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2018全球上游存储市场格局与前景分析

2018年09月01日 09:16 次阅读

存储器是我们最常见的一种存储产品之一,也是应用非常广泛的一种半导体器件,存储分为上游、中游、下游市场,我们接触最多的是中下游市场,而对存储上游市场似乎并不是非常了解,今天笔者带大家了解一下全球存储上游市场。

2018全球上游存储市场格局与前景分析

数据存储是数据流在加工过程中产生的临时文件或加工过程中需要查找的信息,数据以某种格式记录在计算机内部或外部存储媒介上。存储芯片是存储的核心,也是存储器必不可少的关键部分。作为一种嵌入式系统芯片,它通过在单一芯片中嵌入软件,实现多功能和高性能,以及对多种协议、多种硬件和不同应用的支持,大数据、云计算、人工智能的发展,带动着整个存储行业的发展。日韩作为存储芯片的主要玩家,其产品几乎垄断了全球主流的市场,近年来,国内对存储市场的重视,也诞生了诸如长江存储、合肥长鑫、福建晋华等影响力很大的企业。

全球存储上游市场格局

存储上游市场中,DRAM 产品占比一半左右,NAND Flash 产品占比四成, Nor Flash 占比仅有不到一成。存储芯片市场集中度高,无论是 DRAM,还是 Nand Flash、Nor Flash 都呈现寡头垄断格局。据OFweek电子工程网了解,DRAM 市场主要是三星、SK海力士、美光三家厂商占据,三星市占率约一半,三家巨头垄断存储市场九成份额。

国外存储巨头财报可喜,存储市场继续扩大

2018全球上游存储市场格局与前景分析

随着云计算、物联网的发展,存储市场继续扩大,今年很多存储企业赚得乐开了花。三星、SK海力士、美光等纷纷公布自己的2018年财报数据,存储相关的事业部依旧是最赚钱的部门之一。存储芯片需求强劲,第二季度,三星存储芯片业务营收达到18.5万亿韩元(165亿美元),同比增长33%;SK海力士是全球第二大存储芯片公司;据2018年第一季度财报,SK海力士该季度的营业利润为4.3673万亿韩元(约合256.24亿元人民币),同比增长77%,为该公司有史以来第二高记录;2018财年Q1美光营收之所以环比增长11%,主要是受惠于市场对手机、服务器和SSD产品的需求增加,利润大幅增长得益于存储不断上涨的和良好的产品组合支持,使得DRAM和NAND产品的利润率扩大。

在健康的市场和产业环境推动下,以及广泛的需求驱动,美光认为2018年NAND Flash行业因为客户端和数据中心的SSD应用增长,bit供应量将增长约50%,而美光bit增长率会略高于行业平均水平。

国内三大存储企业加大研发力度,力争2019年实现量产

2018全球上游存储市场格局与前景分析

长江存储作为一家集芯片设计、工艺研发、晶圆生产与测试、销售服务于一体的半导体存储器企业,长江存储以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础,采取自主研发与国际合作双轮驱动的方式,已于2017年研制成功了中国第一颗3D NAND闪存芯片,填补了国内空白。

公司3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑,核心厂区占地面积约1717亩,预计项目建成后总产能将达到30万片/月,2023年年产值达1000亿人民币。近日,长江存储发布了全新3D NAND架构XtackingTM,该技术将为3D NAND闪存提高I/O高性能、存储密度,缩短产品上市周期。目前长江存储已将该技术应用于到第二代3D NAND产品的开发。

福建晋华由福建省电子信息集团、晋江能源投资集团有限公司等共同出资设立的先进集成电路生产企业。公司与台湾联华电子开展技术合作,投资56.5亿美元,在福建省晋江市建设12吋内存晶圆厂生产线,开发先进存储器技术和制程工艺,并开展相关产品的制造和销售。据悉,福建晋华集成电路公司的生产线设备安装将底完成,为三季度的大规模量产铺平了道路。

合肥长鑫依托合肥市政府及产业资本的大力支持,致力于成为中国第一的12寸专业存储器IDM企业。一期总投资80亿美元,计划于2017年第三季度完成厂房建设,2018年实现正式生产。目前,合肥长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目正处在加快建设的阶段,该项目一旦正式投产,预计将在全球DRAM市场占得约8%的市场份额,从而填补国产DRAM存储器在本国市场的空白。

上游存储市场的前景

存储最核心的部分是存储芯片,它能快速实现把各项存储功能都整合到一个单一芯片上,保证优化后系统的高性能,此优势将会使存储芯片逐步被视为在线存储、近线存储和异地容灾等,在大数据时代,存储芯片的价值将更加大。存储芯片具有广阔的市场前景,带有各种处理器内核的SoC以及集成更多处理能力的FPGA产品将在越来越多的嵌入式系统中扮演重要角色。

对于动态变迁的存储市场,借助FPGA来实施嵌入式解决方案,可以定制实现其系统处理能力、外围电路和存储接口,并快速提高核心竞争力。FPGA在设计灵活性上也具有很大优势,也被称为软核处理器-硬件加速器,FPGA将大幅提升系统性能,通过FPGA实现的存储芯片架构将会通过产品研发能力的提高,FPGA在中高端存储市场上备受青睐。

存储市场将继续经历飞速的变革,这些变革由现正进行的存储资源网络化以及存储虚拟化进程所推动,存储区域网络(SAN)、网络连接存储(NAS)和IP存储将是未来存储增长的主要驱动力。

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发表于 2018-08-13 16:08 510次阅读
长江存储推全新3D NAND架构——Xtacki...

长江存储发布突破性技术,将大大提升3D NAND...

作为NAND行业的新晋者,长江存储科技有限责任公司(以下简称:长江存储)昨日公开发布其突破性技术—...

发表于 2018-08-13 09:54 423次阅读
长江存储发布突破性技术,将大大提升3D NAND...

长江存储64层3D NAND芯片专利研发完成,预...

紫光集团旗下长江存储发展储存型快闪存储器(NAND Flash)报捷,已自主开发完成最先进的64层...

发表于 2018-08-13 09:45 334次阅读
长江存储64层3D NAND芯片专利研发完成,预...

请问ADF4002内部自置的24位输入寄存器,是什么类型的存储器?

发表于 2018-08-13 06:41 93次阅读
请问ADF4002内部自置的24位输入寄存器,是什么类型的存储器?

不能读取目标存储器数据,请问是什么原因?

发表于 2018-08-13 06:20 55次阅读
不能读取目标存储器数据,请问是什么原因?

通过PMBus接口进行即时变更的高密度200A 6相DC-DC降压转换器参考设计包含BOM,原理图及光绘文件

发表于 2018-08-13 06:01 223次阅读
通过PMBus接口进行即时变更的高密度200A 6相DC-DC降压转换器参考设计包含BOM,原理图及光绘文件

紫光国微加大投入DRAM存储器芯片,年底将推向市...

紫光DDR4内存采用DIMM(U-DIMM)和SO-DIMM开发。U型DIMM是“SCQ04GU03...

发表于 2018-08-12 10:03 369次阅读
紫光国微加大投入DRAM存储器芯片,年底将推向市...

新一代立体堆叠闪存方案有什么优势?美光,SK海力...

今年的闪存技术峰会,美光、SK海力士包括长江存储都宣布了新一代的立体堆叠闪存方案,SK海力士称之为“...

发表于 2018-08-12 09:19 698次阅读
新一代立体堆叠闪存方案有什么优势?美光,SK海力...

各种存储器接口控制器设计所面临的挑战和Xilin...

FPGA 设计人员在满足关键时序余量的同时力争实现更高性能,在这种情况下,存储器接口的设计是一个一...

发表于 2018-08-11 11:04 1660次阅读
各种存储器接口控制器设计所面临的挑战和Xilin...

长江存储公布突破性技术——Xtacking,三星...

北京时间2018年8月7日,长江存储官网的一篇新闻稿表示其公开发布了一条其突破性技术——Xtacki...

发表于 2018-08-11 10:50 1970次阅读
长江存储公布突破性技术——Xtacking,三星...

中国首批32层3D NAND闪存芯片即将量产

昨日长江存储正式公开了其突破性技术——XtackingTM。据悉,该技术将为3D NAND闪存带来前...

发表于 2018-08-10 09:14 542次阅读
中国首批32层3D NAND闪存芯片即将量产