如何迎接存储器史上最大需求热潮

据报道，传三星电子于2017~2018年，将大举追加投资西安3D NAND Flash厂，业界人士预估共将投资约5兆韩元（约43.5亿美元），以迎接存储器市场史上最大需求热潮。

Chosun Biz日前引述业界消息指出，三星与大陆政府正针对西安厂第二期投资进行商议，2017年三星可望与西安市签署第二期投资及相关合作备忘录。三星于2012年开始在西安厂的第一期投资与现在的第二期投资，皆用于打造3D NAND Flash生产所需设备及人力费用。

三星目前只使用西安厂腹地约34万坪中的20%，且现有设备的产量已达理论最大值。设备业者认为，三星西安厂启动3年后的现在，以投入晶圆为基准计算，其3D NAND Flash晶圆月产能为12万片。

专家推测，西安厂与韩国华城厂L12、L16并列三星NAND Flash三大生产据点，平泽厂将于2017年第1季正式稼动，加上西安厂第二期稼动后，三星势必需调整其产能分配。

半导体业界相关人士认为，三星3D NAND Flash未来生产很可能以大陆西安厂及韩国平泽厂为主，并将其目前最大NAND Flash工厂L12部分产能转为生产系统LSI或DRAM等产品，逐渐降低NAND Flash产量。

DRAMeXchange分析三星产能移转状况，指出L12于2016年第4季晶圆月均产能达19万片高峰后，2017年第1季预估为17万片，第3季以后将减至12万片；三星NAND Flash生产基地将阶段性转移至平泽厂及西安厂。

专家指出，存储器市场2017年起进入前所未有的超级周期（Super Cycle）是促使三星增加设备投资的主因。存储器市场一般以3~4年为周期，交替出现热况与萎缩，超级周期指出现长期热络的状况。

韩国存储器业者表示，过去存储器应用主要限于电脑、智能手机等装置，可直接掌握市场需求变化，随近来包括服务器、汽车、大数据、物联网与人工智能（AI）等领域市场扩大，对NAND Flash需求也进一步提升。

预估，2017年存储器市场规模将达853亿美元，较2016年773亿美元成长10.3%，至2021年可望扩大至1099亿美元的规模，年均成长率将达7.3%。

电子发烧友点评：

为了不让三星在3D NAND Flash技术世代抢占先机，英特尔已拟定2017年3D NAND Flash战略，在制程技术与产能持续推进下，预计自2017年2月起针对资料中心、专业、消费性与嵌入式市场，将发布多款3D NAND TLC新品。

3D DAND Flash相比DRAM更有助于中国存储器战略实现超越，DRAM生态走向寡占市场，主要被三星、海力士、美光等韩美厂占据，中国在国际市场上可以合作的技术授权方很少，另外相比NAND领域，DRAM存在更高的技术壁垒和大厂折旧优势，不利于中国实现弯道超车。

不同于基于微缩技术的2D NAND Flash，3D NAND Flash的关键技术是薄膜和刻蚀工艺，技术工艺差别较大，而且除了三星，其他企业在3D NAND Flash布局方面走的并不远。

基于此， 中国企业通过技术合作，专利授权许可，快速切入该领域，避免了国际企业在传统技术研发中的设备折旧优势，并且在这个技术变革过程中我们又有望实现弯道超车。