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DDR4出货量持续增加,南亚科营业利益率持续攀高

2018年06月26日 15:59 次阅读

DRAM厂南亚科(2408)总经理李培瑛预期今年第2、3季的市场需求稳定成长,第2季整体市况仍供不应求,产品单价可望持续微幅上扬,且公司第二季位元季增率有机会超过15%,DDR4出货量持续增加,有利拉抬毛利率、营业利益率持续攀高。

南亚科今日公布第1季财报,单季毛利率、营业利益率双双创历史新高,分别达51.8%、44.3%,但汇兑损失约新台币11.78亿元,单季税后净利72.27亿元,单季每股盈余为新台币2.39元。

DDR4出货量持续增加,南亚科营业利益率持续攀高

展望第2季市况,南亚科总经理李培瑛表示,第2季市况依旧供不应求,产品单价可望持续微幅上扬,涨幅估约低个位数,其中DDR4出货量持续增加,毛利率可望持续提升。由此来看,南亚科第2季营收持续成长,毛利率、营业利益率有机会再同步攀高。

李培瑛表示,南亚科技20纳米产品销售占总营收比逾6成,且20纳米8Gb DDR4产品已量产出货,预估第2季位元销售量季成长将超过15%,全年位元销售量年成长可达48%,优于原先预估的45%。

另外,南亚科自行研发之10纳米级制程技术依计划进行,希望3年(2020年)后小量产出。

第一季南亚科因为手上美元部位过高,导致汇损金额大,李培瑛提到,目前手上现金,美元与台币各半,手上的美元水位已经降到200多亿元台币的水位,以准备发放现金股利;南亚科第二季汇损金额会大大降低。

DRAM供给面方面来看,南亚科预期,今年上半年各厂投片持平,市场持续供不应求,第三季则是传统旺季,第4季底要观察韩系厂商增加产能的部位会有多大;若供给增加幅度与市场成长幅度相当,DRAM不致出现大幅下滑,虽价格涨势趋缓,DRAM市况仍将呈现稳定的局面。

从需求来看,李培瑛表示,成长动能最强且能见度最高的还是在服务器产业,大型数据中心需求持续强劲、英特尔Purley带动换机潮与搭载量以及人工智能、大数据、云端资料存储、边缘运算等推动,长期的成长动能可期。南亚科预计第2季可望开始出货服务器记忆体,全力抢攻服务器市场。

另外,西班牙世界通讯大展后,各大手机品牌推出旗舰新机种,增加人工智能以及照相功能,将带动下半年整体需求稳健向上。个人电脑则在电竞机种需求稳健成长,消费机种在北美市场呈现回温趋势。消费性电子终端产品的部分,机上盒平均平均搭载量由0.5 GB成长0.9GB,IPTV的4K渗透率越过50%。整体来看,第2、3季的整体需求稳定成长。今年DRAM需求年成长估约21~23%。

DRAM厂南亚科(2408)总经理李培瑛预期今年第2、3季的市场需求稳定成长,第2季整体市况仍供不应求,产品单价可望持续微幅上扬,且公司第二季位元季增率有机会超过15%,DDR4出货量持续增加,有利拉抬毛利率、营业利益率持续攀高。

南亚科今日公布第1季财报,单季毛利率、营业利益率双双创历史新高,分别达51.8%、44.3%,但汇兑损失约新台币11.78亿元,单季税后净利72.27亿元,单季每股盈余为新台币2.39元。

展望第2季市况,南亚科总经理李培瑛表示,第2季市况依旧供不应求,产品单价可望持续微幅上扬,涨幅估约低个位数,其中DDR4出货量持续增加,毛利率可望持续提升。由此来看,南亚科第2季营收持续成长,毛利率、营业利益率有机会再同步攀高。

李培瑛表示,南亚科技20纳米产品销售占总营收比逾6成,且20纳米8Gb DDR4产品已量产出货,预估第2季位元销售量季成长将超过15%,全年位元销售量年成长可达48%,优于原先预估的45%。

另外,南亚科自行研发之10纳米级制程技术依计划进行,希望3年(2020年)后小量产出。

第一季南亚科因为手上美元部位过高,导致汇损金额大,李培瑛提到,目前手上现金,美元与台币各半,手上的美元水位已经降到200多亿元台币的水位,以准备发放现金股利;南亚科第二季汇损金额会大大降低。

DRAM供给面方面来看,南亚科预期,今年上半年各厂投片持平,市场持续供不应求,第三季则是传统旺季,第4季底要观察韩系厂商增加产能的部位会有多大;若供给增加幅度与市场成长幅度相当,DRAM不致出现大幅下滑,虽价格涨势趋缓,DRAM市况仍将呈现稳定的局面。

从需求来看,李培瑛表示,成长动能最强且能见度最高的还是在服务器产业,大型数据中心需求持续强劲、英特尔Purley带动换机潮与搭载量以及人工智能、大数据、云端资料存储、边缘运算等推动,长期的成长动能可期。南亚科预计第2季可望开始出货服务器记忆体,全力抢攻服务器市场。

另外,西班牙世界通讯大展后,各大手机品牌推出旗舰新机种,增加人工智能以及照相功能,将带动下半年整体需求稳健向上。个人电脑则在电竞机种需求稳健成长,消费机种在北美市场呈现回温趋势。消费性电子终端产品的部分,机上盒平均平均搭载量由0.5 GB成长0.9GB,IPTV的4K渗透率越过50%。整体来看,第2、3季的整体需求稳定成长。今年DRAM需求年成长估约21~23%。

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发表于 2018-04-21 06:04 562次阅读
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中国自主研发的 DRAM 芯片有希望在合肥诞生

近日于合肥举办的“国家集成电路重大专项走进安徽活动”中,长鑫存储技术有限公司董事长、睿力集成电路有限...

发表于 2018-04-18 13:50 1265次阅读
中国自主研发的 DRAM 芯片有希望在合肥诞生

MOSFET、存储器IC等继续看涨 硅晶圆是罪魁...

台系MOSFET芯片供应商指出,由于外商仍主导MOSFET芯片价格走势,台系IC设计公司宁可先抢市占...

发表于 2018-04-17 16:35 724次阅读
MOSFET、存储器IC等继续看涨 硅晶圆是罪魁...

中国的三大存储芯片企业有望打破韩美日垄断存储芯片...

当然中国的存储芯片企业在投产后还需要在技术方面追赶韩美日等存储芯片企业,长江存储当下准备投产的为32...

发表于 2018-04-17 09:37 1432次阅读
中国的三大存储芯片企业有望打破韩美日垄断存储芯片...

解说DRAM、逻辑器件和NAND这三大尖端产品

影响DRAM工艺缩减的主要问题是电容。为了可靠地存储数据,电容需要大于一定的阈值。要继续制造出占用面...

发表于 2018-04-16 09:08 854次阅读
解说DRAM、逻辑器件和NAND这三大尖端产品

奇梦达为什么破产_揭秘奇梦达破产内幕

奇梦达公司(QimondaAG)是一家在2006年5月1日由英飞凌科技公司分拆而成的新内存公司,为全...

发表于 2018-04-10 14:37 970次阅读
奇梦达为什么破产_揭秘奇梦达破产内幕

DRAM、NAND FLASH、NOR FLAS...

存储器芯片领域,主要分为两类:易失性和非易失性。易失性:断电以后,存储器内的信息就流失了,例如 DR...

发表于 2018-04-09 15:45 2480次阅读
DRAM、NAND FLASH、NOR FLAS...

全球存储发展简史(DRAM、NAND Flash...

NOR Flash和NAND Flash作为存储的两大细分领域(另外还有DRAM),目前发展形势一直...

发表于 2018-03-31 08:38 1598次阅读
全球存储发展简史(DRAM、NAND Flash...

新式DRAM存取技术提升动态随机DRAM访问速度

本文透过对于静态随机存取内存(SRAM)单元缩减布局面积的研究,提出一种新的 存取技术 ,可望提升动...

发表于 2018-03-28 12:03 252次阅读
新式DRAM存取技术提升动态随机DRAM访问速度

2018年DRAM市场整体规模将会达到996亿美...

DRAM市场整体规模将会达到996亿美元,比NAND闪存市场621亿美元还高出375亿美元,将成为I...

发表于 2018-03-23 10:45 3046次阅读
2018年DRAM市场整体规模将会达到996亿美...

英特尔想要尽快压制三星,用这些新战略试试看?

作者/Sang-Yun Lee, CEO, BeSang Inc. 英特尔自从1992年以来首次在半...

发表于 2018-03-22 18:15 2413次阅读
英特尔想要尽快压制三星,用这些新战略试试看?

三星野心勃勃拟定超越影像传感器市场霸主Sony的...

据韩媒ET News报导,在影像传感器事业方面,三星将先提升1,300万画素以上高附加价值产品供应能...

发表于 2018-03-21 09:32 951次阅读
三星野心勃勃拟定超越影像传感器市场霸主Sony的...

DRAM涨风不绝 渐渐压制市场需求

根据市调机构IC Insights最新研究显示,在1978年至2012年的34年间,DRAM每位(b...

发表于 2018-03-20 10:31 192次阅读
DRAM涨风不绝 渐渐压制市场需求

DRAM、NAND型快闪存储近来报价走势超优,2...

全球最大存储厂韩国三星电子正在进行半导体产能大挪移,以提升产能运用效率,三星虽然决定在韩国华城Lin...

发表于 2018-03-19 16:18 1315次阅读
DRAM、NAND型快闪存储近来报价走势超优,2...

单片机控制的动态数据缓存器的DRAM读/写控制过...

读取一字节数据的程序段如下: 读取数据时,T1先置1,其后的RD信号将行地址送到地址线AB上,并使D...

发表于 2018-03-17 11:33 1772次阅读
单片机控制的动态数据缓存器的DRAM读/写控制过...

DRAM市场三方混战_中国厂商靠“抱大腿”翻身

纵观历史态势,DRAM市场是主要IC产品细分市场波动最大的部分。在过去2年,2016年DRAM市场就...

发表于 2018-03-17 11:32 968次阅读
DRAM市场三方混战_中国厂商靠“抱大腿”翻身

DRAM报价超预期 IC insights大幅上...

因DRAM、NAND等内存报价上涨、需求强劲,调研机构昨日(3月14日)发布最新研究报告,将2018...

发表于 2018-03-16 11:21 324次阅读
DRAM报价超预期 IC insights大幅上...

大国崛起叙事的正反效应

虽然半导体行业的发展有其客观规律,工厂的投入——回报周期很长,相关的推动效应需要时间来验证,但这种期...

发表于 2018-03-13 13:48 698次阅读
大国崛起叙事的正反效应

受益价格持续上涨三巨头Server DRAM营收...

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示,回顾2017年第四季,其中北美数据中...

发表于 2018-03-12 16:55 173次阅读
受益价格持续上涨三巨头Server DRAM营收...

中国存储器产业如何发展?

中国存储器产业如何发展?本文从纯市场的角度,就DRAM、NAND Flash、封测技术和发展思路等...

发表于 2018-03-07 17:46 806次阅读
中国存储器产业如何发展?

三星确认建厂,用于扩大DRAM、NAND Fla...

根据韩国媒体的报导,韩国存储器大厂三星已经确认,将会在韩国平泽市兴建一座新的半导体工厂,用于扩大DR...

发表于 2018-03-06 18:59 940次阅读
三星确认建厂,用于扩大DRAM、NAND Fla...

三星砸1750亿元建新工厂DRAM内存颗粒 计划...

三星砸1750亿元建新工厂DRAM内存颗粒,新工厂也同时具备内存、闪存生产能力,但是三星尚未决定具体...

发表于 2018-03-03 11:38 1018次阅读
三星砸1750亿元建新工厂DRAM内存颗粒 计划...

浅谈国产内存现状 国产DDR4的崛起

目前中国正在大力发展半导体产业,但是在内存市场却有一些缺憾,全球内存市场几乎被美国、韩国垄断,去年的...

发表于 2018-03-01 10:12 2583次阅读
浅谈国产内存现状 国产DDR4的崛起

三星控制存储产品价格上涨 中国政府正式介入存储市...

韩国媒体近日报道称,中国发改委要求三星控制存储产品价格上涨。在去年年底中国智能手机企业联合举报,对半...

发表于 2018-02-24 02:58 48次阅读
三星控制存储产品价格上涨 中国政府正式介入存储市...

全球DRAM平均售价将降低 5大迹象十分清晰

内存芯片在2017年掀起一阵狂热,价格只增不减。纵观2018年甚至2019年局势,5大迹象显示内存芯...

发表于 2018-02-23 10:54 370次阅读
全球DRAM平均售价将降低 5大迹象十分清晰

FPGA读写DRAM存储器的代码

发表于 2018-01-14 15:31 994次阅读
FPGA读写DRAM存储器的代码

MICRON镁光 DDR3 DDR4

发表于 2017-10-09 10:32 218次阅读
MICRON镁光 DDR3 DDR4

DDR4 288PIN内存条插槽连接器 台式电脑第四代内存条卡槽插座

发表于 2017-09-29 14:55 534次阅读
DDR4 288PIN内存条插槽连接器 台式电脑第四代内存条卡槽插座

内存条插槽连接器

发表于 2017-09-29 14:44 306次阅读
内存条插槽连接器

英特尔存储器:热数据推“傲腾”,温数据有“Ruler”

发表于 2017-09-15 17:08 642次阅读
英特尔存储器:热数据推“傲腾”,温数据有“Ruler”

DRAM上电时存储单元的内容是全0,而Flash上电时存储单元的内容是全1,对吗?

发表于 2017-08-23 09:29 2208次阅读
DRAM上电时存储单元的内容是全0,而Flash上电时存储单元的内容是全1,对吗?