看全球DRAM竞争态势,国内厂商茁壮成长

来源:求是缘半导体 作者:莫大康2017年07月05日 07:54
[导读] 一直低调行事的合肥“睿力”DRAM项目,由前应用材料公司资深副总裁David王宁国领军。

中国半导体业要实现制造DRAM梦己经初现曙光,近期由台湾咨询时报报道的合肥“睿力”做19纳米DRAM引起业界的广泛兴趣。

一直低调行事的合肥“睿力”DRAM项目,由前应用材料公司资深副总裁David王宁国领军。

汇总消息,“睿力”做DRAM,采用19纳米制程工艺。该项目总占地面积约1582亩,一期总投资额约80亿美元,一期的两层厂房预计2017年三季度完工。目前已开始下设备的PO订单,计划今年10月设备开始安装,有望2018年Q1通线试产。根据从设备厂得到的反馈是项目的技术人员比较专业,工艺设备的PO订单思路清晰,由此表示项目的技术团队人员完整,至少它们之中有部分人懂得怎么做DRAM。

中国半导体业要下决心攻克存储器,目前己有三家:

武汉的长江存储,做32层的3D NAND;

福建晋江的晋华,利用联电的技术,做利基型DRAM,据传由32纳米启步;

合肥的王宁国,几次易名,现在叫睿力集成(以下简称“睿力”),做19纳米的DRAM。

全球DRAM的竞争态势

众所周知,全球DRAM是三星独霸。据DRAMeXchange于2017年2月的2016Q4数据,三星依5,918M美元居首,市场份额占47.5%;SK Hynix的3,330M,占26.7%及Micron的2,421M,占19.4%,Nanya的581M,占3.1%,及Winbond的166M,占1.3%与Powerchip的102M,占0.8%。也即三大一中及二小局面,三星,海力士及美光为三大,共计占93.6%,一中为台湾地区的南亚科占3.1%,二小分别为华邦电及力晶。

三星DRAM从20纳米级制程(28-25-20),转进1x纳米制程。外媒报道,三星是DRAM龙头,制程领先对手1~2年,2016年下半年首先量产18纳米DRAM,计划今年下半年推进至15纳米。

研究机构估计,今年底为止,三星打算把18纳米DRAM的生产比重,提高至30%。

三星一马当先,DRAM第三大厂美光拼命追赶,计划未来两三年砸下20亿美元,研发13纳米DRAM制程。美光已于今年第一季量产18纳米DRAM。

与此同时,SK海力士也准备在今年下半年量产电脑用的18纳米DRAM,接着再投入移动设备用的18纳米DRAM。

SK海力士会优先提高21纳米制程良率,之后转进20纳米、再转向18纳米。SK海力士人员透露,该公司正在研发1y DRAM制程,但是还不确定量产时间。

根据科技新闻(Technews)从供应链所掌握的消息,市场原本预计,在进入2017年第2季之后,因为有三星18纳米的PC DRAM存储器模组与美光17纳米的PC DRAM存储器模组相继出货,供货吃紧的状况应该可以得到缓解。不料,三星继上次召回有瑕疵的18纳米制程的PC DRAM存储器模组之后,近期再次出货的情况仍旧没有改善,还因而造成PC大厂在DPPM(defecTIve parts per million的缩写,是指百万分比的缺陷率)每百万台的不良率有大幅的提升。而除了三星之外,美光的17纳米制程PCDRAM存储器模组也碰上相类似的情况。甚至以目前出货给客户的样本来看,估计良率还低于50%以下。

据2017年4月15日的IC Insights预估,2017年全球DRAM产值可望达573亿美元,将较去年增长达39%,其中的原因是DRAM价格自2016年中以来快速走高。据统计,DRAM平均售价已自2016年4月的2.41美元,大幅攀高到2017年2月的3.7美元,涨幅高达53.3%。

韩国半导体月产能为月产350万片(8英寸计,2016年底数据),其中在DRAM方面,三星为月产40万片(12英寸计),海力士为30万片,而在NAND方面,三星为40万片及海力士为21万片,其余的为代工等产能。

三星20nm DRAM工艺通过双重曝光技术、采用蜂窝状结构,将单元密度提升了多达70%,18nm时则会进一步使用四重曝光技术(QP),每一次电路蚀刻都要进行3-4次曝光,并继续改进结构密度,整体效能可提升至少20%。

近期力晶董事长黄崇仁认为,DRAM制程技术已率先进入摩尔定律极限,目前要新建一座1x纳米的DRAM厂,月产能40,000片,投资要近50亿美元,因此即便成品率达到85%,每颗DDR4,8Gb的成本近2美元。

综上所述“睿力”的19纳米DRAM产品,己处于先进行列,与三星等的差距可能仅在一代左右。

DRAM梦初现曙光

据IC Insight数据,2014年时中国消耗DRAM为179亿美元,占全球DRAM466亿美元的38.4%。再依IC Insight于2017年4月的最新预测,2017年全球DRAM的销售额为573亿美元,同比增长39%。

因此“睿力”DRAM项目的迅速上马,在中国半导体业的发展史中具有特别重要的意义,它表现在以下方面:

·实现DRAM自主制造的另突破

·技术上先进性

它采用19纳米制程技术,迅速的进入全球最先进DRAM行列中。

·走在前列

从三家中国存储器厂的进度比较,都扬言2018年要实现量产,然而无疑“睿力”是走在最前列,它将于明年Q1实现量产,由此可能使合肥将真正成为中国半导体业的重镇之一。

·可能解决15%以上的DRAM国产化率

预测2020年销售额达到30亿美元以上(按月产能100,000片,成品率85%,每个晶园2000-3000美元计算,再加上封装,测试等),成为全球DRAM第四大企业,预计可能解决约15%以上的DRAM国产化率。

中国的存储器业成长没有捷径,只有经受住打压,全球化的竞争之后才能呈现稳定的茁壮成长。尽管前进的路很崎岖,但是相信中国拥有全球最大的半导体市场,包括存储器等,以及发展半导体业是国策之一,因此各种看衰中国存储器业发展的言论,最终会不攻自破,无声无息。

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