电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>存储技术>长鑫存储DRAM芯片实现重大技术突破

长鑫存储DRAM芯片实现重大技术突破

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

存储器厂商发力,10纳米DRAM技术待攻克

纳米制造DRAM已能创造充足的利润,因此相较于应用处理器(AP)和快闪存储器(NAND Flash),DRAM的微细制程技术发展较缓慢。
2014-04-04 09:08:421340

合肥长鑫DRAM正式投片,国产存储跨出重要一步

知情人士告诉半导体行业观察记者,国产存储三大势力之一的合肥长鑫正式投片,产品规格为8Gb LPDDR4,这是国产DRAM产业的一个里程碑,加上早前宣布在3D NAND Flash取得进展的长江存储,国内企业在国际主流存储器上都取得了重大突破,为推动存储国产化掀开了重要一页。
2018-07-17 10:03:054958

长鑫存储正在加速从DRAM技术追赶者向技术引领者转变

在今日举办的中国闪存技术峰会(CFMS)上,长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士做了题为《DRAM技术趋势与行业应用》的演讲,披露了DRAM技术发展现状和未来趋势。
2019-09-26 05:13:003556

DRAM的矩阵存储电路设计原理分析

DRAM(Dynamic Random Access Memory) 即动态随机存取存储器,它和 SRAM(静态随机存取存储器)一样都是常见的系统内存,也就是说我们个人电脑里的内存条通常都是DRAM
2020-11-12 14:33:356527

DRAM的矩阵存储电路设计方案

DRAM(Dynamic Random Access Memory) 即动态随机存取存储器,它和 SRAM(静态随机存取存储器)一样都是常见的系统内存,也就是说我们个人电脑里的内存条通常都是DRAM
2020-12-01 15:18:294257

DRAM存储器为什么要刷新

DRAM(动态随机存取存储器)存储器主要通过电容来存储信息。这些电容用于存储电荷,而电荷的多寡则代表了一个二进制位是1还是0。
2024-02-19 10:56:36267

长鑫已重新设计DRAM芯片,尽量避免使用美国原产技术

6月12日,日经新闻引述未具名消息人士报导,合肥长鑫已经重新设计了其DRAM芯片,以尽量减少对美国原产技术的使用。 日经:长鑫已重新设计DRAM芯片,尽量避免使用美国原产技术 据日经新闻亚洲评论报导
2019-06-13 18:30:033232

2016年十大锂电池技术突破

重大突破,可能会推动氧基电池技术重大发展。锂空气电池,被认为是锂离子电池的终极形态,而这个新型锂氧电池更是锂空气电池的升级版,更加强大、更加方便、还更加安全。希望这项技术能够快点成熟,走上市场!突破
2016-12-30 19:16:12

2021年中国十大科技突破

。 该贮箱采用了5米级长筒段,首次实现了国内近2米级筒段向5米级筒段的重大跨越,标志着我国已初步掌握筒段研制技术,火箭在高质量、高效率、低成本研制上又取得重大突破筒段将现有多个筒段整合为一,有效
2021-07-06 10:02:35

DRAM,SRAM,SDRAM的关系与区别

存储单元大约需要一个晶体管和一个电容(不包括行读出放大器等),而一个SRAM存储单元大约需要六个晶体管。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题,容量较SRAM大,但是读写速度不如SRAM。问题5:用得
2012-08-15 17:11:45

DRAM存储原理和特点

理,相比之下在SRAM存储芯片上一个bit通常需要六个晶体管。因此DRAM拥有非常高的密度,单位体积的容量较高因此成本较低。  DRAM存储原理  DRAM的每一位存储单元采用一个晶体管和小电容来实现
2020-12-10 15:49:11

DRAM技术或迎大转弯,三星、海力士搁置扩产项目

高科技产业的技术、产品还可可久,投资于此,理所当然。DRAM制程推进已很缓慢,目前的制程是1y,有EUV的助力,也许可以推进到1z,但是1a呢?很多人持疑。即使可以,也是事倍功半的努力。对于一个商业公司
2018-10-12 14:46:09

DRAM芯片中的记忆单元分析

某16K x 4的存储体由16个字长为1的 DRAM芯片在位方向和字方向同时扩展而成,DRAM芯片中所有的记忆单元排列成行列相等的存储矩阵。分析:由题得,16个DRAM芯片需要先在位方向扩展为4位得
2022-03-02 06:18:45

DRAM,SRAM,FLASH和新型NVRAM:有何区别?

一种特定的类型:DRAMDRAM(动态随机存取存储器)是一种基于充电电容器的存储技术实现起来非常快且便宜。它还允许高密度。但是DRAM并非没有缺陷。DRAM中的一位可以存储为电容器上是否存在电荷
2020-09-25 08:01:20

DeepMindAI 诊断眼疾重大突破,准确率达 94.5%

近日,《自然》杂志上发表了关于谷歌 DeepMind 使用 AI 诊断眼疾实现重大突破的文章。结果显示,在 997 例患者的扫描测试中,DeepMind 的算法优于英国莫菲尔眼科医院
2018-08-15 11:01:51

FPGA读写DRAM存储器的代码

各位大神好,我想用FPGA读写DRAM存储器,求大神指点哪位大佬有代码分析一份更是感激不尽,好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32

LPDDR5 DRAM芯片的性能及应用是什么?

LPDDR5 DRAM芯片有什么性能?LPDDR5 DRAM芯片有哪些新功能?
2021-06-26 07:37:30

MPC82G516芯片解密特征结构开发

  达科技近期以来取得重大技术突破且拥有成熟解密方案的优势解密系列,针对各种IC芯片,目前我们均能够提供高效可靠、价格合理的芯片解密方案。  MPC82G516芯片解密是其中成功破解的典型芯片
2012-09-29 11:29:00

MRAM实现对车载MCU中嵌入式存储器的取代

产品会取代独立存储器目前各厂商已经基本掌握了用于实现第一阶段应用的关键技术。在车载MCU中,通常是将设备工作时使用的sram存储器和用于存放程序的闪存集成在同一块芯片上。如果能够将自旋注入MRAM集成到
2023-04-07 16:41:05

【内存知识】DRAM芯片工作原理

比同容量的SRAM更少的地址引脚。二、DRAM芯片的刷新技术由于DRAM的特性决定,DRAM存储电荷的时间非常短暂,这样它需要在电荷消失之前进行刷新,直到下次写入数据或者计算机断电才停止。每次读写
2010-07-15 11:40:15

一个具有20位地址和32位字存储器能存储多少个字节的信息

一个具有20位地址和32位字存储器能存储多少个字节的信息?需要多少位地址作芯片选择?
2021-10-26 07:52:14

WiFi芯片模块技术应用,ESP32-WROOM-32模组,飞睿科技代理方案

`WiFi是无线通信主流技术,而物联网是无线通信与Wi-Fi芯片发展的重要驱动力。近年来物联网领域的快速发展,全球整体Wi-Fi芯片市场规模呈现稳步增长态势,市场空间广阔。根据市场调研机构
2021-07-17 15:13:14

实现CAN收发器EMC优化方面有哪些重大突破

什么是SOI技术?在实现CAN收发器EMC优化方面有哪些重大突破
2021-05-10 06:42:44

手机无线充电器一创研是这个样子的

``手机无线充电器一创研是这个样子的``
2018-01-23 14:14:26

浅析DRAM和Nand flash

包括:DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM动态随机存储器(Dynamic RAM),“动态”二字指没隔一段时间就会刷新充电一次,不然内部的数据就会消失。这是因为DRAM的基本单元
2019-09-18 09:05:09

电源突破性的新技术

在半导体技术中,与数字技术随着摩尔定律延续神奇般快速更新迭代不同,模拟技术的进步显得缓慢,其中电源半导体技术尤其波澜不惊,在十年前开关电源就已经达到90+%的效率下,似乎关键指标难以有大的突破,永远离不开的性能“老三篇”——效率、尺寸、EMI/噪声,少有见到一些突破性的新技术面市。
2019-07-16 06:06:05

百度总裁:百度在人工智能领域已有重大突破

  随着阿法狗大战李世石,人工智能引发越来越多的关注。百度总裁张亚勤28日表示,百度长期坚持技术创新,2015年研发投入超过100亿元,目前在人工智能领域已有重大突破。  张亚勤在天津夏季达沃斯论坛
2016-07-01 15:22:41

相变存储器(PCM) :新的存储技术创建 新的存储器使用模式

DRAM存储和下载(SnD)以获求超过1Gb的代码密度。数据流z 影响数据流性能的主要因子是编程速度。数据流通常建立在DRAM技术基础上,但是可用N剧D闪存和DRAM:执行来获取超过4Gb的密度,主要
2018-05-17 09:45:35

科技产品下一个重大突破将在芯片堆叠领域出现

`华尔街日报发布文章称,科技产品下一个重大突破将在芯片堆叠领域出现。Apple Watch采用了先进的的3D芯片堆叠封装技术作为几乎所有日常电子产品最基础的一个组件,微芯片正出现一种很有意思的现象
2017-11-23 08:51:12

视频监控技术在火灾报警领域有哪些新突破

视频监控技术在火灾报警领域有哪些新突破
2021-06-01 06:47:05

铁电存储器的技术原理

铁电存储器(FRAM)能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技术一样,是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁——一种非易失性的RAM。相对于其它类型的半导体技术
2011-11-19 11:53:09

铁电存储器的技术原理

铁电存储器(FRAM)能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技术一样,是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁——一种非易失性的RAM。相对于其它类型的半导体技术
2011-11-21 10:49:57

DRAM原理 - 1.存储单元阵列#DRAM

DRAM
EE_Voky发布于 2022-06-28 15:17:53

DRAM原理 - 6.猝发模式与内存交错#DRAM原理

DRAM
EE_Voky发布于 2022-06-28 15:21:11

基于当代DRAM结构的存储器控制器设计

基于当代DRAM结构的存储器控制器设计 1、引言 当代计算机系统越来越受存储性能的限制。处理器性能每年以60%的速率增长,存储芯片每年仅仅增加10%的
2009-12-31 10:57:03714

ADI宽带RFIC实现重大技术突破,大大简化设计

ADI宽带RFIC实现重大技术突破,大大简化设计 随着多种标准在中国的共存,射频器件需要满足多种频段的需求。目前的情况是移动终端的射频已开始走向部分集成,支持
2010-01-04 14:10:48690

天合光能在开发单结晶矽电池技术方面有重大突破

天合光能在开发单结晶矽电池技术方面有重大突破 天合光能(Trina Solar)宣布,在开发单结晶矽电池技术方面有重大突破,配合公司
2010-02-11 08:29:33765

IBM宣布芯片实现重大突破 可建百万万亿次电脑

IBM宣布芯片实现重大突破 可建百万万亿次电脑 网易科技讯 北京时间3月4日消息 据《自然》杂志报道,IBM的科学家当日宣布,他们用微型硅电路取代铜线实现芯片
2010-03-04 08:50:13463

IBM宣布半导体技术重大突破 耗能少传输快

IBM宣布半导体技术重大突破 耗能少传输快 IBM研究人员宣布,在半导体传输技术上有了重大突破,可大幅提高传输速度,并同时减少能源损耗。   此项技术
2010-03-08 09:34:36556

颗粒 国产的光 正道的光#电脑知识 #电脑

电脑配件合肥
学习硬声知识发布于 2022-11-04 01:27:34

英特尔技术重大突破:三维结构晶体管

(Intel)宣布,在微处理器上实现了50多年来的最重大突破,成功开发出世界首个三维结构晶体管
2011-05-06 08:19:13656

DRAM和FLASH怎么选型#硬声创作季

DRAM存储技术
电子学习发布于 2022-11-20 21:15:03

DRAM行业变革周期#硬声创作季

DRAM存储技术
电子学习发布于 2022-11-20 21:15:27

绿色光伏发电技术重大突破

“第三代”光伏发电技术,也就是绿色光伏发电技术,特点是绿色、高效、价廉和寿命长。中国第三代光伏发电技术又取得了重大突破
2011-11-30 09:34:38977

IBM重大技术突破 能耗低于NAND闪存技术

根据Computerworld网站报道,IBM研究人员在自旋电子学领域(“自旋迁移电子学”的简称)取得了重大技术突破,能够利用电子在磁场内的自旋并结合读写头,在半导体材料上记录和读取数
2012-08-14 11:11:15665

移动DRAM芯片供应紧俏 三星考虑购入SK存储芯片

19日,据外媒报,三星移动业务部表示,三星将考虑从竞争对手SK海力士购入移动存储芯片,以确保Galaxy S系列重要机型芯片供应。而从移动芯片稳步增长趋势,反映DRAM供应市场紧俏前景。
2013-04-22 09:58:48865

解析:华为石墨烯电池的重大突破真的是在超级快充技术领域吗?

来深度的了解一下华为石墨烯电池的重大突破突破的有事哪方面的领域,是否 是超级快充技术时代的到来的前兆!
2016-12-12 09:35:033213

存储芯片DRAM/NAND/RRAM技术详解

日前,存储芯片主要供应商之一美光公司(Micron)在香港举行了 2014 夏季分析师大会,会上美光的高层管理人员就 DRAM、NAND 和新型存储器的市场趋势、技术发展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649

FPGA存储器项使用DRAM的方法技术解析

FPGA中的存储DRAM 某些FPGA终端,包含板载的、可以动态随机访问的存储块(DRAM),这些存储块可以在FPGA VI中直接访问,速率非常高。 DRAM可以用来缓存大批量的数据,而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740

紫光国芯携手长江存储开展DRAM合作

紫光国芯26日在互动平台表示,公司西安子公司从事DRAM存储器晶元的设计,目前产品委托专业代工厂生产。 未来紫光集团下属长江存储如果具备DRAM存储器晶元的制造能力,公司会考虑与其合作。
2017-11-27 11:05:411848

DRAM存储器市场将保持量价齐增态势

存储器市场爆发,DRAM市场前景看好。2017年全球存储器市场增长率达到60%,首次超越逻辑电路,成为半导体第一大产品。DRAM继续保持半导体存储器领域市占率第一。DRAM厂商中,三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074

长鑫存储DRAM项目正式首次投片,国产DRAM在大力的突破

据国际电子商情,日前,消息称长鑫存储DRAM项目正式首次投片,启动试产8Gb DDR4工程样品
2018-07-23 17:12:0311871

合肥长鑫DRAM正式投片 国产存储的一大步

日前,合肥长鑫的DRAM正式投片,产品的规格为为8Gb LPDDR4。可以说,近期国内三大存储芯片工厂好消息接连不断
2018-07-24 16:15:509100

锂氧电池技术重大突破 电子存储容量将翻番

据外媒报道,加拿大滑铁卢大学Linda Nazar教授宣布,其研究团队首次实现四电子转换,该技术实现锂-氧电池的电子存储容量翻番。
2018-09-18 15:19:00583

DRAM芯片市场及“三足鼎立”的局面是如何形成的?

在整个电子产业链中,存储芯片扮演着至关重要的角色,它好比行军打仗的粮草,也被誉为电子系统的“粮仓”。存储芯片分为闪存和内存,闪存包括 NAND FLASH 和 NOR FLASH,内存主要为 DRAM,本文将主要给大家讲解DRAM芯片市场及“三足鼎立”的局面是如何形成的。
2018-10-10 17:30:344272

传三星与SK海力士正在研发EUV技术 未来有机会藉此将生产DRAM的成本降低

就在台积电与三星在逻辑芯片制程技术逐渐导入EUV技术之后,存储器产业也将追随。也就是全球存储器龙头三星在未来1Y纳米制程的DRAM存储芯片生产上,也在研究导入EUV技术。而除了三星之外,韩国另一家
2018-10-29 17:03:243560

汉能砷化镓(GaAs)技术再获重大突破

据悉,近日,汉能砷化镓(GaAs)技术再获重大突破。据世界三大再生能源研究机构之一的德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(Fraunhofer ISE)认证,汉能阿尔塔砷化镓薄膜单结电池转换效率达到29.1%,再次刷新世界纪录。
2018-11-19 15:31:477041

紫光存储新调整 ,国微转让DRAM业务

随着福建晋华和合肥长鑫两大阵营投入研发 DRAM 技术,若两大厂研发成功且量产,西安紫光国芯的DRAM设计实力恐与这两家再度拉大,合并紫光国芯后的紫光存储要如何进行大整合,以发挥集团的存储战力,还待时间观察。
2019-02-25 10:22:499118

EOSRL宣布在MicroLED芯片巨量转移技术实现重大突破

据悉,台湾工业技术研究院(ITRI)下属的电子与光电子系统研究实验室(EOSRL)日前宣布,在Micro LED芯片巨量转移技术实现重大突破
2019-05-24 15:29:252213

避免被封杀!合肥长鑫重新设计DRAM芯片

日前,据消息人士称,合肥长鑫存储为减少美国制裁威胁,已经重新设计了DRAM芯片,以尽量减少对美国原产技术的使用。
2019-06-14 10:46:2818062

避免触及美国的知识产权!长鑫存储自研设计DRAM芯片

长鑫存储已经重新设计DRAM芯片,以尽量减少对美国原产技术的使用。
2019-06-14 15:54:363128

三星电子 目前并无减产DRAM存储芯片的打算

虽然日本限制关键科技原料出口至韩国,对业界投下震撼弹,但三星电子(Samsung Electronics Co.)表明,目前并无减产DRAM存储芯片的打算,还说日本出口限制令的冲击难以估算,只能尽量把伤害降到最低。
2019-08-03 11:55:384040

紫光DRAM事业群将发力存储芯片领域

近日,半导体综合性企业紫光集团在其官网宣布,公司已经成立一个新的事业群,专注于内存芯片动态随机存储器(DRAM)。DRAM是一种最为常见的系统内存,广泛应用于智能手机、笔记本电脑、数据中心服务器等设备中。
2019-08-07 10:59:171196

长鑫存储亮相闪存技术峰会 引领中国DRAM技术突破

作为中国DRAM产业的领导者,长鑫存储正在加速从DRAM技术追赶者向技术引领者转变,用自主研发的DRAM技术和专利,引领中国实现DRAM零的突破
2019-09-19 10:26:00463

中国存储芯片逐渐起步 可望逐渐降低对外国存储芯片的依赖

在早前长江存储宣布它已研发出64层NAND flash芯片之后,近日合肥长鑫也宣布已解决DRAM芯片技术难题并已进入小规模生产,这意味着困扰中国制造业的芯片产业取得了重大突破,这为中国制造业的转型升级提供有力的支持。
2019-08-30 14:08:09703

国产存储芯片SSD获得了重大技术性的突破

国产存储芯片一直受到业界的关注,长江存储正式宣布,公司实现量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-05 10:54:001298

长鑫存储副总裁披露DRAM技术发展现状和未来趋势

昨日,长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士披露了DRAM技术发展现状和未来趋势。作为中国DRAM产业的领导者,长鑫存储正在加速从DRAM技术追赶者向技术引领者转变,用自主研发的DRAM技术和专利,引领中国实现DRAM零的突破
2019-09-20 16:06:077051

中国将自主研发DRAM存储

业内研究人员表示,中国目前有三家厂商正在建设的闪存与存储器工厂,旨在确保自身能够在NAND与DRAM方面实现自给自足。
2019-09-20 16:53:011653

长鑫存储浅谈未来DRAM技术的发展之路

在深圳举办的中国闪存技术峰会上,长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士进行了《DRAM技术趋势与行业应用》的演讲。
2019-09-20 16:52:563414

国内存储芯片明年有望占据全球 5% 即将迎来重大突破

中国的技术自给自足之路正处于重大突破的边缘,新生的芯片产业有望在 2020 年底之前从去年的几乎为零的产量增长到世界 5%的存储芯片生产。
2019-11-22 16:46:58879

国内两大阵营的存储芯片进入量产 明年或将实现突破

在中国去年进口的3000多亿美元芯片产品中,存储芯片大概占了1/3,价值千亿美元的内存、闪存芯片国产率基本为0。不过今年国内在内存及闪存领域已经实现了0的突破,预计2020年就能占到全球存储芯片市场的5%。
2019-11-27 16:52:091200

长鑫自主内存芯片投产 国内DRAM产业迎来重大突破

12 月 5 日讯,在近日召开的 2019 世界制造业大会上,总投资约 1500 亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产,其与国际主流 DRAM 产品同步的 10 纳米级第一代 8Gb DDR4 首度亮相,一期设计产能每月 12 万片晶圆。
2019-12-06 10:53:101483

美光宣布首款LPDDR5 DRAM UFS多芯片封装正式送样 可节省功耗并减少存储器占用空间

存储器大厂美光(Micron Technology)于11日宣布,业界首款搭载LPDDR5 DRAM的通用快闪存储器储存(UFS)多芯片封装(uMCP)正式送样。新款UFS多芯片封装(uMCP5)是基于美光在多芯片规格尺寸创新及领导地位所打造。
2020-03-12 11:06:323648

三星成首家在DRAM生产采用EUV技术存储器供应商

电子DRAM芯片产品与技术执行副总裁指出,随着以EUV技术所生产出的新型DRAM芯片量产,展示着三星对提供革命性的DRAM芯片解决方案以支援全球IT客户需求的承诺。这项重大进展也说明了三星将如何透过即时开发高端制程技术来生产高端存储芯片市场的下一代产品,继续
2020-04-03 15:47:511009

基于量子中继的量子通信网络技术取得重大突破

近日,我国在基于量子中继的量子通信网络技术方面取得重大突破,在国际上首次实现相距50公里光纤的存储器间的量子纠缠。
2020-04-03 17:58:443053

东芯半导体设计并量产闪存芯片工艺制程,实现本土存储芯片技术突破

资料显示,作为大陆领先的存储芯片设计公司,东芯半导体聚焦于中小容量存储芯片的研发、设计和销售,是大陆少数可以同时提供Nand、Nor、Dram等主要存储芯片完整解决方案的公司。产品广泛应用于5G通信、物联网终端、消费电子、汽车电子类产品等领域,服务着华为、苹果、三星、海康威视、大华等国内外众多知名客户。
2020-09-16 15:06:493037

存储芯片国产化进程加快!吹响存储芯片国产化号角

中第一项就强调关键核心技术实现重大突破。这和十三五的产业迈向中高端相比战略意味更浓。而芯片、光刻机、操作系统等卡脖子关键技术是中长期政策的重点导向。 这其中,存储芯片更是我国亟需突破的领域。目前全球存储芯片市场被三星、
2020-11-03 12:27:322627

通过DRAM单元来实现高密度存储并降低每存储位成本

PSRAM是一种存储技术,它通过DRAM单元来实现高密度存储并降低每存储位成本。PSRAM带有异步SRAM外部接口,可实现高效的系统设计。COSMORAM协议包括关于猝发模式PSRAM用户接口的通用
2020-10-23 14:43:51532

传统存储芯片到达技术节点

的非易失性存储器类型(PCM和MRAM)将在独立存储器中处于领先地位。 传统存储芯片到达技术节点 存储器产业如今形成了DRAM芯片、NADA Flash芯片、特殊存储器三个相对独立的市场。 然而,随着摩尔定律的延伸,技术需求也越来越高,传统存储芯片
2020-12-06 06:57:003137

易失性存储DRAM是什么,它的主要原理是怎样的

理,相比之下在SRAM存储芯片上一个bit通常需要六个晶体管。因此DRAM拥有非常高的密度,单位体积的容量较高因此成本较低。存储芯片供应商宇芯电子本篇文章主要介绍关于DRAM的基本知识。 DRAM存储原理 DRAM的每一位存储单元采用一个晶体管和小电容来实现。若写入位
2020-12-11 15:11:293686

氮化镓快充研发重大突破 三大核心芯片实现全国产

国产氮化镓快充研发取得重大突破,三大核心芯片实现自主可控,性能达到国际先进水准。氮化镓(gallium nitride,GaN)是下一代半导体材料,其运行速度比旧式传统硅(Si)技术加快了二十
2020-12-18 10:26:523387

DRAM、NAND和嵌入式存储技术的观察与分析

最近Techinsights举办了一场关于存储技术的网络研讨会,Jeongdong Choe博士介绍了他对最新的DRAM,NAND,新兴和嵌入式存储技术的观察与分析。以下概述了讨论的相关主题。DRA
2020-12-24 13:13:46752

国产芯片技术迎来重大突破?

芯片已成为世界各国科技角力的主阵地,但最近全球却面临一个重大的问题——“芯片荒”。
2020-12-25 11:11:192820

美光推出 1α DRAM 制程技术:内存密度提升了 40% 节能 15%

均有重大突破。   美光表示,对比上一代的 1z DRAM 制程,1α 技术将内存密度提升了 40%。 美光计划于今年将 1α 节点全面导入其 DRAM 产品线,从而更好地支持广泛的 DRAM 应用领域——为包括移动设备和智能车辆在内的各种应用提供更强的性能。 美光的 1α 技术节点使内存解决方
2021-01-27 13:56:031970

2020年全球存储芯片市场现状情况分析

2020年全球存储芯片市场现状情况分析全球存储芯片行业发展至今可分为萌芽期、初步发展期、快速发展期三个阶段。1)萌芽期:在此阶段,各大企业都在积极研发RAM,且DRAM研究进展比ROM快,行业实现
2021-01-27 14:16:5114959

阿里芯片最新消息_倚天710实现性能和能效新突破

近日,阿里研发出全球首款基于DRAM的3D键合堆叠存算一体芯片,该芯片突破了冯·诺依曼架构的局限,在特定的AI场景中,该芯片的性能提升10倍以上,效能比提升了近300倍。
2021-12-08 15:11:252446

华为中国芯片技术最新突破

华为中国芯片技术最新突破:因为疫情和美国的芯片禁令导致中国缺芯问题愈发严重,华为和中国的很多的芯片企业都在积极地解决问题,华为海思的芯片技术也有了重大突破,国产14nm芯片将会在明年年底量产。
2022-01-10 11:04:2030901

8月DRAM芯片出口同比下降24.7%

韩国产业通商资源部周五公布的数据显示,8月份DRAM芯片出口同比下降24.7%。DRAM占韩国存储芯片出口的近一半。
2022-09-16 15:18:31424

dram存储器断电后信息会丢失吗 dram的存取速度比sram快吗

DRAM(Dynamic Random Access Memory)存储器是一种易失性存储器,意味着当断电时,存储在其中的信息会丢失。这是因为DRAM使用电容来存储数据,电容需要持续地充电来保持数据的有效性。一旦断电,电容会迅速失去电荷,导致存储的数据丢失。
2023-07-28 15:02:032207

DRAM内存分为哪几种 dram存储器的存储原理是什么

DRAM(Dynamic Random Access Memory)存储器的存储元是电容器和晶体管的组合。每个存储单元由一个电容器和一个晶体管组成。电容器存储位是用于存储数据的。晶体管用于控制电容器
2023-08-21 14:30:021030

华为芯片重大突破

华为芯片重大突破:目前华为的麒麟系列芯片已经成为世界上最强大的移动芯片之一,被广泛应用于华为自家的旗舰手机以及平板电脑等设备上。 华为一直是全球领先的芯片设计和制造企业之一,近年来通过自主研发
2023-09-06 11:14:563350

DRAM技术研发趋势

在2023年2月在国际学会ISSCC上,三星电子正是披露了公司研发的存储容量为24Gbit的DDR5 DRAM的概要(下图左)和硅芯片(下图右)。
2023-10-29 09:46:58784

重大突破!首款国产LPDDR5存储芯片来了,容量、速率均提升50%

LPDDR5芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。LPDDR5是长鑫存储面向中高端移动设备市场推出的产品,它的市场化落地将进一步完善长鑫存储DRAM芯片的产品布局。 其中,12GB
2023-12-19 17:55:57235

重大突破!首款国产LPDDR5存储芯片来了,容量、速率均提升50%

LPDDR5芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。LPDDR5是长鑫存储面向中高端移动设备市场推出的产品,它的市场化落地将进一步完善长鑫存储DRAM芯片的产品布局。 其中,12GB
2023-12-13 11:12:08229

我国在光存储领域获重大突破 或将开启绿色海量光子存储新纪元

”;这是我国在光存储领域获重大突破。有助于解决大容量和节能的存储技术难题。 利用国际首创的双光束调控聚集诱导发光超分辨光存储技术,实验上首次在信息写入和读出均突破了衍射极限的限制,实现了点尺寸为54nm、道间距为70
2024-02-22 18:28:451335

SK海力士成功量产超高性能AI存储器HBM3E

HBM3E的推出,标志着SK海力士在高性能存储器领域取得了重大突破,将现有DRAM技术推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53274

国产内存条量产,DRAM芯片产业发展提速!

近两年,国内存储产业发展迅速,包括NANDFLASH和DRAM。去年,长江存储、合肥长鑫相继宣布64层3DNAND量产、DDR4内存芯片量产,实现从0到1的突破。 今年,基于长江存储64
2020-07-14 09:26:5710613

已全部加载完成