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电子发烧友网>存储技术>“中国芯”国际地位要提高 长江存储要用5年时间达到世界水平

“中国芯”国际地位要提高 长江存储要用5年时间达到世界水平

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细数"中国芯"的发展历程,经过10多年的发展,中国高性能计算机的设计与制造水平已进入世界前列,高性能服务器产业已经发展起来,并已出现实现跨越式发展的机遇。
2011-12-23 20:52:355683

中国芯被倒逼迎来突破惊艳世界

如今国产处理器性能已经不弱于国外处理器,中国芯片终于迎来了“芯突破”,到2020年,集成电路产业与国际先进水平的差距逐步缩小,保持现有20%的发展速度,必将成为美国的最大竞争对手。
2018-01-22 15:30:051925

长江存储32层三维NAND闪存芯片量产提上日程 光谷是希望之地

、由1000人团队历时2年自主研发的芯片,获得中国电子信息博览会(CITE2018)金奖。这是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片,将有望使中国进入全球存储芯片第一梯队,有力提升“中国芯”在国际市场的地位
2018-04-23 11:20:003309

中国IC设计已并跑世界主流水平

台积电中国业务发展副总经理罗镇球19日在2018中国芯片发展高峰论坛上表示,在全球前50大的IC设计公司里面,目前已有12家公司来自中国;过去10年间,中国IC设计业,已从原来的落后两个时代,到已完全并跑世界主流水平
2018-09-20 11:03:555143

机器人峰会新产品闪亮登场,展示了我国行业龙头追赶世界水平的最新进展

用上国产“大脑”的机械臂、多功能智能化无人机、实现混合生产的柔性生产线……在10日召开的第五届中国机器人峰会暨智能经济人才峰会上,近80家知名企业带来了一批最新机器人应用成果,展示了这个领域追赶世界水平的最新进展。
2018-10-11 16:05:331285

中国芯片制造水平落后国外至少十年

半导体行业分析师认为,尽管北京长期提供财务支持,中国电子硬件集团的市场主导地位不断提高中国芯片设计公司的能力在过去几年也获得了大幅提升,但中国最好的芯片制造商比其国际竞争对手落后十年。
2019-01-28 17:01:4612357

长江存储:力求技术“无时差”,国际技术水平最近的一次

国内首家 NAND Flash 大厂长江存储的新一代 64 层 3D NAND 芯片即将在 8 月投产,这个时间点加入全球存储竞赛堪称是“最混乱的时代”,但也可视为是“最佳入局的时间点”,因为
2019-05-08 11:40:485209

长江存储直追国际技术 NAND陷入全球混战

长江存储在 2018 年成功研发32层3D NAND芯片后,进一步规划在2019年8月开始生产新一代的64层 3D NAND芯片,等于宣告加入全球NAND Flash战局,对比今年三星、SK海力士(SK Hynix )进入90层3D NAND芯片生产,长江存储追赶世界大厂的步伐又大幅迈进一步。
2019-05-17 14:13:281277

行业 | 中国半导体2030年将达到世界水平?

半导体产业是目前世界上发展最快、最具影响力的产业之一。
2019-07-12 15:20:163169

中微中标9台长江存储蚀刻机,国产半导体设备也很好

紫光旗下的长江存储在2019年9月份正式量产了国内首个64层堆栈的3D闪存,容量256Gb,TLC芯片,2020年长江存储还会进一步提升产能,年底将达到每月6万片晶圆的水平,是初期产能的10倍。
2020-01-09 09:38:533905

搭载长江存储3D NAND闪存的SSD产品性能达到国际领先水平

根据国科微官方的消息,国科微搭载长江存储3D NAND闪存的固态硬盘产品已完成批量测试。
2020-01-17 15:17:495053

长江存储128层NAND flash存储芯片 中国存储芯片国际领先

据媒体报道指国产存储芯片企业长江存储已开发出128层的NAND flash存储芯片,这是当前国际存储芯片企业正在投产的NAND flash技术,意味着中国存储芯片技术已达到国际领先水平
2020-04-14 08:55:4512821

我国存储芯片达国际领先水平中国制造再铸辉煌

据媒体报道指国产存储芯片企业长江存储已开发出128层的NAND flash存储芯片,这是当前国际存储芯片企业正在投产的NAND flash技术。
2020-05-04 09:22:002111

首款中国芯全国产光威弈Pro M.2 NVMe SSD震撼首发!

在SSD固态存储领域,主控芯片的重要性不言而喻,其地位就相当于整台电脑的CPU,时刻影响着SSD硬盘的速度、稳定性和可靠性。 中国芯全国产方案 继光威弈Pro SATA SSD之后,首款中国芯全国
2020-09-14 09:36:312977

长江存储提高NAND闪存芯片的出货量

据国外媒体报道,专注于3D NAND闪存设计制造的长江存储,将提高NAND闪存芯片的出货量。
2020-09-22 17:11:492025

长江存储已打入华为供应链

杨士宁表示,很多人反映很少看到国产内存, 实际上华为Mate 40系列手机现在也使用了长江存储的64层3D NAND闪存。 他强调,与国际存储大厂6年的路程相比, 长江存储仅用了短短3年时间实现了3D NAND的32层、64层、128层的跨越。 会议上, 他还展示了长江存储 先进的Xt
2020-11-23 11:59:264351

长江存储64层闪存已经打入了华为Mate40供应链

日前,长江存储CEO杨士宁在参加活动时表示,与国际存储大厂相比,该公司用短短3年时间实现从32层到64层再到128层的跨越,3年完成他们6年走过的路。
2020-11-27 10:00:182378

长江存储最快在2021年中旬试产首批192层闪存,国产闪存产能年底可占全球7%

下半年将产能翻倍,达到10万晶圆/月,产能占到全球份额的7%,力求缩短与国际公司的差距。 在这方面,三星是全球最大的闪存生产商,月产能达到48万片晶圆,美光每月的产能也有18万晶圆。 除了产能增长,技术水平上也在追赶,知情人士称长江存储最快在2021年中旬试产
2021-01-12 14:37:426603

长江存储或将2021年存储芯片产量提高一倍

据媒体报道,长江存储计划今年把产量提高一倍,计划到下半年将每月的存储芯片产量提高到10万片晶圆,并准备试产192层NAND快闪记忆体晶片,最快将于2021年中试产,不过该试产计划可能会推迟至2021下半年。
2021-01-12 14:47:015074

计划今年将产量提高一倍:长江存储辟谣

日经亚洲评论日前报道称,长江存储计划今年将产量提高一倍,并开始率先生产192层3D NAND闪存。 对此消息,长江存储发布公告指出,近日发现个别境外媒体通过多渠道干等、散布关于公司产能建设、产品销售
2021-01-14 10:11:451808

长江存储计划今年将产量提高一倍

此前4月13日,长江存储宣布其128层QLC 3D NAND闪存研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。这标志着国内3D NAND领域正式进入国际先进水平
2021-01-17 10:19:202851

中国芯片制造水平最新动态

中国芯片制造水平最新动态:我国拥目前有非常多的优秀半导体企业,比如华为海思、中芯国际、晶瑞股份以及上海微电子等企业,但是很多人都不了解国产芯片现状如何?下面我们就一起来看看吧。
2021-12-09 11:04:1526923

长江存储起诉美光!

长江存储在以上起诉书中称,长江存储不再是新秀(upstart),而已成为全球3D NAND市场的重要参与者。长江存储表示,去年11月,分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论:长江存储是3D NAND闪存领域的领导者,超过了美光。
2023-11-13 16:53:04531

零的突破!中国闪存芯片正式步入国际主流水平

电子发烧友网报道长江存储4月13日重磅发布两款128层3D NAND产品引起业界高度关注,其中128层QLC产品为目前业内发布的首款单颗Die容量达1.33Tb的NAND闪存,容量、性能均优于主要
2020-04-14 09:17:335009

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