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电子发烧友网>存储技术>NAND闪存跌价结束 一个月来的涨幅接近20%

NAND闪存跌价结束 一个月来的涨幅接近20%

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2023-08-02 11:56:24762

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存,三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53282

NAND Flash四季度涨幅预计10%以上

三星内部认为当前NAND Flash供应价格过低,计划从今年四季度开始调涨NAND Flash产品的合约价格,涨幅预计在10%以上。
2023-10-10 17:15:37818

NAND Flash合约价全面涨幅约8~13%

 据报告显示,NAND Flash的第四季度合约价全面上涨,涨幅约为8~13%。这一涨幅超出了之前的预期。TrendForce在9月11日的报告中预计,第四季度NAND Flash的均价有望持平或小幅上涨,环比涨幅约为0~5%。
2023-10-17 17:49:00981

全面涨价 NAND Flash晶圆的涨幅有望领跑

据TrendForce集邦咨询集邦咨询研究显示,由于供应商严格控制产出,NAND Flash第四季度合约价全面起涨,涨幅约8~13%。
2023-10-22 13:06:38724

三星计划明年一季度与二季度再次逐季调涨20%

根据近日三星向客户公布的四季度官价,移动DRAM合约价环比涨幅在11%-25%左右。NAND闪存方面,UFS4.0涨幅约2%,eMCP、uMCP涨幅不等,平均涨幅20%以上,最高涨幅高达66%。
2023-11-03 15:37:32281

逐季调涨20%!存储巨头NAND芯片涨至明年

值得注意的是,信达证券此前援引行业消息称,近日三星向客户公布Q4官价,MobileDRAM合约价环比涨幅预估将扩大至11%-25%;NAND Flash方面,UFS4.0涨幅约2%左右,eMCP、uMCP涨幅不等,平均涨幅20%以上,最高涨幅高达66%。
2023-11-03 15:54:34370

三星计划NAND闪存芯片每个季度涨价20%

三星采取此举的目的很明确,希望通过此举逆转整个闪存市场,稳定NAND闪存价格,并实现明年上半年逆转市场等目标。
2023-11-03 17:21:111214

NAND出货减少,拖累铠侠Q3营收大减38%

铠侠公司为应对存储芯片价格的持续下跌,从2022年10月开始采取了将晶片减产30%的措施。2023年q3的nand闪存价格将比q2上涨5%至9%,出货量将比前一个月减少10至14%。以美元为准,nand闪存价格将比前一个月上涨0至4%。
2023-11-15 10:17:03336

DRAM涨价启动!Q1涨幅高达20%

有存储模组厂收到三星2024年第一季度将DRAM价格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND闪存定价,但预计NAND价格将继续上涨。2023年12月DRAM价格上涨2%-3%,大幅提升DRAM价格,但低于当月3D TLC NAND约10%的涨幅
2024-01-08 16:43:54466

三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20%

三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低;在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判,目标价位是涨价15%—20%。
2024-03-14 15:35:22222

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