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电子发烧友网>存储技术>Rambus在三星14/11nm的HBM2E解决方案扩展其高性能内存子系统产品

Rambus在三星14/11nm的HBM2E解决方案扩展其高性能内存子系统产品

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高价收购三星字库

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2021-02-23 17:54:12

高通射频领域获重大突破,与谷歌、hTC、三星、索尼达成合作

高通公司的端到端集成调制解调器和射频产品来实现这一目标。“三星公司很荣幸能够通过高通公司全面的先进射频前端解决方案,创造出当今先进的移动设备,并实现业界领先的LTE连接性能。”“索尼移动正在利用高通公司
2018-01-30 09:04:16

XPD318BP25 三星25w充电器协议芯片单c口支持三星25w方案

供应XPD318BP25 三星25w充电器协议芯片单c口支持三星25w方案 ,广泛应用于AC-DC 适配器、USB 充电设备等领域,更多产品手册、应用料资请向深圳富满微代理骊微电子申请。>>
2023-05-29 10:09:46

三星将向Rambus支付9亿内存专利授权费以达成和解

三星将向Rambus支付9亿内存专利授权费以达成和解  韩国三星公司与Rambus公司本周二宣布就两家之间的专利权官司达成和解协议,三星公司将在五年之内逐步向Rambus公司
2010-01-21 10:55:36720

基于7nm打造的HBM3/DDR5内存技术参数公布

Rambus首次公布HBM3/DDR5内存技术参数,最大的关注点在于都是由7nm工艺制造。7nm工艺被认为是极限,因为到了7nm节点即使是finfet也不足以在保证性能的同时抑制漏电。所以工业界用砷化铟镓取代了单晶硅沟道来提高器件性能,7nm是一项非常复杂的技术。
2017-12-07 15:00:001535

三星推出第三代HBM2存储芯片,适用于高性能计算系统

日前,三星正式宣布推出名为Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存储芯片。
2020-02-05 13:49:113185

三星新发布HBM2E存储芯片,其代号Flashbolt

三星近日发布了代号为“Flashbolt”的HBM2E存储芯片,HBM2E单颗最大容量为16GB,由8颗16Gb的DRAM颗粒堆迭而成,单个封装可实现16GB容量。
2020-02-05 23:34:453246

Rambus宣布一套完整的HBM2E控制器+PHY物理层方案 可帮助企业轻松用上HBM2E

最近,JEDEC固态存储协会正式公布了HBM技术第三版存储标准HBM2E,针脚带宽、总容量继续大幅提升。对于一些大企业,集成这些技术可以说不费吹灰之力,但不是谁都有这个实力。
2020-03-08 19:43:563487

HBM2e显存到底有什么优势

相比GDDR显存,HBM技术的显存在带宽、性能及能效上遥遥领先,前不久JEDEC又推出了HBM2e规范,三星抢先推出容量可达96GB的HBM2e显存。
2020-03-27 09:11:317569

Alchip 5nm封装设计涵盖SIPI/热仿真,可提供即插即用的后硅解决方案

Alchip 5nm设计将利用高性能计算IP产品组合,其中包括一级供应商提供的“同类最佳” DDR5,GDDR6,HBM2EHBM3,D2D,PCIe5和112G serdes IP
2020-08-23 11:24:552140

SK Hynix宣布HBM2E标准存储器已投入量产

16GB/stack的容量。 HBM2EHBM2标准型进行了一些更新来提升性能,作为中代产品,能提供更高的时钟速度,更高的密度(12层,最高可达24GB)。三星是第一个将16GB/satck
2020-09-10 14:39:011988

HBM2E性能提升到4Gbps的方法

为了给人工智能和机器学习等新兴应用提供足够的内存带宽,HBM2E和GDDR6已经成为了设计者的两个首选方案
2020-10-26 15:41:132139

三星将中断12nm DRAM芯片开发,直接跨入11nm

近日,据韩媒报道称,三星的研发人员收到了中断1b工艺DRAM芯片开发的命令,要求直接研发1c工艺DRAM芯片,也就是跳过12nm工艺直接研发11nm工艺。 在此之前,三星也做出过类似的决定。曾经各大
2022-04-18 18:21:581483

HBM性能验证变得简单

HBM2E(高带宽内存)是一种高性能 3D 堆叠 DRAM,用于高性能计算和图形加速器。它使用更少的功率,但比依赖DDR4或GDDR5内存的显卡提供更高的带宽。由于 SoC 及其附属子系统(如内存子系统、互连总线和处理器)结构复杂,验证内存性能和利用率对用户来说是一个巨大的挑战。
2023-05-26 10:24:38437

SK海力士推全球最高性能HBM3E内存

HBM3E内存(也可以说是显存)主要面向AI应用,是HBM3规范的扩展,它有着当前最好的性能,而且在容量、散热及用户友好性上全面针对AI优化。
2023-08-22 16:28:07559

Rambus通过9.6 Gbps HBM3内存控制器IP大幅提升AI性能

为增强AI/ML及其他高级数据中心工作负载打造的 Rambus 高性能内存 IP产品组合 高达9.6 Gbps的数据速率,支持HBM3内存标准的未来演进 实现业界领先的1.2 TB/s以上内存吞吐量
2023-12-07 11:01:13115

Rambus通过9.6 Gbps HBM3内存控制器IP大幅提升AI性能

Gbps 的性能,可支持 HBM3 标准的持续演进。相比 HBM3 Gen1 6.4 Gbps 的数据速率,Rambus HBM3 内存控制器的数据速率提高了 50%,总内存吞吐量超过 1.2 TB/s,适用于推荐系统的训练、生成式 AI 以及其他要求苛刻的数据中心工作负载。
2023-12-07 14:16:06329

什么是HBM3E内存Rambus HBM3E/3内存控制器内核

Rambus HBM3E/3 内存控制器内核针对高带宽和低延迟进行了优化,以紧凑的外形和高能效的封装为人工智能训练提供了最大的性能和灵活性。
2024-03-20 14:12:37110

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