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电子发烧友网>存储技术>NAND闪存制造商计划削减2019产能

NAND闪存制造商计划削减2019产能

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铠侠开发出约170层的NAND闪存

日本芯片制造商Kioxia开发了大约170层的NAND闪存,加入了与美国同行Micron Technology和韩国的SK Hynix的竞赛。
2021-02-20 11:10:002580

简述NAND闪存的写入限制与发展

写入问题确实是NAND闪存的在企业级应用中的一个限制么?
2021-04-01 17:50:562894

SK海力士将在大连新建NAND闪存工厂,并继续加强在中国的投资

计划,去年底已经完成了该收购计划的第一阶段,获得了原本属于Intel的中国大连NAND闪存制造工厂,本次新建工厂的行为也是为了加快闪存业务的项目进度,SK海力士将在原有的工厂基础上继续扩大投资,新建NAND芯片工厂。 SK海力士除了大连工厂的建设以外,也会
2022-05-19 14:32:533107

NAND闪存市场竞争愈发激烈

 在3D NAND技术赛跑中,三星长期处于领先地位,截至目前,其3D NAND闪存已经陆续演进至128层。
2022-06-14 15:21:152100

制造商推动3D NAND闪存的进一步发展

  全球存储市场对NAND 闪存的需求不断增长。这项技术已经通过许多发展得到满足,不仅体现在当今闪存控制器的功能上,尤其是通过 3D NAND 架构。随着工业物联网 (IIoT)、智能工厂、自动驾驶汽车和其他数据密集型应用程序的不断发展,这些苛刻应用程序的数据存储要求变得更具挑战性。
2022-07-15 08:17:25703

NAND闪存的应用中的磨损均衡

NAND闪存的应用中,程序/擦除周期存在一个限制,称为“P/E周期”。在NAND闪存中,当每个块的P/E周期达到最大值时,这些块将变得不可工作,需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时,此NAND闪存将无法再使用。
2022-10-24 14:30:111230

NAND闪存控制器有什么优势

围绕基于NAND闪存的存储系统的对话已经变得混乱。通常,当人们讨论存储时,他们只谈论NAND闪存,而忽略了单独的,但同样重要的组件,即控制器。但是为什么需要控制器呢?简单地说,没有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863

NAND闪存应用中的磨损均衡介绍

NAND闪存的应用中,编程/擦除周期存在限制,称为“P/E周期”。在NAND闪存中,当每个块的P/E周期达到最大值时,这些块变得不可工作,需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时,此NAND闪存将无法再使用。
2022-11-30 15:00:431519

一些芯片制造商计划在欧洲建厂

意法半导体在去年10月份表示,计划在意大利建设一座7.3亿欧元的碳化硅晶圆厂,新厂将于2026年完工。此外,它还在7月宣布了与格芯(Global Foundries)合作在法国建立半导体工厂的计划。该工厂将毗邻ST在Crolles的现有工厂,目标是到2026年达到满负荷生产。
2023-03-02 11:35:08377

什么是3D NAND闪存

我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147

NAND闪存特点及决定因素

内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit,用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND闪存的基本存储单元是页(Page)(可以看到,NAND闪存的页就类似硬盘的扇区,硬盘的一个扇区也为512
2023-06-10 17:21:001983

NAND闪存加速度,推动Multi-Die验证新范式

NAND闪存,所有主要闪存制造商都在积极采用各种方法来降低闪存的每位成本,同时创造出适用于各种应用的产品。闪存制造商还在积极展开研究,期望能够扩展3D NAND闪存的垂直层数。虽然15nm似乎是NAND闪存目前能够达到的最小节点,但开发者
2023-07-18 17:55:02486

三星计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产

三星已经减少了主要nand闪存生产基地的晶圆投入额。这就是韩国的平泽、华城和中国的西安。业内人士认为,三星的nand闪存产量可能会减少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1业绩中,由于市场持续低迷,三星电子正式公布了存储器减产计划
2023-08-16 10:23:58423

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存,三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53282

三星将削减NAND和DRAM平泽P3晶圆厂投资

 平泽p3 晶圆厂是三星最大的生产基地之一。据报道,三星原计划将p3工厂的生产能力增加到8万个dram和3万个nand芯片,但目前已将生产能力减少到5万个dram和1万个nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762

三星计划NAND闪存芯片每个季度涨价20%

三星采取此举的目的很明确,希望通过此举逆转整个闪存市场,稳定NAND闪存价格,并实现明年上半年逆转市场等目标。
2023-11-03 17:21:111214

佰维存储斩获“增长最快的闪存制造商品牌”大奖

近日,佰维亮相印度第15届DT Awards 2023颁奖盛典,公司凭借在存储技术研发、产品竞争力以及市场服务方面的突出表现,斩获了“增长最快的闪存制造商品牌”大奖。
2024-01-24 17:30:15171

侠提升NAND产能 行业影响及业界观点

潘建成表示,群联当前正面临供应短缺问题,若NAND闪存制造商以合理价格提供稳定的供应,将有助于缓解群联的困境。他认为,原厂扩大产能,有利于维护NAND市场秩序,使价格合理回归,否则过高的涨势会打压下游厂商需求。
2024-03-05 14:05:0481

铠侠提升NAND闪存产能利用率

据最新报道,全球领先的NAND闪存制造商铠侠已决定重新审视其先前的减产策略,并计划在本月内将开工率提升至90%。这一策略调整反映出市场需求的变化和公司对于行业发展的积极预期。
2024-03-07 10:48:35264

三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20%

三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低;在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判,目标价位是涨价15%—20%。
2024-03-14 15:35:22222

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