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电子发烧友网>存储技术>SCM介于DRAM和NAND之间 最终将会取代闪存成为首选的高速存储介质

SCM介于DRAM和NAND之间 最终将会取代闪存成为首选的高速存储介质

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5G通信引领,DRAMNAND闪存市场需求将增加

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DRAM是目前常见的存储之一,但DRAM并非唯一存储器件,NAND也是存储设备。那么DRAMNAND之间有什么区别呢?DRAMNAND的工作原理分别是什么呢?如果你对DRAMNAND具有兴趣,不妨继续往下阅读哦。
2020-10-31 11:51:2547036

DRAMNAND闪存价格出现暴跌?

市场跟踪数据显示,DRAMNAND闪存相关产品在10月份的价格暴跌,韩国科技媒体THE ELEC指出,出现这一现象的原因可能在于美国对华为的制裁生效。
2020-11-02 17:26:252140

美光发布176层3D NAND闪存

存储器厂商美光宣布,其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构,可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:552599

PC DRAM爆料称内存价格将会上涨

日前,DRAMeXchange集邦科技公布了11月结束后DRAM内存芯片和NAND闪存芯片的价格情况。
2020-12-02 09:51:261705

欧拉(openEuler)立足中国成为首选技术路线

欧拉(openEuler)Summit 2021直播会上,欧拉表示立足中国成为首选技术路线,走向海外成为全球主流生态,以文化吸引人才,以人才繁荣社区。
2021-11-10 09:51:141119

openEuler立足中国成为首选技术路线

openEuler立足中国成为首选技术路线,走向海外成为全球主流生态,以文化吸引人才,以人才繁荣社区,共创最好的OS,成就更好的未来。
2021-11-10 10:06:581057

STT-RAM取代DRAM内存

自旋转移扭矩随机存取存储器(STT-RAM)技术希望用其下一代MRAM取代DRAM最终取代NAND。它结合了DRAM的成本优势,SRAM的快速读写性能以...
2022-01-26 18:32:390

NAND 闪存概述

NAND 闪存内部存储结构单元是基于 MOSFET(金属-氧化层-半导体-场效应晶体管), 与普通场效应晶体管的不同之处在于,在栅极(控制栅)与漏极/源极之间存在浮置栅,利用该浮置栅存储数据。
2022-02-10 11:39:231

浪潮信息发布新一代SSD高速存储介质

近日,浪潮信息发布新一代SSD高速存储介质。这款新品基于NAND算法创新将闪存寿命提升40%,通过PCIe 4.0超宽通道、ZNS存储技术实现单盘150万IOPS的同时,还助阵浪潮存储夺得SPC-1性能全球第一,在可靠性、性能以及系统联调优化三个层面构筑核心竞争力。
2022-05-11 10:34:101987

存储背后的大脑:NAND 闪存控制器实际上是做什么的?

存储背后的大脑:NAND 闪存控制器实际上是做什么的?   围绕在基于 NAND 闪存存储系统的讨论变得很混乱。通常 , 当人们讨论存储时 , 只会谈论 NAND 闪存 , 而忽略了控制器这一独立
2022-09-05 14:42:551452

NAND闪存控制器有什么优势

围绕基于NAND闪存存储系统的对话已经变得混乱。通常,当人们讨论存储时,他们只谈论NAND闪存,而忽略了单独的,但同样重要的组件,即控制器。但是为什么需要控制器呢?简单地说,没有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863

新型存储技术:新型SCM介质的特性及使用方法的总结和介绍

Storage Class Memory (SCM)是非易失性内存,该类介质的存取速度略比内存慢,但是远快于NAND介质。本文对该类介质的特性及使用方法做了简单总结和介绍。
2023-01-15 15:07:321306

DRAM芯片价格有望随NAND温和上涨

据消息人士透露,nand闪存价格从第三季度初的最低点开始逐渐反弹,到目前为止已经上涨了10%以上。他表示:“nand价格上涨将为dram价格上涨营造有利的市场氛围。存储器模块制造企业正在密切关注dram价格反弹的时间。
2023-09-20 10:19:50503

存储芯片价格上涨已从DRAM扩大到NAND闪存 明年上半年预计上涨超过10%

但是,存储芯片大企业的价格已经出现上涨迹象。还有外电报道说,已经从dram开始的存储器价格上升趋势正在扩大到nand闪存
2023-11-13 14:53:28488

dramnand的区别

dramnand的区别  DRAMNAND是两种不同类型的存储器。DRAM(Dynamic Random Access Memory)是一种随机存取存储器,而NAND(Not AND)是一种逻辑
2023-12-08 10:32:003921

三星与美光拟提DRAM价格,以求盈利回暖

部分存储模组厂已接到三星通知,要求明年年初至少将DRAM价格上调15%以上,且该通知并未涉及NAND闪存定价,故预计后者将会持续上涨。DRAM价格在去年年底上涨2%-3%,不及3D TLC NAND约10%;
2024-01-03 10:46:21550

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