告。内置的高速HVIC仅需要一个电源电压,并将输入的逻辑门电路输入转换为高压,高电流驱动信号,以正确驱动模块的内部IGBT。每个相都有单独的负IGBT端子,以支持最广泛的控制算法。 特性 UL认证编号E209204(UL1557) 1200 V - 50三相IGBT逆变器,包括用于栅极驱动和保护的控制IC 低损耗,短路额定IGBT 使用AlN DBC基板的极低热阻 内置自举二极管和专用Vs引脚简化PCB布局 从低侧IGBT分离开路发射极引脚以实现三相电流检测 支持单接地电源 用于温度监测和管理的内置NTC热敏电阻 可调节OV通过集成传感器IGBT进行电流保护 隔离额定值为2500 Vrms / 1 min。 应用 运动控制 - 家用电器/工业电机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 04:02 74次 阅读
FNA25012A 智能功率模块 1200 V 50 A.

FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

一种快速,可靠的的安装方式。 特性 高效率 低传导损耗和开关损耗 高速场截止IGBT SiC SBD用作升压二极管 内置NTC可实现温度监控 电路图、引脚图和封装图
发表于 07-31 04:02 34次 阅读
FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

NFL25065L4BT 用于2相交错式PFC的PFCSPM®2系列

65L4BT是一款PFCSPM®2模块,为消费,医疗和工业应用提供全功能,高性能的交错式PFC(功率因数校正)输入功率级。这些模块集成了内置IGBT的优化栅极驱动,可最大限度地降低EMI和损耗,同时还提供多种模块内保护功能,包括欠压锁定,过流关断,热监控和故障报告。这些模块还具有全波整流器和高性能输出SiC二极管,可节省更多空间和安装便利性。 特性 650 V - 50 A 2阶段具有整体栅极驱动器和保护的交错式PFC 使用Al2O3 DBC衬底的极低热阻 全波桥式整流器和高性能输出SiC升压二极管 用于温度监控的内置NTC热敏电阻 隔离评级:2500 Vrms / min 应用 终端产品 2相交错式PFC转换器 商用空调 工业电机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 04:02 44次 阅读
NFL25065L4BT 用于2相交错式PFC的PFCSPM®2系列

NFCS1060L3TT 智能功率模块(IPM) PFC组合 600V 10A

60L3TT是一个完全集成的PFC和逆变器功率级,包括一个高压驱动器,六个电机驱动IGBT,一个PFC SJMOSFET,一个用于整流器的PFC SiC-SBD和一个热敏电阻,适用于驱动永磁同步( PMSM)电机,无刷直流(BLDC)电机和交流异步电机。 IGBT采用三相桥式配置,为小腿提供独立的发射极连接,以便在选择控制算法时获得最大的灵活性。 特性 优势 在一个封装中采用PFC和逆变器级的简单散热设计。 保存PCB面积并简化装配流程 交叉传导保护 避免手臂短路输入信号不足 集成自举二极管和电阻器 保存PCB面积 应用 终端产品 电机驱动模块 电机控制系统 工业/通用控制系统HVAC 工业风扇电机 泵 洗衣机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 04:02 16次 阅读
NFCS1060L3TT 智能功率模块(IPM) PFC组合 600V 10A

NFAP1060L3TT 智能功率模块(IPM) 600 V 10 A 带有先进的SIP封装

60L3TT是一个完全集成的逆变器功率级,由高压驱动器,六个IGBT和一个热敏电阻组成,适用于驱动永磁同步(PMSM)电机,无刷直流(BLDC)电机和交流异步电机。 IGBT采用三相桥式配置,为低支路提供独立的发射极连接,在控制算法选择方面具有最大的灵活性。功率级具有全面的保护功能,包括跨导保护,外部关断和欠压锁定功能。连接到过流保护电路的内部比较器和参考电压允许设计人员设置过流保护电平。 特性 紧凑型44mm x 20.9mm单列直插式封装 内置欠压保护 交叉传导保护 集成自举二极管和电阻器 应用 终端产品 工业驱动器 泵 粉丝 Automationas 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 03:02 10次 阅读
NFAP1060L3TT 智能功率模块(IPM) 600 V 10 A 带有先进的SIP封装

NCP81074 小型 高速低侧MOSFET驱动器 具有10A吸收/源功能

74是一款单通道,低侧MOSFET驱动器,能够吸收和提供高达10A的电流。该驱动器可在米勒高原区域提供7A峰值电流,以克服切换期间MOSFET的米勒效应。分离输出配置允许调整开启和关闭转换速率。这些器件采用SOIC8和2mm x 2mm DFN封装。 特性 优势 高电流驱动能力 降低开关损耗 双输入设计 允许差分输入信号进行更多控制 应用 终端产品 隔离砖 电信和数据中心设备 工业电机 服务器,电信和数据中心设备的隔离电源 电机控制 辅助同步整流器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 03:02 38次 阅读
NCP81074 小型 高速低侧MOSFET驱动器 具有10A吸收/源功能

NCP5304 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧 双输入

4是一款高压功率栅极驱动器,提供两路输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或以半桥配置排列的IGBT。它使用自举技术确保正确驱动高端电源开关。驱动器使用2个具有交叉传导保护的独立输入。 特性 高压范围:高达600V dV / dt抗扰度±50 V / ns 栅极驱动电源范围为10 V至20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 最多输入引脚上的Vcc摆动 两个通道之间的匹配传播延迟 带输入的阶段输出 具有100ns内部固定死区时间的交叉传导保护 在两个通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin to Pin与行业标准兼容 应用 半桥电源转换器 全桥转换器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 01:02 66次 阅读
NCP5304 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧 双输入

NCP5111 功率MOSFET / IGBT驱动器 单输入 半桥

1是一款高压功率栅极驱动器,提供两个输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或以半桥配置排列的IGBT。它使用自举技术确保正确驱动高侧电源开关。 特性 高压范围:高达600V dV / dt抗扰度±50 V / ns 栅极驱动电源范围从10 V到20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 输入引脚上的Vcc摆幅 两个频道之间的匹配传播延迟 内部固定Dea的一个输入d时间(650 ns) 在两个频道的Vcc LockOut(UVLO)下 引脚与引脚兼容行业标准 应用 半桥电源转换器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 01:02 44次 阅读
NCP5111 功率MOSFET / IGBT驱动器 单输入 半桥

MC33153 单IGBT驱动器

3专门设计用作高功率应用的IGBT驱动器,包括交流感应电机控制,无刷直流电机控制和不间断电源。虽然设计用于驱动分立和模块IGBT,但该器件为驱动功率MOSFET和双极晶体管提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括选择去饱和或过流检测和欠压检测。这些器件采用双列直插和表面贴装封装,包括以下特性: 特性 高电流输出级:1.0 A源/ 2.0 A接收器 常规和感测IGBT的保护电路 可编程故障消隐时间 防止过电流和短路 针对IGBT优化的欠压锁定 负栅极驱动能力 成本有效地驱动功率MOSFET和双极晶体管 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 01:02 127次 阅读
MC33153 单IGBT驱动器

NCP5106 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧

6是一款高压栅极驱动器IC,提供两路输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT,采用半桥配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A. 它使用自举技术确保正确驱动高端电源开关。驱动程序使用2个独立输入。 NCP5109 = 200V NCP5106 = 600V 特性 高压范围:最高600 V dV / dt抗扰度±50 V / nsec 栅极驱动电源范围为10 V至20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 输入引脚上的Vcc摆动 匹配传播两个渠道之间的延迟 输入阶段的输出 适应所有拓扑的独立逻辑输入(版本A) 交叉传导保护机智h 100 ns内部固定死区时间(版本B) 在两个通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin-to-Pin与行业标准兼容 应用 半桥电源转换器 任何互补驱动转换器(非对称半桥,有源钳位)(仅限A型)。 全桥转换器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 00:02 86次 阅读
NCP5106 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧

FL73282 半桥栅极驱动器

2是一款单片半桥栅极驱动器IC,可驱动工作电压高达+ 900V的MOSFET和IGBT.Fairchild的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高dV / dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路,可使高侧栅极驱动器的工作电压在V BS = 15 V时达到V S = - 9.8 V(典型值)。当V CC 或V BS 低于指定阈值电压时,两个通道UVLO电路可防止发生故障。输出驱动器的源电流/灌电流典型值分别为350 mA / 650 mA,适用于各种半桥和全桥逆变器。 特性 浮动通道可实现高达+900 V的自举运行 两个通道的源/灌电流驱动能力典型值为350 mA / 650 mA 共模dv / dt噪声消除电路 容许扩展负V S 摆幅至-9.8 V,以实现V CC = V BS = 15 V时的信号传输 10 V至20 V的V CC 和V BS 供电范围 双通道的欠压锁定功能 匹配传播延迟低于50 ns 内置170 ns死区时间 输出与输入信号同相 应用 照明 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 00:02 116次 阅读
FL73282 半桥栅极驱动器

NCV5703 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

3系列是一组高电流,高性能独立式IGBT驱动器,具有非反相输入逻辑,适用于中高功率应用,包括PTC加热器,EV充电器和其他汽车等汽车应用电源。通过消除许多外部组件,这些器件提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括Active Miller Clamp(用于NCV5703A),精确的UVLO,DESAT保护和漏极开路故障输出。这些驱动器还具有精确的5.0 V输出(适用于所有版本)和独立的高低(VOH和VOL)驱动器输出(仅适用于NCV5703C),便于系统设计。这些驱动器设计用于容纳宽电压范围的单极性偏置电源(以及NCV5703B的双极性偏置电源)。所有版本均采用8引脚SOIC封装,符合AEC-Q100标准。 特性 优势 IGBT米勒平台电压下的高电流输出(+ 4.0 / -6.0 A) 降低开关损耗并缩短切换时间 低VOH和VOL 完全增强IGBT 可编程延迟的DESAT保护 增强的可编程保护 活动密勒钳(仅限NCV5703A) 防止假门开启 应用 终端产品 DC-交流变频器 电池充电器 汽车PTC加热器 驱动程序 电机控制 电动汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 22:02 56次 阅读
NCV5703 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

NCV5702 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

2是一款高电流,高性能独立式IGBT驱动器,具有非反相输入逻辑,适用于高功率应用,包括PTC加热器,EV充电器,动力总成逆变器和其他汽车电源等汽车应用。该器件通过消除许多外部元件提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括有源米勒钳位,精确的UVLO,EN输入,DESAT保护和漏极开路故障输出。该驱动器还具有精确的5.0 V输出和独立的高低(VOH和VOL)驱动器输出,便于系统设计。该驱动器设计用于适应宽电压范围的偏置电源,包括单极性和双极性电压。它采用16引脚SOIC封装。符合AEC-Q100标准。 特性 优势 降低开关损耗和缩短开关时间 低VOH和VOL 完全增强IGBT 活动密勒钳 防止伪门开启 可编程延迟的DESAT保护 增强的可编程保护 应用 终端产品 DC-AC逆变器 电池充电器 汽车PTC加热器 板载充电器 xEV充电器 汽车动力总成逆变器 牵引逆变器 电动汽车 EV充电器 牵引 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 22:02 60次 阅读
NCV5702 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

NCP715 LDO稳压器 50 mA 超低Iq

是50 mA LDO线性稳压器。它是一款非常稳定和精确的器件,具有超低的接地电流消耗(在整个输出负载范围内为4.7 uA)和宽输入电压范围(最高24 V)。稳压器具有多种保护功能,如热关断和限流。 类似产品: NCP715 NCP716 NCP716B NCP718 输出电流(A) 0.05 0.08 0.15 0.30 PSRR f = 1 kHz(dB) 52 60 53 52 压差电压(V) 0.230 0.310 0.600 0.275 特性 优势 工作输入电压范围:2.5 V至24 V 宽VIN也适合电池供应 1.2 V,1.5 V,1.8 V,2.5 V,3.0 V,3.3 V,5 V Fixe d输出电压选项 设计灵活性 低4.7 uA典型静态电流 延长电池寿命 PSRR在1 kHz时为54 dB 适用于噪声敏感电路 热关断和限流保护 保护产品和系统免受损坏 提供XDFN6 1.5 x 1.5 mm,TSOP-5和SC-70封装 满足设计和制造需求的多种包装选项 应用 终端产品 便携式设备 通信系统 超低功耗微控制器 智能手机充电器 工业电机控制 恒温器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 22:02 119次 阅读
NCP715 LDO稳压器 50 mA 超低Iq