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电子发烧友网>存储技术>FRAM存储器技术在汽车高温环境中的应用

FRAM存储器技术在汽车高温环境中的应用

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2021-05-11 17:17:09704

铁电存储器FRAM的优劣势

FRAM是一种新型存储器,具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点,与EEPROM、FLASH相比,FRAM的读写更快、寿命更长,FRAM已经应用于IC卡和MCU中,预计未来具有广阔的市场前景。FRAM产品具有明显的高新技术特点,符合科创板属性,目前上市公司中尚没有从事该产品的开发。
2021-05-11 17:32:202107

FM25CL64B-GTR是一款串行FRAM存储器

FM25CL64B-GTR是串行FRAM存储器存储器阵列在逻辑上组织为8,192×8位,可使用行业标准的串行外围设备接口(SPI)总线进行访问。FRAM的功能操作类似于串行闪存和串行EEPROM
2021-06-08 16:35:041683

串行FRAM存储器64K MB85RS64概述及特点

富士通FRAM是新一代非易失性存储器,其性能优于E2PROM和闪存等现有存储器,功耗更低,提供更高的速度和耐多次读写操作。FRAM是非易失性的,但在RAM等其他方面运行。这种突破性的存储介质用于各种
2021-06-28 15:50:412599

128K串行接口FRAM存储器MB85RS128B概述及特点

富士通FRAM(铁电RAM)是新一代非易失性存储器,性能优于 E2PROM 和闪存等现有存储器,功耗更低,速度更快和耐多次读写操作。FRAM是非易失性的,但在ram等其他方面运行。这种突破性的存储
2021-06-28 15:52:461394

铁电存储器FRAM与其他内存的比较

FRAM是一种非易失性存储器,因为它结合了ram和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在断电情况下存储数据。具有高读写耐久性和快速写入速度。英尚微存储芯片供应商可提供产品测试及技术支持。
2021-07-27 10:29:281158

富士通FRAM存储器的详细介绍

FRAM是一种写入速度快的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器(如EEPROM、闪存)相比,FRAM不需要用于数据保存的备用电池,具有更高的读/写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055

FRAM存储器都用在了哪里

FRAM (铁电RAM) 是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器 (如EEPROM、闪存)相比,FRAM不需要备用电池来保留数据,并且具有更高的读/写耐久性,更快的写入速度
2021-10-28 10:26:562565

FRAM存储器芯片集成到汽车EDR设计中

本篇文章宇芯电子主要介绍用FRAM替换闪存或EEPROM的情况,以及如果将FRAM器件成功集成到新的汽车EDR设计中将需要满足的要求。
2022-01-26 18:30:086

非易失性存储器FRAM的常见问题解答

什么是FRAMFRAM(铁电随机存取存储器)是一种非易失性存储器,它使用铁电薄膜作为电容器来存储数据。FRAM兼具ROM(只读存储器)和RAM(随机存取存储器)的特性,具有写入速度更快
2022-03-02 17:18:36766

铁电存储器FRAM

铁电存储器FRAM或FeRAM,FRAM采用铁电晶体材料作为存储介质,利用铁电晶体材料电压与电流关系具有特征滞后回路的特点来实现信息存储。    FRAM结构图 FRAM技术特点: 非易失性:断电
2022-11-10 17:00:141785

提供即时写入功能的FRAM存储器

FRAM存储器提供即时写入功能,无限的耐用性和接近零的软错误率,以支持对功能安全标准的遵守。引起人们对用于汽车EDR的FRAM非易失性存储技术的兴趣,因为其使用解决了这些缺点。
2022-11-25 14:19:41327

铁电存储器FRAM与其他内存的比较

FRAM是一种非易失性存储器,因为它结合了ram和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在断电情况下存储数据。具有高读写耐久性和快速写入速度。
2021-07-15 16:46:56697

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