电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>存储技术>使用基于其Arria 10 SoC的存储参考设计,NAND闪存的使用寿命将加倍

使用基于其Arria 10 SoC的存储参考设计,NAND闪存的使用寿命将加倍

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

长江存储64层3D NAND闪存量产

9月2日,长江存储正式对外宣布,其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存(每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位,每个存储单元为三个字位的三维闪存)正式量产,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 14:31:151204

Kioxia展示了NAND闪存的潜在替代产品

资料来源:Kioxia Kioxia(原为东芝存储)有望创建3D NAND闪存的后继产品,与QLC NAND闪存相比,该产品可提供更高的存储密度。这项于周四宣布的新技术允许存储芯片具有更小的单元
2019-12-23 10:32:214222

3D垂直NAND闪存 轻松提升SSD容量

最新的3D垂直闪存与传统的NAND存储芯片相比,具有包括读写速度快1倍、使用寿命10倍及能耗减少50%等众多优势。
2013-08-29 10:46:512064

开放NAND闪存接口ONFI介绍

制造、设计或启用NAND闪存的公司组成的行业工作组,主要是Intel和镁光。致力于简化NAND闪存集成到消费电子产品、计算平台和任何其他需要固态大容量存储的应用程序中。为NAND闪存定义标准化的组件
2023-06-21 17:36:325876

NAND闪存内部结构解析

NAND闪存是一种电压原件,靠其内存电压来存储数据。
2023-07-12 09:43:211446

NAND闪存存储系统的低故障率如何实现?

该行业非常重视单个ECC代码的强度:但经常被忽视的是错误预防的强度,这在纠正甚至发挥作用之前是重要的我们如何在基于NAND闪存的系统中实现最低的故障率?您可能已在工程团队或存储系统供应商之间进行过
2019-08-01 07:09:53

NAND闪存深入解析

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑 NAND闪存深入解析
2012-08-09 14:20:47

存储级内存取代NAND闪存的可能性分析

存储级内存(SCM)取代NAND闪存的可能性分析
2021-01-05 06:23:08

AD5640BRJZ的使用寿命/年限是多少?

AD5640BRJZ的使用寿命/年限是多少?
2023-12-11 08:18:38

CS 创世SD NAND FLASH 存储芯片,比TF卡更小巧轻便易用的大容量存储,TF卡替代方案

巧。   合适的容量,提供128MB和512MB容量,后续推出1GB和4GB容量,可根据需求选择。   简单易用,内置坏块管理、平均读写、EDC/ECC等功能,降低CPU负担,提高产品质量和寿命。   长寿命和稳定性,SLC NAND具有最长的使用寿命和性能稳定性,擦写寿命达到10万次。
2024-01-24 18:30:00

DK-SOC-10AS066S-ES

DEV KIT ARRIA 10 SX SOC
2024-03-14 20:40:18

Flash存储器的使用寿命有什么办法延长吗?

的、针对嵌入式应用的文件系统,实现Flash存储器的损耗均衡,并且实现数据的有效管理,对于提高使用寿命具有一定的意义。
2019-08-16 07:06:12

NOR型flash与NAND型flash的区别

NAND的每个擦除块的容量也只有NOR的1/8至1/2,这就表明,每个块的擦写的频率要少于NOR闪存,从而有助于延长使用寿命。在数据的保存时间上,两者都差不多,为10年的水平。不过,由于串联的架构
2013-04-02 23:02:03

NOR型flash与NAND型flash的区别

的每块可擦写次数在10万至100万次之间,NOR则只是它的1/10,而且NAND的每个擦除块的容量也只有NOR的1/8至1/2,这就表明,每个块的擦写的频率要少于NOR闪存,从而有助于延长使用寿命
2014-04-23 18:24:52

STM8的内部flash的使用寿命有多长?

STM8的内部flash的使用寿命有多长
2023-10-12 07:06:55

XIP是否通过QSPI支持NAND闪存

?我可以 NAND 闪存分成两个分区吗:应用程序代码的第一个分区第二个分区将被格式化为 FAT32 文件系统
2023-03-29 07:06:44

Xilinx Spartan 6是否支持NAND闪存

认为每个组件都有自己的闪存。您如何看待,我应该只使用一个NAND闪存进行FPGA和处理器访问,这意味着FPGA配置文件(.mcs)也存储在非易失性闪存中,在加电时,ARM处理器会自动配置FPGA
2019-05-21 06:43:17

为何市面上的led灯使用寿命不长呢!

如今到处都可看见了的灯的存在,据说使用寿命不长!与传统的灯相比怎样!
2012-10-21 12:23:57

什么是SD NAND存储芯片?

闪存等其他存储设备更快。在使用SDIO接口时,SD NAND的速度更高。读取时延较低,比 SD 卡等其他媒体被访问时更加实时。   内置控制器:SD NAND内置了控制器,不必额外添置控制器,可以实现
2024-01-05 17:54:39

从ALtera官网下载了一个参考设计,基于stratix V,但我的开发板型号为Arria 10 SOC,做相应修改后,编译出现以下错误

从ALtera官网下载了一个参考设计,基于stratix V,但我的开发板型号为Arria 10 SOC,做相应修改后,编译出现以下,不知道有人遇到过没有,求帮助。Error (14566
2018-01-07 21:16:13

利用关键技术延长资产标签的电池使用寿命

其他几个领先的无线电SoC的蓝牙信标的预期电池使用寿命。下图是在相同的应用条件下绘制的,包括传输功率和工作周期。X轴代表电池容量(200至240毫安时,相当于一个CR2032纽扣电池),Y轴代表预期
2022-05-10 09:53:33

可焊接的SD卡又叫做可焊接的SD NAND Flash

Flash产品呢?    CS品牌SD NAND就是这样一款产品。内部使用寿命最长、性能最稳定的SLC NAND Flash晶圆,擦写次数可以达到10万次。另外,内置了特定的Flash控制器
2019-10-15 17:01:27

如何延长蓄电池的使用寿命

如何延长蓄电池的使用寿命
2021-06-18 06:03:40

如何计算电解电容的使用寿命

作为电子产品的重要部件电解电容,在开关电源中起着不可或缺的作用,它的使用寿命和工作状况与开关电源的寿命息息相关。在大量的生产实践与理论探讨中,当开关电源中电容发生损坏,特别是电解电容冒顶,电解液外溢
2021-03-07 08:23:57

如何采用Virtex 4的SLC NAND闪存

或SD的SPI接口。我们推出兼容ONFI的4Gb Micron SLC NAND芯片。似乎Virtex6和Kintex7有一个核心,但它们在AXI总线上。只是想知道是否有人找到了ONFI闪存
2020-06-17 09:54:32

对功耗、散热和电池寿命敏感的片上系统 (SoC) 设计

超低功耗内存专家sureCore正在招聘在内存设计方面拥有10年或以上经验的工程师。嵌入式 SRAM IP 面向服务于可穿戴和物联网 (IoT) 应用且对功耗、散热和电池寿命敏感的片上系统
2021-12-14 07:54:06

延长锂电池使用寿命的方法

延长锂电池使用寿命的方法常常会有人问,“锂电池为什么比铅酸电池好?”“延长锂电池使用寿命的方法”下面庄文展手机维修培训学校就针对以下的两点内容,给您进行一个简单的解答。希望您可以在了解锂电池的基础上
2017-09-15 14:42:40

影响CLL电容使用寿命的因素有哪些?

影响CLL电容使用寿命的因素有哪些?
2021-09-23 07:44:52

影响拉线位移传感器使用寿命的因素有哪些?

使用寿命:1、在安装过程中造成位移传感器介质发生的变化。如:安装倾斜角度问题、在安装时钢丝绳受外力损伤问题,都会影响使用寿命。2、使用环境过于恶劣。如灰尘、高温、潮湿等会直接影响使用寿命,如环境不可改变
2018-12-04 11:34:23

影响拉线位移传感器使用寿命的因素有哪些?

使用寿命:1、在安装过程中造成位移传感器介质发生的变化。如:安装倾斜角度问题、在安装时钢丝绳受外力损伤问题,都会影响使用寿命。2、使用环境过于恶劣。如灰尘、高温、潮湿等会直接影响使用寿命,如环境不可改变
2018-12-07 10:18:10

怎么延长电表使用寿命

中绝大多数仍可正常运行很多年。如果电表的使用寿命可以延长,直至精度下降之前才及时更换,该有多好? 延长电表的使用寿命可带来惊人的高回报。假设有一家电力公司,花在单只电表及其安装上的成本为100欧元
2018-07-24 08:15:18

拉绳式位移传感器的使用寿命长吗

`1、要确定使用环境的可靠性,如使用环境非常恶劣,受潮、高温、信号干扰都会影响使用寿命。3、钢丝绳的抗拉强度,钢丝绳一般采用进口涂塑钢丝,由100多股构成,只要不对施加外力是没有问题的。5、旋转
2020-07-04 11:30:45

电力电容器的保养及使用寿命

小库说:电力系统中的问题可不容小觑,日常小问题也不能忽视,今天来说一下 电力电容器的保养及使用寿命吧电力电容器保养得好,对使用寿命的延长和电器的安全运行相当重要。如何对电力电容器进行维护保养
2018-03-22 14:44:14

电子产品使用寿命 元器件使用寿命 计算

如题,如何去计算正要研发的一款产品的使用寿命,是不是应该从使用的电子元器件的使用寿命去整体权衡,有没有什么手册可以查询,或者有没有什么软件可以输入所使用的电子元器件,然后能计算出理论上这款产品的使用寿命
2015-06-06 16:26:56

电子产品的使用寿命,电子元器件的使用寿命

如题,如何去计算正要研发的一款产品的使用寿命,是不是应该从使用的电子元器件的使用寿命去整体权衡,有没有什么手册可以查询,或者有没有什么软件可以输入所使用的电子元器件,然后能计算出理论上这款产品的使用寿命
2015-06-06 16:28:36

电解电容器使用寿命影响要素

沸腾产生过压泄压部件产生不可逆转泄压动作造成电解液泄漏,使电解电容器永久性的损坏。因此电解电容器的存储和使用温度绝不可超过额定温度。相反,若降低工作温度则可以使电解电容器寿命大大增加。在实际使用中常
2017-04-26 16:04:05

电解电容器的使用寿命

产生过压泄压部件产生不可逆转泄压动作造成电解液泄漏,使电解电容器永久性的损坏。因此电解电容器的存储和使用温度绝不可超过额定温度。相反,若降低工作温度则可以使电解电容器寿命大大增加。 在实际使用中常
2017-03-06 16:10:44

电阻负载使用寿命和危害

使用寿命危害的要素:  (1)溫度,溫度过高能够迅速使其损坏。  (2)自然环境的ph酸碱度,立即浸蚀电阻造成毁坏。  (3)外力作用,超出一定的力的程度,电阻马上会破裂。  因此要使电阻使用寿命
2020-07-03 17:31:07

等离子的使用寿命是多久?

等离子的使用寿命是多久?       答: 等离子电视的使用寿命大约为6
2009-05-24 18:00:55

给Altera Arria 10 FPGA和Arria 10 SoC供电:经过测试和验证的电源管理解决方案

10 SoC (片内系统) 开发板。这些开发板由 Altera 进行了测试和验证,并举例说明了布局、信号完整性和电源管理方面的最佳设计方法。图 1:Arria 10 GX FPGA 开发套件板图 2
2018-10-29 17:01:56

这种新型液流电池使用寿命超过10

。这款所谓的“液流电池”基于一种中性PH水溶液中的有机分子发电,使用寿命预计超过10年,较当前的电池技术取得巨大进步。虽然并非首款液流电池,但它修复了此前设计的许多问题,例如容量退化过快。窍门是,通过
2017-02-24 18:25:11

嵌入式系统中Nand Flash写平衡的研究

由于Nand Flash 写之前需要擦除且使用寿命有限,为了提高Nand Flash 的使用寿命,需要对Nand Flash 存储块进行均衡管理。本文研究了ZLG/FFS,针对其不足,并根据ZLG/FFS设计了一个新的FF
2009-08-11 08:10:2417

采用Magma Finesim的NAND闪存仿真战略

采用Magma Finesim的NAND闪存仿真战略 摘要: NAND闪存是一种非易失性存储器,主要用于存储卡、MP3播放器、手机、固态驱动器(SSD)等产品中。除了存储单元阵列以外,它还有大量
2010-06-10 16:25:0326

延长Flash存储使用寿命的研究

延长Flash存储使用寿命的研究 引 言    随着嵌入式系统在数码相机、数字摄像机、移动电话、MP3音乐播放器等移动设备中越来越广泛的应用,Flash存储
2009-12-15 17:13:071153

NOR闪存/NAND闪存是什么意思

NOR闪存/NAND闪存是什么意思 NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同主要表现在: 1) 闪存芯片读写的基本单位不同
2010-03-24 16:34:358226

高性能20纳米级NAND闪存存储

高性能20纳米级NAND闪存存储器 SAMSUNG电子有限公司推出业界首个20纳米级(nm) NAND芯片,用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32
2010-05-17 12:15:021091

NAND闪存的自适应闪存映射层设计

NAND闪存的自适应闪存映射层设计 闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型,其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的
2010-05-20 09:26:23770

嵌入式Linux下NAND存储系统的设计

讨论嵌入式Linux 下与NAND 闪存存储设备相关的Linux MTD 子系统NAND 驱动并就与NAND 闪存相关的文件系统内核以及NAND 闪存存储设计所关注的问题如坏块处理从NAND 启动当前2.4 和2.6 内核中NA
2011-09-27 10:11:1076

移动与嵌入存储市场观察:UFS力扳eMMC NAND闪存

  虽然符合新的通用闪存卡(UFS)规范的产品出现,2013年将在移动NAND闪存市场引发新的技术竞争,但较旧的嵌入多媒体存储卡(eMMC)标准在许多手机和平板电脑中仍将保持统治地位
2012-03-30 08:46:141488

热能的应用 大幅度延长闪存寿命周期

现在已经有了一种新方法使得 NAND 闪存寿命时间比现在更长。延长 NAND 闪存寿命的关键是热能的应用。
2012-12-03 13:49:50779

Altera的Arria 10版Quartus II软件为立即开始20 nm设计提供支持

2013年12月3号,北京——Altera公司(Nasdaq: ALTR)今天发布了Arria 10版Quartus II软件,这是业界第一款支持20 nm FPGA和SoC的开发工具。基于TSMC
2013-12-03 10:48:471607

东芝在闪存峰会上展示最新NAND存储产品

东京—东芝公司 (TOKYO:6502)今天宣布,该公司在闪存峰会(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND闪存存储产品。
2014-09-03 11:40:13849

长江存储32层NAND闪存预计2018年内量产

NAND闪存芯片是智能手机、SSD硬盘等行业中的基础,也是仅次于DRAM内存的第二大存储芯片,国内的存储芯片几乎100%依赖进口。好在国产NAND闪存目前已经露出了曙光,紫光集团旗下的长江存储正在
2018-05-16 10:06:003750

基于Arria 10 SoC FPGA的高性能低成本解决方案

本文介绍了Arria 10 SoC FPGA主要特性,框图以及Arria 10 SoC开发板主要特性,电源分布网络图和电路图。
2018-06-16 06:31:009767

如何从NAND闪存启动达芬奇EVM

 DVEVM可以启动或(默认),与非门,或通用异步接收机/发射机(UART)。NOR 闪存提供了一个字节随机的优点访问和执行就地技术。NAND闪存不是那么容易用它需要闪存转换层(FTL)软件让它访问;然而,由于它的价格低,速度快,寿命长,许多客户想设计NAND闪存代替或NOR闪存
2018-04-18 15:06:579

Arria 10混合存储器立方体控制器演示(2)

Arria 10混合存储器立方体控制器演示第二部分
2018-06-22 02:59:003197

Arria 10混合存储器立方体控制器演示(1)

Arria 10混合存储器立方体控制器演示第一部分
2018-06-22 01:02:003176

如何在 Arria 10 中设计 I2C EEPROM

Arria 10 中设计 I2C EEPROM
2018-06-22 01:11:002918

Arria® 10 的性能

Arria® 10 用户控制刷新
2018-06-26 00:14:002496

Arria 10外部存储器接口(EMIF)工具包

Arria 10外部存储器接口(EMIF)工具包
2018-06-11 17:10:201985

东芝推出基于单层存储单元NAND闪存的BENAND产品

东芝公司近日发布了BENAND产品。该产品基于单层存储单元(SLC)NAND闪存,并且内嵌错误纠正功能(ECC)。BENAND产品正式批量生产的时间为2012年3月。BENAND在东芝公司最先
2018-10-08 17:11:001940

关于不同NAND闪存的种类对比浅析

由于闪存的成本取决于其裸片面积,如果可以在同样的面积上存储更多数据,闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型:单层单元(SLC)、多层单元(MLC)和三层单元(TLC)。顾名思义,在相同
2018-12-17 15:50:241684

你知道NAND闪存的种类和对比?

由于闪存的成本取决于其裸片面积,如果可以在同样的面积上存储更多数据,闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型:单层单元(SLC)、多层单元(MLC)和三层单元(TLC)。顾名思义,在相同
2019-04-17 16:32:345462

存储级内存克服了NAND闪存的局限性 因而势必会取而代之

存储级内存(SCM)这种RAM能够像NAND闪存那样保保存其内容,但兼具DRAM的速度,最终将会取代闪存成为首选的高速存储介质。
2019-01-28 14:23:18641

未来十年存储级内存将取代NAND闪存?

近日,HPE 3PAR存储单元副总裁兼总经理Ivan Iannaccone进行了一次大胆预测,在他看来,存储级内存(SCM)或将在10年内取代NAND闪存,成为企业首选的高速存储介质。
2019-02-19 14:06:365827

NAND闪存连跌6个季度 上游厂商认为5月会回暖

2019年全球半导体市场从牛市进入了熊市,领跌的就是DRAM内存及NAND闪存两大存储芯片,其中NAND闪存芯片从2018年初就开始跌价,迄今已经连跌了6个季度。
2019-05-12 09:37:222630

联芸成功实现基于4K LDPC纠错的第三代Agile ECC 3闪存信号处理技术的开发和验证 可极大延长NAND使用寿命

追求存储密度以降低存储成本不断推动着NAND闪存技术的发展。NAND闪存技术已经从最初的SLC时代,跨越MLC、TLC向QLC时代快速演进,并且从最初的2D平面技术全面切换到3D堆叠技术。而3D NAND闪存技术也从最初的32层堆叠,发展到了目前最新一代的高达128层堆叠。
2020-04-14 15:28:031730

英特尔Arria 10 SOC FPGA开发板硬件支持32位 DDR4 SDRAM

英特尔的SoC开发套件提供了开发定制ARM快速和简单的方法*处理器的SoC设计。设计生产率是Arria 10 SoC架构的驱动理念之一。Arria 10 SoC提供与上一代SoC的完全软件兼容性
2020-05-20 14:05:561244

浅谈QLC闪存颗粒的固态硬盘的使用寿命

最近关于QLC闪存的消息不断,最劲爆的莫过于武汉长江存储成功研发全球首款128层QLC 3D NAND闪存,多项技术世界领先,最快年底量产。
2020-07-30 11:40:1017363

NAND闪存类型机选择技巧

通常情况下,固态硬盘(SSD)的底层NAND架构会因模型而异。NAND 闪存的每种类型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性,并因此对您的数据存储产生不同的影响,在这篇文章中,我们会讨论这些差异。
2020-08-28 11:15:46716

圣杯是无线联接使用的纽扣电池使用寿命10

对于许多小的、便携式物联网(IoT)应用,“圣杯”是无线联接使用的纽扣电池使用寿命10年。
2020-09-03 10:14:543165

NAND闪存芯片有哪些类型

我们都知道,构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存,目前闪存制造厂主要分为三星与东芝联合的ToggleDDR阵营和英特尔与美光为首的ONFI阵营,今天小编就来你了解闪存产品的核心—NAND闪存芯片的分类。
2020-09-18 14:34:527052

长江存储将提高NAND闪存芯片的出货量

据国外媒体报道,专注于3D NAND闪存设计制造的长江存储,将提高NAND闪存芯片的出货量。
2020-09-22 17:11:492025

SK海力士出资600亿收购英特尔NAND闪存存储业务!

据国外媒体报道,SK海力士宣布出资600亿收购英特尔NAND闪存存储业务! SK海力士已在官网宣布了他们将收购英特尔NAND闪存存储业务的消息,SK海力士在官网上表示,两家公司已经签署了相关
2020-10-23 11:05:152133

美光发布176层3D NAND闪存

存储器厂商美光宣布,其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构,可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:552599

不要过于关注3D NAND闪存层数

    NAND非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史,随着2D NAND容量达到极限,以及晶体管越来越小,NAND的编程时间变长,擦写次数变少,能够将内存颗粒堆叠起来的3D
2020-12-09 10:35:492766

eMMC NAND闪存技术和用例需求

eMMC模块因为是以NAND闪存技术为基础而具有预定的使用寿命。它们具备有限的程序/擦除(P/E)周期,即使公司最初按照这些规范进行设计,他们也必须预见到同一系统随着时间的推移必须应对不断增加的工作负载挑战。
2021-01-18 16:21:041831

NAND闪存类型,如何选择SLC/MLC和TLCSSD

NAND闪存是用于SSD和存储卡的一种非易失性存储体系结构。它的名字来源于逻辑门(NOT-AND),用于确定数字信息如何存储闪存设备的芯片中。
2021-03-02 17:54:143918

如何保证工业的使用寿命更长久

  所有东西都是有使用寿命的,只是时间长短不一样罢了。工业平板电脑也是一样,也有着一定的使用寿命,大概在8-10年,但这是正常老化的使用寿命。因为有很多的因素会影响着工业平板电脑的使用寿命,致使工业平板电脑的使用寿命会很大程度的降低。那要如何保持工业平板电脑的使用寿命呢?下面就来了解一下吧。
2021-11-04 16:37:13609

采用蓝牙低功耗和SoC实现电池10使用寿命

  专有的Sub-GHz无线电旨在用于更长距离的无线传输。凭借153 db(16 dbm Tx功率和-135 Rx灵敏度)的链路预算,AXM0F24窄带SoC可以传输37公里或23英里(915MHz,30db衰减余量)的距离。对于1.1公里的距离,AXM0F243超过了所需的10年实际电池使用寿命
2022-05-07 15:58:371437

基于Arria 10 SoC的控制模块设计与注意事项

  开发具有强大架构的产品是确保系统设计满足现在和未来性能要求的关键。借助用于嵌入式系统的 SoC,设计立足于坚实的基础。用于中型应用的 FPGA 可显着节省空间并在功耗、成本和性能之间取得良好平衡。Arria 10 SoC就是这样一个典型代表。
2022-06-08 09:31:24503

基于Arria 10 SoC的设计和开发注意事项

  因此,英特尔 Arria 10 SoC 为嵌入式外设、硬核浮点 DSP 模块、嵌入式高速收发器、硬核存储器控制器和协议 (IP) 控制器提供了具有广泛功能范围的处理器。
2022-06-08 09:50:571047

Arria 10 SoC确保系统设计满足现在和未来性能要求

  借助 Arria 10 SoC,您可以通过将 GHz 级处理器、FPGA 逻辑和数字信号处理 (DSP) 集成到单个可定制的片上系统中来减小电路板尺寸,同时提高性能。
2022-06-30 09:50:09914

基于Arria 10 SoC的控制模块设计

  因此,英特尔 Arria 10 SoC 为嵌入式外设、硬核浮点 DSP 模块、嵌入式高速收发器、硬核存储器控制器和协议 (IP) 控制器提供了具有广泛功能范围的处理器。
2022-08-15 11:31:53368

存储背后的大脑:NAND 闪存控制器实际上是做什么的?

存储背后的大脑:NAND 闪存控制器实际上是做什么的?   围绕在基于 NAND 闪存存储系统的讨论变得很混乱。通常 , 当人们讨论存储时 , 只会谈论 NAND 闪存 , 而忽略了控制器这一独立
2022-09-05 14:42:551452

苹果欲与长江存储合作来降低NAND闪存的价格

苹果公司将长江存储(YTMC)纳入供应商名单。苹果与YTMC合作的目的是通过使供应商多样化来降低NAND闪存的价格。
2022-09-08 11:55:23529

NAND闪存的应用中的磨损均衡

NAND闪存的应用中,程序/擦除周期存在一个限制,称为“P/E周期”。在NAND闪存中,当每个块的P/E周期达到最大值时,这些块将变得不可工作,需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时,此NAND闪存将无法再使用。
2022-10-24 14:30:111230

NAND闪存控制器有什么优势

围绕基于NAND闪存存储系统的对话已经变得混乱。通常,当人们讨论存储时,他们只谈论NAND闪存,而忽略了单独的,但同样重要的组件,即控制器。但是为什么需要控制器呢?简单地说,没有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863

什么是3D NAND闪存

我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147

NAND闪存特点及决定因素

内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit,用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND闪存的基本存储单元是页(Page)(可以看到,NAND闪存的页就类似硬盘的扇区,硬盘的一个扇区也为512
2023-06-10 17:21:001983

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存,三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53282

NAND存储种类和优势

非易失性存储器芯片又可分为快闪存储器 (Flash Memory) 与只读存储器 (Read-Only Memory)。其中,快闪存储器又可以分为 NAND 存储和 NOR 存储
2024-03-22 10:54:1515

已全部加载完成