的堆叠NAND闪存 V-NAND实现了具有最新第六代产品的128层单堆叠，并通过TLC实现了512 Gb（千兆位）容量。它计划于2020年投放市场，并且正在针对在5年内达到500层或更多层的堆栈
2019-11-25 09:52:31
5472 三星目前已完成32层堆叠第二代V-NAND的研发作业，计划第3季推出48层堆叠第三代V-NAND产品后，于2016年生产64层堆叠的V-NAND产品。
2015-08-11 08:32:00720 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了，TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
2016-07-13 10:32:436006 NAND Flash是一种非易失存储器，也就是掉电不丢失类型，现在我们常见的存储设备基本都是NAND Flash，比如U盘、固态硬盘，手机存储等等，电脑传统硬盘除外。
2022-11-10 17:08:321684 
`8890开发板拥有二个三星自家猫鼬核芯以及四个低功耗A53核芯，最高主频达到1.5GHz，GPU为Mali-T880 MP12，内存采用三星原装4G LPDR4内存，支持三路MIPI摄像头接口
2017-06-30 11:00:32
，既有超强的性能，同时兼顾了低功耗的设计，外加强大的3D性能及视频处理能力，将成为三星高端市场的主力处理器。S5P6818 核心板尺寸为标配了1GB DDR3内存、8GB EMMC存储并配备有三星电源
2017-06-29 09:30:45
TC58V64的内部结构如图所示。闪速存储器的容量增大，则块数也将增加，但内部的基本结构没有改变。NAND 闪速存储器的特点①按顺序存取数据；②存储器内部以块为单元进行分割，而各块又以页为单位进行
2018-04-11 10:11:54
三星788df电路图纸,三星788df显示器原理图
2008-09-23 13:37:35
，Hankil Yoon说公司计划最终推出一系列Galaxy Tab产品。 戴尔（Dell Inc.）上个月通过美国电话电报公司发布了平板电脑Streak，三星紧随其后。预计圣诞节销售季将会有更多的平板产品
2011-03-03 16:37:52
这是一款非常不错的游戏，我来和大家一起来说说如何进行刷机了。【I9220】三星I9220 CM10.1刷机包基于安卓4.2.2定制美化适用机型：三星 I9220 | Galaxy Note文件大小
2013-06-27 09:51:33
三星LED大功率灯杯铝合金灯体：防撞、散热性好; 电镀,外表光滑，反光率高。
2019-11-05 09:02:01
三星LED灯珠高亮度、色彩丰富、可智 能化控制等优点，使其成为下一代照明光源的有力竞争者，绿色节能是其对社会最重要的贡献。
2019-09-30 09:00:46
三星GALAXY Note II的成功是大家有目共睹的，5.5英寸的超大屏幕，准旗舰的超高规格赢得了一批消费者的青睐，但是它不便宜的价格也让一些经济紧张的用户对之望而却步。因此，三星推出了相对
2012-12-19 15:54:04
的存储卡，那三星就是你的菜。三星公司的高端MicroSD存储卡产品线Pro Plus最新推出128GB容量版本。天啊，还真不便宜！该款存储卡起售价$199.99，对于一张存储卡而言，这个定价可以算得
2015-12-16 11:31:26
的摄像头，整体成像质量出色，可满足用户的日常需求。三星I9000搭载了Android OS v2.1的智能操作系统，主频高达1GHz的处理器保证了整机的流畅运行，机身自带16GB的扩展存储，同时还支持高达
2011-05-04 18:51:39
三星大中华区首席技术官裵容徹先生表示，三星不断进行技术创新，新一代的QLC产品成本可以降低60%，同时还推出了容量高达1Tb的V-NAND技术，速度将会达到1200Mbps。在市场应用方面，三星推出
2018-09-20 17:57:05
`2018年的手机盛事一桩接着一桩。苹果、华为、小米、魅族刚举行完新品发布会，三星马上宣布新机计划。三星即将推出市面上首款4摄像头手机产品，并加速进入中端市场。看来，千元买三星新手机的那些年，又回来
2018-10-29 17:01:33
韩国三星电子日前宣布，位于中国陕西省西安市的半导体新工厂已正式投产。该工厂采用最尖端的3D技术，生产用于服务器等的NAND闪存（V-NAND）。三星电子希望在IT（信息技术）设备生产基地聚集的中国
2014-05-14 15:27:09
预告明年的存储器市况持续走低。另外，三星高层主管指出，受到需求趋缓、价格下MAX3232EUE+T滑的影响，市况并不好，三星今年资本支出已创下历史新高纪录，三星今年在半导体部门资本支
2012-09-21 16:53:46
的商机仍然畅旺，在供给端仅有三星、SK海力士、美光，加上新技术量产困难，在这些现实下，2019年对存储器厂商而言仍会是个丰收的年度。如果要考虑供过于求的变量，可能是第二代10nm等级的DRAM技术
2018-12-25 14:31:36
三星宣布将开发手持式装置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）读取芯片，能让使用者透过手机得知产品和服务信息，但三星并未透露产品何时上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
管的供电部分，这里总共有6颗螺丝固定很不错的做工，六项供电回路告诉我们三星2693HM采用了6组背光灯管的设计三星2693HM拆解第二阶段结束 经过不停地拧螺丝，和暴力拆解，我们已经将面板与显示器
2012-12-06 09:24:16
观点：苹果与三星这场“世纪专利大战”的硝烟看似早已渐去，实际上这两家公司在全球各地的法院展开的专利大战还未了结，双方又开始酝酿一场新的战斗。而且，三星MAX3232EUE+T 推出新的平面广告
2012-10-09 16:39:58
三星电子宣布开发出720万像素的CMOS图像传感器(CIS)，据称这是世界上第一款720万像素的袖珍相机CIS。在此前的6月份，三星推出了500万像素CIS。 三星这款720万像素的CIS
2018-11-19 17:12:09
随机存储器，DynamicRandomAccessMemory)VLSI芯片，并因此成为世界半导体产品领导者。在此之前，三星只是为本国市场生产半导体。 在八十年代中期，三星开始进入系统开发业务领域，在
2019-04-24 17:17:53
`听说三星已搞定石墨烯电池，能量密度提升45%，充电快5倍比起OPPO的快充，你怎么看？（其实不得不服三星的技术）顺便发个三星S9大合照！`
2017-11-29 16:33:10
请问哪位有三星的2440u***驱动的，需要win7 64位的？
2014-08-07 12:19:51
请教一下各位大神，2A的整流桥用快恢复管来做，是否ＥＭＩ会很好呢？三星的手机充电器 在用。
2016-12-15 11:14:05
三星贴片电阻的卷带上的标签上有个P M2，在条码的旁边有时候是PM3或S之类的，哪位大虾告诉我下，那是什么意思啊？
2012-07-28 16:37:17
三星和索尼，合资的S-LCD产的半像素屏，呈“《” ，不过像素点比较细，没LG的粗，用手指在液晶屏上轻轻滑过，手指滑过的地方有一条明显的水痕，那铁定是三星的面板，也就是现在俗称的软屏
2009-05-24 18:20:40
决策性的作用。在Windows Phone初代机推出之时，三星就非常积极的态度进入到新的生态当中，凭借着Omnia 7和Focus两款机型，打响了三星在Windows Phone平台的头炮。两款机型
2012-12-23 11:03:51
的BCH8 ECC。 uboot 和kernel dts里面都是BCH8。工作正常。现在要换成三星的K9K8G08U0E我看了下芯片手册，发现page/block/sub-page size之类的都是
2018-06-21 07:09:15
Intel第六代处理器 Skylake CPU、GPU、主板完全解析
2021-02-02 07:23:21
`这几年以来，国内巨头都在花大力气研发内存，以期打破垄断，尤其是三星的垄断。就移动DRAM而言，三星占了全球80%的份额，成为全球半导体领域的焦点。日前，三星一反常态，放缓了存储器半导体业务的扩张
2018-10-12 14:46:09
，李在镕涉嫌深度介入三星以韩国***大力支持三星物产与第一毛织合并为条件向总统朴槿惠和其亲信崔顺实提供430亿韩元(约合人民币2.51亿元)。三星物产与第一毛织合并对李在镕继承三星集团经营权至关重要
2017-01-20 11:09:50
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2021-05-28 19:17:34
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2021-04-06 18:09:48
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2021-10-26 19:13:52
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2021-04-28 18:52:33
有人玩过三星的SmartThings网关吗？
2018-05-31 01:20:37
Molex推出下一代高性能超低功率存储器技术
2021-05-21 07:00:24
原装海力士三星存储芯片，香港出货，原包原盒。K4B2G1646F-BCNBK4B2G1646F-BYMAK4B4G1646E-BCMA
2020-02-13 14:35:59
早有计划。 2017年，三星与NXP达成代工合同，从这一年起，NXP的IoT SoC i.MX系列将通过三星28nm FD-SOI工艺批量生产，并计划2018年将三星的eMRAM嵌入式存储器技术将用于下一代
2023-03-21 15:03:00
对DRAM芯片的强劲需求将继续超过供应，因三星和第二大记忆体芯片厂商SK海力士的新厂料在2019年前不会投产；此外，截至9月NAND闪存的需求则连续第六季超过供应。供苹果新手机使用的有机发光二极体（OLED）面板的销售增长，也支撑了第四季获利创纪录新高的预期。
2017-10-13 16:56:04
华为三星苹果高通的差异买IP做集成不宜包装为掌握核心科技
2021-01-28 07:21:57
flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。
1.2 存储器RAM介绍
RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
是深圳市友坚恒兴科技有限公司基于三星平板方案设计的经验，结合广泛调开设计的一款S5P4418处理器开发板。该方案基于三星新一代28nm从CortexA9四核CPU的开发平台。整合了目前工业、消费、车载等行业
2016-07-01 14:04:09
欧电子长期全国回收品原装存储芯片：三星samsung，海力士SK hynix，现代hyniy，展讯SPREADTRUM，微芯MICROCHIP，闪迪SANDISK芯片,东芝 TOSHIBA芯片,南亚
2021-08-20 19:11:25
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2021-09-09 19:05:33
回收东芝手机字库 181-2470 同上1558 同步同号回收三星手机字库 stm8s207cbt6.，_回收意法半导体：从系统存储器导入，从sram导入。boot导入程序位于系统存储器，用于通过
2021-07-28 11:29:11
的3D闪存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND闪存（3DNAND闪存中的一种），率先支持ToggleDDR4．0接口，传输速度达到了1．4Gbps，相比64层堆栈的V－NAND闪存提升了40
2021-07-13 06:38:27
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2020-09-14 09:42:18
本帖最后由 sinpo1984 于 2011-3-30 14:31 编辑
三星半导体推出的ARM Cortex-A8架构处理器，采用45nm低功耗精湛工艺，对于图形的处理和多媒体的兼容性都是
2011-03-30 14:30:37
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2020-10-31 15:48:52
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2021-04-14 19:04:16
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2021-03-10 17:45:41
女性的最爱 三星粉色GALAXY Note上市手机之家资讯中心4月9日消息，三星向来有推出粉色经典机型的习惯，如今这一颜色也用在了GALAXY Note上了，该机将于近期在香港上市，售价为5998
2012-04-13 18:49:11
。然而，现在新一代中档的FPGA提供这些块、高速FPGA架构、时钟管理资源和需要实现下一代DDR3控制器的I/O结构。那么，究竟怎么做，才能用中档FPGA实现高速DDR3存储器控制器呢？
2019-08-09 07:42:01
你好，我创建了我的“BLE应用程序”，比如“FunMe”示例。我有很大的问题，因为我的应用程序返回GATT错误0x85与三星S5，而三星S4工作良好。我该怎么解决呢？有特定的设置吗？最好的问候阿尔贝托
2019-11-01 10:16:37
三星于2019年北京时间2月21日在美国旧金山发布了Galaxy s10系列的手机新品，与此同时还推出了三星Galaxy Buds无线耳机。为此不少三星系列爱好者争先购买，今天我就给这款三星
2019-05-25 18:55:06
手机进水了怎么办？三星手机
2013-05-13 17:34:01
2018年上半进入96层的技术规格，2018年中将3D的比重提高到85%以上。为了让每单位的记忆容量提高，美日韩存储器大厂都卯尽全力，在96层的堆栈技术上寻求突破。三星指出，第五代的96层V NAND量产
2018-12-24 14:28:00
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片，手册说有Unique ID可以用，但是没有说明具体怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手册中有看到OTP区域，可以来保存Unique
2017-03-21 09:22:02
未来DDR4、NAND Flash存储器芯片该如何发展
2021-03-12 06:04:41
数据存储器 FLASH程序存储器 FLASH数据存储器 片内RAM数据存储器16M字节外部数据存储器各有什么区别？特点？小弟看到这段 很晕。ADuC812的用户数据存储器包含三部分，片内640字节的FLASH数据存储器、256字节的RAM以及片外可扩展到16M字节的数据存储器。求助高手。解释一下不同。
2011-11-29 09:50:46
系统设计存在设计基于闪存的可靠的嵌入式和存储系统时仍然面对重大挑战。随着每代新产品的出现，目前存储器技术要求尺寸越来越小，但耑要较大系统级变化来维持系统级讨靠性和性能。NOR和NAND闪存的存储器架构
2018-05-17 09:45:35
` 【PConline 资讯】12英寸的平板真的会推出么？前段时间业内人士的预测引来无数猜想。近日，taiwan《Digitimes (电子时报)》引述计算机产业上游供应链消息称，苹果和三星均在计划
2013-10-29 10:18:00
DNW软件只能用于三星的ARM芯片吗？
2019-08-05 22:52:59
`三星四核处理器Exynos 4412是当前最热门的ARM处理器之一，其强劲的性能、出色的功耗控制无不为行内人士称道。迅为电子推出国内最小的Exynos4412核心板，引出绝大多数处理器PIN脚资源
2013-06-18 16:07:28
三星电子在2010年的时候告密导致鸿海集团(富士康)子公司奇美电子被罚三亿欧元,郭总裁当时痛斥三星电子为”专打小报告的小人”,同时他也表示一定会从韩国人的手裡把这个钱给赚回来,时隔多年,郭总裁收购
2016-12-18 01:18:05
损耗电流较小的特征。但在另一方面，由于单元是串联连结的，所以面向顺序存取，具有随机存取速度慢的缺点。三菱与日立结合NAND及NOR闪速存储器的特点，开发了DINOR（Divided bit－line NOR
2018-04-09 09:29:07
提供领先的创新视频和显示处理解决方案提供商——Pixelworks, Inc.（纳斯达克股票代码：PXLW）今日发布了其第六代移动视觉处理器---i6，这是首款基于Pixelworks大量移动显示
2020-11-23 14:02:58
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2021-07-06 19:32:41
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2021-02-23 17:54:12
的。一般比较常用的SDRAM包括现代HY57V系列、三星K4S系列和美光MT48LC系列。例如，4M×32位的SDRAM，现代公司的芯片型号为HY57V283220，三星公司的为K4S283232，美
2019-06-03 05:00:07
高性能20纳米级NAND闪存存储器
SAMSUNG电子有限公司推出业界首个20纳米级(nm) NAND芯片，用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 西安3D V-NAND芯片厂是三星最大的海外投资项目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片厂。今日报道，工业气体供应商空气产品公司将助力三星生产的3D V-NAND闪存芯片，宣布将为3D V-NAND芯片厂供气。
2018-02-03 11:07:271030 在旧金山的闪存峰会上，三星宣布推出新一代V-NAND单晶粒，容量高达1Tb，用于消费级产品。
2018-05-16 23:41:00759 三星 17 日宣布，量产首批 8GB LPDDR5 存储器颗粒，速率可达 6，400Mbps，比现有 LPDDR4-4266 存储器快了 50%，同时功耗降低 30%，三星现在已经完成了 8GB
2018-07-18 17:56:003077 三星终于宣布开始大规模生产其第五代V-NAND存储芯片，声称其堆叠层数超过90层，可能指的是其96层，制造生产率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可拥有更高的传输速度。
2018-07-12 14:46:001645 据外媒7月10日报道，顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。
2018-07-13 14:22:053682 三星电子有限公司今天宣布推出三星移动固态硬盘T5-全新的移动固态硬盘（PSSD），提升了外部存储产品的性能标准。T5采用三星最新的64层V-NAND（垂直NAND）技术和紧凑耐用的设计，具有业界领先的传输速度和加密的数据安全性，使消费者更轻松随时随地访问其最有价值的数据。
2018-07-26 17:43:092422 在2016年的旧金山闪存峰会上，三星公布了Z-NAND与Z-SSD的相关信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM内存和NAND闪存之间）、包含独特的电路设计与优化后的主控，三星于是用Z-NAND来命名这款闪存芯片。
2019-08-31 09:43:425566 三星推出了第六代V-NAND内存，为了进一步提高容量和密度，它拥有100多个活动层。从性能的角度来看，要使V-NAND具有超过100层的可行性，三星公司不得不使用新的电路设计技术。
2019-09-03 10:38:04624 据了解，136层第六代V-NAND闪存是三星今年的量产主力。韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺，从现在的单堆栈（single-stack）升级到双堆栈（double-stack），以便制造更高层数的3D闪存。
2020-04-20 09:06:01473 新一代3D NAND技术已迎来新的战局，继美光和SK海力士在2020年底陆续推出新一代176层3D NAND之后，铠侠和西部数据也正式宣布推出162层3D NAND技术，三星也称将在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特尔大力推广144层3D NAND，硝烟已四起。
2021-02-24 11:22:071901 三星电子计划在今年6月前完成11纳米制程第六代1cDRAM的开发。
2022-04-19 11:31:192704 而主要的 NAND 制造商正在竞相增加垂直 3D NAND 门的数量，并推出了 1yyL 3D NAND 设备。例如，三星 V7 V-NAND、铠侠和西部数据公司 (WDC) BiCS6、美光第 2 代 CTF CuA 和 SK 海力士第 2 和第 3 代 4D PUC NAND 。
2022-07-13 15:30:112990 市场对更高密度、更大容量存储的需求，推动了V-NAND层数的增加，三星采用3D缩放（3D scaling）技术，减少表面积并降低高度，同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。我们的第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求，更好地提供差异化产品和解决方案，有望成为未来存储创新的基础。
2022-11-07 10:33:55448 * 三星第8代V-NAND具有目前三星同类产品中最高的存储密度，可更高效地为企业扩展存储空间 深圳2020年11月8日 /美通社/ -- 作为全球化的半导体企业，正如在2022年度闪存峰会
2022-11-08 13:37:36577 1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。
2022-12-06 10:39:31328 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53282 随着信息技术的飞速发展，数据存储需求日益增长。作为一种新型的非易失性存储器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等优势，在各个领域得到了广泛应用。本文将对NAND Flash存储器的工作原理、结构特点、性能指标及应用领域进行详细解析，以期为读者提供一个全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446
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