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电子发烧友网>存储技术>美光告福建晋华盗用技术,阻止中国开发自有的DRAM内存芯片技术

美光告福建晋华盗用技术,阻止中国开发自有的DRAM内存芯片技术

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2018-11-07 14:51:545958

DRAM厂商福建晋华被美国禁售,谁会是最大赢家

美国商务部将中国DRAM厂商福建晋华集成电路有限公司列入禁售名单,它将无法从美国进口任何元器件和技术
2018-11-18 09:33:584522

福建晋华厂房全面停摆 中国自行制造芯片战略受影响

美国政府对福建晋华下出口禁令后,福建晋华斥资60亿美元的半导体厂房全面停摆,恐影响中国自行制造芯片的大战略。
2018-11-30 16:29:115525

DRAM大厂美光在美国起诉福建晋华一案有了新的进展

实际上,福建晋华正式成立之前,公司前身就与联电签署了技术合作协议,联合开发DRAM相关制程技术。2016年正式与福建晋华达成合作。据双方协议,晋华将提供特用设备,并依开发进度支付技术报酬金给联电作为开发费用,开发成果将由双方共同拥有。
2019-01-21 14:10:496017

三星宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片

3月21日,三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-21 16:43:083251

三星电子将开发首款基于第三代10nm级工艺DRAM内存芯片,下半年量产

三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-24 11:36:163659

DRAM内存芯片价格不断下跌 海力士推迟无锡新厂投产计划

据外媒报道,由于DRAM内存芯片价格不断下跌,近期又有华为事件的影响,SK海力士正在计划推迟位于中国无锡的全球最先进内存芯片工厂的投产计划。
2019-06-21 11:33:153724

长鑫存储亮相闪存技术峰会 引领中国DRAM技术突破

作为中国DRAM产业的领导者,长鑫存储正在加速从DRAM技术追赶者向技术引领者转变,用自主研发的DRAM技术和专利,引领中国实现DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00463

DRAM内存芯片领域 国内目前依然是一片空白

虽然国产3D NAND已经取得了突破了,但是在DRAM内存芯片领域,国内依然是一片空白。原本被寄予厚望的福建晋华,由于遭遇美国“禁令”,已长期处于停摆状态。
2019-11-29 16:22:533697

长鑫存储获大量原奇梦达内存专利 助力持续开发DRAM关键技术

长鑫存储技术有限公司与加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日联合宣布,就原内存制造商奇梦达开发DRAM内存专利,长鑫存储与WiLAN全资子公司Polaris Innovations Limited达成专利许可协议和专利采购协议。
2019-12-06 09:35:50598

全球DRAM自有品牌内存营收最新排名公布 三星依然排名第一

今日,集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)公布了全球DRAM自有品牌内存营收最新排名。
2020-02-19 16:11:123987

MRAM芯片与目前常用的几种计算机内存SRAM、DRAM及闪存的性能比较

了基础。 1995年IBM、摩托罗拉及好莱坞等三家大企业提供基金进行高密、高速低耗MRAM芯片开发,其技术指标及产品目标要求如下: 技术指标: 具有sram芯片的随机存取速率; 具有DRAM芯片的大容量存储密度; 具有EEPROM芯片存入数据的非易失性。 产品目标: 取代计算机的DRAM内存
2020-09-07 18:19:335079

三星将开发自有 UTG 超薄玻璃

合作,将开发自有 UTG 超薄玻璃。 Samsung Display 的 UTG 超薄玻璃技术是采用德国玻璃大厂肖特(Schott)的
2020-09-21 15:27:072862

美光量产并出货1αnm DRAM内存芯片 功耗可降低15%

美光今天宣布,已经开始批量出货基于1αnm工艺的DRAM内存芯片,这也是迄今为止最先进的DRAM工艺,可明显提升容量密度、性能并降低功耗。 不同于CPU、GPU等新品,DRAM内存、NAND闪存
2021-01-27 17:28:331589

消息称苹果与台积电合作开发自动驾驶芯片

据 macrumors 援引中国台湾媒体 Digitimes 的消息,苹果正在与台积电合作,开发自动驾驶汽车芯片,并探索在美国建立某种工厂的可能性。 苹果汽车项目目前的重点是开发自动驾驶技术,这种
2020-12-10 10:02:421705

美光推出 1α DRAM 制程技术内存密度提升了 40% 节能 15%

1 月 27 日消息 内存与存储解决方案供应商美光科技今日宣布批量出货基于 1α (1-alpha) 节点的 DRAM 产品。该制程是目前世界上最为先进的 DRAM 技术,在密度、功耗和性能等各方面
2021-01-27 13:56:031970

美光全球首创1αnm DRAM内存芯片

美光今天宣布,已经开始批量出货基于1αnm工艺的DRAM内存芯片,这也是迄今为止最先进的DRAM工艺,可明显提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513088

SK海力士成功开发出业界第一款HBM3 DRAM 内存芯片

韩国SK海力士公司刚刚正式宣布已经成功开发出业界第一款HBM3 DRAM内存芯片,可以实现24GB的业界最大的容量。HBM3 DRAM内存芯片带来了更高的带宽,每秒处理819GB的数据,相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142055

比尔盖茨:美无法阻止中国有强大芯片

      比尔•盖茨在近期的一次采访中提及美无法阻止中国有强大芯片,美国限制中国技术发展的努力注定要失败,美国的做法只会“迫使”中国花时间和金钱来制造自己的芯片,“美国永远无法成功阻止中国拥有强大
2023-03-03 12:00:2810897

内存芯片制造工艺 DRAM工艺流程 堆叠式DRAM工艺流程

内存芯片在驱动ic市场和ic技术发展方面发挥了重要作用。市场上两个主要的内存产品分别是DRAM和NAND。
2023-09-01 09:43:093293

美光科技与福建晋华达成全球和解

这场纠纷始于2016年,当时台湾联华电子与福建晋华签署了一项技术合作协议,旨在协助晋华开发32纳米DRAM相关制程技术
2023-12-25 16:38:53456

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