EEPROM是“ElectricallyErasable Programmable Read-only”（电可擦写可编程只读存储器）的缩写，EEPROM在正常情况下和EPROM一样，可以在掉电的情况下保存数据
2023-07-20 17:41:38
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工规、5G通讯、车载等相关领域。FM24N/FM24LN/FM25N系列产品基于95nm先进EEPROM工艺，具备低功耗、超宽电压、高可靠等特性，其中擦写寿命大于400万次、数据保
2023-05-04 13:56:111160 
28035 存储区域里，有EEPROM功能吗？
变量可以在线擦写，掉电不丢失？
2018-06-06 01:00:05
EEPROM擦写频率EEPROM擦写频率怎么理解？怎么根据擦写频率选择EEPROM还是flash？比如如下这个案列每100ms采集一次数据，每秒存20个字节（实际使用清空EEPROM存储的数据是每周
2022-11-09 18:56:36
如图1所示，EEPROM（带电可擦写可编程读写存储器）的最大优点是能够利用电信号进行擦除和重编程。与EPROM（可擦写可编程只读存储器）擦除数据时需要使用紫外线照射相比，EEPROM使用电信号即可
2019-07-09 04:20:11
EEPROM写入完成。（2）现象：保存在EEPROM里的配置信息自动被改变。 原因：在EEPROM读写过程中进入了中断服务程序，而中断服务程序也调用了EEPROM读写函数。 解决方法：a.保证
2011-10-18 14:31:36
AT24C02、ST24C02等。 EEPROM在嵌入式开发中使用广泛，在此之前，有总结过MCU下24系列EEPROM的驱动接口——“24系列EEPROM/FRAM通用接口”。根据该文章中的接口，作调整，使...
2021-12-24 06:39:28
意法半导体ST25TV芯片系列提供了NFC forum标签，使消费者能够体验数字化生活。嵌入式EEPROM存储器的存储密度范围从512位到64 Kb不等，可覆盖各种应用，包括品牌保护和门禁控制。
ST25TV系列提供最先进的RF性能以及强大的保护功能，例如block lock机制与加密密码。
2023-09-14 08:25:12
单元类似，写EEPROM单元时，有单字节和8字节并行两种方式，写入时间一般为5 ms。EEPROM单元可读写30万次。这种EEPROM结构有利于减少周边器件，降低成本。 （2）上电复位电路 片内可以
2021-05-25 06:07:13
最近公司领导要用ST系列的单片机，好像中文资料不多啊，我很关心寄存器如何操作的资料，谁有这方面资料，可以发到我的邮箱hkxhkm@126.com,谢谢各位大侠了。
2013-05-04 19:09:02
和 EEPROM 最大的不同在于以下两点：a) EEPROM可以按位（实际应用通常按字节）擦写，Flash需按页进行擦除。b) Flash的页擦除寿命周期大概是10000次，EEPROM的擦除寿命周期更优。针对
2020-08-15 14:23:57
AT32F4系列FLASH擦写操作的地址偏移说明擦除或者编程flash 时，如果操作地址不在flash 绝对地址范围内，则操作会失败？
2023-10-23 08:24:03
方案应用上具有如下优点： ◆ 程序EEPROM 内置32*14 bit程序EEPROM，可重复擦写100万次，有利于大数据记忆和存储。 ◆ ADC 内置最多14路高精度12位ADC，工业级高精度
2020-06-30 16:27:42
DM2016操作，当读取DM2016里面的eeprom数据的时候，在写入空间地址时没有接收到应答，但是写入芯片地址有收到应答。并且在对eeprom写入数据的时候，无论什么时候都有应答，就是在
2016-10-31 14:16:43
。STM32F103x8, STM32F103xB1. FLASH擦写时间和电流2.FLASH擦写次数和数据保存年限擦写1万次，保存20年。STM32F427xx STM32F429xx1. FLASH擦写电流2. FLASH擦写时间编程32bit只要16us，速度提高了近4倍。3. 使用VPP擦
2021-08-05 06:46:03
低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有FLASH，早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构，现在已基本上停产了。现
2021-12-10 08:23:11
M451中，FMC控制flash读写，数据可否做到写100万次？要用什么机制？有没有例程？
2023-06-25 08:02:41
Flash，可用于存储非易失性数据，但是由于 Flash 与 EEPROM 在擦写寿命上存在一定差距，所以在实际应用中，这种应用方式并不能够满足所有客户的需求...那么诀窍来了~~提高MSP430G 系列单片机的Flash 擦写寿命的方法
2019-10-18 09:00:50
稳定性。有了技术和产品质量的双保险，Atmel920 9G25 , NXP1050ST TI Resane单片机和RK1108 全志 安凯 sonix MTK 等主控并都在支持列表中NXP1050 搭配ATO 的并口的NAND FLASH ECC:1Bit 可擦写次数达到10万次稳定性可靠性更高.
2018-06-04 15:08:40
page.P24C512B provides the following devices for different application.作为半导体行业的创新者，普冉推出的110nm非易失性存储器具备业界领先的400万次
2019-01-05 14:21:14
page.P24C512B provides the following devices for different application.作为半导体行业的创新者，普冉推出的110nm非易失性存储器具备业界领先的400万次
2019-01-05 14:06:26
write_eeprom ( void ) { // while ( WR )//等待上一次写操作结束 // { //asm ("clrwdt"); //喂狗 // } EEPGD = 0 ;//设置
2018-07-03 07:02:36
write_eeprom ( void ) { // while ( WR )//等待上一次写操作结束 // { //asm ("clrwdt"); //喂狗 // } EEPGD = 0 ;//设置
2018-07-09 06:30:30
num;do{;}while(RD==1);//上一次读操作是否完成EEADR=addr; //EEPROM地址为00HEEPGD=0; //指向EEPROM数据储存器RD=1;//开始读do
2018-07-02 00:16:46
num;do{;}while(RD==1);//上一次读操作是否完成EEADR=addr; //EEPROM地址为00HEEPGD=0; //指向EEPROM数据储存器RD=1;//开始读do
2018-07-06 06:14:02
PSOC4 EEPROM 写操作需要多长时间，为了增加EEPROM擦写次数，写操作是在一开辟的空间内滚动操作吗，组件需要如何配置
2024-02-21 07:22:29
？询问客户了解到，用户利用上位机发送命令修改设定频率、多段频率等参数，频率比较高，使用一个多月便报EEPROM故障了。因为EEPROM擦写次数是有限制的，即EEPROM的寿命，一般为10万次，质量好
2014-08-26 15:52:54
℃和-40℃~125℃。这些EEPROM提供1Kband 1Mb的存储密度，并在400KHz至10MHz的输入频率下工作。推荐产品：BR24T16F-WE2；BR24T16FVT-WE2
2019-11-15 09:16:49
，产品涵盖通用型和车载应用型，根据接口形式分为I2C总线、SPI总线接口、Microwire总线接口三种。产品可靠性高，擦写次数可达100万次，数据保留时长可达40年，ROHM车载应用型EEPROM均符合
2019-07-11 04:20:11
STC15系列单片机内部集成了大容量的EEPROM，与其程序空间是分开的。利用ISP/IAP技术可将内部Data Flash当EEPROM，擦写次数在10W次以上。EEPROM可分为若干个扇区，每个
2021-12-09 07:18:50
STM32L系列单片机内部提供了EEPROM存储区域，但实质上，其FLASH也是EEPROM类型，只不过有一块区域被开放出来专门用作EEPROM操作而已。STM32L的EEPROM使用寿命设计为
2021-12-02 06:51:58
写了一个上位机程序，对USB虚拟串口设备，连续通讯几十万次后会出现一次下图错误。但是在设备管理器里，com口还是正常的。大神们，有遇到过这种情况吗？
2019-01-17 07:51:21
芯片特点：1. 二进制兼容 HEX替换，不修改软件替换2. M0内核Coremark 跑分和ST一致，内核不会变慢（真正做到性能替换）3. ADC精度 （国内领先）4. ESD可以到8KV，SRAM带奇偶校验可靠性指标（国内领先）5. flash 擦写保证2万次，寿命到100年
2023-09-21 06:31:32
最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K
2018-09-26 14:29:06
使用的EEPROM是10万次寿命的，也就是说最多只能记录到1万公里就无法写入了。我在网上找了一些资料，大部分人的解决方案是用空间换取时间，也就是分别写入不同的空间内换取更长的时间。我也设想过利用RTC
2013-08-14 22:02:39
，还是可以直接重写？
2，其规格书上写的读写寿命10万次，按理解应该是擦写10万次，读的次数应该是没有次数限制的对吗？
3，如果我每次只写一页中的一个字节，那这个字节的擦写次数仍能达到10万次吗？
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2023-06-25 10:24:18
1000000次写入之后，我们不能使用内部EEPROM或任何。过程中会出现故障。 以上来自于百度翻译 以下为原文 I'm using PIC16F628A controller.In my
2019-02-25 13:57:24
写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少
2018-11-28 10:25:44
内部Flash模拟EEPROM一、原因由于STM32F103系列的单片机内部Flash的擦写次数仅有10k次，如果遇到想要存储又多变，又需要掉电保存的数据，就显得有点捉襟见肘了。我决定利用单片机
2022-01-26 06:59:28
概述有些应用有着严格实时需求，需要在操作闪存擦除/编程时保证程序仍然能运行及响应一些关键信息来保证整个系统的正常。但是一般存储执行擦写操作时CPU会停止运行，并且花费时间较长，这就会导致一些异常情况
2022-02-14 07:39:42
在嵌入式设计中，许多应用设计都需要使用EEPROM 存储非易失性数据，由于成本原因，某些单片机在芯片内部并没有集成EEPROM。MSP430G 系列处理器是TI 推出的低成本16 位处理器，在
2019-09-23 08:31:04
嵌入式Flash存储介质与EEPROM的主要特性对比增加Flash模拟EEPROM擦写寿命的方法
2021-03-18 06:10:12
用变址寻址原理突破EEPROM存储器的擦写寿命极限
2021-03-18 06:00:25
我是第一次使用 ISO15693 芯片 ST25DV64K。V_EH 输出进入 1.8 V 稳压器，稳压器的输出为微控制器供电。我想知道如何确保微控制器首先通过 I2C 将其数据写入
2023-01-31 08:05:55
如何调用库函数对flash进行擦写编程读操作,将库加入工程发现无法正常调用,我使用的是keil4
2020-06-15 09:20:22
概述：ST24C16是意法半导体公司（STMicroelectronics）出品的一款支持I2C总线协议的16kbit EEPROM存储器，其具备100万次可擦写、保存40年数据不丢失等特性，...
2021-04-08 07:55:26
功能，既简单并且对用户透明。这经常让人们误认为嵌入式闪存不能满足 EEPROM 耐用性要求。然而，EEPROM 的耐擦写次数通常可达到 100 万次。过去，大多数 MCU 和智能卡应用所要求的耐擦写
2020-08-14 09:31:37
参考，有效地完成模数转换。6：带有10个大电流口，灌电流可达80mA。7：芯片带有内部DATA_FLASH，擦写次数可达10万次，可替换外部EEPROM。8：高精度内部时钟，全温度-40度~85度实际变化范围可做到正负1.5%。9：采用1T51核，标准KIEL开发平台，开发简单
2018-01-16 10:37:29
EEPROM通常擦写次数都在百万次以下，如果每秒写一次，几天就废了，有没有擦写次数无限制的类似产品？
2023-11-08 06:15:04
均值和报警次数。5. 使用For 循环、Case 结构及顺序结构构建VI。要求分别使用公式节点和LabVIEW 算术函 数实现开普勒方程 y=x-esin x , 0≤e≤1，使用利用顺序结构和定时选板下的时间计数 器.vi 比较两种实现方法计算200 万次开普勒方程所用时间。
2014-04-02 11:14:33
STM8S105集成了多达1K的EEPROM（掉电数据不会丢失）最高可以支持30万次的擦写次数，用户可以将一些数据保存在EEPROM中
2021-08-03 07:39:18
在3D打印机上使用SLC颗粒的SD NAND代替传统使用TLC或QLC颗粒的TF卡。内置SLC晶圆，自带坏块管理，10W次擦写寿命，1万次随机掉电测试。解决TF卡在3D打印机上常读写错误、坏死
2022-07-12 10:48:46
Grade 1全面改进。除了更高的温度范围，使用次数已提高到400万次写码次数（而不是100万），并且保留到200年（而不是100）。最小电源电压为1.7 V，温度可达125°C，整个电压范围为2.5伏
2018-10-25 08:59:43
学生时代走来的人们，大概也就知道ATMEL 24C0X系列吧，就好像我毕业的时候以为世界只有51和AVR，开个玩笑！工程师主要考察E2PROM的参数无非就是擦写次数、功耗、稳定性、价格，其中10万次擦写
2014-09-29 13:50:13
虽说Flash这东西能擦写个上万次，但是调程序的时候一遍一遍的擦写还是有点下不去手啊，呵呵。就想用RAM来调程序。代码量不大的情况下用片内的RAM调试我是会的。但是例如显示图片一类的代码量比较
2019-05-07 23:38:18
请问片内flash一般能擦写多少次
2024-02-19 08:32:52
一， 问题描述今天遇到一个客户，问了这个问题，所以在此和大家分享下。关于kinetis K系列的eeprom，大家都知道，是使用flexRAM以及flexNVM分区组合模拟而成，但是在flexNVM
2016-06-06 11:51:30
STM32L系列单片机内部提供了EEPROM存储区域，但实质上，其FLASH也是EEPROM类型，只不过有一块区域被开放出来专门用作EEPROM操作而已。STM32L的EEPROMSTM32L
2016-06-30 14:21:32
I2C串行EEPROM系列中文资料,数据手册:美国微芯科技公司（Microchip Technology Inc.）生产的电擦写式只读存储器系列24CXX、 24LCXX、24AAXX 和24FCXX （24XX*）容量范围为128 位到512 千位。该系列
2009-07-12 19:36:28
10 HT48 MCU读写HT24系列EEPROM的应用
HT24 系列的EEPROM 总共8 个管脚，三个为芯片地址脚A0、A1、A2，在单片机对它进行操作时，从SDA 输入A0、A1、A2 数据和芯片外部A0、A1
2010-03-25 09:52:0226 msp430系列的单片机读写全操作EEPROM的程序，经过试验，完全可行
2015-12-14 17:23:3745 STM8S 内部eeprom操作，寄存器版
2016-08-31 15:24:1610 100，000次。 当应用所需计数超过这一数字时，有必要将计数器更新值分散载入至多个字节，以实现可能的最大计数，而不管是否会因EEPROM的可靠性出问题而引发错误。在单元可擦写次数为1 0万次的EEPROM上，理论上能将可实现的最大计数增至10万次，方法是与计数器使用的字节数相乘。
2018-03-27 18:02:460 “耐擦写能力 （Endurance）”（指 EEPROM）的定义中包含一些需要明确定义和理解的词语和短语。从以下段落可以看出，不同厂商使用不同的标准。“耐擦写循环（Endurance Cycling
2018-06-20 09:26:006 在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸为NOR器件的八分之一，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
2018-10-07 15:37:0012471 我们板子上使用的这个器件是 24C02，是一个容量大小是 2Kbits，也就是 256 个字节的 EEPROM。一般情况下，EEPROM 拥有 30 万到 100 万次的寿命，也就是它可以反复写入 30-100 万次，而读取次数是无限的。
2018-10-17 16:46:385234 
IP供应商力旺电子极力布局车用电子市场，提出可编写次数超过50万次的嵌入式EEPROM（电子抹除式可复写唯读存储器）矽智财（Silicon IP），来因应车用市场的需求，且不需要额外加光罩即可应用于现有平台上，不单是车用电子，也可用于指纹识别、电源管理IC、NFC、RFIC等。
2018-12-19 16:56:49672 按块擦除。 EEPROM不能用来存程序，通常单片机的指令寻址不能到这个区域。EEPROM的擦写次数应有百万次，而且可以按字节擦写。 EEPROM在一个PAGE内是可以任意写的，FLSAH则必须先擦除成BLANK，然后再写入，而一般没有单字节擦除的功能，至少一个扇区擦除。
2019-09-26 17:16:001 （1）首先STC既指的是宏晶半导体公司，也指的是单片机芯片的一种编程方式，关于flash和EEPROM区别，简单来说就是flash擦写次数小于1万次，每次擦除只能按块擦除，但是EEPROM的擦写次数是百万次的，而且擦除可以以字节为单位
2019-08-07 17:33:007 STM32L系列单片机内部提供了EEPROM存储区域，但实质上，其FLASH也是EEPROM类型，只不过有一块区域被开放出来专门用作EEPROM操作而已。STM32L的EEPROM使用寿命
2019-08-05 17:34:0011 Flash属于广义的EEPROM，因为它也是电擦除的ROM。但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM，我们都叫它Flash。
既然两者差不多，为什么单片机中还要既有Flash又有EEPROM呢？
2019-05-03 09:45:004601 FLASH是用于存储程序代码的，有些场合也可能用它来保存数据，当然前提是该单片机的FLASH工艺是可以自写的（运行中可擦写），但要注意FLASH的擦写次数通常小于一万次，而且通常FLASH只能按块擦除。
2020-01-25 16:16:0029822 电子发烧友网为你提供(ti)ST-EEPROM-FINDER相关产品参数、数据手册，更有ST-EEPROM-FINDER的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，ST-EEPROM-FINDER真值表，ST-EEPROM-FINDER管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2020-05-20 17:05:18
EEPROM是电可擦可编程只读存储器的意思，eeprom故障可能是输入输出存储器错误，也可能是输入输出存储器芯片断路、短路或者内部击穿。按照相关协议来看，EEPROM错误的情况多数为A0区间的值由于误操作或者I2C冲突而被改写。通常的解决办法是RMA回原生产厂家维修。
2020-08-04 10:14:5038093 
EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）是一类通用型非易失性存储芯片，在断电情况下仍能保留所存储的数据信息。长期以来，EEPROM凭借高可靠性、百万次擦写、低成本等优势，在消费电子、计算机及周边、工业控制、白色家电、通信等传统应用领域有着优秀表现。
2020-11-20 10:41:533178 得益于容量大、价格低的优势，如今越来越多的SSD硬盘转向QLC闪存，大家担心的主要是QLC闪存的寿命，具体来说就是P/E擦写次数，通常在1000次左右，而IBM现在解决了QLC寿命问题，做到了史无前例的16000次擦写寿命，寿命比SLC还强。
2020-12-08 09:40:034096 本应用笔记旨在提供有关如何防止闪存意外擦写操作（可能导致轻微到灾难性现场故障）的指南和最佳实践。在固件中添加闪存编程保护功能有助于降低发生问题的风险，确保稳健的现场更新。以下内容通过了解潜在问题来提高固件的稳健性，并提供了避免这些问题的方法。
2021-03-30 14:19:078 向EEPROM 存储计数器值时的一个常见问题是，可实现的最大计数会受到计数器中的最低有效字节（LeastSignificant Byte，LSB）可擦写次数的限制。典型 EEPROM的可擦写次数约为100，000次。
2021-04-02 10:05:551 “耐擦写能力 （Endurance）”（指 EEPROM）的定义中包含一些需要明确定义和理解的词语和短语。从以下段落可以看出，不同厂商使用不同的标准。“耐擦写循环（Endurance Cycling
2021-05-11 09:41:488 以带标识页的M95M01-DF EEPROM为例 介绍M95xxx系列EEPROM 包括内存组织 S(嵌入式开发需要考什么证书)-BLE通信中，常见的操作有请求、响应、命令、指示、通知、确认，可根据不同的操作完成不同的应用功能设计。
2021-07-30 10:56:4215 EEPROM操作而已。STM32L的EEPROM使用寿命设计为100000次擦写以上，容量为2K-4K，这对于一般设备的参数存储来说是非常理想的。但从EEPROM使用方式看，其不适用...
2021-11-23 17:21:3716 STC15系列单片机内部集成了大容量的EEPROM，与其程序空间是分开的。利用ISP/IAP技术可将内部Data Flash当EEPROM，擦写次数在10W次以上。EEPROM可分为若干个扇区，每个
2021-11-26 14:51:0833 STM32f0301. FLASH擦写时间2. FLASH擦写次数和数据保存年限只能擦写1000次，有点少。非必要，不要擦写。比如记忆流水号之类，经常变动的数据，最好使用EEPROM
2021-12-01 20:36:1314 内部Flash模拟EEPROM一、原因由于STM32F103系列的单片机内部Flash的擦写次数仅有10k次，如果遇到想要存储又多变，又需要掉电保存的数据，就显得有点捉襟见肘了。我决定利用单片机
2021-12-02 11:36:2131 STM8S105集成了多达1K的EEPROM（掉电数据不会丢失）最高可以支持30万次的擦写次数，用户可以将一些数据保存在EEPROM中
2021-12-23 19:36:321 AN394_微型EEPROM通用I_O操作
2022-11-21 08:11:200 flash属于广义的EEPROM，因为它也是电擦除的rom。但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM，我们都叫它flash。
2023-01-29 11:11:07774 NOR和NAND是目前市场上两种主要的非易失闪存技术，其中NANDFlash存储器具有容量较大，擦写速度快等优点。它们的广泛应用就不用小编敲黑板了吧？然而，市场上流行的NANDFlash产品，尤其是
2023-03-31 10:34:54383 
FLASH擦写操作非法操作解决方案-HK32F030M应用笔记（二十四）
2023-09-18 10:56:46324 
近日，普冉半导体推出创新的 P24C系列高可靠 EEPROM 产品，应下游客户及市场需求，公司该新款系列产品可达到 1000万次擦写寿命，是公司为电表市场开发的超群产品，达到目前行业领先的擦写次数。
2023-12-01 11:12:50563
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