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电子发烧友网>制造/封装>半导体技术>工艺/制造>激光退火技术制备石墨烯

激光退火技术制备石墨烯

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LIG已成为近年来石墨烯研究最活跃的课题之一。因此,了解石墨烯形成的潜在机制对于制备石墨烯基器件具有重要意义。石墨烯形成的机理很大程度上取决于激光和碳前驱体的特性。
2022-12-01 09:28:154197

超洁净石墨烯薄膜的制备方法

迄今为止, 石墨烯的制备方法主要有机械剥离法、液相剥离法、碳化硅外延法、化学气相沉积法 (Chemical vapor deposition,CVD)等。其中, CVD法制备石墨烯薄膜,尤其是在铜等金属衬底上生长的石墨烯薄膜,具有质量高和可控性好的优点,越发受到科学界和产业界的关注。
2023-02-22 11:28:291120

浅谈石墨制备与应用十大研究进展

石墨烯具有广阔的应用空间与巨大的经济价值。目前国内外对石墨技术的应用研究如火如荼,研究热点主要集中在石墨制备、储能、传感器、生物医学等方面。
2023-03-10 11:03:17440

一文解析GBT激光退火技术

在垂直方向上,IGBT结构经历了穿通型(pouch through,PT),非穿通型(non pouch through,NPT)和电场截止型(field stop,FS),使器件的整体性能不断提高。
2023-05-06 17:44:241223

硼-氮共掺杂垂直石墨烯电极的制备及其葡萄糖检测性能研究

据麦姆斯咨询报道,近期,天津理工大学的研究人员采用电子辅助热丝化学气相沉积技术制备了垂直石墨烯(VG),并且通过B原子和N原子的单独及同步掺杂,制备了B掺杂垂直石墨烯(BVG)、N掺杂垂直石墨烯(NVG)以及B-N共掺杂垂直石墨烯(BNVG)薄膜
2023-05-29 14:13:02467

石墨烯增强铜基复合材料制备工艺及性能的研究进展

铜基复合材料的制备工艺与综合性能,重点讨论了各种制备工艺的特点、强化机制、构型设计,总结了针对复合界面结合弱与石墨烯分散困难这2类主要技术难点的解决途径,最后对石墨烯增强铜基复合材料的制备工艺进行了展望。
2023-06-14 16:23:483063

量子芯片激光手术刀

近日,本源量子成功研制国内首个专用于量子芯片生产的MLLAS-100激光退火仪(简称“激光退火仪”),该仪器可解决量子芯片位数增加时的工艺不稳定因素,像“手术刀”一样精准剔除量子芯片中的“瑕疵
2023-01-12 16:46:43430

激光退火工艺在IGBT制造中的应用

激光退火是绝缘栅双极型晶体管(IGBT背面工艺的重要步骤。对离子注入后的硅基IGBT圆片背面进行激光快速退火,实现激活深度,有效修复离子注入破坏的晶格结构。随着IGBT技术发展和薄片加工工艺研发
2023-05-16 10:45:11897

石墨制备新技能:超临界流体技术

的鳞片状石墨中,使石墨膨胀突破石墨层间的范德华力进而对石墨烯进行剥离、分散。超临界流体剥离制备石墨烯法实现了对石墨烯层数的可控制备
2023-07-06 10:07:47645

石墨烯负载金属氧化物催化剂的制备方法

石墨烯作为一种特殊的二维材料,具有高导电性、 高比表面积以及优异的化学和机械稳定性,金属氧化物纳米颗粒与石墨烯结合制备获得的复合催化剂材料,可增强催化剂体系的导电性、分散性、ORR活性以及稳定性
2023-08-11 10:45:39364

石墨烯现行产业化的2个经典案例

不同形式的石墨烯材料可根据应用和技术的要求,选用不同制备方法得到。这些不同的制备方法给技术人员和产品工程师带来了严重的困扰,而石墨烯形态的多样化直接导致了在石墨烯应用上大量不一致、甚至相互矛盾的结果。为在应用技术及材料制造上实现和科学界一致的理
2023-08-31 16:37:24391

飞秒激光制备多孔石墨烯研究进展

近日,中科院上海光机所高功率激光元件技术与工程部吴卫平研究员团队采用飞秒激光结合模板法,构筑了内部孔隙精准可控且独立支撑的多孔石墨烯薄膜,在自支撑多孔碳薄膜表面构筑三维阵列化石墨烯微结构,实现了光谱
2023-12-12 11:32:39304

石墨烯的制备方法 石墨烯材料在热管理领域的应用

石墨烯的制备方法主要有2类(图1):一为“自上而下”法,即通过物理或者化学方法对碳材料进行剥离或者剪切,从而获得高品质石墨烯,主要包括机械剥离法、氧化还原法及电弧放电法等。
2023-12-27 10:23:37135

飞秒激光制备器件的原理 飞秒激光制备表面型红外器件

近年来,随着研究人员对红外微光学元器件的深入研究,高精度制备器件备受关注。传统的制备技术存在许多缺点,而飞秒激光有着超强、超快的特性,非常合适用来制备红外微光学元器件。
2023-12-29 16:25:01225

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