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电子发烧友网>存储技术>武汉国家存储器基地3D NAND量产日期指日可待

武汉国家存储器基地3D NAND量产日期指日可待

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2019-08-06 16:25:30665

武汉正筹划规模达10亿元的光谷集成电路产业基金 将打造国家级“芯”产业高地

武汉发布报道,面对建设国家存储器基地、打造“一芯驱动”引擎的新使命,武汉东湖高新区正在谋划完善顶层设计,其中就包括筹划光谷集成电路产业基金,规模10亿元。
2019-08-23 16:00:384023

基于Xtacking架构的64层3D NAND存储器

长江存储科技(YMTC)本周早些时候表示,已经开始批量生产采用专有Xtacking架构的64层3D NAND存储器
2019-09-09 10:22:161621

存储器将与晶圆代工跨界经营全新存储器

过去存储器与晶圆代工可以说是“楚河汉界,井水不犯河水”。但在即将来临的时代,存储器业者觊觎占了全球65%的非存储器市场,而存储器技术从过去的DRAM、3D NAND,正逐渐走向磁阻式存储器(MRAM)等完全不同模式的新技术。
2019-09-10 15:24:41700

紫光旗下长江存储的64层3D NAND闪存芯片首次公开亮相

据悉,长江存储是紫光集团收购武汉新芯科技之后成立的,于2016年7月在中国武汉成立,是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。
2019-10-01 17:23:002580

中国首次量产64层3D NAND闪存芯片会有什么市场影响

紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:09663

中国量产64层3D NAND闪存芯片会带来什么影响

紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241004

长江存储存储巨头们发起挑战,3D NAND实现突破性的创新

长江存储打破全球3D NAND技术垄断,作为国家重点打造的存储器大项目,经历多年的研发,终于走向市场正式向存储巨头们挑战。
2019-11-29 15:39:052808

长江存储64层3D NAND实现量产 意图打破全球垄断局面

1 月 16 日讯,据悉,长江存储科技有限责任公司 副董事长杨道虹表示,2019 年,国家存储器基地项目基于自主知识产权研发生产的 64 层三维闪存产品已实现量产
2020-01-16 14:06:02892

美光即将量产第四代3D NAND存储器 层数达到128层

美光在二季度财报电话会议上透露,该公司即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND 存储器量产工作。按照计划,美光将于 2020 Q3 采集开始生产,并于 Q4 像商业客户发货。作为这家硬件制造商的一次重大技术转型,第四代 3D NAND 存储器的层数达到了 128 层。
2020-04-02 11:26:521515

武汉国家存储器基地加速推进施工

据通用技术集团消息,经过前期科学有序的疫情防控和复工复产准备,日前武汉国家存储器基地施工生产加速推进,现场300余名工人已经投入到各项工作。
2020-04-15 16:20:421677

武汉国家存储器基地复工 总投资达1600亿元

随着武汉重启,新兴建设承建的国家级高科技重点项目武汉国家存储器基地,经过前期科学有序的疫情防控和复工复产准备,日前,项目施工生产加速推进,现场300余名工人已经投入到各项工作。
2020-04-16 10:06:403743

群联全系列控制芯片支持长江存储3D NAND

闪存控制芯片及储存解决方案整合服务领导厂商 群联电子 (PHISON; TPEx:8299) 与长江存储自2016年开始接洽合作,从最早期的32层 3D NAND导入验证群联eMMC控制芯片PS8226,至近期的64层3D NAND,群联全系列的NAND控制芯片均有支持且已进入量产阶段。
2020-05-07 14:48:091007

国家存储器基地项目二期开工,规划月产能20万至30万片

6月20日,紫光集团发布消息,由长江存储实施的国家存储器基地项目二期(土建)在武汉东湖高新区开工,规划产能20万片/月,达产后与一期项目合计月产能将达30万片。
2020-06-23 10:10:082956

国家存储器基地成功研制出了全球首款128层QLC三维闪存芯片

近日,国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工,据悉,国家存储器基地的项目是由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设,这项目计划分两期建设3DNAND闪存芯片工厂。
2020-09-18 14:54:182486

未来的3D NAND将如何发展?

NAND 非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史,随着 2D NAND 容量达到极限,以及晶体管越来越小,NAND 的编程时间变长,擦写次数变少,能够将内存颗粒堆叠起来的 3D
2020-11-20 16:07:132294

存储器迎来怎样的2023?

存储器的历史始于1984年,彼时 Masuoka 教授发明了 NAND Flash(NAND 闪存)。1989年,东芝首款 NAND Flash 上市。2001年,许多Flash厂商推出MLC
2022-11-25 14:57:351568

三星将于2024年量产超300层3D NAND芯片

 最近,三星集团援引业界有关负责人的话表示,计划到2024年批量生产300段以上的第9代3d nand。预计将采用将nand存储器制作成两个独立的程序之后,将其一起组装的dual stack技术。三星将于2020年从第7代176段3d nand开始首次使用双线程技术。
2023-08-18 11:09:05945

NAND Flash存储器的基础知识

随着信息技术的飞速发展,数据存储需求日益增长。作为一种新型的非易失性存储器NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等优势,在各个领域得到了广泛应用。本文将对NAND Flash存储器的工作原理、结构特点、性能指标及应用领域进行详细解析,以期为读者提供一个全面的了解。
2023-09-27 18:26:171128

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