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电子发烧友网>存储技术>

存储技术

提供全球最前沿存储技术,云存储技术、快速存储技术、虚拟存储技术、存储解决方案、与英特尔快速存储技术等存储技术新闻、产品信息及技术热点。
康芯威亮相CES 2024 多元化存储解决方案大放异彩

康芯威亮相CES 2024 多元化存储解决方案大放异彩

当地时间2024年1月12日,CES (国际消费类电子产品展)在美国拉斯维加斯完美谢幕,为期4天的科技盛宴吸引了全球4000余家科技企业参展,中国企业在其中的占比也逐年递增。 作为科技行业的“...

2024-01-16 标签:康芯威 159

长江存储PC411 1TB SSD详细评测

长江存储PC411 1TB SSD详细评测

长江存储晶栈Xtacking架构的原理就是在两片独立的晶圆上,分别加工外围电路和存储单元,然后在芯片封装阶段将两者合二为一,更高效率的同时也实现了更高的密度、更快的速度。...

2024-01-16 标签:DRAMSSDNAND闪存PCIe长江存储 457

SK海力士:挑战美国限制,推进中国半导体技术升级

无锡工厂是SK海力士的核心生产基地,其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前,无锡工厂正在生产两款较旧的10纳米DRAM。...

2024-01-16 标签:DRAM半导体制造SK海力士 131

SK海力士计划提升中国无锡工厂技术水平,推动半导体产业发展

随着全球半导体市场的复苏,SK海力士认识到,为了保持市场地位,推出更高性能的DRAM产品是必要的。...

2024-01-15 标签:DRAMSK海力士EUV光刻机 605

M.2接口的固态硬盘有何优势?

M.2接口的固态硬盘有何优势? M.2接口的固态硬盘(M.2 SSD)是现代计算机存储设备中的一种快速、高容量解决方案。与传统的SATA接口的固态硬盘相比,M.2接口的固态硬盘具有许多独特的优势。 首先...

2024-01-15 标签:SSD固态硬盘计算机存储 513

三星电子转型之路:应对挑战,聚焦超级差距技术

三星电子现在的目标是在新兴的高密度存储芯片领域赶上竞争对手,计划到2024年将容量提高2.5倍。HBM是一种能够更快地处理数据的先进芯片,可与硬件配合使用,例如英伟达的加速器,用于加...

2024-01-12 标签:DRAM三星电子人工智能数据处理存储芯片 136

一文详解具备Quad SPI接口的8Mbit FeRAM

一文详解具备Quad SPI接口的8Mbit FeRAM

作为当今存储技术领域的热点之一,非易失性存储器(FeRAM)正逐渐成为市场上的主流存储解决方案。...

2024-01-11 标签:缓冲器EEPROM电源电压SPI接口非易失性存储器 855

NAND Flash市场动态:需求扩大与价格涨势

 在2024年第一季度,NAND Flash及其相关产品的价格预计将呈现上涨趋势。尽管面临传统淡季需求下降的情况,采购活动仍在持续扩大,以建立安全库存水位。...

2024-01-11 标签:智能手机SSDNand flashemmcUFS 659

三星财报:存储市场疲软,寻求新增长点

三星财报:存储市场疲软,寻求新增长点

去年第四季度,三星营业利润下降35%,至2.8万亿韩圆(约合人民币153亿元),逊于分析师的平均预期3.7万亿韩圆。公司该季度营收为67万亿韩圆(约合3664亿元),低于分析师平均预期的70.31万亿...

2024-01-11 标签:人工智能三星 173

市场需要密切关注8个存储趋势

Boland指出存在三种主要的存储类型:对象、块和文件。他说,“对象存储是唯一能够以EB规模提供低成本和高性能的存储。”Boland补充说,最近的IDC调查显示,80%的受访者认为对象存储可以支持...

2024-01-10 标签:网络安全SSD数据库 108

关于SRAM存储容量及基本特点

关于SRAM存储容量及基本特点

通常我们将存储容量表示为:字数X位数,比如64KX8位,其含义为,以8位构成一个字,一共有64个字。这个概念要相当熟悉,后面理解题目很有用。...

2024-01-09 标签:放大器DRAM存储器sram触发器 343

MRAM(磁性只读存储器)和FRAM(铁电RAM)有何区别

MRAM(磁性只读存储器)和FRAM(铁电RAM)有何区别

MRAM或磁性随机存取存储器使用具有铁磁性材料的磁性“状态”的1晶体管–1磁性隧道结(1T-1MTJ)体系结构作为数据存储元素。...

2024-01-09 标签:电容器存储器数据存储framMRAM 276

固态硬盘、U盘和机械硬盘:不同存储设备之间的特点与选择

固态硬盘、U盘和机械硬盘:不同存储设备之间的特点与选择  固态硬盘(SSD),U盘和机械硬盘(HDD)是常见的存储设备,在电脑和其他电子设备中广泛使用。每种存储设备都有其独特的特点和...

2024-01-09 标签:固态硬盘机械硬盘HDD 960

谈谈NRAM的“用武之地”

谈谈NRAM的“用武之地”

NRAM是一个近些年出現的新东西,它具备众多优点:可以DRAM的速度提供非易失性,具有超越DRAM芯片的可扩展性和对闪存的超强耐久性的潜力。...

2024-01-09 标签:DRAM闪存芯片人工智能伺服驱动器 503

深入探索MRAM的原理与技术

深入探索MRAM的原理与技术

MRAM是以磁性隧道结(MTJ)储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层,和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时,MTJ的隧道结便会显...

2024-01-09 标签:存储器sramMRAM非易失性存储器 328

一文介绍ram的结构和读写过程

一文介绍ram的结构和读写过程

ram也叫主存,是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写(刷新时除外)且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。...

2024-01-09 标签:存储器cpuRAM易失性存储器随机存取存储器 825

忆联多项存储产品通过Intel VROC技术认证

忆联多项存储产品通过Intel VROC技术认证

UH711a面向数据中心应用场景而开发,针对数据中心级业务场景及负载Workload IO模型,UH711a具有全面的性能优化能力,结合One Time Read、智能多流、SR-IOV等多种特性,可为数据中心提供更高性价比的...

2024-01-09 标签:英特尔SSD数据中心固态硬盘nvme 166

狭义EEPROM和广义EEPROM有什么区别?

这种ROM的特点是可以随机访问和修改任何一个字节,可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM,掉电后数据不丢失,可以保存100年,可以擦写100w次。...

2024-01-09 标签:单片机EEPROM嵌入式开发NORFlash 108

MicroSD卡如何转接成SD卡?

MicroSD卡如何转接成SD卡?

SD卡套主要用于将TF卡(MicroSD卡)转接成SD卡的形状,以实现TF卡在SD卡插槽中的兼容性...

2024-01-11 标签:MicroSD卡sd存储卡 463

九种计算机存储的类型及工作原理

九种计算机存储的类型及工作原理

随机存取存储器 (RAM)的名称源自 CPU 访问它的方式,CPU对其进行随机扫描以获取适当的信息,而不是遵循严格的指示。这是为了均衡所有存储的数据位之间的访问时间。...

2024-01-06 标签:cpuPROM计算机内存EEPROM 267

什么是SD NAND存储芯片?

什么是SD NAND存储芯片?

前言大家好,我们一般在STM32项目开发中或者在其他嵌入式开发中,经常会用到存储芯片存储数据。今天我和大家来介绍一款存储芯片,我这里采用(雷龙)CS创世SDNAND。SDNAND介绍什么是SDNAND?...

2024-01-05 标签:闪存芯片存储芯片SD NANDSD NAND存储芯片闪存芯片 700

什么是SD NAND存储芯片? SD NAND与TF卡的区别

什么是SD NAND存储芯片? SD NAND与TF卡的区别

什么是SD NAND?它俗称贴片式T卡,贴片式TF卡,贴片式SD卡,贴片式内存卡,贴片式闪存卡,贴片式卡...等等。虽然SD NAND 和TF卡称呼上有些类似,但是SD NAND和TF卡有着本质上的区别。...

2024-01-06 标签:嵌入式闪存芯片存储芯片TF卡 899

SK海力士将在CES2024向全世界展示AI存储器领导力

2024年1月3日,SK海力士宣布,公司将参加于1月9日至12日在美国拉斯维加斯举行的世界最大规模电子、IT展会“国际消费电子产品展览会(CES 2024)”,届时展示未来AI基础设施中最为关键的超高性...

2024-01-04 标签:半导体存储器HBMai技术 656

NAND芯片未来报价涨幅至少会达五成

综观全球储存型快闪记忆体(NAND Flash)市场排名,研调机构Omdia报告显示,三星以34.3%市占率位居龙头,第二名是日商铠侠(市占率19.5%),美国威腾电子居于第三(市占率15.9%),SK海力士排第...

2024-01-04 标签:芯片NAND存储芯片Nand flash三星 170

搭建华为V3存储仿真器,模拟真实的存储环境

搭建华为V3存储仿真器,模拟真实的存储环境

需要给虚拟机分配8G以上的内存以及4个CPU...

2024-01-04 标签:处理器Linux仿真器存储系统虚拟机 967

DDR5 dimm里为什么要设计两个channel?

DDR5 dimm里为什么要设计两个channel?

Burst Length: 突发(Burst) 是指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式。连续传输的周期数就是突发长度 (Burst Lengths,简称BL)。...

2024-01-04 标签:cpu数据传输DIMMDDR5 466

DRAM价格飙升,三星和美光计划Q1涨幅高达20%

根据最新的存储器模组行业消息,随着自2023年下半年以来NAND Flash价格一路攀升,三星电子和美光等主要存储器制造商计划在Q1上调DRAM价格,涨幅预计将达到15%-20%。 业内分析师指出,上游制造...

2024-01-03 标签:DRAMNAND美光三星 891

存储市场动态:DRAM价格大幅上涨在即

随着上游原厂酝酿提价,多家存储器模块业者已经开始备货,以应对潜在的市场变化。预计供应给OEM厂商的合约价将在二季度起全面反映DRAM的涨价趋势。...

2024-01-03 标签:DRAM存储器DDR4存储芯片Nand flash 753

半导体专题之NAND Flash芯片知识详解

半导体专题之NAND Flash芯片知识详解

只读存储器(ROM)是只能读取实现存储的信息的存储器。...

2024-01-03 标签:半导体ROMNand flash只读存储器qlc 1243

中国全闪存市场有哪些特点与趋势?

中国全闪存市场有哪些特点与趋势?

IDC数据表明,传统企业存储系统中的全闪阵列同比下降5.5%,用户更加青睐端到端NVMe 全闪、分布式全闪等高端全闪存储。...

2024-01-03 标签:数据存储SDS分布式存储nvmeAIGC 370

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