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GlobalFoundries公开宣布7nm\10nm:闭门自研

2015年09月21日 08:54 次阅读

  GlobalFoundries在7月份宣布量产14nm FinFET(LPE),总算是迈入了1Xnm的大关。

  当然,我们都知道,因为自身实力研发不顺,GF这次是从三星买的14nm LPE和LPP。现在,IBM已经在全球率先拿出了7nm的芯片,而Intel、三星、台积电也宣布了10nm规划,这次GF的打算是什么呢?

  据EETImes采访GF首席执行官Sanjay Jha获得消息,Jha称,他们这次不会买授权了,将闭门自研7nm和10nm。

  可能你也疑问,14nm搞不定,GF还行吗?事实上,这次GF找来了一个强力的合作伙伴,那就是蓝色巨人IBM,双方将在研发上深入合作。

  有印象的读者肯定还记得,IBM在宣布全球首个7nm芯片的时候,感谢的合作伙伴中有三星和GF。

  虽然GF没有透露10nm的投产日期,但很大可能会落后于其他三家厂商,Intel预计最快明年底,台积电和三星预计在2017年初。

  另外,10nm和7nm芯片非常依赖全新的EUV(极紫外线光刻)设备,目前就荷兰阿斯麦(ASML)能造。Jha的分析是,EUV设备稳定供应预计最快要到2018年,他们现在只能用传统的光学工具开发先进芯片原型。

  GF在2014年被联电反超,丢掉了世界第二芯片代工厂的位置,明年给AMD打造14nm是个新的机会,就看表现如何了。

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苹果或已确定芯片新代工厂 抢三星生意

消息称,苹果A系列芯片代工合作伙伴三星将帮助提高新工厂的芯片产量。据悉,GlobalFoundrie...

发表于 2013-11-12 09:49 485次阅读
苹果或已确定芯片新代工厂 抢三星生意

细看IMEC纳米级先进半导体技术的突破

半导体技术研究可望为广泛的医疗电子、通讯、显示器、数位相机等领域带来进步与创新。这是IMEC研究机构...

发表于 2013-10-23 09:57 4437次阅读
细看IMEC纳米级先进半导体技术的突破

传统过孔数显著增加 条状过孔成大势所趋

对于28纳米及以下节点,各种新的设计要求使我们不得不调整传统的数字电路板图设计和验证流程。尤其值得一...

发表于 2013-09-02 09:43 647次阅读
传统过孔数显著增加 条状过孔成大势所趋

半导体巨头积极投入20nm 设备厂抢单大战在即

随着台积电、英特尔、三星等半导体大厂将在明年微缩制程进入20纳米以下世代,设备厂也展开新一波的抢单计...

发表于 2013-08-27 09:43 597次阅读
半导体巨头积极投入20nm 设备厂抢单大战在即

竞逐FinFET设计商机 EDA厂抢推16/14...

EDA 业者正大举在FinFET市场攻城掠地。随着台积电、联电和英特尔(Intel)等半导体制造大厂...

发表于 2013-08-26 09:34 976次阅读
竞逐FinFET设计商机 EDA厂抢推16/14...

FinFET改变战局:台积将组大联盟抗三星Int...

晶圆代工厂迈入高投资与技术门槛的鳍式场效电晶体制程世代后,与整合元件制造商的竞争将更为激烈,因此台积...

发表于 2013-07-24 10:12 642次阅读
FinFET改变战局:台积将组大联盟抗三星Int...