GaN和SiC基功率半导体的宽带隙技术
寻找硅替代物的研究始于上个世纪的最后二十年，当时研究人员和大学已经对几种宽带隙材料进行了试验，这些材料显示出替代射频，发光，传感器和功率半导体的现有硅材料技术的巨大潜力。...
2021-04-01 2072
浅谈VMMK-3313及15至33 GHz应用中的晶圆级封装检测器使用
当将低损耗元件嵌入电路板中时，很难测量它在很宽的频率范围内的损耗。四分之一波偏置去耦线和梯形断路开路提供了一种提供偏置去耦的低损耗方法。但是，它们本质上是窄带。...
2021-04-11 2824
全面描述SADP / SAQP流程的工作方式
作者： JAE UK LEE和IMEC RYOUNG-HAN KIM博士，DAVID ABERCROMBIE，REHAB KOTB ALI和MENTOR的AHMED HAMED-FATEHY 自对准多图案化工艺已成为最先进节点的必要条件，在传统节点上，无论使用何种光刻技术，传统的光刻...
2021-04-11 21459
如何用一些不同的廉价材料来有效地替代导热膏？
导热膏是一种致密的复合材料，用于改善电子元件与散热器之间的热接触（图2）。在CPU上必须使用它，因为它们是效率很低的组件，并且会在未使用的热量中耗散大量能量。...
2021-04-12 9372
深入了解SADP流程加快设计到流片的速度
无论芯片设计工程师有多认真，以及他们使用什么实施工具，验证团队在分解自对准双图案（SADP）设计的签核验证期间将始终遇到设计规则检查（DRC）错误。如果设计是手动分解的，则工程师...
2021-04-13 4596
IBM全球首款2nm芯片制程 IBM 2纳米芯片制造技术要点
IBM Research在其纽约奥尔巴尼技术中心宣布其突破性的2nm技术的消息。 据IBM官方表示，核心指标方面，IBM称该2nm芯片的晶体管密度（MTr/mm2，每平方毫米多少百万颗晶体管）为333.33，几乎是台积电...
2021-05-19 3563
高性能/低功耗65纳米 CMOS技术解析
富士通进一步改进制造工艺，为 ASIC 和 COT 客户提供世界一流的 65 纳米 CMOS 技术。这种极具竞争力的 65 纳米技术具有最大化性能和最小化功耗的选项。因此，该技术既适合以性能为导向的应用...
2021-06-18 4961
Rick Gottscho博士：下一代芯片在堆叠、微缩和检验方面的挑战
泛林集团首席技术官Rick Gottscho博士接受了行业媒体Semiconductor Engineering （SE）的专访。...
2020-10-12 630
探讨半导体制造原子层刻蚀与沉积工艺的自限性反应
原子层刻蚀和沉积工艺利用自限性反应，提供原子级控制。 泛林集团先进技术发展事业部公司副总裁潘阳博士 分享了他对这个话题的看法。 技术节点的每次进步都要求对制造工艺变化进行更严...
2021-02-08 6400
台积电5nm与三星5nm的本质差异 三星5LPE与台积电N5详解
台积电提到对于包含60%逻辑单元、30% SRAM，以及10%模拟I/O的移动SoC而言，其5nm工艺能够缩减芯片35%-40%的尺寸——这样的值是更具参考价值的。...
2021-01-30 29324
浅谈半导体晶体管间距的缩放面积及连续节点的有效密度
翻译自——newelectronics 摩尔定律已经不能用了吗？其实这取决于哪一方面。 斯坦福大学电气工程教授Philip Wong与来自麻省理工学院、台积电、加州大学伯克利分校的研究所的同事一起，写了一篇...
2021-01-25 3008
FinFET的效用已趋于极限 浅谈晶体管缩放的难题
作者：泛林Nerissa Draeger博士 FinFET在22nm节点的首次商业化为晶体管——芯片“大脑”内的微型开关——制造带来了颠覆性变革。与此前的平面晶体管相比，与栅极三面接触的“鳍”所形成的通道...
2021-01-25 2776
代工行业竞争愈加激烈 5/3nm芯片战争将开启
2021年，代工厂正在加紧各自5nm甚至3nm先进工艺的进程。与此同时，下游芯片商又必须在基于哪种工艺设计下一代芯片做出决定。这就可能影响到在3nm是延续现有的FinFET发展，还是在3nm或2nm采用...
2021-01-14 2739
台积电3nm将于2022年第二季进入量产 成熟制程产能全线吃紧
全球晶圆代工龙头台积电2020年交出亮丽成绩单，预期全年美元营收年成长率逾三成并创下历史新高。2021年虽然仍有新冠肺炎疫情蔓延、地缘政治及贸易战等外在环境变数，但晶圆代工订单强劲...
2021-01-05 1873
硅光子在半导体制造技术的未来前景
光子学的目标是利用光来实现通信、数据传输、信息处理等传统电子设备所实现的功能。光子学成为一个实践性的工作方向始于1960 年激光器的发明。光纤传输信息的发明推动了光子技术在电讯...
2020-12-31 3314
基于台积电5nm工艺的A14芯片成本不会低 单颗芯片成本将高达238美元
此前苹果已经发布了A14芯片，作为全球首颗采用台积电5nm工艺的芯片，其集成118亿个晶体管，在性能和能效上相比A13都有一定提升。但A14芯片采用台积电5nm工艺，所付出的代价也是相当高的！...
2020-09-28 4586
宽禁带生态系统：碳化硅功率MOSFET模型的部分特性
宽禁带材料实现了较当前硅基技术的飞跃。它们的大带隙导致较高的介电击穿，从而降低了导通电阻(RSP)。更高的电子饱和速度支持高频设计和工作，降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下...
2020-10-10 3335
泛林集团推出先进介电质填隙技术，推动下一代器件的发展
泛林集团 （Nasdaq:LRCX） 宣布推出一款全新的工艺方案——先进的Striker® FE平台——用于制造高深宽比的芯片架构。S...
2020-09-23 616
数控车床一级保养内容与要求
拆下小精板丝杠、螺母、镶条清洗。③拆下中滑板丝杠、螺母、镶条清洗。④拆下床鞍防尘油毛毡清洗，然后加油和复装。⑤中滑板丝杠、螺母、镶条、导轨加油后，复装、调整镶条间隙和丝杠...
2020-10-01 3689
高精度超薄结构化玻璃晶圆升级量产，公差低于20微米
肖特FLEXINITY®玻璃晶圆开创性的结构具有无可匹敌的精度，这对在高技术应用中的精确定位和结构对齐至关重要。低于20微米（± 10微米）的紧密公差确保组件之间的完美对齐并实现高精度系统。...
2020-09-08 1395
浅谈英特尔的SuperFin
英特尔自己的工程师说，即使他们自己有时也很难记住哪个+变体具有特定的更新，或者哪个产品建立在哪个+节点上，这个消息也许能让你心情好上一些。...
2020-09-02 3790
科锐推进建造全球最大SiC器件制造工厂和扩大SiC产能
科锐目前正在美国纽约州Marcy建造全球最大的碳化硅 （SiC） 制造工厂。这一全新的、采用领先前沿技术的功率和射频制造工厂将满足车规级标准和200mm工艺。...
2020-08-31 938
浅谈半导体工艺的头道工序——单晶体拉胚的单晶炉
单晶炉，全自动直拉单晶生长炉，是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。...
2020-08-25 7772
英特尔在2020年架构日上揭秘Willow Cove微架构及全新晶体管技术
在2020年架构日上，英特尔六大技术支柱持续创新，揭秘Willow Cove，Tiger Lake和Xe架构以及全新的晶体管技术。...
2020-08-14 1848
材料帮助图形成像以解决PPAC中的矛盾
为什么尺寸缩小并没按应有的速度不断进步呢？为什么高端硅成本依然如此昂贵？答案就在于芯片设计的复杂性——如今的芯片设计层数繁多，各层之间还必须无缝连接。...
2020-08-13 1357
晶振电路中选择电容的方式
单片机有内部时钟方式和外部时钟方式两种：（1）单片机的XTAL1和XTAL2内部有一片内振荡器结构，但仍需要在XTAL1和XTAL2两端连接一个晶振和两个电容才能组成时钟电路，这种使用晶振配合产生信...
2020-08-04 6770
英特尔工艺技术在走下坡路？工艺技术比许多技术要复杂得多
鉴于摩尔定律是指数趋势，那就意味着即使仅一步也可以带来巨大的竞争优势。例如，对于游戏玩家来说，性能提高2倍的GPU可能意味着获得60fps而不是30fps。...
2020-09-11 1851
半导体材料Si、SiC和GaN 优势及瓶颈分析
作为半导体材料“霸主“的Si，其性能似乎已经发展到了一个极限，而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。...
2020-09-11 10698
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