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电子发烧友网>存储技术>南亚科自研10nm DRAM DRAM产品可持续微缩至少三个时代

南亚科自研10nm DRAM DRAM产品可持续微缩至少三个时代

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DRAM市场仍供过于求价格持续下跌

19日出具调查报告指出,今年上半年DRAM市场仍供过于求,价格持续下跌,不仅本季价格跌幅将超过二成,下季仍持续看跌15%,相当于上半年累计跌价幅度超过三成,比市场原预期更悲观,华邦、南亚科等芯片厂,以及模组厂威刚、宇瞻等,营运将面临下修压力。
2019-02-22 09:20:122234

南亚科启动自主研发的10纳米世代制程研发 将扩大办理超过100人以上的研发人才招募

今年以来DRAM价格持续下跌,DRAM南亚科今年获利表现恐不如去年好。为了维持稳定获利,南亚科将朝向优化产品组合方向调整,提高DDR4及LPDDR4X等毛利率较好的产品比重。此外,南亚科已取得美光的1x/1y纳米制程技术授权选择权,并启动自主研发的10纳米世代制程研发。
2019-03-01 16:30:254125

南亚科表示近期服务器用DRAM需求已经反弹 下半年仍有产业旺季效应可期

DRAM大厂南亚科总经理李培瑛表示,近期服务器用DRAM需求已经反弹,此举将帮助第二季DRAM市况优于首季,下半年转好。
2019-03-05 17:30:134400

三星宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片

3月21日,三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-21 16:43:083251

三星突破DRAM的扩展极限 成功研发10nm级DDR4内存

,动态随机存取存储器)。自开始批量生产第二代10nm级(1y-nm)8Gb DDR4以来仅仅16个月,三星不再使用Extreme Ultra-Violet(EUV)处理的情况下开发1z-nm 8Gb DDR4,说明三星突破了DRAM的扩展极限。
2019-03-21 17:30:541444

三星电子将开发首款基于第三代10nm级工艺DRAM内存芯片,下半年量产

三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-24 11:36:163659

三星第三代10nm工艺DDR4内存下半年量产

关键词:DRAM , DDR4 三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。量产时间
2019-03-29 07:52:01215

南亚科表示下半年DRAM还是会比上半年好 并长期看好DRAM多元化应用

DRAM南亚科昨日举行股东会,总经理李培瑛会后受访表示,第2季DRAM市况已看到会比第1季好,第3季又会比第2季稍好,合约价跌幅会比现货价小;整体而言,随着旺季到来,下半年DRAM还是会比上半年好。
2019-05-31 16:58:212105

2019年6月DRAM与NAND Flash跌价趋势持续

DRAM与NAND Flash持续维持下降走势。
2019-07-06 11:38:563485

三星首次开发出第三代10nmDRAM高级存储器

三星电子有限公司(Samsung Electronics)在其官网上发布消息,该公司正式宣布,首次开发了第三代 10nm 制程工艺(1z-nm)8GB 超高性能和高功效的 DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)。
2019-09-27 17:23:291003

南亚科李培瑛宣布已完成自主研发10纳米级DRAM技术 预计2020下半年陆续进入产品试产

南亚科总经理李培瑛近日宣布,已完成自主研发10纳米级DRAM技术。
2020-01-13 15:16:102164

出货100万 三星业界首款EUV DRAM推出

三星电子(Samsung Electronics)今天宣布,已经出货100万业界首款10nm EUV级(D1x)DDR4 DRAM模组。新的基于EUV的DRAM模块已经完成了全球客户评估,并将为在高端PC、移动终端、企业级服务器等等应用领域开启新大门。
2020-03-25 16:53:572345

美光量产并出货1αnm DRAM内存芯片 功耗可降低15%

的工艺节点都不使用明确的数字,而是1x、1y、1z、1α等等,越往后越先进,或者说1xnm比较接近20nm,1αnm则更接近10nm。 美光的1αnm DRAM工艺可适用于各种不同的内存芯片,尤其适用于最新旗舰手机标配的LPDDR5,相比于1z工艺可以将容量密度增加多达40%,同时还能让功耗降低15%
2021-01-27 17:28:331589

DRAM储存器有哪些类型如何设计DRAM控制器

DRAM作为PC必备器件之一,大家自然对DRAM较为熟悉。但是,大家知道DRAM存储具有哪些分类吗?大家了解DRAM控制器是如何设计出来的吗?如果你对DRAM以及本文即将要阐述的内容具有兴趣,不妨继续往下阅读哦。
2020-10-31 11:51:193766

Intel正实现从14nm10nm的过渡

Intel正在各个领域实现从14nm10nm的过渡:轻薄本上代还是14/10nm混合,现在已经完全是10nm;游戏本、服务器马上就都会首次尝鲜10nm;桌面则要等到明年底的12代最终实现交接。
2020-12-07 10:00:071764

DRAM内存将涨价到Q2

据悉,南亚科技预计DRAM的价格一季度开始上涨,是因为市场供应紧张,供不应求所致,价格上涨的趋势将持续到二季度。
2021-01-12 10:57:221585

SK海力士已开始安装EUV光刻机,以量产10nm 1a DRAM

据etnews报道,SK海力士已开始在其位于韩国利川的M16工厂安装EUV光刻机,以量产10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布将在今年年内在M16厂建设产线以生产下一代DRAM,不过并未透露
2021-01-20 18:19:202146

美光全球首创1αnm DRAM内存芯片

美光今天宣布,已经开始批量出货基于1αnm工艺的DRAM内存芯片,这也是迄今为止最先进的DRAM工艺,可明显提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513088

华邦电子:DRAM与闪存价格上涨,3、4月份存储业务营收增长

2月22日消息,据国外媒体报道,英文媒体此前曾多次报道,DRAM的价格在今年一季度将上涨,二季度仍将持续,相关的厂商将从中获益。 在此前的报道中,英文媒体就提到,受市场供应紧张,供不应求推动,南亚
2021-02-22 16:28:011645

南亚科预估2022年Q4 DRAM市场

%。其中生产设备资本支出降幅约四成。   展望2022第四季度DRAM市场供需,南亚科表示,全球性总体经济面临衰退,受高通膨、升息、俄乌战争、封控等负面因素电子产品市场需求疲弱,部分终端客户库存逐步去化。   供应商库存增加,部分供应商调降资本支出,整体市
2022-10-19 14:16:081747

DRAM的范式转变历程

DRAM制造技术进入10nm世代(不到20nm世代)已经过去五年了。过去五年,DRAM技术和产品格局发生了巨大变化。因此,本文总结和更新了DRAM产品、发展和技术趋势。
2023-11-25 14:30:15538

三星与美光拟提DRAM价格,以求盈利回暖

部分存储模组厂已接到三星通知,要求明年年初至少DRAM价格上调15%以上,且该通知并未涉及NAND闪存定价,故预计后者将会持续上涨。DRAM价格在去年年底上涨2%-3%,不及3D TLC NAND约10%;
2024-01-03 10:46:21550

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