硫系化合物随机存储器，简称C-RAM。C-RAM单元结构是下电极/相变材料/上电极，其中相变材料是硫系化合物存储介质.
2012-04-27 11:05:09
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）、氧化物电阻存储器（OxRAM）。Rambus公司的杰出发明家和营销方案副总裁Steven Woo说：“经典存储架构中有一个需要填补的空白。这些新型存储器中有一两种会生存下来，可能是3D XPoint
2017-02-21 11:05:472282 
目前主流的基于浮栅闪存技术的非易失性存储器（NVM）技术有望成为未来几年的参考技术。但是，闪存本身固有的技术和物理局限性使其很难再缩小技术节点。在这种环境下，业界试图利用新材料和新概念发明一种更好
2017-12-18 10:02:214925 
到目前为止，新兴的非易失性存储器(eNVM)，如自旋转矩磁阻RAM(STT-MRAM)、可变电阻式存储器(ReRAM) 和相变存储器(PCM)，由于可扩展性差、成本高以及缺乏主要内存制造商的支持
2019-04-28 11:22:062950 你好! 现在我有个问题想请教大家， 我怎么做一个3D图像的涡轮扇叶然后通过控制器调整它的速度然后再3D图像中开始转并且根据控制量改变在3D图像中转的快慢？怎么在3D图像中仿真水平面 并且有相应的变化！希望大家能给我有任何指教！
2016-11-30 23:25:31
。一个常用的方法是在收集所有故障位坐标的基础上生成故障位图，并逐一发送给测试人员。更为有效的是，遇到的故障可以检索。本文介绍了一种在SoC嵌入式存储器测试期间压缩诊断信息方法。更具体地说，该方法被
2022-09-07 15:08:41
和非易失性存储器就万事大吉了么？令人纠结的是，有一种新的存储器，它既是非易失的，同时又是能够高速随时读写数据的，也就是说能够随机存取的。这种存储器就是FRAM(Ferroelectric Random
2012-01-06 22:58:43
”(storage)装置。 存储器的特性包括快速的数据储存/检索能力、有限的容量，以及较储存更高的成本。另一方面，储存的特性包括明显更大的容量，但较存储器的数据储存/检索速度慢，成本也更低。基本上，比起
2017-07-20 15:18:57
存储器存储器是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。随着技术的发展，CPU的速度变化迅速，但存储器的速度增加得较慢。这使得计算机的速度在很大程度上受限于存储器速度。为了解决这个问题，设计了
2022-01-19 06:35:54
失是指存储器断电后，里面存储的内容是否会丢失，另一边的速度而言呢，易失性存储器的速度要快于非易失性存储器。1.1 易失性存储器 按照RAM的物理存储机制，可以...
2021-07-16 07:55:26
感谢Dryiceboy的投递据市场分析数据,DRAM和NAND存储器价格近期正在不断上扬.许多人认为当前存储器市场的涨价只不过是暂时的供需不稳所导致的;有些人则认为随着存储器价格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
） 这种存储器是在EPROM和EEPROM的制造基础上产生的一种非易失性存储器。其集成度高，制造成本低于DRAM，既具有SRAM读写的灵活性和较快的访问速度，又具有ROM在断电后可不丢失信息的特点
2017-12-21 17:10:53
） 这种存储器是在EPROM和EEPROM的制造基础上产生的一种非易失性存储器。其集成度高，制造成本低于DRAM，既具有SRAM读写的灵活性和较快的访问速度，又具有ROM在断电后可不丢失信息的特点，所以
2017-10-24 14:31:49
存储器的理解存储器是由简单的电子器件例如PMOS管、NMOS管进行组合形成逻辑上的与非或门，之后在此基础上，形成组合逻辑用于存储信息，例如R-S锁存器和门控D锁存器，进而进一步组合复杂化，形成我们
2021-12-10 06:54:11
一种存储器的编码方法，应用于包含存储器的装置，存储器中包含第一存储体、第二存储体和第三存储体，包括：获取存储器的带宽信息；依据带宽信息选取编码操作的操作时机；在到达操作时机时，检测针对第一存储体
2019-11-15 15:44:06
设计需求相变存储器技术直接解决了当今电子系统的需求:密度随着消费者，电脑和通讯电子系统的融合，所有电子系统中代码均出现指数性增长，数据的增长速度甚至更快.为了满足这种增长的需要，存储器密度范围不仅要
2018-05-17 09:45:35
。使用图形化用户界面（GUI）来配置各种DDR3控制器参数是一种简便的方法，为目标系统快速创建正确的控制器。所有的参数都需要确定，如：存储器宽度、深度、速度和延迟。每一类配置参数都有其独立的选项卡，有助于
2019-05-24 05:00:34
EVERSPIN非易失性存储器嵌入式技术
2020-12-21 07:04:49
问题一：位图都存储在哪了？都在程序存储器里吗问题二：能不能将位图存储到外部内存中？问题三：F429的程序存储器和数据存储器有多大？
2020-05-20 04:37:13
Flash存储器是一种基于浮栅技术的非挥发性半导体存储器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等几种类型。作为一类非易失性存储器 ,Flash存储器具有自己独特的优点:不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
存储器相同的通道进行访问，从而较之前的架构实现了显著的增强。该通道的宽度是之前器件的两倍，而速度则为一半，从而大幅降低了到达外部 DDR3 存储器控制器（通过 XMC 和 MSMC）的时延。在此
2011-08-13 15:45:42
Static RAM（SRAM），指的是一种具有静止时存取功能，在不需要刷新电路的情况下依然可以保持内部存储数据的存储芯片。 一般来说有两个主要的规格：1. 一种是放置于单片机CPU与主存储之间
2017-06-02 10:45:40
问题： 1 什么是存储器映射？是怎么一个运作过程？2 Stm32总体架构3CM3内核结构1 STM32系统结构 要想深刻理解STM32的存储器，需要首先知道STM32的系统结构。如Figure 1
2018-08-14 09:22:26
数据存储架构发生变化，一个表现在QLC的大容量，另一个是3D Xpoint技术的高性能、低延迟。目前IBM云服务、腾讯数据中心分别采用傲腾和QLC技术，百度云人工智能更是结合了QLC和傲腾的优势，达到
2018-09-20 17:57:05
当3D电影已成为影院观影的首选，当3D打印已普及到双耳无线蓝牙耳机，一种叫“3D微波”的技术也悄然而生。初次听到“3D微波”，你可能会一脸茫然，这个3D微波是应用在哪个场景？是不是用这种技术的微波炉1秒钟就能把饭煮熟？O M G!我觉得很有必要给大家科普一下！
2019-07-02 06:30:41
Molex推出下一代高性能超低功率存储器技术
2021-05-21 07:00:24
外存储器 外储存器是指除计算机内存及CPU缓存以外的储存器，此类储存器一般断电后仍然能保存数据。 外存储器有哪些 外存储器有哪些 1、软盘存储器 读写数据的最小单位是扇区，存取速度
2019-06-05 23:54:02
代码执行应用则要求存储器的随机访存速度更快。经过研究人员对浮栅存储技术的坚持不懈的研究，现有闪存的技术能力在2010年底应该有所提升，尽管如此，现在人们越来越关注有望至少在2020年末以前升级到更小
2019-06-26 07:11:05
阅读哦。 一、存储器卡 存储器卡（Memory Card）是一种用电可擦除的可编程只读存储器（EEPROM）为核心的，能多次重复使用的IC卡。没有任何的加密保护措施 ，对于卡片上的数据可以任意改写
2020-12-25 14:50:34
EEPROM的变种，变成了一类存储器的统称。
狭义的EEPROM：
这种rom的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失
2023-05-19 15:59:37
用写一次，要是写错了，就报销了。（现在已经被淘汰）EPROM，称之为紫外线擦除的可编程只读存储器。它里面的内容写上去之后，如果觉得不满意，能用一种特殊的办法去掉后重写，这就是用紫外线照射，紫外线就象“消
2017-03-25 10:22:51
只能用写一次，要是写错了，就报销了。（现在已经被淘汰）EPROM，称之为紫外线擦除的可编程只读存储器。它里面的内容写上去之后，如果觉得不满意，能用一种特殊的办法去掉后重写，这就是用紫外线照射，紫外线
2018-06-12 10:35:10
据新华社7月2日报道，相变存储器，具有功耗低、写入速度快、断电后保存数据不丢失等优点，被业界称为下一代存储技术的最佳解决方案之一。记者近日从中科院上海微系统所获悉，由该所研发的国际领先的嵌入式相变存储器现已成功应用在打印机领域，并实现千万量级市场化销售，未来中国在该领域有望实现“弯道超车”。
2019-07-16 06:44:43
。使用图形化用户界面（GUI）来配置各种DDR3控制器参数是一种简便的方法，为目标系统快速创建正确的控制器。所有的参数都需要确定，如：存储器宽度、深度、速度和延迟。每一类配置参数都有其独立的选项卡，有助于
2019-05-27 05:00:02
本文介绍一种基于虚拟存储器的USB下载线设计。
2021-05-27 06:07:33
作者：王烈洋 黄小虎 占连样 珠海欧比特控制工程股份有限公司随着电子技术的飞速发展， 存储器的种类日益繁多，每一种存储器都有其独有的操作时序，为了提高存储器芯片的测试效率，一种多功能存储器芯片
2019-07-26 06:53:39
Flash类型与技术特点有哪些？如何去选择uClinux的块驱动器？如何去设计Flash存储器？
2021-04-27 06:20:01
本文介绍了一种0．13微米CMOS T艺下FPGA中嵌入式存储器模块的设计与实现。
2021-04-09 06:02:09
扩展存储器读写实验的目的是什么？怎样去设计一种扩展存储器读写的电路？扩展存储器读写实验的流程有哪些？
2021-07-14 07:04:49
。然而，现在新一代中档的FPGA提供这些块、高速FPGA架构、时钟管理资源和需要实现下一代DDR3控制器的I/O结构。那么，究竟怎么做，才能用中档FPGA实现高速DDR3存储器控制器呢？
2019-08-09 07:42:01
随着集成电路制造工艺水平的提高，半导体芯片上可以集成更多的功能，为了让产品有别于竞争对手的产品特性，在ASIC上集成存储器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系统级芯片的可靠性。随着对嵌入式存储器需求的持续增长，其复杂性、密度和速度也日益增加，从而需要提出一种专用存储器设计方法。
2019-11-01 07:01:17
您好，我在MCU上使用程序内存的一部分作为NVM（非易失性存储器）。我已经设法写和读，但是现在我面临的问题是，我想避免编译器覆盖我用于NVM的程序内存空间。MCU是PIC32 MX230F064 D。程序存储器的最后一页是NVM的一页。谢谢，问候，
2019-09-18 10:31:51
TPMS技术及轮胎定位原理是什么？如何解决TPMS轮胎换位和调换轮胎时的重新定位问题？怎么实现外置编码存储器轮胎定位技术？
2021-05-14 06:13:50
3D视觉技术有何作用？常见的3D视觉方案主要有哪些？
2021-11-09 07:46:56
致性协议用于维护由于多个处理器共享数据引发的多处理器数据一致性问题。论述了一个适用于64位多核处理器的共享缓存设计，包括如何实现多处理器缓存一致性及其全定制后端实现。本文介绍了一种共享高速存储器模块
2021-02-23 07:12:38
数据存储器 FLASH程序存储器 FLASH数据存储器 片内RAM数据存储器16M字节外部数据存储器各有什么区别？特点？小弟看到这段 很晕。ADuC812的用户数据存储器包含三部分，片内640字节的FLASH数据存储器、256字节的RAM以及片外可扩展到16M字节的数据存储器。求助高手。解释一下不同。
2011-11-29 09:50:46
网络附属存储技术被定义为一种特殊的专用数据存储服务器，包括存储器件（例如磁盘阵列、CD/DVD驱动器、磁带驱动器或可移动的存储介质）和内嵌系统软件，可提供跨平台文件共享功能。
2019-09-12 09:10:10
是第一个推出1Tb级产品的公司。3D XPoint则是由英特尔和美光科技于2015年7月发布的非易失性存储器（NVM）技术。英特尔为使用该技术的存储设备冠名Optane，而美光称之为QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
英特尔SSD 800P，900P，905P系列的存储介质都是相变存储器，我看到英特尔SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相变存储器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
怎么设计一种面向嵌入式存储器测试和修复的IIP？如何解决设计和制造过程各个阶段的良品率问题？嵌入式存储器测试和修复技术的未来趋势是什么？STAR存储器系统的功能是什么？
2021-04-15 06:05:51
检错与纠错的原理是什么？基于CPLD的容错存储器的设计实现
2021-05-07 06:02:42
网络存储器技术是如何产生的？怎样去设计一种网络存储器？
2021-05-26 07:00:22
)、EEPROM和Flash。这些存储器不仅写入速度慢，而且只能有限次的擦写，写入时功耗大。铁电存储器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一
2011-11-19 11:53:09
)、EEPROM和Flash。这些存储器不仅写入速度慢，而且只能有限次的擦写，写入时功耗大。铁电存储器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一
2011-11-21 10:49:57
如图 2 所示，DINOR闪速存储器如图 3 所示，AND闪速存储器单元的结构如图 4 所示。市场上销售的闪速存储器基本上就是NOR及NAND两种，其中只有NAND闪速存储器的单元是串联的，其他所有类型
2018-04-09 09:29:07
（Smart VoltageRegulator）；另一种方法是通过给控制栅加上负电压（-10V左右），挤出浮置栅中的电荷（负极门擦除法）。各种电压提供方式如图 3 所示。图 4 图示了闪速存储器单元的电压
2018-04-10 10:52:59
集成铁电存储器的MCU，由于在MCU上集成了铁电存储器，该产品数据写入速度比基于闪存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它还可在所有的电源模式中提供数据保存功能、支持超过100万亿次
2021-11-10 08:28:08
相变存储器驱动电路的设计与实现摘要: 介绍了一种新型的相变存储器驱动电路的基本原理, 设计了一种依靠电流驱动的驱动电路, 整体电路由带隙基准电压源电路
2010-05-08 09:42:33
43 摘要：磁电存储器不仅存取速度快、功耗小，而且集动态RAM、磁盘存储和高速缓冲存储器功能于一身，因而已成为动态存储器研究领域的一个热点。文章总结了磁电
2006-03-24 13:01:371460 
相变存储器技术基础 相变存储器（PCM）是一种非易失存储设备，它利用材料的可逆转的相变来存储信息。同一物质可以在诸如固体、液体、气体、冷凝物和等离子体等
2009-11-21 10:55:55751 相变存储器（PCM）技术基础知识
相变存储器（PCM）是一种非易失存储设备，它利用材料的可逆转的相变来存储信息。同一物质可以在诸如固体、液
2009-11-23 09:19:032895 非易失性半导体存储器的相变机制
非易失性存储器(NVM)在半导体市场占有重要的一席之地，特别是主要用于手机和其它便携电子设备的闪存芯片。今后几年便携电
2009-12-19 10:37:46634 
相变存储器：能实现全新存储器使用模型的新型存储器
从下面的几个重要特性看，相变存储器（PCM）技术均符合当前电子系统对存储器子系统的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301115 非易失性半导体存储器的相变机制
非易失性存储器(NVM)在半导体市场占有重要的一席之地，特别是主要用于手机和
2010-01-11 10:02:22630 存储器卡,存储器卡是什么意思
存储器卡(Memory Card)是一种用电可擦除的可编程只读存储器(EEPROM)为核心的，能多次重复使用的IC卡。没
2010-04-01 17:44:073641 Numonyx推出全新相变存储器系列
该系列产品采用被称为相变存储(PCM)的新一代存储技术，具有更高的写入性能、耐写次数和设计简易性，适用于固线
2010-04-29 11:30:371141 相变存储器（Phase Change Memory，PCM)是一种新兴的非易失性存储器技术。PCM存储单元是一种极小的GST（锗、锑和碲）硫族化合物颗粒，通过电脉冲的形式集中加热的情况下，它能够从
2010-06-02 11:57:00961 相变存储器(PCM)是新一代非挥发性存储器技术。透过比较PCM与现有的SLC和
2010-11-11 18:09:421953 相变存储器(PCM)是一种非易失存储设备，它利用材料的可逆转的相变来存储信息。同一物质可以在诸如固体、液体、气体、冷凝物和等离子体等状态下存在，这些状态都称为相。相变存
2011-03-31 17:43:21103 非易失性半导体存储器的相变机制
2017-01-19 21:22:5414 3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以来，最具突破性的一项存储技术。由于具备以下四点优势，3D Xpoint被看做是存储产业的一个颠覆者： （1）比NAND Flash快1000
2018-04-19 14:09:0050542 
耶鲁大学和IBM华生研究中心的研究人员一直在新型相变存储器研发领域开展合作，目标是使具有潜在革命性的相变存储技术更具实用性和可行性。 近年来，相变存储器技术作为一种能改变游戏规则的新兴技术，逐渐成为替代计算机随机存取存储器的潜在选择。
2018-06-13 09:26:001567 Numonyx相变存储器（PCM）的倡导者Jamshid阐述了什么是相变存储器，以及它正如何改变着存储器产业的面貌。
2018-06-26 08:55:003158 多年来，该行业一直致力于各种存储技术的研究，包括碳纳米管RAM、FRAM、MRAM、相变存储器和ReRAM。有些已推出，有些仍在研发中。这些不同类型的存储器都对应特定的应用领域，但都势必将在存储器家族中取代一个或者多个传统型存储。
2018-09-05 15:51:129162 新兴存储器(emerging memory)现在多指的是新的非挥发性存储器，最主要包括相变半导体(Phase Change Memory；PCM)、可变电阻式存储器(Resistive RAM；ReRAM)以及MRAM。
2018-10-19 10:41:054082 近年来，非易失性存储技术在许多方面都取得了一些重大进展，为计算机系统的存储能效提升带来了新的契机，采用新型非易失性存储技术来替代传统的存储技术可以适应计算机技术发展对高存储能效的需求。以相变存储器
2019-03-19 15:43:016997 
据介绍，相变存储器是一种兼具寿命长且断电后仍可保存数据两种优点的存储器，而目前通用的存储器技术主要是动态随机存储器和闪存两种，占了95%的市场份额。
2019-08-27 17:19:221140 相变存储器具有很多优点，比如可嵌入功能强、优异的可反复擦写特性、稳定性好以及和CMOS工艺兼容等。
2019-09-18 11:14:402042 
未来十年，存储市场仍将继续追求存储的密度、速度和需求的平衡点。尽管各个厂家的技术侧重点不尽相同，但铠侠（原东芝存储器）对 3D XPoint 之类的堆叠类存储方案的前景并不看好。
2020-01-02 16:02:114532 
相变存储器具有很多优点，比如可嵌入功能强、优异的可反复擦写特性、稳定性好以及和CMOS工艺兼容等。
2020-01-07 15:17:515090 在此前高调地宣布“分道扬镳”之后，英特尔近日又与美光签署了新的 3D XPoint 存储器晶圆供应协议。分析人士指出，鉴于英特尔是当前唯一的 3D XPoint 制造商，其需要向美光支付较以往更多的费用。
2020-03-17 14:21:141968 目前新型存储器上受到广泛关注的新型存储器主要有相变存储器(PCM)，其中有以英特尔与美光联合研发的3D Xpoint为代表;MRAM以美国Everspin公司推出的STT-MRAM为代表;阻变存储器
2020-04-25 11:05:572584 
新兴的非易失性存储器技术主要有五种类型：闪存（Flash），铁电随机存取存储器（FeRAM），磁性随机存取存储器（MRAM），相变存储器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840 。以相变存储器为代表的多种新型存储器技术因具备高集成度、低功耗等特点而受到国内外研究者的广泛关注，本文介绍相变存储器的工作原理、技术特点及其国内外最新研究进展。 一、相变存储器的工作原理 相变存储器（Phase Change
2022-12-20 18:33:251012 本应用笔记描述了如何使用瑞萨电子制造的 MCU 控制由 Micron Technology, Inc. 制造的 P5Q 串行相变存储器，并解释了为此目的提供的示例代码的用法。请注意，示例代码是用于
2021-06-18 17:23:151205 
对于存储器，大家都有所了解，比如我们每天使用的手机内就具备存储器。为增进大家对存储器的认识，本文将对只读存储器的种类予以介绍，并对相变存储器、存储器生命周期、技术进行对比。如果你对存储器相关内容具有兴趣，不妨继续往下阅读哦。
2020-12-06 10:31:007265 倍。 据了解，在新型存储器中，相变存储器（PCM）是与CMOS工艺最兼容，技术最成熟的存储技术。 2015年，Intel和Micron推出了傲腾三维相变存储芯片，速度和寿命比固态闪存硬盘要快一千倍，其三维堆叠技术也使容量高出了十倍。 然而，由于在相变过程中需
2022-01-21 13:15:00545 相变随机存取存储器具有低电压操作、编程速度快、功耗小和成本低等特点。
2023-02-01 10:16:15699
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