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当前位置:电子发烧友网 > 图书频道 > 电子 > 《计算机组成原理与汇编语言》 > 第4章 半导体存储器

第4节 只读存储器(ROM)

4.4.1 只读存贮器(ROM)
1. 2764的引线

   A0~A12为13条地址信号输入线,说明芯片的容量为8K个单元。
 
   D0~D7为8条数据,表明芯片的每个存贮单元存放一个字节(8位二进制数)。

 


   2. EPROM的编程

   (1) 擦除

   (2) 编程,对EPROM的编程通常有两种方式,即标准编程和快速编程两种方式。

   ① 标准编程。

   ② 快速编程。 

 



   27C040的编程时序如图4.20所示。

   由图4.20可以看到,27C040所用的编程脉冲只有100μs。因此,只用很短的编程时间便可以对它的整个512KB实现编程。

   27C040的生产厂家为我们提供的编程过程如图4.21所示。

 


 
4.4.2 EEPROM(E2PROM) 

1. 典型EEPROM芯片介绍

  EEPROM以其制造工艺及芯片容量的不同而有多种型号。
 
  (1)现在以8K×8bit的EEROMNMC98C64A为例来加以说明。
 
  D0~D7为8条数据线,表明每个存贮单元存贮一个字节的信息。 READY/ 是漏极开路输出端,当写入数据时该信号变低,数据写完后,该信号变高。
   
   

 


 

  (2) 98C64A的工作过程

   EEPROM98C64A工作过程如下所述:

   ① 读出数据。

   ② 写入数据。 

   (3) 连接使用
   
   在图4.24中,对EEPROM编程时可以利用 状态产生中断,利用接口查询 其状态(见后面章节)也可以采用延时的方法。只要延时时间能保证芯片写入即可。
   
   例如下面的程序可将55H写满98C64. 

   START:MOV AX,1E00H

   MOV DS,AX

   MOV SI,0000H

   MOV CX,2000H 

  GOON: MOV AL,55H
  
   MOV [SI],AL

  CALL T20MS;延时20ms

  INC SI

  LOOP GOON

    HLT 

  除上面并行EEPROM外(其数据并行读写),尚有串行EEPROM。串行EEPROM由于其读写是串行的,无法用作内存。只用来当作外存使用。

  但在简单的IC卡中应用十分广泛。由于篇幅限制,在此不做介绍。 


 


2. 闪速(FLASH)EEPROM

   (1)28F040的引线

   闪速28F040的引线如图4.25所示。

   由图4.25可以看到,28F040与27C040的引线是相互兼容的。但前者可以做到在线编程,而后者是无法做到的。

   28F040是一块512KB的闪速EEPROM芯片,其内部可分成16个32KB的块(或一页)。每一块可独立进行擦除。
  (2)工作过程

   ①工作类型。28F040主要有如下几种工作类型:

   ·读出类型。 

   ·写入编程类型。
 
   ·擦除类型。 

   ②命令和状态。
 
   ③外部条件。 

   



  (3) 主要功能的实现

   ①只读存贮单元。
 
   ②编程写入。
 
   ③擦除。
 
     ·整片擦除。
 
     ·块擦除。
 
   整片擦除及块擦除流程图分别如图4.27中的(a)和(b)所示。很显然,擦除一块只用更少的时间,最快为100ms。

   ④其他。 
   


   (4) 应用

     ① 用作外存贮器。
 
     ② 用于内存。