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电子发烧友网>存储技术>Dialog将非易失性电阻式RAM技术授权与格芯22FDX平台,服务IoT和AI应用

Dialog将非易失性电阻式RAM技术授权与格芯22FDX平台,服务IoT和AI应用

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研发自适应体偏置(ABB)系列解决方案,提升格芯22nm FD-SOI (22FDX)工艺技术芯片上系统(SoC)的能效和可靠性,支持5G、物联网和汽车等多种高增长应用。 作为合作事宜的一部分
2019-02-24 15:56:01323

28nm节点可能是eFlash最后一个经济高效的节点 格芯欲用22FDXeMRAM技术取代

格芯的战略是为快速增长市场中的客户提供高度差异化、高附加值的解决方案,而践行这一承诺的实际成果就是我们的22nmFD-SOI(22FDX)嵌入式MRAM非易失性存储器(NVM)技术。多家物联网大客户已经进入这项技术的试验性生产阶段。
2019-09-04 15:25:087635

格芯宣布推出22FDX FD-SOI平台的嵌入式磁性随机存储器

格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22纳米 FD-SOI (22FDX平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器(eMRAM)技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案,格芯22FDXeMRAM,为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16658

格芯宣布已完成22FDX技术开发 将用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器

据外媒报道称,GlobalFoundries(格芯)今天宣布已经完成了22FDX22 nm FD-SOI)技术开发,而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器(eMRAM)。
2020-02-28 11:24:282405

格芯22FDX技术将用于批量生产eMRAM磁阻非易失性存储器芯片

据外媒报道称,美国半导体晶圆代工厂商GlobalFoundries(格芯)宣布已经完成了22FDX22 nm FD-SOI)技术开发,而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器(eMRAM)。
2020-03-03 15:57:27490

格芯22nm工艺量产eMRAM,新型存储机会来临

近日,格芯宣布基于22nm FD-SOI (22FDX)工艺平台,新型存储器eMRAM(嵌入式、磁阻型非易失性存储器)已投入生产。
2020-03-11 10:54:37713

ReRAM技术将成嵌入式人工智能重要关键

Dialog半导体已将其导电桥接电阻RAM非易失性存储器(NVM)技术授权给Globalfoundries,但生产计划要等到2022年。 Globalfoundries公司计划在2022
2020-11-17 14:35:021791

GF已在其22FDX工艺中认证两项新思科技参考流程

,GF已在其22FDX工艺中认证了两项新思科技参考流程: 新思科技基于Amazon Web Services(AWS)的参考流程认证可实现针对系统内测试、实施、验证、计时和物理签核的可扩展执行,为在云端创建5G毫米波、边缘人工智能和物联网等高增长应用提供无缝路径 汽车参考流程可以实现符合ASIL D(
2021-11-17 14:38:411609

GlobalFoundries在AWS上完成对Cadence数字解决方案的认证

GlobalFoundries 在 AWS 上完成了对 Cadence 数字解决方案的认证,可用于其专有的差异化 22FDX 平台
2022-03-28 11:17:461812

Ansys宣布通过GlobalFoundries面向GF 22FDX®平台的半导体工具认证

GlobalFoundries 22FDX平台是物联网(IoT)、智能移动和汽车市场的热门之选。GlobalFoundries的认证可确保Ansys工具提供业界领先的预测准确性,以帮助验证超低功耗、高速和射频(RF)设计的功能正确。
2022-12-12 15:35:15340

GlobalFoundries的22FDX®平台:为AI时代而来

,作为一家全球领先的半导体制造公司,发布了其最新的技术成果——22FDX®平台。这个平台以其卓越的性能和适应性,正在成为人工智能(AI)和物联网(IoT)等新兴技术的关键推动力。   GlobalFoun
2023-11-15 14:53:38794

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