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电子发烧友网>存储技术>GF、Everspin合作良好 STT-MRAM自旋磁阻内存升级

GF、Everspin合作良好 STT-MRAM自旋磁阻内存升级

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2023-01-31 15:53:37226

专门用于便携式医疗机械Netsol Serial STT-MRAM

Netsol的SPI STT-MRAM具有非易失特性和几乎无限耐用性。医疗器械理想的存储器用于快速存储、检索数据和程序的应用程序,至少应用于数量引脚。它具有优异的性能和非易失特性。详情请洽英尚微。
2023-02-23 14:49:59136

Netsol非易性存储Parallel STT-MRAM系列

英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要快速存储和搜索数据和程序的应用程序来说,这是最理想的内存。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可替代NOR Flash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和非易失特性。
2023-02-23 14:52:55163

工业机械专用Netsol Parallel STT-MRAM

安全地获得备份。能够充分执行该作用的存储器,在工业设备中至关重要。Netsol的Parallel STT-MRAM 具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要快速存储和搜索数据和程序的应用程序来说,这是合适的内存。适用于工业设备中的PC、PLC、HM
2023-02-27 15:48:17136

Netsol并口STT-MRAM非易失存储S3R8016

其数据始终是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,并有助于简化系统设计。由于STT-MRAM的非易失性和几乎无限的续航特性,它适用于工业设计中的代码存储、数据记录、备份存储器和工作存储器。
2023-05-12 16:31:39268

10.1.7 自旋转移力矩磁随机存储器(STT-MRAM)∈《集成电路产业全书》

Spin-transferTorqueMagnetoresistiveRandomAccessMemory(STT-MRAM)审稿人:北京大学蔡一茂陈青钰https://www.pku.edu.cn
2022-03-25 10:48:47318

RAM和NAND再遇强敌, MRAM被大厂看好的未来之星

目前三星仍然是全球专利第一,2002年三星宣布研发MRAM,2005年三星率先研究STT-MRAM,但是此后的十年间,三星对MRAM的研发一直不温不火,成本和工艺的限制,让三星的MRAM研发逐渐走向低调。
2023-11-22 14:43:53213

台积电和ITRI成功研发SOT-MRAM,功耗仅为STT-MRAM的百分之一

鉴于AI、5G新时代的到来以及自动驾驶、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应用对更高效率、稳定性和更低功耗的内存的需求愈发紧迫,如磁阻式随机存取内存MRAM)这样的新一代内存技术已成为众多厂商争相研发的重点。
2024-01-18 14:44:00838

台积电引领新兴存储技术潮流,功耗仅为同类技术的1%

MRAM的基本结构是磁性隧道结,研发难度高,目前主要分为两大类:传统MRAMSTT-MRAM,前者以磁场驱动,后者则采用自旋极化电流驱动。
2024-01-22 10:50:50123

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