NAND Flash存储器在移动设备应用市场的需求趋缓。根据IHS初步统计资料显示，受到品牌厂与网络厂商大举推出云端储存服务影响，第三季智能手机与平板设备内建NAND Flash存储器的需求已开始减少。
2013-11-26 11:16:17
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、武汉新芯扩厂，及国际厂如三星、英特尔增加产能，预估2020年中国大陆国内Flash月产能达59万片，相较于2015年增长近7倍。
2016-04-26 09:32:001358 受益于智能手机搭载的NAND Flash存储容量持续提升，以及PC、服务器、资料中心积极导入固态硬盘（SSD），NAND Flash需求正快速成长，各家存储器厂亦由2D NAND Flash加速转进
2017-02-07 17:34:128497 
市调机构集邦科技预期，今年储存型快闪存储器（NAND Flash）整年都将维持供应吃紧的情况，NAND Flash厂商业绩可望逐季攀高。
2017-03-08 10:11:39580 NAND Flash是一种非易失存储器，也就是掉电不丢失类型，现在我们常见的存储设备基本都是NAND Flash，比如U盘、固态硬盘，手机存储等等，电脑传统硬盘除外。
2022-11-10 17:08:321684 
存储器，NOR 与NAND 存储逻辑的差异导致二者的应用场景有很大不同。NOR 的优势在于随机读取与擦写寿命，因此适合用来存储代码；NAND 的优势在于单位比特成本，花同样的钱可以获得更大的容量。
2023-09-11 16:59:231905 
闪速存储器 （Flash Memory）简称闪存器或闪存，是一种非易失性存储器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的两种闪存器是或非闪存器 (NOR Flash）和与非闪存
2023-11-23 09:36:17917 
概念理解：FLASH存储器又成为闪存，它与EEPROM都是掉电后数据不丢失的存储器，但是FLASH得存储容量都普遍的大于EEPROM，，在存储控制上，最主要的区别是FLASH芯片只能一大片一大片
2022-03-02 07:20:19
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件
2018-07-11 11:31:27
Flash存储器分为哪几类？Flash存储器有什么特点？Flash与DRAM有什么区别？
2021-06-18 07:03:45
嵌入式系统的海量存储器多采用Flash存储器实现扩展，由于Flash存储器具有有限写入次数的寿命限制，因此对于Flash存储器局部的频繁操作会缩短Flash存储器的使用寿命。如何设计出一个合理
2019-08-16 07:06:12
Flash存储器是一种基于浮栅技术的非挥发性半导体存储器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等几种类型。作为一类非易失性存储器 ,Flash存储器具有自己独特的优点:不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
Flash类型与技术特点Flash主要分为NOR和NAND两类。下面对二者作较为详细的比较。1. 性能比较Flash闪存是非易失存储器,可以对存储器单元块进行擦写和再编程。任何Flash器件进行写入
2011-06-02 09:25:45
微小的电荷泄漏具有相对较低的影响。每个逻辑电平的更宽分布有助于以更低的电压对单元进行编程或擦除，这进一步增加了单元的耐久性，进而增加了寿命，即P / E循环的数量。NAND Flash是目前闪存中最
2020-11-19 09:09:58
Nand flashNand-flash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快
2022-01-26 07:56:35
Nand flash是flash存储器的其中一种，Nand flash其内部采用非线性宏单元模式以及为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND FLASH存储器具有容量较大和改写速度快
2020-11-05 09:18:33
清楚，请联系技术支持。表1 NandFlash分区信息NAND Flash存储器分区 EPC-6Y2C-L板载256MB的NAND Flash，其扇区大小为128KB，uboot、linux内核以及文件系统等都安装在其中，NAND Flash的分区情况如表1所列。注
2021-12-15 06:34:30
TC58V64的内部结构如图所示。闪速存储器的容量增大，则块数也将增加，但内部的基本结构没有改变。NAND 闪速存储器的特点①按顺序存取数据；②存储器内部以块为单元进行分割，而各块又以页为单位进行
2018-04-11 10:11:54
多。再加上 NAND 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，可靠性较 NOR 闪存要差。当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真
2018-06-14 14:34:31
。其结构简单，因而常用于存储各种固化程序和数据。可以用于存放boot-----FlashFLASH EEPROM 又称闪存，快闪。flash可擦写，在单片机中用于存储程序。因为历史原因，很多人还是将 Flash 叫做 ROM.....种类有nandflash ，norflash等等...
2021-12-10 06:34:11
SD卡、嵌入式SD卡等。它的主要优势在于解决了主控器（例如STM32系列的MCU单片机）使用NAND FLASH、SPI NAND FLASH、eMMC等存储器时需要自行管理NAND FLASH
2024-01-24 18:30:00
NOR Flash 和 NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM(Electrically
2021-07-22 08:16:03
一般地址线和数据线共用，对读写速度有一定影响；而NOR Flash闪存数据线和地址线分开，所以相对而言读写速度快一些。 NAND和NOR芯片的共性首先表现在向芯片中写数据必须先将芯片中对应的内容清空
2014-04-23 18:24:52
据线共用，对读写速度有一定影响；而NOR Flash闪存数据线和地址线分开，所以相对而言读写速度快一些。 NAND和NOR芯片的共性首先表现在向芯片中写数据必须先将芯片中对应的内容清空，然后再写入，也就
2013-04-02 23:02:03
NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。象“flash存储器”经常可以与相
2015-11-04 10:09:56
一般可通过PAD连接闪存，比如Cadence公司的Octal-SPI NAND Flash controller, 支持8-bit的数据和地址传输，这样的速度会比传统的单比特串行SPI快很多。因为
2022-07-01 10:28:37
认为每个组件都有自己的闪存。您如何看待，我应该只使用一个NAND闪存进行FPGA和处理器访问，这意味着FPGA配置文件（.mcs）也存储在非易失性闪存中，在加电时，ARM处理器会自动配置FPGA
2019-05-21 06:43:17
闪存。 相"flash存储器"经常可以与相"NOR存储器"互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是
2018-08-09 10:37:07
的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。相"flash存储器"经常可以与相"NOR存储器"互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越
2013-01-04 00:20:57
1 Flash类型与技术特点Flash主要分为NOR和NAND两类。下面对二者作较为详细的比较。1.1 性能比较Flash闪存是非易失存储器,可以对存储器单元块进行擦写和再编程。任何Flash器件
2011-04-23 09:22:47
尺寸要比NOR器件小8位,每个NAND存储器块在给定时间闪的删除次数要少一些。（2）位交换所有Flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下（很少见,NAND发生的次数要比NOR多）,一个比特位会发
2012-12-25 19:29:41
读写次数和效能上远不如SLC芯片，但随着效能大幅改善后，MLC芯片也逐渐成为NAND Flash产业主流，并在价格下滑后，导入多领域应用范围。现在MLC芯片性价比提升，也逐渐导入许多应用领域包括军规
2018-06-14 14:26:38
是flash内存的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到
2015-09-14 21:19:54
关注+星标公众号，不错过精彩内容来源 |自由时报面对全球晶片荒，不只台积电等***厂商展开扩产，英特尔、三星等国外厂商，也提高资本支出计划扩产，晶圆代工是否会从产能供不应求走向产能过剩？这...
2021-07-20 07:47:02
最近很纠结，用了一个STC89C51单片机，外扩32K数据存储器（STC62WV256），P0口与P2口分别接在对应地址和数据线上，高数据为P2.7接在数据存储器的片选信号上（CE），该引脚是低有效，如此硬件，外扩数据存储器的地址范围是多少呢？又是什么样的原理？
2012-03-26 11:14:56
。 2、硬盘存储器 信息可以长期保存，可以读写，容量大，但是不方便携带。 3、移动存储器 主要包括闪存盘（优盘）、移动硬盘、固态硬盘（SSD）。 4、闪存盘（优盘） 采用Flash存储器（闪存
2019-06-05 23:54:02
flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。
1.2 存储器RAM介绍
RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
单片机程序存储器64KB是外扩的还是外扩加内部的呢？
2023-03-24 17:44:04
面对半导体硅晶圆市场供给日益吃紧，大厂都纷纷开始大动作出手抢货了。前段时间存储器大厂韩国三星亦到中国***地区扩充12寸硅晶圆产能，都希望能包下环球硅晶圆的部分生产线。难道只因半导体硅晶圆大厂环球晶
2017-06-14 11:34:20
市场2018年全球半导体市场规模达到1，500亿美元，其中NAND Flash超过570亿美元，而中国市场消耗了全球产能的32％，这意味着中国已成为全球主要的市场，为了摆脱长期对外采购的依赖，国内存储器
2021-07-13 06:38:27
1. 嵌入式的外部存储器嵌入式系统中，外部的存储器一般是Nand flash和Nor flash，都称为非易失存储器。存储器的物理构成包含页内地址，页（Page），块（Block）。可以得出存储器
2021-12-10 08:26:49
Flash类型与技术特点有哪些？如何去选择uClinux的块驱动器？如何去设计Flash存储器？
2021-04-27 06:20:01
中低端片式电阻市场，国内片式电阻产业开始面临被“卡脖子”的风险。积极应对客户需求，成立富捷电阻事业部，产能250亿只/月 在这种内外交困的市场环境下，国产元器件行业纷纷加强布局，发展技术紧抓扩产
2021-12-31 11:56:10
未来DDR4、NAND Flash存储器芯片该如何发展
2021-03-12 06:04:41
时间，对FPGA有比较丰富的项目经验（6年）。熟练使用Xilinx/Altera FPGA，熟悉NAND FLASH接口时序。 自行编写标准NAND FLASH Controller/控制器，可以以
2012-02-17 11:11:16
时间，对FPGA有比较丰富的项目经验（6年）。熟练使用Xilinx/Altera FPGA，熟悉NAND FLASH接口时序。自行编写标准NAND FLASH Controller/控制器，可以以源代码
2014-03-01 18:49:08
数据存储器 FLASH程序存储器 FLASH数据存储器 片内RAM数据存储器16M字节外部数据存储器各有什么区别？特点？小弟看到这段 很晕。ADuC812的用户数据存储器包含三部分，片内640字节的FLASH数据存储器、256字节的RAM以及片外可扩展到16M字节的数据存储器。求助高手。解释一下不同。
2011-11-29 09:50:46
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM动态随机存储器（Dynamic RAM），“动态”二字指没隔一段时间就会刷新充电一次，不然内部的数据就会消失。这是因为DRAM的基本单元
2019-09-18 09:05:09
系统设计存在设计基于闪存的可靠的嵌入式和存储系统时仍然面对重大挑战。随着每代新产品的出现，目前存储器技术要求尺寸越来越小，但耑要较大系统级变化来维持系统级讨靠性和性能。NOR和NAND闪存的存储器架构
2018-05-17 09:45:35
，通常容量较小，主要用于存储代码；Nand Flash，容量较大，主要用于存储资料，如数码相机中所用的记忆卡。 简单来说，可概括为一张图描述，“太长不看版”可参照下图： 具体来说，这两种存储器有何
2023-02-17 14:06:29
一、Nand Flash 简介Flash 中文名字叫闪存，是一种长寿命的非易失性（断电数据不丢失）的存储器。可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程，在进行写入操作之前必须先执行擦除。功能性分为
2016-07-06 16:58:53
单元物理结构上的改善等，使低电压单一电源类型的闪速存储器也形成产品。以文件为使用目的的AND及NAND两种类型的闪速存储器目前已在市场上流通，应用于大容量的Flash ATA卡等方面。海洋仪器http://www.hyxyyq.com
2018-04-09 09:29:07
和用于读取，写入和擦除数据的操作略有不同。而EEPROM指的是电可擦可编程只读存储器是一种存储器，可以在字节级别读取，写入和擦除数据。另一方面Flash是EEPROM的一种，在结构上以块的形式排列，在块中
2023-04-07 16:42:42
NAND FLASH开始广泛应用于星载存储器,针对FLASH的数据高效管理成为该类存储器研究的重要组成部分。本文以商用文件系统YAFFS2为基础,结合空间应用的数据存储特点,引入文件系统的概
2010-02-24 14:41:26
10 NAND FLASH开始广泛应用于星载存储器,针对FLASH的数据高效管理成为该类存储器研究的重要组成部分。本文以商用文件系统YAFFS2为基础,结合空间应用的数据存储特点,引入文件系统的概
2010-07-17 18:06:2914 Flash闪存有哪些类型
Flash闪存是非易失性存储器，这是相对于SDRAM等存储器所说的。即存储器断电后，内部的数据仍然可以保存。Flash根据技术方式分为Nand 、Nor Flash和AG-
2010-03-25 16:26:5611607 高性能20纳米级NAND闪存存储器
SAMSUNG电子有限公司推出业界首个20纳米级(nm) NAND芯片，用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 NAND闪存的自适应闪存映射层设计
闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的
2010-05-20 09:26:23770 
Flash 存储器的简介
在众多的单片机中都集成了 Flash 存储器系统，该存储器系统可用作代码和数据
2010-11-11 18:25:094564 
基于NAND Flash的存储系统的设计首先要解决坏块问题。由于NAND Flash自身存在固有坏块并在擦除和编程中又随机产生坏块，因此为了提高设备的可靠性应该将这两种操作分散在闪存不同的块
2011-04-25 11:10:101330 
文中研究并实现了一种基于NAND型Flash的高速大容量固态存储系统,成果为实际研制应用于星的基于闪存的大容量存储器奠定了基础,具体较好的指导和借鉴意义。
2012-03-23 11:15:536 据IHS iSuppli公司的NAND闪存动态简报，尽管超级本领域使用的固态硬盘（SSD）不断增加，但与NAND闪存供应商相比，专门生产快速SSD的厂商却处于劣势。NADN闪存供应商拥有广阔的市场以及令
2012-07-06 09:39:14807 
东京—东芝公司 （TOKYO：6502）今天宣布，该公司在闪存峰会（Flash Memory Summit）上展示其最新的NAND闪存和存储产品。
2014-09-03 11:40:13849 储存型快闪存储器（NAND Flash）军备竞赛再起，南韩存储器大厂SK海力士决定再投资3.16兆韩元（约27亿美元），在南韩及大陆两地增加存储器产能；紫光集团旗下的长江存储武汉厂，也预定本月底正式动土，都为2018年供给过于求再现，埋下隐忧。
2016-12-26 09:41:09572 FLASH存储器又称闪存 ，是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存
2017-10-11 14:11:3722155 FLASH存储器（也就是闪存）就 是非易失随机访问存储器（NVRAM），特点是断电后数据不消失，因此可以作为外部存储器使用。而所谓的内存是挥发性存储器，分为DRAM和SRAM两大类，其中常说的内存
2017-10-11 14:39:468295 FLASH存储器又称闪存，是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子
2017-10-11 15:16:1715617 FLASH存储器又称闪存，是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，由于其断电时仍能保存数据，FLASH存储器通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输入输出
2017-10-13 16:34:3020879 引言 NOR Flash和NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Flash因为具有非易失性及可擦除性，在数码相机、手机、个人数字助理（ PDA）、掌上电脑、MP3播放器等手持设备
2017-10-19 11:32:527 本文设计了一种针对NAND型的闪存转译层，使NFTL完成地址映射和坏块管理以及连续读写数据的操作。对NAND Flash的分区设计，使块管理结构清晰，有利于固件的开发。本文没有对Flash的ECC
2017-12-01 17:35:011944 
根据2017年的存储器行业需求显露出的价格上涨，供不应求局面，韩系存储器厂纷纷计划扩产。但由于存储器大厂3D NAND良率升，NAND Flash将在2019年后产能过剩。
2018-01-06 10:32:382146 在市场NAND Flash快闪存储器供应仍有缺口，导致价格继续维持高位的情况下，包括国际大厂三星、SK海力士、东芝，以及中国厂商长江存储存纷纷宣布扩产以增加产能之际，7日美商存储器大厂美光（Micron）也宣布扩产，以补足市场供不应求的缺口。
2018-06-11 12:01:00922 的NAND flash厂商三星从中获益最多，依靠NAND flash和DRAM存储芯片业务其芯片业务营收在2017年一举超越Intel成为全球最大的半导体企业，此前Intel霸占全球半导体老大的位置长达20多年。
2018-05-31 12:10:001088 根据韩国媒体的报导，韩国存储器大厂三星已经确认，将会在韩国平泽市兴建一座新的半导体工厂，用于扩大DRAM、NAND Flash快闪存储器的产能。 之前，韩国媒体《FN News》曾经引用业界人士和平
2018-03-06 18:59:114712 ，存储器内的信息仍然存在，主要是闪存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要应用于代码存储介质中，而 NAND 则用于数据存储。
2018-04-09 15:45:33109972 NAND 存储器制程转换遭遇瓶颈，采用3D堆叠技术为主要解决方案。3D产能目前三星投产率、良率最高，其 64 层 3D-NAND 三季度已进入量产阶段，3D产出占投产量达 50%，其他厂商亦在Q3
2018-05-06 07:05:009948 
美光、三星释放信号仅是个开端，SK海力士、Intel、东芝、西数/闪迪等都表态在几年内将持续扩充闪存产能，为跨入96层、甚至更高层数而加大投入力度。可见，3D NAND闪存已经成为国际存储器厂商间的“主战场”。
2018-07-17 10:34:084865 
背景知识的情况下，可以比较简单地使用大容量的NAND Flash存储器，降低了使用NAND Flash存储器的难度和成本。
2018-12-31 11:29:002879 
由于各大内存厂产能“刹不住车”，NAND Flash快闪存储器和DRAM价格已经持续走低，终结了持续两年的市场供应紧俏状况。
2018-10-27 08:59:143740 SK海力士宣布将在忠清北道清州市新建一个存储器晶圆厂，满足NAND Flash市场增加的需求。新工厂将坐落在清州科技园。SK海力士下个月开始设计外部的建设，2017年8月到2019年6月期间完成洁净室的装备，总投资达2.2兆韩元（18.4亿美金）。
2018-12-03 08:52:561526 NAND的平均售价（美元/ GB）会降低54％，而下半年同比下降45％。 市场供应和需求是影响客户支付闪存存储价格的两个主要因素，需求增加会推动价格上涨，促使供应商增加产量。如果供过于求，则可能会导致产量过剩以及价格下跌。 NAND 闪存产品平均售价年度变化（最右侧年度价格变化
2019-03-20 15:09:01282 在NOR和NAND闪存中，存储器被组织成擦除块。该架构有助于在保持性能的同时保持较低的成本，例如，较小的块尺寸可以实现更快的擦除周期。然而，较小块的缺点是芯片面积和存储器成本增加。由于每比特成本较低，与NOR闪存相比，NAND闪存可以更经济高效地支持更小的擦除块。
2019-08-29 17:26:2912636 
后来为了满足大数据量存储的需求，需要降低单位bit的成本，因此东芝在1989年发明了NAND Flash。而NAND Flash的最大特点就是高存储密度和低成本。虽然NAND Flash可以重复擦写
2019-08-30 09:04:493759 
据外媒报道，东芝存储器美国子公司宣布推出一种新的存储器（Storage Class Memory）解决方案：XL-Flash，该技术是基于创新的Bics Flash 3D NAND技术和SLC。
2019-09-04 16:41:321234 从去年初以来，全球NAND Flash闪存市场价格已经连跌了6个季度，导致的后果就是六大NAND闪存供应商营收及盈利不断下滑，多家厂商还削减了产能，其中美光削减的NAND产能从之前的5％增加到了10
2019-11-14 15:58:53502 相信有很多人都对计算机里的各种存储器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就会存在，内存条是 dram 还是 nand？nand flash 和 nor flash 的区别又是什么？程序
2020-12-17 14:56:3810522 Nand flash是flash存储器的其中一种，Nand flash其内部采用非线性宏单元模式以及为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND FLASH存储器具有容量较大和改写速度快
2020-11-03 16:12:083855 
闪存具有兴趣，不妨继续往下阅读哦。 Flash闪存是非易失性存储器，这是相对于SDRAM等存储器所说的。即存储器断电后，内部的数据仍然可以保存。Flash根据技术方式分为Nand 、Nor
2020-11-06 17:36:107046 
Flash（快闪或闪存）由Intel公司于1988年首先推出的是一种可用电快速擦除和编程的非易失性存储器，其快速是相对于EEPROM而言的。Flash从芯片工艺上分为Nor Flash和Nand
2020-12-07 14:17:013046 存储器的历史始于1984年，彼时 Masuoka 教授发明了 NAND Flash（NAND 闪存）。1989年，东芝首款 NAND Flash 上市。2001年，许多Flash厂商推出MLC
2022-11-25 14:57:351637 Nand Flash存储器是Flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了高性价比、高性能的解决方案。Nand Flash存储器具有容量较大、改写速度快等优点
2023-09-05 18:10:011626 NAND Flash是一种非易失存储器，也就是掉电不丢失类型，现在我们常见的存储设备基本都是NAND Flash，比如U盘、固态硬盘，手机存储等等，电脑传统硬盘除外。
2023-09-11 14:48:23556 
摘要：本文主要对两种常见的非易失性存储器——NAND Flash和NOR Flash进行了详细的比较分析。从存储容量、性能、成本等方面进行了深入探讨，以帮助读者更好地理解这两种存储器的特性和应用。
2023-09-27 17:46:06490 随着信息技术的飞速发展，数据存储需求日益增长。作为一种新型的非易失性存储器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等优势，在各个领域得到了广泛应用。本文将对NAND Flash存储器的工作原理、结构特点、性能指标及应用领域进行详细解析，以期为读者提供一个全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446 为什么Nor Flash可以实现XIP，而Nand flash就不行呢？ Flash存储器是一种常用的非易失性存储器，广泛应用于各种电子设备中。它们的价值在于它们可以快速读取和写入数据，同时因为没有
2023-10-29 16:32:58647 前言 NAND Flash 和 NOR Flash是现在市场上两种主要的闪存技术。Intel于1988年首先开发出 NOR Flash 技术,彻底改变了原先由 EPROM 和 EEPROM 一统天下
2024-03-01 17:08:45160 
非易失性存储器芯片又可分为快闪存储器 （Flash Memory） 与只读存储器 （Read-Only Memory）。其中，快闪存储器又可以分为 NAND 存储和 NOR 存储。
2024-03-22 10:54:1515 
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